JPS62278094A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS62278094A JPS62278094A JP61122686A JP12268686A JPS62278094A JP S62278094 A JPS62278094 A JP S62278094A JP 61122686 A JP61122686 A JP 61122686A JP 12268686 A JP12268686 A JP 12268686A JP S62278094 A JPS62278094 A JP S62278094A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
(産業上の利用分野)
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
(従来の技術)
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、Te等のカルコゲン元素、又はこれらの化
合物が使用されている(特公昭47−26897)。と
くにテルルセレン系合金はよく使用されている(特公昭
54−41902、特公昭57−7919、特公昭57
−56058)。
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、Te等のカルコゲン元素、又はこれらの化
合物が使用されている(特公昭47−26897)。と
くにテルルセレン系合金はよく使用されている(特公昭
54−41902、特公昭57−7919、特公昭57
−56058)。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が8000人前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と適
度な吸収率が得られる(フィシかスティタス・ソリダイ
(phys−stat−sol−7,189゜1964
))。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が8000人前後であるが、テルルセレン系合金
はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と適
度な吸収率が得られる(フィシかスティタス・ソリダイ
(phys−stat−sol−7,189゜1964
))。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、これらの媒体では信号品質が充分に良好
ではなかった。
ではなかった。
本発明の目的は、耐候性がよく、かつ高感度で信号品質
が充分に良好な光記録媒体を提供することにある。
が充分に良好な光記録媒体を提供することにある。
(問題を解決するための手段)
本発明の光記録媒体は情報をレーザ光によって記録しか
つ読み取る光記録媒体であって、金属酸化物の層と、テ
ルルとセレンと窒素を主成分とする層との少なくとも2
層を有していることを特徴とする。
つ読み取る光記録媒体であって、金属酸化物の層と、テ
ルルとセレンと窒素を主成分とする層との少なくとも2
層を有していることを特徴とする。
(作用)
光記録媒体は従来は第2図のような構成になっていた。
即ち、基板1の上に記録層21が設けられている。記録
用レーザ光は基板1を通して記録層21に集光照射され
、ピット22が形成される。基板1としてはポリカーボ
ネイト、ポリオレフィン、ポリメチルペンチル、アクリ
ル、エポキシ樹脂等の合成樹脂が使用される。基板には
、ピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で
精度よく記録されるように案内溝が設けられているレー
ザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折され
、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空間
分布が変化するので、これを検出してレーザビームを溝
の中心に入射させるようにサーボ系が構成されている。
用レーザ光は基板1を通して記録層21に集光照射され
、ピット22が形成される。基板1としてはポリカーボ
ネイト、ポリオレフィン、ポリメチルペンチル、アクリ
ル、エポキシ樹脂等の合成樹脂が使用される。基板には
、ピットが同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で
精度よく記録されるように案内溝が設けられているレー
ザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折され
、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の空間
分布が変化するので、これを検出してレーザビームを溝
の中心に入射させるようにサーボ系が構成されている。
溝の幅は通常0.3〜1.3pmであり、溝の深さは使
用するレーザ波長の■から■の範囲に設定される。集光
に関しても同様にサーボ系が構成されている。情報の読
み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレーザ光をピ
ット上を通過するように照射することにより、ピットの
有無に起因する反射率の変化を検出して行なう。
用するレーザ波長の■から■の範囲に設定される。集光
に関しても同様にサーボ系が構成されている。情報の読
み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレーザ光をピ
ット上を通過するように照射することにより、ピットの
有無に起因する反射率の変化を検出して行なう。
記録層21としては種々の材料を使用できるが、耐候性
を考慮するとテルルセレン系合金膜が望ましい。しかし
ながら、テルルセレン合金層のみでは信号品質が充分に
良好ではなかった。本発明者らは記録層をテルルとセレ
ンと窒素を主成分とすることにより、信号品質が良好と
なることを見出し、すでに提案している。本発明はこれ
をさらに改善したものであり、第1図に示すように基板
1とテルルセレン窒素層3の間に金属酸化物層2を設け
ることにより、記録により形成されるピットが大きく拡
がらないようになる。したがって、ピットをつめて記録
できるので高密度記録が可能となる。又、記録パワー変
動に対する余裕度も大きくなるので、実用的な光記録媒
体となる。さらに又、大きなピットが形成されないため
トラッキングやフォーカスサーボが不安定にならないの
で実用的な光記録媒体となる。ピットが大きく拡がらな
い理由は明確ではないが、テルルセレン窒素層の有無に
よる表面エネルギーの差が金属酸化物層の形成により変
化することによっていると考えられる。
を考慮するとテルルセレン系合金膜が望ましい。しかし
ながら、テルルセレン合金層のみでは信号品質が充分に
良好ではなかった。本発明者らは記録層をテルルとセレ
ンと窒素を主成分とすることにより、信号品質が良好と
なることを見出し、すでに提案している。本発明はこれ
をさらに改善したものであり、第1図に示すように基板
1とテルルセレン窒素層3の間に金属酸化物層2を設け
ることにより、記録により形成されるピットが大きく拡
がらないようになる。したがって、ピットをつめて記録
できるので高密度記録が可能となる。又、記録パワー変
動に対する余裕度も大きくなるので、実用的な光記録媒
体となる。さらに又、大きなピットが形成されないため
トラッキングやフォーカスサーボが不安定にならないの
で実用的な光記録媒体となる。ピットが大きく拡がらな
い理由は明確ではないが、テルルセレン窒素層の有無に
よる表面エネルギーの差が金属酸化物層の形成により変
化することによっていると考えられる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について説明する。
100°Cで2時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂
ディスク基板に5i02を500人厚形成し、ひきつづ
きこの上に、テルルセレン合金ターゲットをアルゴンと
窒素の混合ガスでマグネトロンスパッタして、テルルと
セレンと窒素の比が原子パーセントで90対4対6のテ
ルルセレン窒素層を240人厚形成した。この光ディス
クを95°Cの窒素雰囲気中で1時間アニールしたのち
、波長8300Aにおける基板入射反射率を測定したと
ころ34%であった。波長8300人の半導体レーザ光
を基板を通して入射して記録層上で1.6pmΦ程度に
絞り、媒体線速度5.6m/see、記録周波数3.7
7MHz、記録パルス幅70nsec、記録パワー7.
0mWの条件で記録し、0.7mWで再生した。バンド
幅30KHzのキャリアーとノイズとの比(C/N)は
52dBと良好であった。この光ディスクを70°08
0%の高温高湿度の環境に60時間保存した後、上記特
性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。
径130mm、厚さ1.2mmのポリカーボネイト樹脂
ディスク基板に5i02を500人厚形成し、ひきつづ
きこの上に、テルルセレン合金ターゲットをアルゴンと
窒素の混合ガスでマグネトロンスパッタして、テルルと
セレンと窒素の比が原子パーセントで90対4対6のテ
ルルセレン窒素層を240人厚形成した。この光ディス
クを95°Cの窒素雰囲気中で1時間アニールしたのち
、波長8300Aにおける基板入射反射率を測定したと
ころ34%であった。波長8300人の半導体レーザ光
を基板を通して入射して記録層上で1.6pmΦ程度に
絞り、媒体線速度5.6m/see、記録周波数3.7
7MHz、記録パルス幅70nsec、記録パワー7.
0mWの条件で記録し、0.7mWで再生した。バンド
幅30KHzのキャリアーとノイズとの比(C/N)は
52dBと良好であった。この光ディスクを70°08
0%の高温高湿度の環境に60時間保存した後、上記特
性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体で
あることが確認された。
比較のためのSiO2層を設けない光ディスクに比べて
、45dB以上のC/Nが得られる記録パワー範囲はお
よそ3倍大きくなり、記録パワー変動に対する余裕度の
大きいことが確認された。又、トラッキングやフォーカ
スのサーボも不安定になることはなかった。
、45dB以上のC/Nが得られる記録パワー範囲はお
よそ3倍大きくなり、記録パワー変動に対する余裕度の
大きいことが確認された。又、トラッキングやフォーカ
スのサーボも不安定になることはなかった。
金属酸化物としては種々の酸化物を使用することができ
るが、その中ではCeO2,MgO,SiO,5i02
゜5n02がとくに望ましい。膜の内部応力は小さくす
るか又はやや圧縮応力となるように作製することが、膜
のクラックを防止する点で望ましい。金属酸化物層の膜
厚は、5人から2500人の範囲が望ましい。金属酸化
物層の屈折率が基板の屈折率もよりも小さい場合には膜
中波長へρ厚さに設定することにより媒体反射率を極大
にすることができる。
るが、その中ではCeO2,MgO,SiO,5i02
゜5n02がとくに望ましい。膜の内部応力は小さくす
るか又はやや圧縮応力となるように作製することが、膜
のクラックを防止する点で望ましい。金属酸化物層の膜
厚は、5人から2500人の範囲が望ましい。金属酸化
物層の屈折率が基板の屈折率もよりも小さい場合には膜
中波長へρ厚さに設定することにより媒体反射率を極大
にすることができる。
金属酸化物層の屈折率が基板の屈折率よりも大きい場合
には膜中波長の麦の厚さに設定することにより、媒体反
射率が小さくなることを防ぐことができる。逆に、膜中
波長の↓或いは合の厚さに設定すれば、媒体反射率は小
さくなるが記録膜での吸収は最大となるので高感度化す
ることができる。
には膜中波長の麦の厚さに設定することにより、媒体反
射率が小さくなることを防ぐことができる。逆に、膜中
波長の↓或いは合の厚さに設定すれば、媒体反射率は小
さくなるが記録膜での吸収は最大となるので高感度化す
ることができる。
テルルセレン窒素層の厚さは100人から100OAの
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、窒素の含有量
は原子パーセントで2パ一セント以上の20パ一セント
未満が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、セレ
ンの含有量は原子パーセントで2パーセントから50パ
ーセントの範囲が耐候性の観点で望ましい。
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、窒素の含有量
は原子パーセントで2パ一セント以上の20パ一セント
未満が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、セレ
ンの含有量は原子パーセントで2パーセントから50パ
ーセントの範囲が耐候性の観点で望ましい。
テルルセレン窒素層には、鉛、ヒ素、スズ、ゲルマニウ
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リン
、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウム
、コバルトの群から選ばれた少なくとも1種の元素を添
加すると、ビットの形状を良好に整える場合がある。た
だし添加量は原子パーセントで20パ一セント未満が望
ましい。
ム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リン
、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウ
ム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウム
、コバルトの群から選ばれた少なくとも1種の元素を添
加すると、ビットの形状を良好に整える場合がある。た
だし添加量は原子パーセントで20パ一セント未満が望
ましい。
成膜方法は、スパッタリング法の他に、蒸着法、反応性
蒸着法、イオンブレーティング法、イオンビームデポジ
ション法等でもよい。
蒸着法、イオンブレーティング法、イオンビームデポジ
ション法等でもよい。
(発明の効果)
上記実施例から明らかなように、本発明により耐候性が
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られ
る。
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られ
る。
第1図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面概略図、
第2図は従来の光記録媒体の断面概略図である。 図において、lは基板、2は金属酸化物層、3はテルル
セレン窒素を主成分とする層、21は記録層、zz、ヒ
iン”「 昭和 年 月 日
第2図は従来の光記録媒体の断面概略図である。 図において、lは基板、2は金属酸化物層、3はテルル
セレン窒素を主成分とする層、21は記録層、zz、ヒ
iン”「 昭和 年 月 日
Claims (1)
- 情報をレーザ光によって記録しかつ読み取る光記録媒体
において、金属酸化物の層と、テルルとセレンと窒素を
主成分とする層との少なくとも2層を有していることを
特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61122686A JPS62278094A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61122686A JPS62278094A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62278094A true JPS62278094A (ja) | 1987-12-02 |
JPH0530390B2 JPH0530390B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=14842112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61122686A Granted JPS62278094A (ja) | 1986-04-30 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62278094A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61122686A patent/JPS62278094A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
US7381458B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-06-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0530390B2 (ja) | 1993-05-07 |
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