JPH0528677B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0528677B2 JPH0528677B2 JP62128941A JP12894187A JPH0528677B2 JP H0528677 B2 JPH0528677 B2 JP H0528677B2 JP 62128941 A JP62128941 A JP 62128941A JP 12894187 A JP12894187 A JP 12894187A JP H0528677 B2 JPH0528677 B2 JP H0528677B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- selenium
- tellurium
- titanium
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24304—Metals or metalloids group 2 or 12 elements (e.g. Be, Ca, Mg, Zn, Cd)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光記録媒体、特に、レーザ光によつ
て情報を記録再生することのできる光記録媒体に
関する。
て情報を記録再生することのできる光記録媒体に
関する。
従来の光記録媒体は、レーザ光によつて情報を
媒体に記録し、かつ再生するもので、記録密度が
高いことから大容量記録装置として優れた特徴を
有している。
媒体に記録し、かつ再生するもので、記録密度が
高いことから大容量記録装置として優れた特徴を
有している。
この光記録媒体の材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された｛サイエンス（Science）
154、1550、1966）｝。
ルと鉛が使用された｛サイエンス（Science）
154、1550、1966）｝。
それ以来種々の材料が使用されているが、テル
ル等のカルコゲン元素あるいはこれらの化合物は
よく使用されており（特公昭47−26897号公報）、
とくにテルル−セレン系合金はよく使用されてい
る（特公昭54−41902号公報、特公昭57−7919号
公報、特公昭57−56058号公報）。
ル等のカルコゲン元素あるいはこれらの化合物は
よく使用されており（特公昭47−26897号公報）、
とくにテルル−セレン系合金はよく使用されてい
る（特公昭54−41902号公報、特公昭57−7919号
公報、特公昭57−56058号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phys.stat.sol.７、189、1964）｝。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は基板と、記録層とで構成され
る。
いた光記録媒体は基板と、記録層とで構成され
る。
すなわち基板に隣接してテルル−セレン系合金
よりなる記録層が設けられている。記録用レーザ
光は基板を通して記録層に集光照射され、ピツト
が形成される。基板としてはポリカーボネート、
ポリオレフイン、ポリメチルペンテン、アクリ
ル、エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用さ
れ、基板にはピツトが同心円状あるいはスパイラ
ル状に一定間隔で精度よく記録されるように通
常、案内溝が設けられている。
よりなる記録層が設けられている。記録用レーザ
光は基板を通して記録層に集光照射され、ピツト
が形成される。基板としてはポリカーボネート、
ポリオレフイン、ポリメチルペンテン、アクリ
ル、エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用さ
れ、基板にはピツトが同心円状あるいはスパイラ
ル状に一定間隔で精度よく記録されるように通
常、案内溝が設けられている。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/20から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/20から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワ
ーのレーザ光をピツト上を通過するように照射す
ることにより、ピツトの有無に起因する反射率の
変化を検出して行なう。
ーのレーザ光をピツト上を通過するように照射す
ることにより、ピツトの有無に起因する反射率の
変化を検出して行なう。
しかしながら、このような上述した従来の光記
録媒体は、テルル−セレン合金膜の記録層では記
録パワーマージンのひろい記録再生特性は得られ
なかつた。
録媒体は、テルル−セレン合金膜の記録層では記
録パワーマージンのひろい記録再生特性は得られ
なかつた。
この改善を目的として、記録層をテルルとセレ
ンとチタンにすることが提案され、記録パワーマ
ージンのひろい記録再生特性を有する光記録媒体
が得られている。しかしながら、この記録層は耐
候性が充分に良好であるとはいいがたかつた。
ンとチタンにすることが提案され、記録パワーマ
ージンのひろい記録再生特性を有する光記録媒体
が得られている。しかしながら、この記録層は耐
候性が充分に良好であるとはいいがたかつた。
本発明はこれを改善したものであり、記録パワ
ーマージンのひろさを維持したまま、耐候性を改
良した光記録媒体を提供することを目的とする。
ーマージンのひろさを維持したまま、耐候性を改
良した光記録媒体を提供することを目的とする。
本発明の光記録媒体は、基板と、レーザ光によ
つて一部が選択的に除去されて情報を記録する前
記基板上に形成された記録層とを少なくとも有す
る光記録媒体であつて、テルルとセレンとチタン
とを主成分とする記録層を有し、かつこの記録層
は厚さ方向にチタンの含有量が異なるように構成
される。
つて一部が選択的に除去されて情報を記録する前
記基板上に形成された記録層とを少なくとも有す
る光記録媒体であつて、テルルとセレンとチタン
とを主成分とする記録層を有し、かつこの記録層
は厚さ方向にチタンの含有量が異なるように構成
される。
記録層をテルルとセレンとチタンにすることに
より、ピツトが大きくはあきにくくなるので、記
録パワーマージンのひろい記録再生特性が得られ
る。しかしながら、チタンを添加することにより
耐候性が劣化する。
より、ピツトが大きくはあきにくくなるので、記
録パワーマージンのひろい記録再生特性が得られ
る。しかしながら、チタンを添加することにより
耐候性が劣化する。
本発明の光記録媒体は、記録層の厚さ方向の端
部近傍のチタン含有量を中央部に比べて少なくす
ることにより、耐候性の劣化を防止し、記録パワ
ーマージンのひろさを維持している。
部近傍のチタン含有量を中央部に比べて少なくす
ることにより、耐候性の劣化を防止し、記録パワ
ーマージンのひろさを維持している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す部分断面図で
ある。
ある。
第１図に示す光記録媒体は、基板１と、ピツト
２２を有する記録層２１とで構成される。この記
録層２１は、第１の具体例では、100℃で２時間
アニール処理した内径は15mm、外径130mm、厚さ
1.2mmの案内溝付きポリカーボネート樹脂デイス
ク基板１上に、テルル−セレンターゲツトをスパ
ツタしてテルルとセレンの比が原子数パーセント
で80対20で約30Å厚形成し、ひきつづきその上に
テルル−セレン−チタンターゲツトをスパツタし
てテルルとセレンとチタンの比が原子数パーセン
トで82対15対３で約180Å厚形成し、ひきつづき
その上にテルル−セレンターゲツトをスパツタし
てテルルとセレンの比が原子数パーセントで80対
20で約30Å厚形の記録層２１が成される。
２２を有する記録層２１とで構成される。この記
録層２１は、第１の具体例では、100℃で２時間
アニール処理した内径は15mm、外径130mm、厚さ
1.2mmの案内溝付きポリカーボネート樹脂デイス
ク基板１上に、テルル−セレンターゲツトをスパ
ツタしてテルルとセレンの比が原子数パーセント
で80対20で約30Å厚形成し、ひきつづきその上に
テルル−セレン−チタンターゲツトをスパツタし
てテルルとセレンとチタンの比が原子数パーセン
トで82対15対３で約180Å厚形成し、ひきつづき
その上にテルル−セレンターゲツトをスパツタし
てテルルとセレンの比が原子数パーセントで80対
20で約30Å厚形の記録層２１が成される。
しかるのち、95℃で１時間アニール処理して光
記録媒体を作製した。
記録媒体を作製した。
この光デイスクの基板入射における波長8300Å
の反射率を測定したところ、約35％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
し、記録層２１上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線
速度5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パル
ス幅70nsec、記録パワー9.0ｍＷの条件で記録し、
0.5ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアー
とノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は45dBと良好であり、
記録パワーマージンも良好であつた。このこの光
デイスクを85℃、90％の高温高湿度の環境で60時
間保存した後、上記特性を調べたがほとんど変化
はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが
確認された。
の反射率を測定したところ、約35％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
し、記録層２１上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線
速度5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パル
ス幅70nsec、記録パワー9.0ｍＷの条件で記録し、
0.5ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアー
とノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は45dBと良好であり、
記録パワーマージンも良好であつた。このこの光
デイスクを85℃、90％の高温高湿度の環境で60時
間保存した後、上記特性を調べたがほとんど変化
はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが
確認された。
比較例として、テルルとセレンだけからなる層
を設けずに、すべてテルルとセレンとチタンの比
が原子数パーセントで82対15対３の組成で約240
Å厚形成して他は同様に作製して同様に評価し
た。記録再生特性は本発明の媒体と同程度であつ
たが、耐候性は本発明の媒体より劣つており、問
題であつた。
を設けずに、すべてテルルとセレンとチタンの比
が原子数パーセントで82対15対３の組成で約240
Å厚形成して他は同様に作製して同様に評価し
た。記録再生特性は本発明の媒体と同程度であつ
たが、耐候性は本発明の媒体より劣つており、問
題であつた。
第２の具体例では100℃で２時間アニール処理
した内径15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付
きポリカーボネート樹脂デイスク基板上に、テル
ル−セレンターゲツトとチタンターゲツトを同時
にスパツタして、テルルとセレンとチタンとから
なる膜を作製した。その際、テルル−セレンター
ゲツトに投入する電力とチタンターゲツトに投入
する電力との比を変化させることにより、基板側
のテルルとセレンとチタンの組成を原子数パーセ
ントで84対15対１で約50Å厚形成し、中央部の組
成を82対15対３で約140Å厚形成し、表面側の組
成を84対15対１で約50Å厚形成した。
した内径15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付
きポリカーボネート樹脂デイスク基板上に、テル
ル−セレンターゲツトとチタンターゲツトを同時
にスパツタして、テルルとセレンとチタンとから
なる膜を作製した。その際、テルル−セレンター
ゲツトに投入する電力とチタンターゲツトに投入
する電力との比を変化させることにより、基板側
のテルルとセレンとチタンの組成を原子数パーセ
ントで84対15対１で約50Å厚形成し、中央部の組
成を82対15対３で約140Å厚形成し、表面側の組
成を84対15対１で約50Å厚形成した。
しかる後、95℃で１時間アニール処理して光記
録媒体を作製した。この光デイスクの基板入射に
おける波長8300Åの反射率を測定したところ、約
35％であつた。実施例１と同様にして記録パワー
9.0ｍＷで記録再生評価を行なつたところ、Ｃ／
Ｎは46dBと良好であり、記録パワーマージンも
良好であり、耐候性も良好であつた。
録媒体を作製した。この光デイスクの基板入射に
おける波長8300Åの反射率を測定したところ、約
35％であつた。実施例１と同様にして記録パワー
9.0ｍＷで記録再生評価を行なつたところ、Ｃ／
Ｎは46dBと良好であり、記録パワーマージンも
良好であり、耐候性も良好であつた。
記録層の厚さは100Åから1000Åの範囲が記録
再生特性の観点から望ましく、セレンの含有量は
原子数パーセントで２パーセント以上40パーセン
ト未満の範囲が記録再生特性、耐候性の観点から
望ましく、チタンの含有量は記録層全体での平均
として、原子数パーセントで0.5パーセント以上
10パーセント未満が記録再生特性、耐候性の観点
から望ましく、記録層の厚さ方向の端部近傍のチ
タンの含有量を中央部に比べて少なくすることが
必須である。端部近傍ではチタンをほとんど含ん
でいなくてもよい。
再生特性の観点から望ましく、セレンの含有量は
原子数パーセントで２パーセント以上40パーセン
ト未満の範囲が記録再生特性、耐候性の観点から
望ましく、チタンの含有量は記録層全体での平均
として、原子数パーセントで0.5パーセント以上
10パーセント未満が記録再生特性、耐候性の観点
から望ましく、記録層の厚さ方向の端部近傍のチ
タンの含有量を中央部に比べて少なくすることが
必須である。端部近傍ではチタンをほとんど含ん
でいなくてもよい。
本発明の光記録媒体は厚さ方向にチタンの含有
量を異ならしめることにより、耐候性がよくかつ
記録パワーマージンのひろい記録再生特性を有せ
しめることができるという効果がある。
量を異ならしめることにより、耐候性がよくかつ
記録パワーマージンのひろい記録再生特性を有せ
しめることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す部分断面図で
ある。 １……基板、２１……記録層、２２……ピツ
ト。
ある。 １……基板、２１……記録層、２２……ピツ
ト。
Claims (1)
- １ 基板と、前記基板上にテルルとセレンとチタ
ンとを主成分とし厚さ方向の端部近傍のチタン含
有量を中央部に比べて少なくした記録層とを含む
ことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128941A JPS63293088A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128941A JPS63293088A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63293088A JPS63293088A (ja) | 1988-11-30 |
| JPH0528677B2 true JPH0528677B2 (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=14997194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62128941A Granted JPS63293088A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63293088A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621146A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
| JPS6247839A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-02 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜 |
-
1987
- 1987-05-25 JP JP62128941A patent/JPS63293088A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621146A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
| JPS6247839A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-02 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63293088A (ja) | 1988-11-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6363153A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JP2560711B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0528677B2 (ja) | ||
| JP2689429B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2508056B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JP2581086B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2581087B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0553018B2 (ja) | ||
| JPH0581976B2 (ja) | ||
| JP2508188B2 (ja) | 光記録媒体製造方法 | |
| JPS62278095A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS6313786A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0528676B2 (ja) | ||
| JPH048859B2 (ja) | ||
| JPH0530390B2 (ja) | ||
| JPS62256692A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH042437B2 (ja) | ||
| JPH0528675B2 (ja) | ||
| JPH0481953B2 (ja) | ||
| JPH0533675B2 (ja) | ||
| JPH0827973B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS6331039A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS62282979A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS62286793A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS62297182A (ja) | 光記録媒体 |