JPH0553018B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関するものである。

［従来の技術］ レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、テルル（Te）
等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用さ
れている（特公昭47−26897号公報）。特にテルル
−セレン系合金はよく使用されている（特公昭54
−41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公昭
57−56058号公報）。

近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７，189，
1964（phys.stat.sol.７，189，1964）｝。

このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第２図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。

レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μmであり、溝の深さは使用するレーザ波
長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に関
しても同様にサーボ系が構成されている。情報の
読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレー
ザ光をピツト上を通過するように照射することに
より、ピツトの有無に起因する反射率の変化を検
出して行なう。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、テルル−セレン合金層のみを記
録層として用いた光記録媒体では信号品質が充分
に良好ではなかつた。

一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと
窒素を主成分とすることにより、信号品質が良好
となることを見出し、すでに提案している。本発
明はこれをさらに改善したものであり、耐候性が
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体を
提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板と、レーザ光によつて一部が選択
的に除去されて情報を記録する前記基板上に形成
された記録層とからなる光記録媒体において、前
記記録層がコバルトを主成分とする前記基板側に
形成された層と、この層に隣接して前記基板の外
方に形成されたテルル、セレンおよび窒素を主成
分とする層とを少なくとも有していることを特徴
とする光記録媒体である。

本発明においては例えば第１図に示すように基
板１上にコバルトを主成分とする（以下コバルト
層と略す）２およびテルル、セレンおよび窒素を
主成分とする層（以下テルル−セレン−窒素層と
略す）３が順次積層されて記録層を形成する。基
板１とテルル−セレン−窒素層３との間にコバル
ト層２を設けることにより、記録により形成され
るピツトが大きく拡がらないようになる。したが
つて、ピツトをつめて記録できるので高密度記録
が可能となる。又、記録パワー変動に対する余裕
度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる。
さらに又、大きなピツトが形成されないためトラ
ツキングやフオーカスサーボが不安定にならない
ので実用的な光記録媒体となる。

コバルト層の材料としては種々の材料を使用す
ることができるが、その中ではコバルト、コバル
ト−タンタル合金、コバルト−ジルコニウム合
金、コバルト−クロム合金、コバルト−ニツケル
合金、コバルト−ニオブ合金が耐候性の観点から
望ましい。コバルト層におけるコバルトの含有量
は、主成分がコバルトであればよく、特に限定さ
れないが、通常50wt％以上である。この層の膜
厚としては１Åから100Åの範囲が記録再生特性
の観点から望ましい。

テルル−セレン−窒素層の厚さは50Åから1000
Åの範囲が記録再生特性の観点から望ましく、窒
素の含有量は原子数パーセントで２パーセント以
上20パーセント未満が記録再生特性、耐候性の観
点から望ましく、セレンの含有量は原子数パーセ
ントで２パーセントから50パーセントの範囲が耐
候性の観点から望ましい。

テルル−セレン−窒素層には鉛、ヒ素、スズ、
ゲルマニウム、カドミウム、タリウム、アンチモ
ン、イオウ、リン、インジウム、タンタル、金、
パラジウム、コバルトの群から選ばれた少なくと
も１種の元素が添加されていてもよい。この場
合、ピツトの形状を良好に整える場合がある。た
だし添加量は原子数パーセントで20パーセント未
満が望ましい。

成膜方法は、スパツタリング法の他に、蒸着
法、反応性蒸着法、イオンプレーテイング法、イ
オンビームデポジシヨン法等でもよい。

基板としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。

［作用］ 基板とテルル−セレン−窒素層の間にコバルト
層を介在させることによつてピツトが大きく拡が
らなくなり、優れた光記録媒体を得ることができ
る。これはテルル−セレン−窒素層の有無による
表面エネルギーの差がコバルト層の形成により変
化するためであると考えられる。

なお、記録ピツトは、テルル−セレン−窒素層
の孔とコバルト層の変形（孔、凹部等）とにより
形成されている。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。

（実施例 １） 100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート樹脂デイ
スク基板に、およそ３Å厚のコバルト層を形成
し、ひきつづきこの上に、テルル−セレン合金タ
ーゲツトをアルゴンと窒素の混合ガスでマグネト
ロンスパツタして、テルルとセレンと窒素の比が
原子数パーセントで90対４対６のテルル−セレン
−窒素層を240Å厚形成した。この光デイスクを
95℃の窒素雰囲気中で１時間アニールしたのち、
波長8300Åにおける基板入射反射率を測定したと
ころ32％であつた。波長8300Åの半導体レーザ光
を基板を通して入射して記録層上1.6μmφ程度に
絞り、媒体線速度5.6m／sec、記録周波数
3.77MHz、記録パルス幅70nsec、記録パワー
6.5mWの条件で記録し、0.7mWで再生した。バ
ンド幅30KHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／
Ｎ）は50dBと良好であつた。この光デイスクを
60℃、80％の高温高湿度の環境に60時間保存した
後、上記特性を調べたが変化はなく、耐候性に優
れた光記録媒体であることが確認された。

比較のためのコバルト層を設けない光デイスク
に比べて、本実施例のデイスクは45dB以上の
Ｃ／Ｎが得られる記録パワー範囲はおよそ２倍大
きくなり、記録パワー変動に対する余裕度の大き
いことが確認された。又、トラツキングやフオー
カスのサーボも不安定になることはなかつた。

（実施例 ２） 実施例１と同様にして、コバルト層のかわり
に、原子数パーセントで15パーセントタンタルを
含むコバルト−タンタル層を約４Å設けた光デイ
スクを作製した。実施例１と同様にして評価した
ところ記録パワーの余裕度は同様に２倍程度大き
くなつた。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候
性がよくかつ高感度で信号品質の良好なものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体の１実施例を示す
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部
分断面図である。 １……基板、２……コバルト層、３……テルル
−セレン−窒素層、２１……記録層、２２……ピ
ツト。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
   去されて情報を記録する前記基板上に形成された
   記録層とからなる光記録媒体において、前記記録
   層がコバルトを主成分とする前記基板側に形成さ
   れた層と、この層に隣接して前記基板の外方に形
   成されたテルル、セレンおよび窒素を主成分とす
   る層とを少なくとも有していることを特徴とする
   光記録媒体。