JPS6313786A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS6313786A JPS6313786A JP61158247A JP15824786A JPS6313786A JP S6313786 A JPS6313786 A JP S6313786A JP 61158247 A JP61158247 A JP 61158247A JP 15824786 A JP15824786 A JP 15824786A JP S6313786 A JPS6313786 A JP S6313786A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
[従来の技術]
レーデ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容積記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル(丁e)等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている(特公昭47−2689
7@公報)。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている(特公昭54−41902号公報、特公昭57
−7919号公報、特公昭57−56058号公報)。
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容積記録
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料としては、テルル(丁e)等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている(特公昭47−2689
7@公報)。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている(特公昭54−41902号公報、特公昭57
−7919号公報、特公昭57−56058号公報)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーデは発
振波長が8000人前後でおるか、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる(フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、 7,189.1964(phys、 5tat
、 sol、 7.189.1964) )。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーデは発
振波長が8000人前後でおるか、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる(フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、 7,189.1964(phys、 5tat
、 sol、 7.189.1964) )。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第2図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板1に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層21が設けられている。記録用レーザ光は基板1を通
して記録層21に集光照射され、ピット22が形成され
る。基板1としてはポリカーボネート、ポリオLノフィ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の
合成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピットが同心
円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録さ
れるように通常案内溝が設けられている。
録媒体は第2図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板1に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層21が設けられている。記録用レーザ光は基板1を通
して記録層21に集光照射され、ピット22が形成され
る。基板1としてはポリカーボネート、ポリオLノフィ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の
合成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピットが同心
円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録さ
れるように通常案内溝が設けられている。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1.3迦であり、溝の深さは
使用するレーザ波長の1712から174の範囲に設定
される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されてい
る。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーの
レーザ光をピット上を通過するように照射することによ
り、ピッ1〜の有無に起因する反射率の変化を検出して
行なう。
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1.3迦であり、溝の深さは
使用するレーザ波長の1712から174の範囲に設定
される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されてい
る。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーの
レーザ光をピット上を通過するように照射することによ
り、ピッ1〜の有無に起因する反射率の変化を検出して
行なう。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、テルル−セレン系合金層のみを記録層と
して用いた光記録媒体では信号品質が充分に良好ではな
かった。
して用いた光記録媒体では信号品質が充分に良好ではな
かった。
一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主
成分とすることにより、信号品質が良好となることを見
出し、すでに提案している。本発明はこれをざらに改善
したものであり、耐候性がよくかつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することを目的とする。
成分とすることにより、信号品質が良好となることを見
出し、すでに提案している。本発明はこれをざらに改善
したものであり、耐候性がよくかつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することを目的とする。
U問題点を解決するための手段J
本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する油泥基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が金属と金属
酸化物との混合物よりなる前記基板側に形成された層と
、この層に隣接して前記基板の外方に形成されたテルル
、セレンおよび窒素を主成分とする層とを少なくとも有
していることを特徴とする光記録媒体である。
されて情報を記録する油泥基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が金属と金属
酸化物との混合物よりなる前記基板側に形成された層と
、この層に隣接して前記基板の外方に形成されたテルル
、セレンおよび窒素を主成分とする層とを少なくとも有
していることを特徴とする光記録媒体である。
本発明においては例えば第1図に示すように基板1上に
金属と金属酸化物よりなる混合層2、テルル、セレンお
よび窒素を主成分とする層(以下テルル−セレン−窒素
層と略す)3が順次積層されて記録層を形成する。基板
1とテルル−セレン−窒素層3との間に混合層2を設け
ることにより、記録により形成されるピットが大きく拡
がらないようになる。したがって、ピットをつめて記録
できるので高密度記録が可能となる。又、記録パワー変
動に対する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体
となる。さらに又、大きなピットが形成されないためト
ラッキングやフォーカスサーボが不安定にならないので
実用的な光記録媒体となる。
金属と金属酸化物よりなる混合層2、テルル、セレンお
よび窒素を主成分とする層(以下テルル−セレン−窒素
層と略す)3が順次積層されて記録層を形成する。基板
1とテルル−セレン−窒素層3との間に混合層2を設け
ることにより、記録により形成されるピットが大きく拡
がらないようになる。したがって、ピットをつめて記録
できるので高密度記録が可能となる。又、記録パワー変
動に対する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体
となる。さらに又、大きなピットが形成されないためト
ラッキングやフォーカスサーボが不安定にならないので
実用的な光記録媒体となる。
i捏合層の金属および金属酸化物としては種々の材料を
使用することができ、金属と酸化物の金属とは同じもの
でも異なっていてもよい。金属および金属酸化物の組合
せとして好ましいものとしては、たとえばGe+GeO
2、N i +N 1O1CO+COO,CO+CO3
04、Te+N iO1丁c+coz 04 、TeS
e+N iO,TeSe十〇0304等かあげられる。
使用することができ、金属と酸化物の金属とは同じもの
でも異なっていてもよい。金属および金属酸化物の組合
せとして好ましいものとしては、たとえばGe+GeO
2、N i +N 1O1CO+COO,CO+CO3
04、Te+N iO1丁c+coz 04 、TeS
e+N iO,TeSe十〇0304等かあげられる。
混合層の内部応力は小さくするか又はやや圧縮応力とな
るように作製することか、膜のクラックを防止する点で
望ましい。ン昆合層の膜厚は5八から2500Aの範囲
が望ましい。
るように作製することか、膜のクラックを防止する点で
望ましい。ン昆合層の膜厚は5八から2500Aの範囲
が望ましい。
テルル−セレン−窒素層の厚さは50八からioo。
への範囲が記録再生特性の観点から望ましい。またテル
ル−セレン−窒素層にあける窒素の含′FiNは原子数
バーセン1〜で2パーセント以−t20パーセント未満
が記録再生特性、耐候i生の観点から望ましく、セレン
の含有量は原子数パーレントで2パーセン1〜から50
パーセントの範囲か耐候性の観点から望ましい。
ル−セレン−窒素層にあける窒素の含′FiNは原子数
バーセン1〜で2パーセント以−t20パーセント未満
が記録再生特性、耐候i生の観点から望ましく、セレン
の含有量は原子数パーレントで2パーセン1〜から50
パーセントの範囲か耐候性の観点から望ましい。
チル−セレン−窒素層には鉛、ヒ素、スズ、ゲルマニウ
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リン
、インジウム、ガリウム、+X>、ビスマス、アルミニ
ウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウ
ム、コバルトの群から選ばれた少なくとも1種の元素が
添加されていてもよい。この場合、ピットの形状を良好
に整える場合がある。ただし添加量は原子数パーセン1
〜で20パ一セント未満が望ましい。
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リン
、インジウム、ガリウム、+X>、ビスマス、アルミニ
ウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウ
ム、コバルトの群から選ばれた少なくとも1種の元素が
添加されていてもよい。この場合、ピットの形状を良好
に整える場合がある。ただし添加量は原子数パーセン1
〜で20パ一セント未満が望ましい。
成j漠方法は、スパッタリング法の他に、然る法、反応
性蒸着法、イオンブレーティング法、イオンビームデポ
ジション法等でもよい。
性蒸着法、イオンブレーティング法、イオンビームデポ
ジション法等でもよい。
基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。
[作 用]
基板とテルル−セレン−窒素層の間に金属と金属酸化物
との混合物よりなる混合層を介在させることによってピ
ットが大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を得る
ことができる。これはテルル−セレン−窒素層の有無に
よる表面エネルギーの差が金属と金属酸化物との混合層
の形成により変化するためでおると考えられる。
との混合物よりなる混合層を介在させることによってピ
ットが大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を得る
ことができる。これはテルル−セレン−窒素層の有無に
よる表面エネルギーの差が金属と金属酸化物との混合層
の形成により変化するためでおると考えられる。
なお、記録ピットは、テルル−セレン−窒素層の孔と混
合層の変形(孔、凹部等)とにより形成されている。
合層の変形(孔、凹部等)とにより形成されている。
[実施例]
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
100’Cで2時間アニール処理した内径15#、外径
130#、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂ディ
スク基板にNiO,(Xはおよそ0.9)を200人厚
形成し、ひきつづきこの上に、テルル−セレン合金ター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでマグネトロンス
パッタして、テルルとセレンと窒素の比が原子数パーセ
ントで90対4対6のテルル−セレン−窒素層を240
人厚形成した。この光ディスクを95°Cの窒素雰囲気
中で1時間アニールしたのち、波長8300人における
基板入射反射率を測定したところ31%であった。波長
8300Aの半導体レーザ光を基板を通して入射して記
録層上で1゜6胸φ程度に絞り、媒体線速度5.6m/
sec、記録周波数3.77)IH2,記録パルス幅7
0nsec 、記録パワー7.0mWの条件で記録し、
0.7mWで再生した。バンド幅30kH2のキャリア
ーとノイズとの比(C/N )は50dBと良好であっ
た。この光ディスクを10℃、80%の高温高湿度の環
境に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化はな
く、耐候性に優れた元肥d媒体であることが確認された
。
130#、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂ディ
スク基板にNiO,(Xはおよそ0.9)を200人厚
形成し、ひきつづきこの上に、テルル−セレン合金ター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでマグネトロンス
パッタして、テルルとセレンと窒素の比が原子数パーセ
ントで90対4対6のテルル−セレン−窒素層を240
人厚形成した。この光ディスクを95°Cの窒素雰囲気
中で1時間アニールしたのち、波長8300人における
基板入射反射率を測定したところ31%であった。波長
8300Aの半導体レーザ光を基板を通して入射して記
録層上で1゜6胸φ程度に絞り、媒体線速度5.6m/
sec、記録周波数3.77)IH2,記録パルス幅7
0nsec 、記録パワー7.0mWの条件で記録し、
0.7mWで再生した。バンド幅30kH2のキャリア
ーとノイズとの比(C/N )は50dBと良好であっ
た。この光ディスクを10℃、80%の高温高湿度の環
境に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化はな
く、耐候性に優れた元肥d媒体であることが確認された
。
比較のためのNiOx層を設けない光ディスクに比べて
、45dB以上のC/Nが得られる記録パワー範囲はお
よそ2倍大きくなり、記録パワー変動に対する余裕度の
大きいことが確認された。又、トラッキングやフォーカ
スのサーボも不安定になることはなかった。
、45dB以上のC/Nが得られる記録パワー範囲はお
よそ2倍大きくなり、記録パワー変動に対する余裕度の
大きいことが確認された。又、トラッキングやフォーカ
スのサーボも不安定になることはなかった。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候性がよく
かつ高感度で信号品質の良好なものである。
かつ高感度で信号品質の良好なものである。
第1図は本発明の光記録媒体の1実施例を示す部分断面
図、第2図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。
図、第2図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。
Claims (1)
- (1)基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去さ
れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
らなる光記録媒体において、前記記録層が金属と金属酸
化物との混合物よりなる前記基板側に形成された層と、
この層に隣接して前記基板の外方に形成されたテルル、
セレンおよび窒素を主成分とする層とを少なくとも有し
ていることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61158247A JPH0667670B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 光記録媒体 |
US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61158247A JPH0667670B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6313786A true JPS6313786A (ja) | 1988-01-21 |
JPH0667670B2 JPH0667670B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=15667465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61158247A Expired - Fee Related JPH0667670B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-07-04 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0667670B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003535422A (ja) * | 2000-05-30 | 2003-11-25 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 不可逆的光記録媒体 |
EP2521123A1 (de) * | 2011-05-04 | 2012-11-07 | Forschungszentrum Jülich Gmbh | Optisches Speichermaterial und Verfahren zur Speicherung |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP61158247A patent/JPH0667670B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003535422A (ja) * | 2000-05-30 | 2003-11-25 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 不可逆的光記録媒体 |
EP2521123A1 (de) * | 2011-05-04 | 2012-11-07 | Forschungszentrum Jülich Gmbh | Optisches Speichermaterial und Verfahren zur Speicherung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0667670B2 (ja) | 1994-08-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |