JPS62286793A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS62286793A JPS62286793A JP61130824A JP13082486A JPS62286793A JP S62286793 A JPS62286793 A JP S62286793A JP 61130824 A JP61130824 A JP 61130824A JP 13082486 A JP13082486 A JP 13082486A JP S62286793 A JPS62286793 A JP S62286793A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野コ
本発明はレーザ光によって情報を記録再生７ることので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔｅ）等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８９
７＠公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている（特公昭５４−４１９０２＠公報、特公昭５７
−７９１９号公報、特公昭５７−５６０５８号公！ａ）
。
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔｅ）等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８９
７＠公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている（特公昭５４−４１９０２＠公報、特公昭５７
−７９１９号公報、特公昭５７−５６０５８号公！ａ）
。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
ｊ辰波長が８０００人前後であるが、テルル−セレン系
合金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率
と適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソ
リダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａ
ｔ、 ｓｏｌ、７．１８９．１９６４＞ ）。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
ｊ辰波長が８０００人前後であるが、テルル−セレン系
合金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率
と適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソ
リダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａ
ｔ、 ｓｏｌ、７．１８９．１９６４＞ ）。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第１図に示すような構成になっている。すなわ
ら基板１の上に記録層２１が設けられている。記録用レ
ーザ光は基板１を通して記録層２１に集光照射され、ピ
ット２２が形成される。基板１としてはポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル、
エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板
１にはピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定間
隔で精度よく記録されるように通常案内溝が設けられる
。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回
折され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度
の空間分布が変化するので、これを検出してレーザビー
ムを溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されて
いる。溝の幅は通常Ｏ１３〜１．３１１！ｒ１であり、
溝の深さは使用するレーザ波長の１７１２から１７４の
範囲に設定される。
録媒体は第１図に示すような構成になっている。すなわ
ら基板１の上に記録層２１が設けられている。記録用レ
ーザ光は基板１を通して記録層２１に集光照射され、ピ
ット２２が形成される。基板１としてはポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル、
エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基板
１にはピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定間
隔で精度よく記録されるように通常案内溝が設けられる
。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回
折され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度
の空間分布が変化するので、これを検出してレーザビー
ムを溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されて
いる。溝の幅は通常Ｏ１３〜１．３１１！ｒ１であり、
溝の深さは使用するレーザ波長の１７１２から１７４の
範囲に設定される。
集光に関しても同様にサーボ系が構成されている。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレー
ザ光をピット上を通過するように照射することにより、
ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう
。この再生用レーザ光のパワーは大きいほうが、再生信
号やサーボ用信号を大きくでき外界ノイズの影響をうけ
にくいので望ましい。
ザ光をピット上を通過するように照射することにより、
ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう
。この再生用レーザ光のパワーは大きいほうが、再生信
号やサーボ用信号を大きくでき外界ノイズの影響をうけ
にくいので望ましい。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら従来用いられてきたテルル−セレン系合金
よりなる光記録媒体は合金の組成比およびその膜厚のコ
ントロール幅が大きく、そのために充分に大きなパワー
の読み出し用レーザ光照射を多数回行なうと再生特性が
変化するという問題点があったり、あるいは耐候性や感
度が不充分なことがあるという問題点があった。
よりなる光記録媒体は合金の組成比およびその膜厚のコ
ントロール幅が大きく、そのために充分に大きなパワー
の読み出し用レーザ光照射を多数回行なうと再生特性が
変化するという問題点があったり、あるいは耐候性や感
度が不充分なことがあるという問題点があった。
本発明の目的は高感度で信号品質が良好でおり、かつ、
充分に大きなレーザパワーで再生しうる光記録媒体を提
供することにある。
充分に大きなレーザパワーで再生しうる光記録媒体を提
供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が、セレン含
有量が１０原子数パーセント未満のセレン−テルル合金
で形成され、かつ膜厚が３００〜４５０人であることを
特徴とする光記録媒体である。
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が、セレン含
有量が１０原子数パーセント未満のセレン−テルル合金
で形成され、かつ膜厚が３００〜４５０人であることを
特徴とする光記録媒体である。
本発明におけるセレン−テルル合金のセレン含有量は２
原子数パ一セント以上、１０原子数パーセント未満が適
当である。セレン含有量が１０原子数パーセント以上で
は大きなレーザパワーで再生した時の再生特性が不充分
であり、またセレン含有量が２原子数パーセントより少
ないと耐候性に劣る場合がある。
原子数パ一セント以上、１０原子数パーセント未満が適
当である。セレン含有量が１０原子数パーセント以上で
は大きなレーザパワーで再生した時の再生特性が不充分
であり、またセレン含有量が２原子数パーセントより少
ないと耐候性に劣る場合がある。
セレン−テルル合金で形成された記録層の膜厚は３００
〜４５０人が適当であり、膜厚が４５０八をこえると高
感度が得られず、また３００人より薄いと大きなレーザ
パワーでの再生特性が悪いので共に好ましくない。
〜４５０人が適当であり、膜厚が４５０八をこえると高
感度が得られず、また３００人より薄いと大きなレーザ
パワーでの再生特性が悪いので共に好ましくない。
また基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、
ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成
樹脂やガラスなど通常使用されているものが用いられる
。
ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成
樹脂やガラスなど通常使用されているものが用いられる
。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
内径１５ｍ、外径１３Ｇ＃、厚さ１．２ｍのポリカーボ
ネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、５
ｘ １０’Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては、
第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第２
の抵抗加熱用ボートにセレン（Ｓｅ）を入れた。水晶娠
動子式検出器によりそれぞれの蒸発源からの蒸発速度比
を制御して共蒸着することによりセレンが８原子数パー
セントで３７５Ａ厚のテルル−セレン合金記録層を形成
した。この光ディスクを９５℃の窒素雰囲気中で１時間
アニールしたのち、波長８３００人における基板入射反
射率を測定したところ４３％であった。波長８３００人
の半導体レーザ光を基板を通して入射して記録層上で１
．５庫φ程度に絞り、媒体線速度５．６ｍ／ｓｅｃ、記
録周波数３．７７８Ｈ２，記録パルス幅７０ｒｌＳｅＣ
１記録パワー６．５ｍ−の条件で記録し、０．７ｍＷで
再生した。バンド幅３０ｋＨ２のキャリアーとノイズと
の比（Ｃ／Ｎ ）は５１ｄＢと良好であり、１．０ｍ−
で１０６回再生しても同様に良好であった。
ネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、５
ｘ １０’Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては、
第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第２
の抵抗加熱用ボートにセレン（Ｓｅ）を入れた。水晶娠
動子式検出器によりそれぞれの蒸発源からの蒸発速度比
を制御して共蒸着することによりセレンが８原子数パー
セントで３７５Ａ厚のテルル−セレン合金記録層を形成
した。この光ディスクを９５℃の窒素雰囲気中で１時間
アニールしたのち、波長８３００人における基板入射反
射率を測定したところ４３％であった。波長８３００人
の半導体レーザ光を基板を通して入射して記録層上で１
．５庫φ程度に絞り、媒体線速度５．６ｍ／ｓｅｃ、記
録周波数３．７７８Ｈ２，記録パルス幅７０ｒｌＳｅＣ
１記録パワー６．５ｍ−の条件で記録し、０．７ｍＷで
再生した。バンド幅３０ｋＨ２のキャリアーとノイズと
の比（Ｃ／Ｎ ）は５１ｄＢと良好であり、１．０ｍ−
で１０６回再生しても同様に良好であった。
次に、本実施例のディスクを７０℃８０％の高温高湿度
の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化
はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認さ
れた。
の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化
はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認さ
れた。
実施例２〜７
セレンの原子数パーセントおよび記録層の膜厚を第１表
に示すようにしたほかは実施例１と同様にして光記録媒
体を製造した。得られた光記録媒体について再生パワー
による劣化試験を行なった結果を第１表に示す。また７
０℃８０％６０時間の高温高湿度環境に対する耐性はす
べて良好であった。
に示すようにしたほかは実施例１と同様にして光記録媒
体を製造した。得られた光記録媒体について再生パワー
による劣化試験を行なった結果を第１表に示す。また７
０℃８０％６０時間の高温高湿度環境に対する耐性はす
べて良好であった。
比較例１〜４
セレンの原子数パーセントおよび記録層の膜厚を第１表
に示すようにしたほかは実施例１と同様にして光記録媒
体を製造した。得られた光記録媒体について再生パワー
による劣化試験を行なった結果を第１表に示す。
４．、）（以下■、１） 第 １ 表 ＊１） １．０ｍ−でｉｏ”回再生したときのＣ／Ｈ
の低下量を示す。
に示すようにしたほかは実施例１と同様にして光記録媒
体を製造した。得られた光記録媒体について再生パワー
による劣化試験を行なった結果を第１表に示す。
４．、）（以下■、１） 第 １ 表 ＊１） １．０ｍ−でｉｏ”回再生したときのＣ／Ｈ
の低下量を示す。
第１表かられかるように、セレンの含有量は原子数パー
セントで１０パーセント未満でかつ、膜厚が３００人か
ら４５０人の範囲が優れた効果を示す。
セントで１０パーセント未満でかつ、膜厚が３００人か
ら４５０人の範囲が優れた効果を示す。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の光記録媒体は高感度で信号
品質が良好であり、かつ大きなレーザパワーで再生して
も再生特性が劣化・せず、しかも耐候性に優れたもので
ある。
品質が良好であり、かつ大きなレーザパワーで再生して
も再生特性が劣化・せず、しかも耐候性に優れたもので
ある。
図は光記録媒体の一実施例を示す部分断面図である。
１・・・基板
２１・・・記録層
２２・・・ピット
Claims (1)
- （１）基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去さ
れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
らなる光記録媒体において、前記記録層が、セレン含有
量か１０原子数パーセント未満のセレン−テルル合金で
形成され、かつ膜厚が３００〜４５０Åであることを特
徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130824A JPS62286793A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130824A JPS62286793A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286793A true JPS62286793A (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=15043569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61130824A Pending JPS62286793A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286793A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5738189A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Hitachi Ltd | Recording member |
| JPS5935356A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Furukawa Battery Co Ltd:The | 円筒密閉型アルカリ電池 |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP61130824A patent/JPS62286793A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5738189A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Hitachi Ltd | Recording member |
| JPS5935356A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Furukawa Battery Co Ltd:The | 円筒密閉型アルカリ電池 |
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