JPS639575A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS639575A JPS639575A JP61155558A JP15555886A JPS639575A JP S639575 A JPS639575 A JP S639575A JP 61155558 A JP61155558 A JP 61155558A JP 15555886 A JP15555886 A JP 15555886A JP S639575 A JPS639575 A JP S639575A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- -1 tellurium selenium alloy Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 claims description 7
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical class [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 abstract description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N guanine Chemical compound O=C1NC(N)=NC2=C1N=CN2 UYTPUPDQBNUYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
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- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〉
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
(従来の技術)
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、Te等のカルコゲン元素又はこれらの化合
物が使用されている(特公昭47−26897 )。と
くにテルルセレン系合金はよく使用されている(特公昭
54−41902.特公昭57−7919.特公昭57
−56058 >。近年、記録装置を小型化するため、
レーザ光源としては半導体レーザが使用されてきている
。半導体レーザは発振波長が8000λ前後であるが、
テルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的よく適合し
、適度な反射率と適度な吸収率が得られる(フイジカ・
スティタス・ソリダイ(phys、5tat、sol、
7.189.1964) )。
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、Te等のカルコゲン元素又はこれらの化合
物が使用されている(特公昭47−26897 )。と
くにテルルセレン系合金はよく使用されている(特公昭
54−41902.特公昭57−7919.特公昭57
−56058 >。近年、記録装置を小型化するため、
レーザ光源としては半導体レーザが使用されてきている
。半導体レーザは発振波長が8000λ前後であるが、
テルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的よく適合し
、適度な反射率と適度な吸収率が得られる(フイジカ・
スティタス・ソリダイ(phys、5tat、sol、
7.189.1964) )。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、安価な半導体レーザを使用するためには
、これらの媒体では記録感度が充分ではなかった。
、これらの媒体では記録感度が充分ではなかった。
本発明の目的は、耐候性がよくかつ高怒度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することにある。
良好な光記録媒体を提供することにある。
(問題を解決するための手段〉
本発明の光記録媒体は情報をレーザ光によって記録しか
つ読み取る光記録媒体であって、アルキル置換フタロシ
アニン色素の層と、テルルセレン合金を主成分とする層
との少なくとも2層を有していることを特徴とする。
つ読み取る光記録媒体であって、アルキル置換フタロシ
アニン色素の層と、テルルセレン合金を主成分とする層
との少なくとも2層を有していることを特徴とする。
(作用)
光記録媒体は従来第2図のような構成になっていた。即
ち、基板1の上に記録層21が設けられている。記録用
レーザ光は基板1を通して記録層21に集光照射され、
ピット22が形成される。基板1としてはポリカーボネ
イト、ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル
、エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基
板には、ピッI・が同心円状あるいはスパイラル状に一
定間隔で精度よく記録されるように案内溝が設けられて
いる。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光
は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光
強度の空間分布が変化するので、これを検出してレーザ
ビームを溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成さ
れている。溝の幅は通常0.3〜1.3μmであり、溝
の深さは使用するレーザ波長の1712から174の範
囲に設定される。
ち、基板1の上に記録層21が設けられている。記録用
レーザ光は基板1を通して記録層21に集光照射され、
ピット22が形成される。基板1としてはポリカーボネ
イト、ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル
、エポキシ樹脂等の合成樹脂やガラスが使用される。基
板には、ピッI・が同心円状あるいはスパイラル状に一
定間隔で精度よく記録されるように案内溝が設けられて
いる。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光
は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光
強度の空間分布が変化するので、これを検出してレーザ
ビームを溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成さ
れている。溝の幅は通常0.3〜1.3μmであり、溝
の深さは使用するレーザ波長の1712から174の範
囲に設定される。
集光に関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレーザ光
をビット上を通過するように照射することにより、ピッ
トの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう。記
録層21としては種々の材料を使用できるが、耐候性を
考慮するとテルルセレン合金を主成分とする膜が望まし
い。しかしながら、テルルセレン合金層のみでは出力パ
ワーの小さい安価な半導体レーザを記録光源として使用
することができない。そこで、基板と記録層との間に有
機物であるグアニン層を挿入すると高感度になるという
提案がなされている(特開昭59−232895>が、
本発明者らが評価したところによるとこの構成では耐候
性が充分であるという結果は得られなかった。本発明者
らは種々の有機物を検討した結果、アルキル置換フタロ
シアニン色素層を第1図のように設けることにより高感
度でかつ充分な耐候性の光記録媒体が得られることを見
出し、本発明に到ったものである。
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレーザ光
をビット上を通過するように照射することにより、ピッ
トの有無に起因する反射率の変化を検出して行なう。記
録層21としては種々の材料を使用できるが、耐候性を
考慮するとテルルセレン合金を主成分とする膜が望まし
い。しかしながら、テルルセレン合金層のみでは出力パ
ワーの小さい安価な半導体レーザを記録光源として使用
することができない。そこで、基板と記録層との間に有
機物であるグアニン層を挿入すると高感度になるという
提案がなされている(特開昭59−232895>が、
本発明者らが評価したところによるとこの構成では耐候
性が充分であるという結果は得られなかった。本発明者
らは種々の有機物を検討した結果、アルキル置換フタロ
シアニン色素層を第1図のように設けることにより高感
度でかつ充分な耐候性の光記録媒体が得られることを見
出し、本発明に到ったものである。
(実施例)
以下、本発明の実施例について説明する。
100℃で2時間アニール処理した内径15+m、外径
130+u+、厚さ1.21のポリカーボネイト樹脂デ
ィスク基板を真空蒸着装置内に入れ、6 X 1G−6
Torr以下に排気した。蒸発源として、第1の抵抗加
熱用ボートにt〜ブチル置換バナジルフタロシアニン色
素を入れ、第2の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第3
の抵抗加熱用ボートにSeを入れた。まず、フタロシア
ニン色素を160^厚蒸着し、次に水晶振動子式検出器
によりそれぞれの蒸発源からの蒸着速度比を制御して共
蒸着することによりセレンが23原子数パーセントで約
250λ厚のテルルセレン合金層を形成した。この光デ
ィスクを95°Cの窒素雰囲気中で1時間アニールした
のち、波長83GOAにおける基板入射反射率を測定し
たところ32%であった。波長830OAの半導体レー
ザ光を基板を通して入射して記録層上で1.6μm中程
度に絞り、媒体線速度5.6m/sec、記録周波数3
.77M1lz 、記録パルス幅70m5ec 、記録
パワー5.5m−の条件で記録し、0.7mWで再生し
た。
130+u+、厚さ1.21のポリカーボネイト樹脂デ
ィスク基板を真空蒸着装置内に入れ、6 X 1G−6
Torr以下に排気した。蒸発源として、第1の抵抗加
熱用ボートにt〜ブチル置換バナジルフタロシアニン色
素を入れ、第2の抵抗加熱用ボートにTeを入れ、第3
の抵抗加熱用ボートにSeを入れた。まず、フタロシア
ニン色素を160^厚蒸着し、次に水晶振動子式検出器
によりそれぞれの蒸発源からの蒸着速度比を制御して共
蒸着することによりセレンが23原子数パーセントで約
250λ厚のテルルセレン合金層を形成した。この光デ
ィスクを95°Cの窒素雰囲気中で1時間アニールした
のち、波長83GOAにおける基板入射反射率を測定し
たところ32%であった。波長830OAの半導体レー
ザ光を基板を通して入射して記録層上で1.6μm中程
度に絞り、媒体線速度5.6m/sec、記録周波数3
.77M1lz 、記録パルス幅70m5ec 、記録
パワー5.5m−の条件で記録し、0.7mWで再生し
た。
バンド幅30kHzのキャリアーとノイズとの比(C/
N)は48dBと良好であった。この光ディスクを70
°C80%の高温高湿度の環境に60時間保存した後、
上記特性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録
媒体であることが確認された。
N)は48dBと良好であった。この光ディスクを70
°C80%の高温高湿度の環境に60時間保存した後、
上記特性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録
媒体であることが確認された。
比較のためのアルキル置換をしていないバナジルフタロ
シアニン色素を用いたディスクは、上記高温高温条件に
長時間保存しておくと光学特性が変化して問題であった
。これは無置換バナジルフタロシアニンが結晶化し、波
長B500Aにおける消衰係数が大きくなるためである
。例えば、ガラス基板上にし一ブチル置換バナジルフタ
ロシアニンを形成したものと、無置換バナジルフタロシ
アニンを形成したものとを作製し、300℃1時間のア
ニールを行なうと、無置換の試料は結晶化が進行して表
面荒れをおこすがアルキル置換の試料は表面荒れを生じ
ない、即ち、アルキル置換のフタロシアニンは、その立
体傷害性のために結晶化しにくく耐候性に優れるもので
ある。
シアニン色素を用いたディスクは、上記高温高温条件に
長時間保存しておくと光学特性が変化して問題であった
。これは無置換バナジルフタロシアニンが結晶化し、波
長B500Aにおける消衰係数が大きくなるためである
。例えば、ガラス基板上にし一ブチル置換バナジルフタ
ロシアニンを形成したものと、無置換バナジルフタロシ
アニンを形成したものとを作製し、300℃1時間のア
ニールを行なうと、無置換の試料は結晶化が進行して表
面荒れをおこすがアルキル置換の試料は表面荒れを生じ
ない、即ち、アルキル置換のフタロシアニンは、その立
体傷害性のために結晶化しにくく耐候性に優れるもので
ある。
なお、t−ブチル置換バナジルフタロシアニン膜は波長
8300Aにおいて吸収があり、記録ピットはテルルセ
レン合金層の孔とフタロシアニン層の凹部とにより形成
されている。
8300Aにおいて吸収があり、記録ピットはテルルセ
レン合金層の孔とフタロシアニン層の凹部とにより形成
されている。
アルキル置換フタロシアニン色素層の厚さは5人から1
000λの範囲が望ましく、テルルセレン合金層の厚さ
は100人から1000人の範囲が記録特性の点で望ま
しい。セレンの含有量は原子数パーセントで2から50
の範囲が耐候性の点で望ましい。
000λの範囲が望ましく、テルルセレン合金層の厚さ
は100人から1000人の範囲が記録特性の点で望ま
しい。セレンの含有量は原子数パーセントで2から50
の範囲が耐候性の点で望ましい。
テルルセレン合金層には、鈴、ヒ素、スズ、ゲルマニウ
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リン
、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウム
の群から選ばれた少なくとも1種の元素を添加すると、
ビットの形状を良好に整える場合がある。ただし添加量
は原子数パーセントで25パーセント以下が望ましい。
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リン
、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウム
の群から選ばれた少なくとも1種の元素を添加すると、
ビットの形状を良好に整える場合がある。ただし添加量
は原子数パーセントで25パーセント以下が望ましい。
アルキル置換フタロシアニン層、テルルセレン合金層の
成膜方法は本実施例の他にスパッタリング法、イオンブ
レーティング法、イオンビームデポジション法でもよい
。
成膜方法は本実施例の他にスパッタリング法、イオンブ
レーティング法、イオンビームデポジション法でもよい
。
(発明の効果)
上記実施例から明らかなように、本発明により耐候性が
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られ
る。
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られ
る。
第1図は本発明の光記録媒体の例を示す断面概略図、第
2図は従来の光記録媒体の断面概略図である。 図において、1は基板、2はアルキル置換フタロシアニ
ン層、3はテルルセレン合金層、21は記録層、22は
ビットを表わす。 第1図 第2図 22 ビット ■1 基板
2図は従来の光記録媒体の断面概略図である。 図において、1は基板、2はアルキル置換フタロシアニ
ン層、3はテルルセレン合金層、21は記録層、22は
ビットを表わす。 第1図 第2図 22 ビット ■1 基板
Claims (1)
- 情報をレーザ光によって記録しかつ読み取る光記録媒体
において、アルキル置換フタロシアニン色素の層と、テ
ルルセレン合金を主成分とする層との少なくとも2層を
有していることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61155558A JPS639575A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61155558A JPS639575A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS639575A true JPS639575A (ja) | 1988-01-16 |
JPH0481952B2 JPH0481952B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15608681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61155558A Granted JPS639575A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS639575A (ja) |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP61155558A patent/JPS639575A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0481952B2 (ja) | 1992-12-25 |
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JPH0528675B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |