JPH048859B2

JPH048859B2 -

Info

Publication number: JPH048859B2
Application number: JP61208195A
Authority: JP
Priority date: 1986-09-03
Filing date: 1986-09-03
Publication date: 1992-02-18
Also published as: JPS6363152A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体の製造方法に関するもの
である。

［従来の技術］レーザ光によつて情報を媒体に記録しかつ再生
する光デイスクメモリは、記録密度が高いことか
ら大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された｛サイエンス（Science）
154，1550，1966）｝。それ以来種々の材料が使用
されているが、テルル（Te）等のカルコゲン元
素またはこれらの化合物はよく使用されており
（特公昭47−26897号公報）、とくにテルル−セレ
ン系合金はよく使用されている。（特公昭54−
41902号公報、特公昭57−7919号公報、特公昭57
−56058号公報）。

近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ（phys.stat.
so1.7，189，1964）｝。

このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体は第１図に示すような構成になつ
ている。すなわち基板１に隣接してテルル−セレ
ン系合金よりなる記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネート、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピツトが
同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度
よく記録されるように通常案内溝が設けられてい
る。

レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行う。

［発明が解決しようとする問題点］しかしながら、テルル−セレン系合金層を記録
層として用いた光記録媒体では耐候性と感度と信
号品質のすべてを満足するものではなかつた。

本発明は以上のような問題点を解決するために
なされたもので、耐候性がよく、かつ高感度で信
号品質が良好で安定な光記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］本発明は基板上に、レーザ光によつて一部が選
択的に除去されて情報を記録する記録層を形成す
ることよりなる光記録媒体の製造方法において、
前記記録層中に、テルルとセレンを含む物質をタ
ーゲツトとし、窒素ガスおよび水素ガスを含むガ
ス中でスパツタリングしてテルルとセレンと窒素
とを主成分とする層を少なくとも設けることを特
徴とする光記録媒体の製造方法である。

テルルとセレンと窒素とを主成分とする層（以
下、テルル−セレン−窒素層と略す）の厚さは
100Åの範囲が記録再生特性の観点から望ましく、
セレンの含有量は原子数パーセントで２パーセン
トから50パーセントの範囲が記録再生特性、耐候
性の観点から望ましく、窒素の含有量は原子数パ
ーセントで２パーセント以上20パーセント未満が
記録再生特性、耐候性の観点から望ましい。ま
た、テルル−セレン−窒素層中の元素の組成比
は、ターゲツトの組成比や窒素（N₂）ガスと水
素（N₂）ガスのガス分圧に依存するのは勿論で
あるが、スパツタ装置の大きさ（スパツタ室の表
面積等）やスパツタ時間等にも依存するので、所
望の記録膜組成を得るためには各スパツタ装置ご
とにN₂ガスとN₂ガスの分圧等を適宜設定するこ
とが望ましい。

テルルとセレンと窒素とを主成分とする層に
は、鉛、アンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲル
マニウム、タリウム、リン、カドミウム、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラ
ジウム、コバルトの群から選ばれた少なくとも１
種の元素が添加されていてもよい。この場合、ピ
ツトの形状を良好に整える場合がある。ただし、
添加量は原子数パーセントで20パーセント未満が
望ましい。

スパツタガスはN₂ガスとH₂ガスのみでもよい
が、放電や成膜の安定性の観点からは不活性ガス
との混合ガスが望ましい。また、さらにその他の
ガスを混合してもよい。

テルル−セレン−窒素層と基板との間に、酸化
物、窒化物、フツ化物、炭化物、硫化物またはホ
ウ化物で形成された層を少なくとも１層設けても
よい。この場合記録パワー変動に対する余裕度が
大きくなり、トラツキングやフオーカスのサーボ
が安定になることがある。

また、基板としてはポリカーボネート、ポリオ
レフイン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポ
キシ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用され
ているものが用いられる。

［実施例］以下本発明の実施例について説明する。100℃
で２時間アニール処理した内径15mm、外形130mm、
厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネート樹脂デ
イスク基板上に、テルル−セレン合金ターゲツト
をアルゴン（Ar）とN₂とH₂との混合ガスでマグ
ネトロンスパツタして、テルル（Te）とセレン
（Se）と窒素（Ｎ）の比が原子数パーセントで85
対９対６のテルル−セレン−窒素層を約240Å厚
形成し、しかる後、温度85℃、相対湿度90％の環
境に12時間保存して光記録媒体を作製した。この
光デイスクの波長8300Åにおける基板入射の反射
率を測定したところ、約26％であつた。波長8300
Åの半導体レーザ光を基板を通して入射して記録
層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度5.65ｍ／
4sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅30KHzのキヤリアーと
ノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は48dBと良好であつた。
この光デイスクを70℃、80％の高温高温度の環境
に60時間保存した後、上記特性を調べたが変化は
なく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確
認された。

［発明の効果］以上説明したように、本発明の方法によれば耐
侯性がよく、かつ高感度で信号品質が良好で安定
な光記録媒体を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は光記録媒体の１例を示す部分断面図で
ある。１……基板、２１……記録層、２２……ピツ
ト。

Claims

【特許請求の範囲】

１基板上に、レーザ光によつて一部が選択的に
除去されて情報を記録する記録層を形成すること
よりなる光記録媒体の製造方法において、前記記
録層中に、テルルとセレンを含む物質をターゲツ
トとし、窒素ガスおよび水素ガスを含むガス中で
スパツタリングしてテルルとセレンと窒素とを主
成分とする層を少なくとも設けることを特徴とす
る光記録媒体の製造方法。