JP2687900B2 - 情報記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、レーザ光，電子線な
どの記録用のエネルギービームによって、例えば、電子
計算機のデータやデジタルオーデオ信号などのデジタル
情報をリアルタイムで記録することが可能な情報記録媒
体に関する。

【０００２】

【従来の技術】非晶質状態と結晶状体との相変化が可逆
的に行われる記録媒体（記録用薄膜）は、その非晶質相
と結晶相とでレーザ光の反射率が異なることを利用して
情報の記録を行う。すなわち、初期化状態が結晶状体に
なっている記録用薄膜にレーザ光を照射すると、その照
射部は急熱急冷されることにより非晶質状態に変化し、
非照射部とは反射率の異なるマークが形成される。

【０００３】さらに、その記録用薄膜に形成されたマー
クに、記録時よりも弱いレーザ光を照射すると、その照
射部は穏やかに加熱と冷却とがなされ、非晶質状態であ
るマーク形成部は初期状態である結晶状体に戻る。これ
らの、非晶質相と結晶相との間の相転移が可逆的に行え
る記録用薄膜、言い換えれば、記録と消去が可逆的に行
える書き換え可能な記録用薄膜の材料としては、Ｓｂと
Ｔｅとからなる合金やこの特性を改善したＧｅとＳｂと
Ｔｅとからなる合金が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たＳｂとＴｅとからなる合金は結晶化時間は短いが非晶
質の安定性に問題があり、ＧｅとＳｂとＴｅとからなる
合金においては十分な非晶質安定性を得るためにＧｅの
構成比率を１０％以上にする必要があるが、これでは結
晶化時間が長くなるという問題があった。情報化社会の
進展にともない、これまで以上に情報伝達の高速化とと
もに記録情報の保持耐久性が要求される。前述したよう
な記録用薄膜は、その非晶質状態相の結晶化温度が高い
ほど保持耐久性がよいものとなるが、ＳｂとＴｅとから
なる合金やＧｅとＳｂとＴｅとからなる合金では上述し
た問題があり、その要求を完全に満たすことができてい
ない。

【０００５】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、情報記録媒体に用いる記
録用薄膜の結晶化時間を長くせず、非晶質相の安定性を
向上させることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明の情報記録媒体
は、記録用薄膜が（Ｓｂ_２Ｔｅ_３）_１−ａ（Ｃｏ_２Ｔｅ
_３）_ａ（０＜ａ＜１）であることを特徴とする。また、
その記録用薄膜が、（Ｓｂ_２Ｔｅ_３）_１−ｂＣｏ_ｂ（０
＜ｂ＜１）であることを特徴とする。また、記録薄膜上
にこの記録薄膜を保護する誘電体膜が配置されていても
よく、その誘電体膜は、有機材料によって構成されてい
てもよく、無機材料によって構成されていてもよく、さ
らに、基板と記録用薄膜との間に配置された誘電体膜を
有するようにしてもよく、また、誘電体膜の上面に反射
膜を設けるようにしてもよく、そして、反射膜上に保護
膜を配置するようにしてもよい。

【０００７】そして、記録用薄膜はその膜方向の平均組
成がＣｏ_ｘＳｂ_ｙＴｅ_ｚＡ_ｐＢ_ｑＣ_ｒで示され、その
ｘ，ｙ，ｚ，ｐ，ｑ，ｒはそれぞれ原子パーセントで、
０＜ｘ≦５０，０＜ｙ≦６５，１０≦ｚ≦７０，０≦ｐ
≦３０，０≦ｑ≦３０，０≦ｒ≦３０であり、ＡはＢ
ｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐ
ｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｌ，Ｓ，Ｓｅ、ＢはＮａ，Ｋ，Ｒ
ｂ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ａｓ，Ｓ
ｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ、ＣはＢ，Ｃ，
Ｎ，Ｏのうちそれぞれ少なくとも１元素以上であっても
よい。

【０００８】

【作用】Ｃｏの添加量により、結晶化温度が高くなり、
また、結晶中に歪みが生じる。

【０００９】

【実施例】以下、この発明の１実施例を説明する前に、
この発明の概要について説明する。この発明による記録
用薄膜におけるＴｅの量が十分に存在する範囲「（Ｓｂ
₂Ｔｅ₃ ）_1-a （Ｃｏ₂ Ｔｅ₃ ）_a ：０＜ａ＜１」で
は、Ｓｅ−Ｔｅ合金は結晶化するとＳｂ₂ Ｔｅ₃ の結晶
構造を取り、Ｃｏ−Ｔｅ合金は標準生成エネルギーが大
きなＣｏ₂ Ｔｅ₃ 近傍の結晶構造をとる。この組成範囲
内において、Ｓｂ−Ｔｅ合金にＣｏが加わっても結晶構
造はほとんど変化しない。

【００１０】上述したようにＴｅの量が十分に存在する
範囲では、Ｃｏ原子とＳｂ原子の原子サイズの違いによ
って歪みが生じるが、この歪みは結晶の核として作用
し、結晶化温度を高くし、また、結晶化が始まったとき
は結晶化速度を速くする。また、上述した標準生成エネ
ルギーが大きなことにより、活性化エネルギーも大きな
ものとなる。このように、Ｃｏ原子を加えることで、生
じた歪みの核としての作用による結晶化の高速化と、大
きな標準生成エネルギーとなることとの両者の作用によ
り、結晶化は起こりにくいが、結晶化が始まれば素早く
結晶化するようになる。

【００１１】すなわち、非晶質状態での安定性は著しく
向上し、一方で結晶化を起こさせるときは、一旦結晶化
が始まればそれが速く行われる（終了する）ようにな
る。これは、言い換えると、記録媒体として考えると、
データが記録されている状態である非晶質状態は非常に
安定しており、一方でデータを書き換えるときなど、デ
ータが無い状態である結晶化状態に速くできるので、デ
ータの書き換えなどが迅速に行える。したがって、Ｔｅ
の量が十分存在する範囲では、結晶化速度の速い記録媒
体として適している。

【００１２】一方、Ｔｅの量が少ない範囲「（Ｓｂ₂ Ｔ
ｅ₃ ）_1-bＣｏ_b）：０＜ｂ＜１」では、ＣｏがＳｂ₂
Ｔｅ₃ のＴｅを奪うため、過剰なＳｂが生じて結晶化速
度が遅くなる。一方で、Ｃｏは、過剰なＳｂと結びつ
き、ＳｂＣｏ₃ などの結晶構造を取り、構造因子を大き
くするとともに結晶化温度を上昇させ、非晶質状態の安
定性を向上させる。したがって、Ｔｅの量が少ない範囲
では、上述の場合と同様に非晶質での安定性は非常に向
上するが、結晶化速度の遅い記録媒体として適してい
る。

【００１３】ここで、この記録媒体は、ディスク状の記
録メディアに用いられ、そのディスクを回転させなが
ら、レーザ光を照射するなどのことにより、記録・消去
を行う。この回転の速度が速い場合、データを書き込む
とき、すなわち、強いレーザを照射して行くとき、記録
面の移動が速いのでレーザが照射されたところは直ちに
レーザの照射領域から離れていき、急速に冷却される状
態となる。このため、このような場合には、上述したＴ
ｅの量が十分に存在する範囲の結晶化速度の速い記録媒
体が適している。

【００１４】一方、回転の速度が遅い場合、データを書
き込むときに、そのデータが書き込まれる領域が上述の
場合より長くレーザに照射されることになり、そして、
レーザの照射状態が徐々に減衰していくことになる。こ
れでは、あまり急冷されたことにはならないので、Ｔｅ
の量が十分に存在する範囲の結晶化速度の速い記録媒体
をもちいると、非晶質状態にならない場合がある。この
ため、このような場合には、Ｔｅの量が少ない範囲の結
晶化が遅い記録媒体を用いるようにすれば良い。なお、
Ｃｏ元素は、半導体レーザ光などの長波長光の吸収を容
易にして、記録感度を高める。

【００１５】また、記録用薄膜の膜方向の平均組成がＣ
ｏ_ｘＳｂ_ｙＴｅ_ｚＡ_ｐＢ_ｑＣ_ｒで示されていてもよい。
ここで、その記録用薄膜は、膜方向の平均組成が前述し
た所定の範囲内にあれば、変化しても良いが、組成の変
化は不連続的でない方がより好ましい。

【００１６】記録用薄膜を構成するＡで示される元素と
しては、Ｓｉ，Ｍｎが特に好ましく、次いで、Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｌ，が好ましい。次いで、好
ましいものとして、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｎ
があり、これに次いで好ましいものとして、Ｓ，Ｓｅが
ある。また、Ｂで示される元素として、特に好ましいも
のは、Ｂｉ，Ｔｌであり、これに次いで好ましいものは
Ｂａ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｉであり、これに次いで好ま
しいものはＡｓである。そして、Ｃで示される元素とし
て、特に好ましいのは窒素である。

【００１７】また、この発明による記録用薄膜は少なく
とも他の物質で密着保護されていることが好ましい。ま
た、基板面表面の両面とも保護されていればさらに好ま
しい。これらの保護膜は、基板あるいは基材（テープな
ど）と同一の材料でもよく、また、アクリル樹脂，ポリ
カーボネイトなどの有機物でも良い。また、酸化物，窒
化物，硫化物，セレン化物，弗化物，あるいは，金属な
どを主成分とする無機物でも良い。一方、ガラス，石
英，サファイア，鉄，あるいは，アルミニウムを主成分
とする基板も、記録用薄膜の基板面側の無機物保護膜と
して働きうる。

【００１８】保護膜として、有機物，無機物の内では、
無機物と密着している方が耐熱性の面で好ましい。しか
し、記録用薄膜の表面の保護膜として無機物層を厚くす
ると、クラックの発生，透過率の低下，感度の低下など
を起こしやすい。このため、記録用薄膜の表面の保護膜
としては、厚い有機物層を用いる方がよく、機械的強度
を増すこともできる。また、基板が有機物から構成され
ていても良い。基板と、この上に形成される記録用薄膜
の表面を保護する保護膜とが、どちらも有機物であれ
ば、変形も起こりにくくなる。この有機物としては、例
えば、アクリル樹脂やポリカーボネイトなどがあり、ま
た、紫外線硬化樹脂などでも良い。

【００１９】上述した無機物よりなる保護膜の場合、こ
れらの膜は電子ビーム蒸着，スパッタリング，反応性ス
パッタリングなどで形成される。これらによる無機物保
護膜の例を挙げると、Ｃｅ，Ｌａ，Ｓｉ，Ｉｎ，Ａｌ，
Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｔｅ，Ｔａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｗの中の少なくとも１元素
の酸化物、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｐｂの中の少なくとも１元素の硫化物であればよ
い。

【００２０】また、セレン化物、Ｍｇ，Ｃｅ，Ｃａなど
のフッ化物、Ｔｉなどのホウ化物、ホウ素などの炭化
物、また、ホウ素，炭素よりなるものであって、例え
ば、主成分がＣｅＯ₂ ，Ｌａ₂Ｏ₃，ＳｉＯ，ＳｉＯ₂ ，
Ｉｎ₂Ｏ₃，Ａｌ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，ＧｅＯ₂ ，ＰｂＯ，Ｓｎ
Ｏ，ＳｎＯ₂ ，Ｂｉ₂Ｏ₃，ＴｅＯ₂ ，ＷＯ₂ ，ＷＯ₃ ，
Ｔａ₂Ｏ₅，Ｓｃ₂０₃、Ｙ₂Ｏ₃，ＴｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，Ｃ
ｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｉｎ₂
Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｓ₃，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓ₃， Ｇａ₂Ｓｅ₃
，ＭｇＦ，ＣｅＦ₂ ，ＣｅＦ₃ ，ＣａＦ₂ ，ＧｅＳ，
ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳ，ＳｎＳｅ，ＰｂＳ，Ｐ
ｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓ₃，Ｂｉ₂Ｓｅ₃，ＴａＮ，Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａ
ｌＮ，Ｓｉ，ＴｉＢ₂ ，Ｂ₄ Ｃ，Ｂ，Ｃのうち一者に近
い組成をもったものか、あるいは、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ の
ように複合させたものがある。これらのうち特に好まし
いものはＺｎＳ−ＳｉＯ₂ である。

【００２１】一般に薄膜に光を照射すると、その反射光
は、薄膜表面からの反射光と薄膜裏面からの反射光の重
ね合わせになるため干渉を起こす。反射率の変化で信号
を読み取る場合には、記録用薄膜に近接して光り反射
（吸収）層を設けることにより、干渉の効果を大きく
し、読み出し信号を大きくできる。干渉の効果をより大
きくするためには、記録用薄膜と反射（吸収）層の間に
中間層を設けるのが好ましい。中間層は、記録・書き換
えのときに記録用薄膜と反射層との相互拡散が起こるの
を防止する効果も有する。

【００２２】また、この発明による記録用薄膜は、共蒸
着や共スパッタリングなどによって、上述した保護膜と
して使用可能な酸化物，フッ化物，窒化物，有機物など
の中に拡散された形態としてもよい。そのようにするこ
とによって、光吸収係数を調節し、再生信号強度を大き
くすることができる場合がある。

【００２３】なお、この発明による記録用薄膜は、必ず
しも非晶質状態と結晶質状態の間の変化を記録に利用す
る必要はなく、例えば、結晶化度の変化，結晶系あるい
は結晶粒径の変化など、何らかの原子配列変化によって
光学的性質の変化を起こさしめるか、あるいは、電子の
エネルギー準位を変化させてフォトンモードの変化を起
こさせ、これを記録に利用するようにしても良い。ま
た、この記録用薄膜は、ディスク状に形成するだけでな
く、テープ状，カード状などの形態に形成するようにし
ても良い。

【００２４】以上のように構成された記録用薄膜による
情報記録媒体においては、その記録用薄膜の結晶化の速
度が自由に調節でき、非晶質状態の安定性が高く、半導
体レーザ光の吸収量が多く、生成信号強度が大きく、か
つ、耐環境性が高いという利点を有する。言い換えれ
ば、この記録用薄膜による情報記録媒体は、記録・消去
特性が良好で、感度が高く、記録状態の安定性がよい。

【００２５】ところで、この発明においては、前述した
ように、記録用薄膜の膜方向の平均組成がＣｏ_x Ｓｂ_y
Ｔｅ_z Ａ_p Ｂ_q Ｃ_r で示されていることを特徴としてい
る。この添加されたＡ群元素は、Ｔｅを含む材料中で、
Ｔｅの鎖状原子配列の中で動くより分子形態で移動する
ため結晶化速度が速くなり、非晶質としての安定性がよ
い。また、Ａ群元素を添加することで粘性計数が増加し
て記録用薄膜の流動性が小さくなり、記録・再生・消去
の繰り返し特性が向上する。

【００２６】また、Ｃｏ_x Ｓｂ_y Ｔｅ_z Ａ_p Ｂ_q Ｃ_r で
示される平均組成のＢ群元素の中で、Ｃｌ，Ｉなどのハ
ロゲン元素、およびＮａ，Ｋなどのアルカリ金属元素
は、Ｔｅを含む材料中でＴｅの鎖状原子配列を切断す
る。このため、このＢ群元素の添加により結晶化速度が
速くなる。また、Ｔｅと結合したこれらの元素（Ｂ群元
素）は融点が比較的低く、結晶化温度が低くなる。上述
したハロゲン元素やアルカリ金属元素以外のＢ群元素
も、Ｔｅと結合すると融点が低下し、かつ溶解熱が小さ
いので、結晶化温度が低下すると共に、急熱急冷が行い
やすく、この添加により記録・再生・消去の繰り返し特
性を向上させる。

【００２７】そして、Ｃｏ_x Ｓｂ_y Ｔｅ_z Ａ_p Ｂ_q Ｃ_r
で示される平均組成のＣ群元素の中で、ホウ素（Ｂ），
炭素（Ｃ）はレーザ照射時に溶融しないので、記録用薄
膜の粘度を上げ、他の記録用薄膜構成元素の拡散移動を
下げる働きをし、記録・再生の繰り返し特性を向上させ
る。また、Ｃ群元素の中で、Ｃｏ，Ｓｂ，Ｔｅおよびそ
れらのなかの少なくとも１の元素の窒化物又は酸化物と
のマトリックス構成とすることで、記録用薄膜の流動を
防ぐことができる。そして、このことにより、記録・再
生・消去の繰り返しにともなう加熱，冷却の繰り返しに
より、記録用薄膜の材料が脈動して案内溝に沿って移動
する現象を抑制し、記録・消去の繰り返し特性を向上さ
せる。

【００２８】以下この発明の１実施例を図を参照して説
明する。図１は、この発明の１実施例である情報記録媒
体の構成を示す断面図である。同図において、１はポリ
カーボネイトからなる厚さ１．２ｍｍの透明基板、２は
ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ からなる厚さ１４０ｎｍの透明誘電体
膜、３はＣｏ_0.4 Ｓｂ_33.2Ｔｅ_58.1Ｇｅ_8.3 からなる厚
さ２０ｎｍの記録用薄膜、４はＺｎＳ−ＳｉＯ₂ からな
る厚さ２０ｎｍの透明誘電体膜、５はＡｌからなる厚さ
６０ｎｍの反射膜、６は紫外線硬化型の樹脂からなる厚
さ１０μｍの保護膜であり、光ビームは透明基板１から
入射する。なお、断面図中の凸部は、透明基板１から入
射する光ビームの位置決め用の溝（案内溝）である。

【００２９】図２は、従来の物質組成による記録用薄膜
をガラス基板上に２０ｎｍの膜厚で形成したサンプル
を、等速昇温による加熱で結晶化の全過程を測定した結
果を示す特性図である。図２（ａ）は、記録用薄膜とし
てＳｂ₂Ｔｅ₃の等速昇温結晶化過程を示し、図２（ｂ）
は、記録用薄膜としてＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇の等速昇温結晶化
過程を示している。同図より、Ｓｂ₂Ｔｅ₃の結晶化温度
Ｔｍは４１３Ｋであり、ＧｅＳｂ₄Ｔｅ₇の結晶化温度Ｔ
ｍは３８６Ｋである。

【００３０】また、図３〜８はガラス基板上にこの発明
による記録用薄膜を２０ｎｍの膜厚で形成したサンプル
を、等速昇温による加熱で結晶化の全過程を測定した結
果を示す特性図である。図３〜５は、Ｓｂ₂Ｔｅ₃にＣｏ
を４．５ａｔ％から１５ａｔ％含有させた記録用薄膜
を、５０Ｋ／ｍｉｎで等速昇温したときの透過光量の温
度依存性を示した特性図である。図３〜５から明らかな
ように、温度変化による透過光量の大きな変化はこの記
録用薄膜が情報の記録用媒体として使用可能であること
を示している。結晶化温度ＴｍはＣｏの含有量が増加す
るに従って増加し、本発明による記録用薄膜が、図２に
示した従来の記録用薄膜に比較して熱に対する安定性の
高いことを示している。

【００３１】また、図６〜８は、Ｓｂ₂Ｔｅ₃にＣｏ₂Ｔ
ｅ₃を１０ａｔ％から３０ａｔ％含有させた記録用薄膜
を、５０Ｋ／ｍｉｎで等速昇温したときの透過光量の温
度依存性を示した特性図である。図６〜８から明らかな
ように、温度変化による透過光量の大きな変化はこの記
録用薄膜が情報の記録用媒体として使用可能であること
を示している。そして、この場合においても、結晶化温
度ＴｍはＣｏ₂Ｔｅ₃の含有量が増加するに従って増加
し、この記録用薄膜が熱に対する安定性の高いことを示
している。

【００３２】図９は、図２（ａ），図３〜５に示した記
録用薄膜の、Ｃｏの含有量の違いによる昇温温度と結晶
化温度の関係を示す相関図である。結晶化温度はＣｏの
含有量が増加するに従って大幅に増加しており、Ｃｏを
添加したこの発明による記録用薄膜が熱に対する安定性
の高いことを示している。図１０は、図２（ａ）および
図６〜８に示した記録用薄膜の、Ｃｏ₂Ｔｅ₃の含有量の
違いによる昇温温度と結晶化温度の関係を示す特性図で
ある。結晶化温度は、Ｃｏ₂Ｔｅ₃の含有量が増加するに
従って大幅に増加しており、これらの記録用薄膜が熱に
対して安定性の高いことを示している。

【００３３】図１１は、結晶化温度の昇温速度依存性を
キッシンジャープロット（Kissinger plot）して、Ｃｏ
の含有量が増加したときの各記録用薄膜の活性化エネル
ギーを示した相関図である。図中ｘで示すＣｏ含有量の
増加に従って活性化エネルギーは増加している。例え
ば、Ｃｏの含有量が０のときのＳｂ₂Ｔｅ₃の活性化エネ
ルギーは１．６７ｅＶであるのに対し、Ｃｏの含有量を
１５ａｔ％とした（Ｓｂ₂Ｔｅ₃）_0.85Ｃｏ_0.15 の活性化
エネルギーは３．３ｅＶとなっている。活性化エネルギ
ーの増加は、その記録用薄膜の非晶質状態での安定性が
よいことを意味している。すなわち、この発明による記
録用薄膜は、従来の記録用薄膜に比較して耐環境性に優
れていることを示している。

【００３４】図１２は、上述したのと同様に、結晶化温
度の昇温速度依存性をキッシンジャープロット（Kissin
ger plot）して、Ｃｏ₂Ｔｅ₃の含有量が増加したときの
（Ｓｂ₂Ｔｅ₃）_1-x（Ｃｏ₂Ｔｅ₃）_xの活性化エネルギー
を示した相関図である。上述の場合と同様に、Ｃｏ₂Ｔ
ｅ₃含有量の増加に従って活性化エネルギーは増加す
る。活性化エネルギーの増加は、上述したように、非晶
質状態での安定性がよいことを意味しており、本発明に
よる記録用薄膜が環境耐性に優れていることを示してい
る。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、情報記録媒体の記録用薄膜として、（Ｓｂ _２ Ｔ
ｅ _３ ） _１−ａ （Ｃｏ _２ Ｔｅ _３ ） _ａ （０＜ａ＜１）を用い
るようにした。また、その記録用薄膜として、（Ｓｂ _２
Ｔｅ _３ ） _１−ｂ Ｃｏ _ｂ （０＜ｂ＜１）を用いるようにし
た。 このため、この発明によれば、この記録用薄膜の結
晶化時間を短くすることができ、かつ、非晶質状態の安
定性を向上させることが可能となり、そして、添加する
Ｃｏの量を変えることにより、結晶化の速度を自由に調
節できるという効果がある。従って、この発明の情報記
録媒体は、記録・消去特性が良好で、感度が高く記録状
態の安定性がよいという特長を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の１実施例である情報記録媒体の構
成を示す断面図である。

【図２】 従来の物質組成による記録用薄膜をガラス基
板上に２０ｎｍの膜厚で形成したサンプルを、等速昇温
による加熱で結晶化の全過程を測定した結果を示す特性
図である。

【図３】 Ｓｂ₂Ｔｅ₃にＣｏを４．５ａｔ％含有させた
記録用薄膜を、５０Ｋ／ｍｉｎで等速昇温したときの透
過光量の温度依存性を示した特性図である。

【図４】 Ｓｂ₂Ｔｅ₃にＣｏを７．５ａｔ％含有させた
記録用薄膜を、５０Ｋ／ｍｉｎで等速昇温したときの透
過光量の温度依存性を示した特性図である。

【図５】 Ｓｂ₂Ｔｅ₃にＣｏを１５ａｔ％含有させた記
録用薄膜を、５０Ｋ／ｍｉｎで等速昇温したときの透過
光量の温度依存性を示した特性図である。

【図６】 Ｓｂ₂Ｔｅ₃にＣｏ₂Ｔｅ₃を１０ａｔ％含有さ
せた記録用薄膜を、５０Ｋ／ｍｉｎで等速昇温したとき
の透過光量の温度依存性を示した特性図である。

【図７】 Ｓｂ₂Ｔｅ₃にＣｏ₂Ｔｅ₃を２０ａｔ％含有さ
せた記録用薄膜を、５０Ｋ／ｍｉｎで等速昇温したとき
の透過光量の温度依存性を示した特性図である。

【図８】 Ｓｂ₂Ｔｅ₃にＣｏ₂Ｔｅ₃を３０ａｔ％含有さ
せた記録用薄膜を、５０Ｋ／ｍｉｎで等速昇温したとき
の透過光量の温度依存性を示した特性図である。

【図９】 図２（ａ），図３〜５に示した記録用薄膜
の、Ｃｏの含有量の違いによる昇温温度と結晶化温度の
関係を示す相関図である。

【図１０】 図２（ａ）および図６〜８に示した記録用
薄膜の、Ｃｏ₂Ｔｅ₃の含有量の違いによる昇温温度と結
晶化温度の関係を示す特性図である。

【図１１】 結晶化温度の昇温速度依存性をキッシンジ
ャープロット（Kissinger plot）して、Ｃｏの含有量が
増加したときの各記録用薄膜の活性化エネルギーを示し
た相関図である。

【図１２】 結晶化温度の昇温速度依存性をキッシンジ
ャープロット（Kissinger plot）して、Ｃｏ₂Ｔｅ₃の含
有量が増加したときの（Ｓｂ₂Ｔｅ₃）_1-x（Ｃｏ₂Ｔ
ｅ₃）_xの活性化エネルギーを示した相関図である。

【符号の説明】

１…透明基板、２…透明誘電体膜、３…記録用薄膜、４
…透明誘電体膜、５…反射膜、６…保護膜。

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−235789（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−197173（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−151481（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−61079（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−187490（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−127287（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−31038（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に配置された記録用薄膜を備え、
   その記録薄膜上へのエネルギービームの照射により、前
   記記録用薄膜の光学的特性を変化させて情報を記録する
   情報記録媒体であって、 前記記録用薄膜が、（Ｓｂ _２ Ｔｅ _３ ） _１−ａ （Ｃｏ _２ Ｔ
   ｅ _３ ） _ａ （０＜ａ＜１）であることを特徴とする情報記
   録媒体。
2. 【請求項２】 基板上に配置された記録用薄膜を備え、
   その記録薄膜上へのエネルギービームの照射により、前
   記記録用薄膜の光学的特性を変化させて情報を記録する
   情報記録媒体であって、 前記記録用薄膜が、（Ｓｂ _２ Ｔｅ _３ ） _１−ｂ Ｃｏ _ｂ （０
   ＜ｂ＜１）であることを特徴とする情報記録媒体。