JPS6349494A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものでおる。

［従来の技術］ レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、最初にタンタルと鉛が使用された（サイエ
ンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）　１５４゜１５５０、１９６６
）　）。それ以来種々の材料が使用されているが、テル
ル（Ｔｅ）等のカルコゲン元素又はこれらの化合物はよ
く使用されており（特公昭４１−２６８９７号公報）、
とくにテルル−セレン系合金はよく使用されている（特
公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５７−７９１９号
公報、特公昭５７−５６０５８号公報）。

近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長がａｏｏｏ八前後へあるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、　７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、　　５ｔａ
ｔ、　　ｓｏｌ、　　７．　１８９．　１９６４＞　）
。

このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第１図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１か設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピッ１〜２２か形成さ
れる。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の
合成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心
円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録さ
れるように通常案内溝が設けられている。

レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常０．３〜１．３μｓでおり、溝の深さ
は使用するレーザ波長の１７１２から１／４の範囲に設
定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワー
のレーザ光をピット上を通過するように照射することに
より、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して
行なう。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、テルル−セレン合金膜では良好な品質の
記録再生信号が安定に得られなかった。

一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主
成分とすることにより、信号品質か良好となることを見
出し、すでに提案している。本発明はこれをざらに改善
したものでおり、耐候性がよくかつ高感度で良好な品質
の信号を安定に得ることのできる光記録媒体を提供する
ことを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、テルルとセレンと窒素と
を主成分とする記録層を有し、かつこの記録層は、厚さ
方向中央部近傍の窒素含有量が少なくとも一方の界面近
傍の窒素含有■よりも少ないことを特徴とする光記録媒
体でおる。

本発明において記録層として用いられるテルルとセレン
と窒素とを主成分とする層（以下テルル−セレン−窒素
層と略￥）には鉛、アンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、
ゲルマニウム、タリウム、リン、カドミウム、インジウ
ム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、銀
、マグネシウム、タンタル、金、パラジウム、コバルト
の群から選ばれた少なくとも１種の元素が添加されてい
てもよい。この場合、ピットの形状を良好に整える場合
がおる。ただし、添加量は原子数パーセントで２０パ一
セント未満が望ましい。

このテルル−セレン−窒素層は、その厚さ方向中央部近
傍の窒素含有１が、該層の表面近傍および／または基板
との界面近傍の窒素含有量よりも少ないものでおる。こ
のうち、窒素元素の含有量の多い部分の厚さは２Ａから
５０への範囲が記録再生特性のｉ＆点から望ましく、窒
素元素の含有量の少ない部分の厚さは１００八から１０
００への範囲が記録再生特性の観点から望ましい。窒素
元素の含有量（ま、多い部分か原子数パーセントで５パ
ーセン１へ以上５０パ一セント未満でおり、少ない部分
が２パ一セント以上２０パーセント未満であることが記
録再生信号生、耐候性の四点から望ましい。またセレン
の含有量は原子数パーセントで２パーセントから５０パ
ーセントの範囲が記録再生特性、耐候性の観点から望ま
しい。

成膜方法はスパッタリング法の他に、蒸着法、反応性蒸
着法、イオンブレーティング法、イオンビームデポジシ
ョン法等でもよい。

また基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、
ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成
樹脂やカラスなど通常使用されているものが用いられる
。

［作　用］ 記録層の表面近傍または基板との界面近傍おるいはその
両者の窒素の含０最を中央部近１労よりも多くすること
により、記録により形成されるピッ１〜か大ぎく拡がら
ず安定に形成されるようになる。

したがって、ピッ１へをつめて記録できるので高密度記
録が可能となり、記録パワー変動に対する余裕度も大き
くなるので実用的な光記録媒体となる。

また、大きなピットが形成されないために１〜ラツキン
グやフォーカスの一す−ボか不安定にならないのて実用
的な光記録媒体となる。ピットが大きく拡がらずに安定
に形成される理由は明確ではないが、窒素含有量が厚さ
方向で異なることにより、光記録時の記録層中の溶融領
域が窒素含有量が一定のときよりも好都合な形状になる
ためと思われる。

［実施例］ 以下本発明の実施例について説明する。

１００　’Ｃで２時間アニール処理した内径１５Ｍ、外
径１３０＃、厚ざ１，２履の案内溝付ぎポリカーボネー
ト樹脂ディスク基板上に、テルル−セレン合金ターゲッ
トをアルゴンと窒素との混合カスでマグネトロンスパッ
タして、テルル−セレン−窒素層を作製した。この成膜
のときに、窒素ガスの分圧を変化させることにより、基
板との界面付近と表面付近の窒素元素の含有量が多くな
るようにした。

窒素元素の多いほうの部分のテルルとセレンと窒素の比
は原子数パーセントでおよそ８２対８対１０とし、少な
いほうの部分の比はおよそ８５対９対６とした。窒素元
素の多いほうの部分の厚さは基板側、表面側ともにおよ
そ２０Ａとし、少ない部分の厚さはおよそ２０ＯＡとし
た。しかる後、温度８５°Ｃ１相対湿度９０％の環境に
１２時間保存して光記録媒体を作製した。この光ディス
クの基板入射における波長８３００への反射率を測定し
たところ、約２４％でおった。波長８３００人の半導体
レーザ光を基板を通して入射し、記録層上で１．６ＪＪ
Ｊｎφ程度に絞り、媒体線速度５．６５１１１／５ｅＣ
１記録周波７１３．７７ＭＨｚ、記録パルス幅７０ｎｓ
ｅｃ　、記録パワー６、０ｍＷの条件で記録し、０、７
ｍＷで再生した。バンド幅３０ｋＨ２のキャリアーとノ
イズとの比（Ｃ／Ｎ）は４９ｄＢと良好でおった。この
値は、記録再生装置を変更することにより生ずる記録パ
ワー変動に対しても実用上充分に安定でおった。この光
ディスクを７０’Ｃ１８０％の高温高）３度の環境に６
０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、耐
候性に優れた光記録媒１本て必ることが確ル２された。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の光記録媒体は耐候性がよ
く、かつ高感度で良好な品質の信号を安定に得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は光記録媒体の１例を示す部分断面図でのる。 １・・・基板 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット ２２こご１ント

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去さ
   れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
   らなる光記録媒体において、テルルとセレンと窒素とを
   主成分とする記録層を有し、かつこの記録層は、厚さ方
   向中央部近傍の窒素含有量が少なくとも一方の界面近傍
   の窒素含有量よりも少ないことを特徴とする光記録媒体
   。