JPS62278095A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS62278095A JPS62278095A JP61122687A JP12268786A JPS62278095A JP S62278095 A JPS62278095 A JP S62278095A JP 61122687 A JP61122687 A JP 61122687A JP 12268786 A JP12268786 A JP 12268786A JP S62278095 A JPS62278095 A JP S62278095A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 5
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- LEQRFHXXXRSFLO-UHFFFAOYSA-N [N].[Se] Chemical compound [N].[Se] LEQRFHXXXRSFLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- -1 polymethylpentyl Polymers 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
(産業上の利用分野)
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
(従来の技術)
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、Te等のカルコゲン元素、又はこれらの化
合物が使用されている(特公昭47−26897)。と
くにテルルセレン系合金はよく使用されている(特公昭
54−41902、特公昭57−7919、特公昭57
−56058)。
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、Te等のカルコゲン元素、又はこれらの化
合物が使用されている(特公昭47−26897)。と
くにテルルセレン系合金はよく使用されている(特公昭
54−41902、特公昭57−7919、特公昭57
−56058)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が8000人前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と適
度な吸収率が得られる(フィシかスティタス・ソリダイ
(phys−stat−sol・7.189゜1964
))。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が8000人前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と適
度な吸収率が得られる(フィシかスティタス・ソリダイ
(phys−stat−sol・7.189゜1964
))。
(発明が解決しようとする問題点)
し示しながら、これらの媒体では信号品質が充分に良好
ではなかった。
ではなかった。
本発明の目的は、耐候性がよく、かつ高感度で信号品質
が充分に良好な光記録媒体を提供することにある。
が充分に良好な光記録媒体を提供することにある。
(問題を解決するための手段)
本発明の光記録媒体は情報をレーザ光によって記録しか
つ読み取る光記録媒体であって、窒化物を主成分とする
層と、テルルとセレンと窒素を主成分とする層のと少な
くとも2層を有していることを特徴とする光記録媒体。
つ読み取る光記録媒体であって、窒化物を主成分とする
層と、テルルとセレンと窒素を主成分とする層のと少な
くとも2層を有していることを特徴とする光記録媒体。
(作用)
光記録媒体は従来第2図のような構成になっていた。即
ち、基板1の上に記録層21が設けられている。記録用
レーザ光は基板lを通して記録層21に集光照射され、
ピット22が形成される。基板1としてはポリカーボネ
イト、ポリオレフィン、ポリメチルペンチル、アクリル
、エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基
板には、ピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定
間隔で精度よく記録されるように案内溝が設けられてい
る。
ち、基板1の上に記録層21が設けられている。記録用
レーザ光は基板lを通して記録層21に集光照射され、
ピット22が形成される。基板1としてはポリカーボネ
イト、ポリオレフィン、ポリメチルペンチル、アクリル
、エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基
板には、ピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定
間隔で精度よく記録されるように案内溝が設けられてい
る。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜I。
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜I。
サーボ系が構成されている。情報の読み出しは、記録の
ときよりも弱いパワーのレーザ光をビット上を通過する
ように照射することにより、ピットの有無に起因する反
射率の変化を検出して行なう。
ときよりも弱いパワーのレーザ光をビット上を通過する
ように照射することにより、ピットの有無に起因する反
射率の変化を検出して行なう。
記録層21としては種々の材料を使用できるが、耐候性
を考慮するとテルルセレン系合金膜が望ましい。しがし
ながら、テルルセレン合金層のみでは信号品質が充分に
良好ではながった。本発明者らは記録層をテルルとセレ
ンと窒素を主成分とすることにより、信号品質が良好と
なることを見出し、すでに提案している。本発明はこれ
をさらに改善したものであり、第1図に示すように基板
1とテルルセレン窒素層3の間に窒化物を主成分とする
層2を設けることにより、記録により形成されるピット
が大きく拡がらないようになる。したがって、ピットを
つめて記録できるので高密度記録が可能となる。又、記
録パワー変動に対する余裕度も大きくなるので、実用的
な光記録媒体となる。
を考慮するとテルルセレン系合金膜が望ましい。しがし
ながら、テルルセレン合金層のみでは信号品質が充分に
良好ではながった。本発明者らは記録層をテルルとセレ
ンと窒素を主成分とすることにより、信号品質が良好と
なることを見出し、すでに提案している。本発明はこれ
をさらに改善したものであり、第1図に示すように基板
1とテルルセレン窒素層3の間に窒化物を主成分とする
層2を設けることにより、記録により形成されるピット
が大きく拡がらないようになる。したがって、ピットを
つめて記録できるので高密度記録が可能となる。又、記
録パワー変動に対する余裕度も大きくなるので、実用的
な光記録媒体となる。
さらに又、大きなピットが形成されないためトラッキン
グやフォーカスサーボが不安定にならないので実用的な
光記録媒体となる。ピットが大きく拡がらない理由は明
確ではないが、テルルセレン窒素層の有無による表面エ
ネルギーの差が窒化物を主成分とする層の形成により変
化することによっていると考えられる。
グやフォーカスサーボが不安定にならないので実用的な
光記録媒体となる。ピットが大きく拡がらない理由は明
確ではないが、テルルセレン窒素層の有無による表面エ
ネルギーの差が窒化物を主成分とする層の形成により変
化することによっていると考えられる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について説明する。
100°Cで2時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂
ディスク基板にシリコン窒化物を約1ooA厚形成し、
ひきつづきこの上に、テルルセレン合金ターゲットをア
ルゴンと窒素の混合ガスでマグネトロンスパッタして、
テルルとセレンと窒素の比が原子パーセントで90対4
対6のテルルセレン窒素層を約240へ属形成した。こ
の光ディスクを95°Cの窒素雰囲気中で1時間アニー
ルしたのち、波長8300人における基板入射反射率を
測定したところ32%であった。波長8300人の半導
体レーザ光を基板を通して入射して記録層上で1.6p
mΦ程度に絞り、媒体線速度5.6m/see、記録周
波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec、記録
パワー6.5mWの条件で記録し、0゜7mWで再生し
た。バンド幅30KHzのキャリアーとノイズとの比(
c/N)は51dBと良好であった。この光ディスクを
70°080%の高温高湿度の環境に60時間保存した
後、上記特性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光
記録媒体であることが確認された。
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂
ディスク基板にシリコン窒化物を約1ooA厚形成し、
ひきつづきこの上に、テルルセレン合金ターゲットをア
ルゴンと窒素の混合ガスでマグネトロンスパッタして、
テルルとセレンと窒素の比が原子パーセントで90対4
対6のテルルセレン窒素層を約240へ属形成した。こ
の光ディスクを95°Cの窒素雰囲気中で1時間アニー
ルしたのち、波長8300人における基板入射反射率を
測定したところ32%であった。波長8300人の半導
体レーザ光を基板を通して入射して記録層上で1.6p
mΦ程度に絞り、媒体線速度5.6m/see、記録周
波数3.77MHz、記録パルス幅70nsec、記録
パワー6.5mWの条件で記録し、0゜7mWで再生し
た。バンド幅30KHzのキャリアーとノイズとの比(
c/N)は51dBと良好であった。この光ディスクを
70°080%の高温高湿度の環境に60時間保存した
後、上記特性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光
記録媒体であることが確認された。
比較のためのシリコン窒化物層を設けない光ディスクに
比べて、45dB以上のC/Nが得られる記録パワー範
囲はおよそ2倍大きくなり、記録パワー変動に対する余
裕度の大きいことが確認された。
比べて、45dB以上のC/Nが得られる記録パワー範
囲はおよそ2倍大きくなり、記録パワー変動に対する余
裕度の大きいことが確認された。
又、トラッキングやフォーカスのサーボも不安定になる
ことはなかった。
ことはなかった。
窒化物層としては種々の窒化物を使用することができる
が、その中では窒化シリコン、窒化ジルコニウム、窒化
クロム、窒化チタンがとくに望ましい。吸収のない窒化
物の場合の膜厚は5人から2000人の範囲が望ましい
。吸収のある窒化物の場合の膜厚は2人から1000人
の範囲が望ましい。吸収のある窒化物を用いた場合の記
録ピットはテルルセレン窒素層の孔と窒化物層の変形(
孔、凹部等)とにより形成される。また窒化物層にはピ
ットの径の拡大を抑制する効果を損なわない範囲内で他
の成分が含まれていてもよい。
が、その中では窒化シリコン、窒化ジルコニウム、窒化
クロム、窒化チタンがとくに望ましい。吸収のない窒化
物の場合の膜厚は5人から2000人の範囲が望ましい
。吸収のある窒化物の場合の膜厚は2人から1000人
の範囲が望ましい。吸収のある窒化物を用いた場合の記
録ピットはテルルセレン窒素層の孔と窒化物層の変形(
孔、凹部等)とにより形成される。また窒化物層にはピ
ットの径の拡大を抑制する効果を損なわない範囲内で他
の成分が含まれていてもよい。
テルルセレン窒素層の厚さは100Aから100OAの
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、窒素の含有量
は原子パーセントで2パ一セント以上20パーセント未
満が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、セレン
の含有量は原子パーセントで2パーセントから50パー
セントの範囲が耐候性の観点で望ましい。
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、窒素の含有量
は原子パーセントで2パ一セント以上20パーセント未
満が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、セレン
の含有量は原子パーセントで2パーセントから50パー
セントの範囲が耐候性の観点で望ましい。
テルルセレン窒素層には、鉛、ヒ素、スズ、ゲルマニウ
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リン
、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウム
、コバルトの群から選ばれた少なくとも1種の元素を添
加すると、ピットの形状を良好に整える場合がある。た
だし添加量は原子パーセントで20パ一セント未満が望
ましい。
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リン
、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウム
、コバルトの群から選ばれた少なくとも1種の元素を添
加すると、ピットの形状を良好に整える場合がある。た
だし添加量は原子パーセントで20パ一セント未満が望
ましい。
成膜方法は、スパッタリング法の他に、蒸着法、反応性
蒸着法、イオン、ブレーティング法、イオンビームデポ
ジション法等でもよい。
蒸着法、イオン、ブレーティング法、イオンビームデポ
ジション法等でもよい。
(発明の効果)
上記実施例から明らかなように、本発明により耐候性が
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られ
る。
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られ
る。
第1図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面図、第2
図は従来の光記録媒体の断面図である。 図において、1は基板、2は窒化物を主成分とする層、
3はテルルセレン窒素を主成分とする層、21は記録層
、22はピットを表わす。 半 1 面 半 2 m ン 2z、どツF 62.8゜10 昭和 年 月 日
図は従来の光記録媒体の断面図である。 図において、1は基板、2は窒化物を主成分とする層、
3はテルルセレン窒素を主成分とする層、21は記録層
、22はピットを表わす。 半 1 面 半 2 m ン 2z、どツF 62.8゜10 昭和 年 月 日
Claims (1)
- 情報をレーザ光によって記録しかつ読み取る光記録媒体
において、窒化物を主成分とする層と、テルルとセレン
と窒素を主成分とする層の少なくとも2層を有している
ことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61122687A JPS62278095A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61122687A JPS62278095A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62278095A true JPS62278095A (ja) | 1987-12-02 |
JPH0530391B2 JPH0530391B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=14842138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61122687A Granted JPS62278095A (ja) | 1986-04-30 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62278095A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61122687A patent/JPS62278095A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
US7381458B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-06-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0530391B2 (ja) | 1993-05-07 |
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