JPS63177328A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS63177328A JPS63177328A JP62008137A JP813787A JPS63177328A JP S63177328 A JPS63177328 A JP S63177328A JP 62008137 A JP62008137 A JP 62008137A JP 813787 A JP813787 A JP 813787A JP S63177328 A JPS63177328 A JP S63177328A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 7
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、レーザ光によって情報を記録再生することの
できる光記録媒体およびその製造方法に関するものであ
る。
できる光記録媒体およびその製造方法に関するものであ
る。
[従来の技術]
レーザ光によって情報を媒体に記録しかつ再生する光デ
イスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録装
置として優れた特徴を有している。
イスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録装
置として優れた特徴を有している。
この光記録媒体材料としては、最初にタンタルと鉛が使
用された(サイエンス(Science ) 154゜
1550.1966 )。それ以来種々の材料が使用さ
れているが、テルル(Te)等のカルコゲン元素または
これらの化合物はよく使用されており(特公昭47−2
6897号公報)、とくにテルル−セレン系合金はよく
使用されている(特公昭54−41902@公報、特公
昭57−7919号公報、特公昭57−56058号公
報〉。
用された(サイエンス(Science ) 154゜
1550.1966 )。それ以来種々の材料が使用さ
れているが、テルル(Te)等のカルコゲン元素または
これらの化合物はよく使用されており(特公昭47−2
6897号公報)、とくにテルル−セレン系合金はよく
使用されている(特公昭54−41902@公報、特公
昭57−7919号公報、特公昭57−56058号公
報〉。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が8000人前後でおるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる(フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ(phys、 5tat。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が8000人前後でおるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる(フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ(phys、 5tat。
sol、11B9.1964)。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第2図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板1に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層21が設けられている。記録用レーザ光は基板1を通
して記録層21に集光照射され、ピット22が形成され
る。基板1としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
録媒体は第2図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板1に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層21が設けられている。記録用レーザ光は基板1を通
して記録層21に集光照射され、ピット22が形成され
る。基板1としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板1にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1.3μmであり、溝の深さ
は使用するレーザ波長の1712から174の範囲に設
定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワー
のレーザ光をピット上を通過するように照射することに
より、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して
行う。
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常0.3〜1.3μmであり、溝の深さ
は使用するレーザ波長の1712から174の範囲に設
定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワー
のレーザ光をピット上を通過するように照射することに
より、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して
行う。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、テルル−セレン合金層を記録層として用
いた光記録媒体では耐候性と感度と信号品質のすべてを
満足するものではなかった。
いた光記録媒体では耐候性と感度と信号品質のすべてを
満足するものではなかった。
一方、本発明者らはテルル−セレン合金ターゲットをア
ルゴンと窒素との混合ガスでスパッタリングすることに
より記録層がテルルとセレンと窒素とからなり、耐候性
がよく高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られる
ことを見出し、既に提案している(特願昭61−101
368号)。
ルゴンと窒素との混合ガスでスパッタリングすることに
より記録層がテルルとセレンと窒素とからなり、耐候性
がよく高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られる
ことを見出し、既に提案している(特願昭61−101
368号)。
本発明はこれをざらに改善したものであり、耐候性がよ
く、かつ高感度で信号品質が良好であると共に、量産性
に優れた光記録媒体およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
く、かつ高感度で信号品質が良好であると共に、量産性
に優れた光記録媒体およびその製造方法を提供すること
を目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が炭化フッ素
を主成分とする前記基板側に形成された層と、この層に
隣接して前記基板の外方に形成されたテルル、セレンお
よび窒素を主成分とする層とを少なくとも有しているこ
とを特、徴とする光記録媒体であり、またその製造方法
は基板上に、レーザ光によって一部が選択的に除去され
て情報を記録する記録層を形成することよりなる光記録
媒体の製造方法において、基板上に炭化フッ素を主成分
とする膜をスパッタリングにより形成する。工程と、テ
ルルとセレンと窒素とを主成分とする膜をスパッタリン
グにより形成する工程とを有することを特徴とする。
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が炭化フッ素
を主成分とする前記基板側に形成された層と、この層に
隣接して前記基板の外方に形成されたテルル、セレンお
よび窒素を主成分とする層とを少なくとも有しているこ
とを特、徴とする光記録媒体であり、またその製造方法
は基板上に、レーザ光によって一部が選択的に除去され
て情報を記録する記録層を形成することよりなる光記録
媒体の製造方法において、基板上に炭化フッ素を主成分
とする膜をスパッタリングにより形成する。工程と、テ
ルルとセレンと窒素とを主成分とする膜をスパッタリン
グにより形成する工程とを有することを特徴とする。
本発明においては例えば輌1図に示すように基板1上に
炭化フッ素を主成分とする層(以下炭化フッ素層と略す
)2およびテルル、セレンおよび窒素を主成分とする層
(以下テルル−セレン−窒素層と略す)3が順次積層さ
れて記録層を形成する。
炭化フッ素を主成分とする層(以下炭化フッ素層と略す
)2およびテルル、セレンおよび窒素を主成分とする層
(以下テルル−セレン−窒素層と略す)3が順次積層さ
れて記録層を形成する。
テルル−セレン−窒素層の厚さは100〜1000への
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、特に望ましい
のは200〜400人である。セレンの含有量は原子パ
ーセントで2パ一セント以上40パーセント未満の範囲
が記録再生特性、耐候性、未記録ノイズの観点から望ま
しく、特に望ましいのは10パーセント以上30パーセ
ント以下である。窒素の含有量は原子パーセントで2パ
一セント以上20パーセント未満が記録再生特性、耐候
性の観点から望ましく、特に望ましいのは2パ一セント
以上10パーセント以下である。また、記録膜中の窒素
元素の含有量は、スパッタリングターゲットの組成比や
窒素ガス分圧に依存するのは勿論であるが、スパッタ装
置の大きざ(スパッタ室の表面積等)ヤスバッタ時間等
にも依存するので最適組成が得られる窒素ガス分圧は一
義的には決められず、各スパッタ装置ごとに窒素ガス分
圧を適宜設定することが必要である。
範囲が記録再生特性の観点から望ましく、特に望ましい
のは200〜400人である。セレンの含有量は原子パ
ーセントで2パ一セント以上40パーセント未満の範囲
が記録再生特性、耐候性、未記録ノイズの観点から望ま
しく、特に望ましいのは10パーセント以上30パーセ
ント以下である。窒素の含有量は原子パーセントで2パ
一セント以上20パーセント未満が記録再生特性、耐候
性の観点から望ましく、特に望ましいのは2パ一セント
以上10パーセント以下である。また、記録膜中の窒素
元素の含有量は、スパッタリングターゲットの組成比や
窒素ガス分圧に依存するのは勿論であるが、スパッタ装
置の大きざ(スパッタ室の表面積等)ヤスバッタ時間等
にも依存するので最適組成が得られる窒素ガス分圧は一
義的には決められず、各スパッタ装置ごとに窒素ガス分
圧を適宜設定することが必要である。
テルル−セレン−窒素層には、鉛、アンチモン、ヒ素、
イオウ、スズ、ゲルマニウム、タリウム、リン、カドミ
ウム、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミ
ニウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジ
ウム、コバルトの群から選ばれた少なくとも1種の元素
が添加されていてもよい。この場合、ピットの形状を良
好に整える場合がある。ただし、添加量は原子パーセン
トで20パ一セント未満が望ましい。
イオウ、スズ、ゲルマニウム、タリウム、リン、カドミ
ウム、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミ
ニウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジ
ウム、コバルトの群から選ばれた少なくとも1種の元素
が添加されていてもよい。この場合、ピットの形状を良
好に整える場合がある。ただし、添加量は原子パーセン
トで20パ一セント未満が望ましい。
炭化フッ素層の膜厚は5〜1ooo人の範囲が記録再生
特性の観点から望ましい。
特性の観点から望ましい。
また、基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスなど通常使用されているものが用いられ
、これら基板はスパッタリングしてクリーニングするこ
とにより再現性のよい特性が得られる。
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスなど通常使用されているものが用いられ
、これら基板はスパッタリングしてクリーニングするこ
とにより再現性のよい特性が得られる。
[作 用]
基板とテルル−セレン−窒素層の間に炭化フッ素層を介
在させることによってピットの形成が良好に行われる。
在させることによってピットの形成が良好に行われる。
これは、スパッタリングによって基板をクリーニングし
てテルル−セレン−窒素膜を形成するとピットが良好に
形成されにくいのが、炭化フッ素膜を間に設けることに
より、記録時のテルル−セレン−窒素膜の温度上昇によ
り炭化フッ素膜が分解し、これがピット形成に良好に作
用するためであると考えられる。
てテルル−セレン−窒素膜を形成するとピットが良好に
形成されにくいのが、炭化フッ素膜を間に設けることに
より、記録時のテルル−セレン−窒素膜の温度上昇によ
り炭化フッ素膜が分解し、これがピット形成に良好に作
用するためであると考えられる。
[実施例コ
以下、本発明の実施例について説明する。
窒素雰囲気中で100℃、2時間アニール処理した内径
15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝(
溝幅0.68μm、溝深さ580人)付きポリカーボネ
ート樹脂ディスク基板をアルゴンガスで高周波スパッタ
リングして基板表面をクリーニングしたのち、四フッ化
ポリエチレン(P丁FE )ターゲットをアルゴンガス
で高周波スパッタリングすることにより、炭化フッ素膜
をおよそ2OA厚形成した。
15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝(
溝幅0.68μm、溝深さ580人)付きポリカーボネ
ート樹脂ディスク基板をアルゴンガスで高周波スパッタ
リングして基板表面をクリーニングしたのち、四フッ化
ポリエチレン(P丁FE )ターゲットをアルゴンガス
で高周波スパッタリングすることにより、炭化フッ素膜
をおよそ2OA厚形成した。
次いで、原子パーセントで80対20のテルル−セレン
合金ターゲットを窒素ガス分圧4%のアルゴンと窒素の
混合ガスで高周波マグネトロンスパッタリングすること
により、テルルとセレンと窒素とが原子数比でおよそ7
7対19対4のテルル−セレン−窒素膜を約250人厚
形成した。しかる後、温度85℃、相対湿度90%の環
境ニ12時間保存して光記録媒体を作製した。
合金ターゲットを窒素ガス分圧4%のアルゴンと窒素の
混合ガスで高周波マグネトロンスパッタリングすること
により、テルルとセレンと窒素とが原子数比でおよそ7
7対19対4のテルル−セレン−窒素膜を約250人厚
形成した。しかる後、温度85℃、相対湿度90%の環
境ニ12時間保存して光記録媒体を作製した。
この光ディスクの溝部の反射率を波長8300人で基板
入射で測定したところ、およそ30%であった。
入射で測定したところ、およそ30%であった。
波長8300人の半導体レーザ光を基板を通して入射し
て記録膜上に1.6μmφ程度に絞り、媒体線速度5.
65m/SeC,記録周波数3.77MHz、記録パル
ス幅70nSeC,記録パワー6.5mWの条件で溝部
に記録し、0、5m−の一定パワーで再生した。バンド
幅30KH2のキャリアーとノイズとの比(C/N)は
51dBと良好な値が得られた。また、AC再生信号の
零レベルに対して固定値のスライスレベルを設けて、1
個ごとのピットに対して正常に記録再生が行われたか否
かを判定する方式のピット誤り率測定方式で評゛価した
ところ、10−6台のピット誤り率が得られた。
て記録膜上に1.6μmφ程度に絞り、媒体線速度5.
65m/SeC,記録周波数3.77MHz、記録パル
ス幅70nSeC,記録パワー6.5mWの条件で溝部
に記録し、0、5m−の一定パワーで再生した。バンド
幅30KH2のキャリアーとノイズとの比(C/N)は
51dBと良好な値が得られた。また、AC再生信号の
零レベルに対して固定値のスライスレベルを設けて、1
個ごとのピットに対して正常に記録再生が行われたか否
かを判定する方式のピット誤り率測定方式で評゛価した
ところ、10−6台のピット誤り率が得られた。
多数枚のディスクを作製して同様に評価しても、良好な
特性であり量産性に優れた光記録媒体でおることが確認
された。また、80℃、90%の高温高湿度環境に30
0時間保存した後も上記特性は実用上変化がなく、耐候
性に優れた光記録媒体でおることが確認された。
特性であり量産性に優れた光記録媒体でおることが確認
された。また、80℃、90%の高温高湿度環境に30
0時間保存した後も上記特性は実用上変化がなく、耐候
性に優れた光記録媒体でおることが確認された。
比較のために、上記実施例において炭化フッ素膜を形成
せずに作製した光記録媒体を同様に評価したところ、感
度は悪く、C/Nも48dBと低下した。
せずに作製した光記録媒体を同様に評価したところ、感
度は悪く、C/Nも48dBと低下した。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候性がよく
かつ高感度で信号品質が良好であると共に、量産性に優
れたものである。
かつ高感度で信号品質が良好であると共に、量産性に優
れたものである。
第1図は本発明の光記録媒体の1実施例を示す部分断面
図、第2図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。 1・・・基板 2・・・炭化フッ素層 3・・・テルル−セレン−窒素層 21・・・記録層 22・・・ピット 代理人弁理士 舘 野 千 惠 子弟1図 第2図
図、第2図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。 1・・・基板 2・・・炭化フッ素層 3・・・テルル−セレン−窒素層 21・・・記録層 22・・・ピット 代理人弁理士 舘 野 千 惠 子弟1図 第2図
Claims (2)
- (1)基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除去さ
れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
らなる光記録媒体において、前記記録層が炭化フッ素を
主成分とする前記基板側に形成された層と、この層に隣
接して前記基板の外方に形成されたテルル、セレンおよ
び窒素を主成分とする層とを少なくとも有していること
を特徴とする光記録媒体。 - (2)基板上に、レーザ光によつて一部が選択的に除去
されて情報を記録する記録層を形成することよりなる光
記録媒体の製造方法において、基板上に炭化フッ素を主
成分とする膜をスパッタリングにより形成する工程と、
テルルとセレンと窒素とを主成分とする膜をスパッタリ
ングにより形成する工程とを有することを特徴とする光
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62008137A JPS63177328A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 光記録媒体およびその製造方法 |
US07/043,626 US4839208A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Optical information recording medium |
DE8787106262T DE3781926T2 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Medium fuer optische informationsaufzeichnung. |
EP87106262A EP0243958B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62008137A JPS63177328A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63177328A true JPS63177328A (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=11684905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62008137A Pending JPS63177328A (ja) | 1986-04-30 | 1987-01-19 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63177328A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6374139A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP62008137A patent/JPS63177328A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6374139A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | Mitsubishi Kasei Corp | 光学的記録用媒体 |
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