JPH0481957B2 - - Google Patents
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- JPH0481957B2 JPH0481957B2 JP61300794A JP30079486A JPH0481957B2 JP H0481957 B2 JPH0481957 B2 JP H0481957B2 JP 61300794 A JP61300794 A JP 61300794A JP 30079486 A JP30079486 A JP 30079486A JP H0481957 B2 JPH0481957 B2 JP H0481957B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体とその製造方法に関する
ものである。
ことのできる光記録媒体とその製造方法に関する
ものである。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録しかつ再生
する光デイスクメモリは、記録密度が高いことか
ら大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された（サイエンス（Science154、
1550、1966））。それ以来、種々の材料が使用され
ているがTe等のカルコゲン元素又はこれらの化
合物はよく使用されている（特公昭47−26897）。
とくにテルルセレン系合金によく使用されている
（特公昭54−41902、特公昭57−7919、特公昭57−
56058）。近年、記録装置を小型化するため、レー
ザ光源としては半導体レーザが使用されてきてい
る。半導体レーザは発振波長が8000Å前後である
が、テルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的
よく適合し、適度な反射率と、適度な吸収率が得
られる（フイジカ・ステイタス・ソリダイ
（phys.stat.sol.7、189、1964））。
する光デイスクメモリは、記録密度が高いことか
ら大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。この光記録媒体材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された（サイエンス（Science154、
1550、1966））。それ以来、種々の材料が使用され
ているがTe等のカルコゲン元素又はこれらの化
合物はよく使用されている（特公昭47−26897）。
とくにテルルセレン系合金によく使用されている
（特公昭54−41902、特公昭57−7919、特公昭57−
56058）。近年、記録装置を小型化するため、レー
ザ光源としては半導体レーザが使用されてきてい
る。半導体レーザは発振波長が8000Å前後である
が、テルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的
よく適合し、適度な反射率と、適度な吸収率が得
られる（フイジカ・ステイタス・ソリダイ
（phys.stat.sol.7、189、1964））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、これらの媒体では、耐候性と感
度と信号品質のすべてを満足するものはなかつ
た。
度と信号品質のすべてを満足するものはなかつ
た。
本発明の目的は、耐候性がよく高感度で信号品
質が良好であり、記録パワーの余裕度が大きい光
記録媒体およびその製造方法を提供することにあ
る。
質が良好であり、記録パワーの余裕度が大きい光
記録媒体およびその製造方法を提供することにあ
る。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体とその製造方法は、情報を
レーザ光によつて記録しかつ読み取る光記録媒体
とその製造方法であつて、基板上に形成されたテ
ルルとセレンと窒素を主成分とする複合膜からな
る記録膜を有し、上記テルルとセレンと窒素を主
成分とする複合膜は、テルルとセレンと窒素を主
成分とする膜と、この膜の表面層としてテルルと
セレンと窒素と酸素とを主成分とする膜とからな
ることを特徴とする光記録媒体であり、テルルと
セレンと窒素を主成分とする膜を形成する工程
と、この膜の表面層を強制酸化させてテルルとセ
レンと窒素と酸素を主成分とする膜を形成する工
程とを有することを特徴とする光記録媒体の製造
方法である。
レーザ光によつて記録しかつ読み取る光記録媒体
とその製造方法であつて、基板上に形成されたテ
ルルとセレンと窒素を主成分とする複合膜からな
る記録膜を有し、上記テルルとセレンと窒素を主
成分とする複合膜は、テルルとセレンと窒素を主
成分とする膜と、この膜の表面層としてテルルと
セレンと窒素と酸素とを主成分とする膜とからな
ることを特徴とする光記録媒体であり、テルルと
セレンと窒素を主成分とする膜を形成する工程
と、この膜の表面層を強制酸化させてテルルとセ
レンと窒素と酸素を主成分とする膜を形成する工
程とを有することを特徴とする光記録媒体の製造
方法である。
（作用）
光記録媒体は図のような構成になつている。即
ち、基板１の上に記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネイト、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。基板には、ピツト
が同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精
度よく記録されるように案内溝が設けられてい
る。レーザビーム径程度の幅に溝に光が入射する
と光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつ
れて回折光強度の空間分布が変化するので、これ
を検出してレーザビームを溝の中心に入射させる
ようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行う。記録層２１としては種々の材料を
使用できる。その中でもテルルは比較的記録再生
特性が良好である。しかしながら高温高湿環境に
おける酸化劣化がはげしいので実用には供せなか
つた。又、感度的にもやや不足であつた。感度不
足を解決する１つとして、加熱時に窒素が遊離し
て高感度化するようにテルル膜に窒素を含ませる
ことが提案されている（特開昭57−58250）。本発
明者らはの実施例を追試して光記録媒体を作製し
記録再生特性を評価したところ、本発明者らが目
的とする小型大容量記録装置の光源である半導体
レーザ波長（およそ8300Å）ではほとんど吸収が
ないため感度不足であつた。又、窒素が遊離しや
すいため、高温高湿環境における保存性が充分で
なかつた。又、上記提案のように窒素ガス中でス
パツタリングして成膜するのではなく、アルゴン
と窒素との混合ガス中でスパツタリングして成膜
するということも提案されている（アプライド・
フイジクス・レターズ（Appl.Phys.Lett、45、
202、1984））。しかしながら、これでもまだ充分
な記録感度と充分な信号品質は得られなかつた。
本発明者らはテルルセレン合金ターゲツトをアル
ゴンと窒素との混合ガスでスパツタリングするこ
とにより記録層がテルルとセレンと窒素とからな
り、耐候性がよく高感度で信号品質の良好な光記
録媒体が得られることを見出し、既に提案してい
る（特願昭61−101368）。この記録層が耐候性が
よく高感度で信号品質が良好である理由は、セレ
ンを入れることで系全体の融点が低下したことと
窒化セレン、窒化テルルの爆発性とがあいあわさ
つて小穴の形成から表面張力による孔の拡張が比
較的低い温度で生じるようになつたために高感度
化したと思われ、テルルと窒化テルルとセレンと
窒化セレンとの相互作用が好都合に作用して耐候
性が向上し、信号品質が向上したものと思われ
る。
ち、基板１の上に記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネイト、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。基板には、ピツト
が同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精
度よく記録されるように案内溝が設けられてい
る。レーザビーム径程度の幅に溝に光が入射する
と光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつ
れて回折光強度の空間分布が変化するので、これ
を検出してレーザビームを溝の中心に入射させる
ようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行う。記録層２１としては種々の材料を
使用できる。その中でもテルルは比較的記録再生
特性が良好である。しかしながら高温高湿環境に
おける酸化劣化がはげしいので実用には供せなか
つた。又、感度的にもやや不足であつた。感度不
足を解決する１つとして、加熱時に窒素が遊離し
て高感度化するようにテルル膜に窒素を含ませる
ことが提案されている（特開昭57−58250）。本発
明者らはの実施例を追試して光記録媒体を作製し
記録再生特性を評価したところ、本発明者らが目
的とする小型大容量記録装置の光源である半導体
レーザ波長（およそ8300Å）ではほとんど吸収が
ないため感度不足であつた。又、窒素が遊離しや
すいため、高温高湿環境における保存性が充分で
なかつた。又、上記提案のように窒素ガス中でス
パツタリングして成膜するのではなく、アルゴン
と窒素との混合ガス中でスパツタリングして成膜
するということも提案されている（アプライド・
フイジクス・レターズ（Appl.Phys.Lett、45、
202、1984））。しかしながら、これでもまだ充分
な記録感度と充分な信号品質は得られなかつた。
本発明者らはテルルセレン合金ターゲツトをアル
ゴンと窒素との混合ガスでスパツタリングするこ
とにより記録層がテルルとセレンと窒素とからな
り、耐候性がよく高感度で信号品質の良好な光記
録媒体が得られることを見出し、既に提案してい
る（特願昭61−101368）。この記録層が耐候性が
よく高感度で信号品質が良好である理由は、セレ
ンを入れることで系全体の融点が低下したことと
窒化セレン、窒化テルルの爆発性とがあいあわさ
つて小穴の形成から表面張力による孔の拡張が比
較的低い温度で生じるようになつたために高感度
化したと思われ、テルルと窒化テルルとセレンと
窒化セレンとの相互作用が好都合に作用して耐候
性が向上し、信号品質が向上したものと思われ
る。
本発明はこれをさらに改善したものであり、記
録膜をテルルとセレンと窒素とを主成分とする膜
とその表面層を強制酸化させてテルルとセレンと
窒素と酸素とを主成分とする膜との複合膜とする
ことにより、耐候性がよく高感度で信号品質が良
好であり、しかも記録パワーの余裕度が大きくな
る。記録パワーの余裕度が大きくなる理由はまだ
充分に明確ではないが、記録膜の表面に融点の高
い層が出来たことにより、記録時にピツトがあま
り大きく拡がらなくなつたためと思われる。
録膜をテルルとセレンと窒素とを主成分とする膜
とその表面層を強制酸化させてテルルとセレンと
窒素と酸素とを主成分とする膜との複合膜とする
ことにより、耐候性がよく高感度で信号品質が良
好であり、しかも記録パワーの余裕度が大きくな
る。記録パワーの余裕度が大きくなる理由はまだ
充分に明確ではないが、記録膜の表面に融点の高
い層が出来たことにより、記録時にピツトがあま
り大きく拡がらなくなつたためと思われる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝（溝幅0.7μｍ、溝深
さ600Å）付きポリカーボネイト樹脂デイスク基
板上に、原子パーセントで80対20のテルルセンタ
ーゲツトを窒素ガス分圧４％のアルゴンと窒素と
の混合ガスを用いてマグネトロンスパツタするこ
とにより、テルルとセレンと窒素とが原子数比で
およぼ77対19対４の膜を約250Å厚作製した。し
かる後、約95℃の酸素雰囲気中で強度の紫外線照
射することにより、酸素含有量が原子パーセント
で20％程度で20Å厚程度の強制酸化層を表面に形
成し、この複合膜を記録膜とする光記録媒体を作
製した。
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝（溝幅0.7μｍ、溝深
さ600Å）付きポリカーボネイト樹脂デイスク基
板上に、原子パーセントで80対20のテルルセンタ
ーゲツトを窒素ガス分圧４％のアルゴンと窒素と
の混合ガスを用いてマグネトロンスパツタするこ
とにより、テルルとセレンと窒素とが原子数比で
およぼ77対19対４の膜を約250Å厚作製した。し
かる後、約95℃の酸素雰囲気中で強度の紫外線照
射することにより、酸素含有量が原子パーセント
で20％程度で20Å厚程度の強制酸化層を表面に形
成し、この複合膜を記録膜とする光記録媒体を作
製した。
この光デイスクの溝部の反射率を波長8300Åで
基板入射で測定したところおよそ28％であつた。
波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
して記録膜上に1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス
幅70nsec、記録パワー6.5ｍＷの条件で溝部に記
録し、0.7ｍＷの一定パワーで再生した。バンド
幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）
は51dBと良好な値が得られた。又、AC再生信号
の零レベルに対して固定値にスライスレベルを設
けて、１つ１つのピツトに対して正常に記録再生
が行なわれたか否かを判定する方式のビツト誤り
率測定方式で評価したところ、10-6台のビツト誤
り率が得られた。記録パワーを6.0ｍＷ、7.0ｍＷ
としても同様にビツト誤り率は10-6台と良好であ
り、記録パワーの余裕度の大きいことが確認され
た。
基板入射で測定したところおよそ28％であつた。
波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
して記録膜上に1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス
幅70nsec、記録パワー6.5ｍＷの条件で溝部に記
録し、0.7ｍＷの一定パワーで再生した。バンド
幅30kHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）
は51dBと良好な値が得られた。又、AC再生信号
の零レベルに対して固定値にスライスレベルを設
けて、１つ１つのピツトに対して正常に記録再生
が行なわれたか否かを判定する方式のビツト誤り
率測定方式で評価したところ、10-6台のビツト誤
り率が得られた。記録パワーを6.0ｍＷ、7.0ｍＷ
としても同様にビツト誤り率は10-6台と良好であ
り、記録パワーの余裕度の大きいことが確認され
た。
この光デイスク80℃90％の高温高湿度の環境に
750時間保存した後も上記特性は実用上変化がな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認
された。テルルとセレンと窒素とを主成分とする
層厚さは100Åから1000Åの範囲が記録再生特性
の観点で望ましく、とくに望ましいのは200Åか
ら400Åである。セレンの含有量は原子パーセン
トで２パーセント以上40パーセント未満の範囲が
記録再生特性、耐候性、未記録ノイズの観点で望
ましく、とくに望ましいのは10パーセント以上30
パーセント以下である。窒素の含有量は原子パー
セントで２パーセント以上20パーセント未満が記
録再生特性、耐候性の観点で望ましく、とくに望
ましいのは２パーセント以上10パーセント以下で
ある。記録膜中の窒素元素の含有量は、スパツタ
リングターゲツト組成比や窒素ガス分圧に依存す
るのは勿論であるが、スパツタ装置の大きさ（ス
パツタ室の表面積等）やスパツタ時間等にも依存
するので、最適組成が得られる窒素ガス分圧は一
義的には決められず、各スパツタ装置ごとに窒素
ガス分圧を適宜設定することが必要である。テル
ルとセレンと窒素とを主成分とする層には鉛、ア
ンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウム、
タリウム、リン、カドミウム、インジウム、ガリ
ウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、銀、
マグネシウム、タンタル、金、パラジウム、コバ
ルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素を添
加すると、ピツトの形状を良好に整える場合があ
る。ただし、添加量は原子パーセントで20パーセ
ント未満が望ましい。
750時間保存した後も上記特性は実用上変化がな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認
された。テルルとセレンと窒素とを主成分とする
層厚さは100Åから1000Åの範囲が記録再生特性
の観点で望ましく、とくに望ましいのは200Åか
ら400Åである。セレンの含有量は原子パーセン
トで２パーセント以上40パーセント未満の範囲が
記録再生特性、耐候性、未記録ノイズの観点で望
ましく、とくに望ましいのは10パーセント以上30
パーセント以下である。窒素の含有量は原子パー
セントで２パーセント以上20パーセント未満が記
録再生特性、耐候性の観点で望ましく、とくに望
ましいのは２パーセント以上10パーセント以下で
ある。記録膜中の窒素元素の含有量は、スパツタ
リングターゲツト組成比や窒素ガス分圧に依存す
るのは勿論であるが、スパツタ装置の大きさ（ス
パツタ室の表面積等）やスパツタ時間等にも依存
するので、最適組成が得られる窒素ガス分圧は一
義的には決められず、各スパツタ装置ごとに窒素
ガス分圧を適宜設定することが必要である。テル
ルとセレンと窒素とを主成分とする層には鉛、ア
ンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウム、
タリウム、リン、カドミウム、インジウム、ガリ
ウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、銀、
マグネシウム、タンタル、金、パラジウム、コバ
ルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素を添
加すると、ピツトの形状を良好に整える場合があ
る。ただし、添加量は原子パーセントで20パーセ
ント未満が望ましい。
この実施例について以下に説明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板を、13.56MHzの高周波電源
を有するマグネトロンスパツタ装置内に装着して
排気した。２×10-6Torr以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入し１×10-2Torrとした。
このときの窒素ガス分圧は0.26％、窒素ガス流量
は0.30SCCMである。原子％で73対20対７のテル
ルセレン鉛合金の焼結体の８インチターゲツトを
この混合ガスで投入パワー120Wでデイスク基板
を回転させながらスパツタリングすることによ
り、テルルと窒素とセレンと鉛との原子数の比が
およそ71対２対20対７の膜を約220Å厚作製した。
しかる後、前期実施例と同様な処理により、窒素
含有量が原子％で20％程度で、20Å厚程度の強制
酸化層を表面に形成し、この複合膜を記録膜とす
る光記録媒体を作製した。
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板を、13.56MHzの高周波電源
を有するマグネトロンスパツタ装置内に装着して
排気した。２×10-6Torr以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入し１×10-2Torrとした。
このときの窒素ガス分圧は0.26％、窒素ガス流量
は0.30SCCMである。原子％で73対20対７のテル
ルセレン鉛合金の焼結体の８インチターゲツトを
この混合ガスで投入パワー120Wでデイスク基板
を回転させながらスパツタリングすることによ
り、テルルと窒素とセレンと鉛との原子数の比が
およそ71対２対20対７の膜を約220Å厚作製した。
しかる後、前期実施例と同様な処理により、窒素
含有量が原子％で20％程度で、20Å厚程度の強制
酸化層を表面に形成し、この複合膜を記録膜とす
る光記録媒体を作製した。
この光デイスクの波長8300Åにおける基板入射
の反射率を測定したところ、約29％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射し
て記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス
幅70nsec、記録パワー6.0ｍＷの条件で記録し、
0.7ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリア
ーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は48dBと良好であ
つた。この値は、記録再生装置を変更することに
より生ずる記録パワー変動に対しても実用上充分
に安定であつた。この光デイスクを85℃90％の高
温高湿度の環境に200時間保存した後、上記特性
を調べたが変化はなく、対候性に優れた光記録媒
体であることが確認された。この条件で鉛を含有
させなかつた記録膜においてはビツトエラーレイ
トに変化はないものの膜表面には0.01〜0.1μｍ程
度の突起状のものが発生するが、鉛を含有させた
記録膜には発生しない。この抑止効果は、原子％
で５以下の鉛含有量では得られなかつた。テルル
セレン鉛ターゲツトを窒素ガスを、導入しないで
スパツタリングして記録膜を作製した場合には、
記録感度が安定せず、実用上不充分なものであつ
た。
の反射率を測定したところ、約29％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射し
て記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス
幅70nsec、記録パワー6.0ｍＷの条件で記録し、
0.7ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリア
ーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は48dBと良好であ
つた。この値は、記録再生装置を変更することに
より生ずる記録パワー変動に対しても実用上充分
に安定であつた。この光デイスクを85℃90％の高
温高湿度の環境に200時間保存した後、上記特性
を調べたが変化はなく、対候性に優れた光記録媒
体であることが確認された。この条件で鉛を含有
させなかつた記録膜においてはビツトエラーレイ
トに変化はないものの膜表面には0.01〜0.1μｍ程
度の突起状のものが発生するが、鉛を含有させた
記録膜には発生しない。この抑止効果は、原子％
で５以下の鉛含有量では得られなかつた。テルル
セレン鉛ターゲツトを窒素ガスを、導入しないで
スパツタリングして記録膜を作製した場合には、
記録感度が安定せず、実用上不充分なものであつ
た。
強制酸化はどのような方法（たとえばプラズマ
酸化）を用いて行つてもかまわないが、酸化雰囲
気中で紫外線を照射するのが制御性がよいので望
ましい。テルルとセレン窒素を主成分とする膜を
成膜した同一真空内で強制酸化を行うのがとくに
望ましい。
酸化）を用いて行つてもかまわないが、酸化雰囲
気中で紫外線を照射するのが制御性がよいので望
ましい。テルルとセレン窒素を主成分とする膜を
成膜した同一真空内で強制酸化を行うのがとくに
望ましい。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性がよく高感度で信号品質が良好であり、し
かも記録パワーの余裕度が大きい光記録媒体とそ
の製造方法が得られる。
耐候性がよく高感度で信号品質が良好であり、し
かも記録パワーの余裕度が大きい光記録媒体とそ
の製造方法が得られる。
図は光記録媒体の１例を示す断面概略図であ
る。図において、１は基板、２１は記録層、２２
はピツトを表す。
る。図において、１は基板、２１は記録層、２２
はピツトを表す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 情報をレーザ光によつて記録しかつ読み取る
光記録媒体において、基板上に形成されたテルル
とセレンと窒素を主成分とする複合膜からなる記
録膜を有し、上記テルルとセレンと窒素を主成分
とする複合膜は、テルルとセレンと窒素を主成分
とする膜と、この膜の表面層としてテルルとセレ
ンと窒素と酸素を主成分とする膜とからなること
を特徴とする光記録媒体。 ２ 情報をレーザ光によつて記録しかつ読み取る
光記録媒体の製造方法において、テルルとセレン
と窒素を主成分とする膜を形成する工程と、この
膜の表面層を強制酸化させてテルルとセレンと窒
素を主成分とする膜を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする光記録媒体の製造方法。 ３ 強制酸化は紫外線照射により行う特許請求の
範囲第２項記載の光記録媒体への製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300794A JPS63151489A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300794A JPS63151489A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151489A JPS63151489A (ja) | 1988-06-24 |
| JPH0481957B2 true JPH0481957B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17889175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61300794A Granted JPS63151489A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151489A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02223479A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-05 | Hitachi Maxell Ltd | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61300794A patent/JPS63151489A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63151489A (ja) | 1988-06-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |