JPS6314336A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものでおる。

［従来の技術］ レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔｅ）等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８９
７号公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている（特公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５７
−７９１９＠公報、特公昭５７−５６０５８号公報〉。

近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長がａｏｏｏ入前後入射後が、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、　７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、５ｔａｔ、
　ｓｏｌ、７．１８９．１９６４＞　）。

このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ボ１ノオレフィ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の
合成樹脂が使用され、基板１にはピットが同心固状おる
いはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録されるよう
に通常案内溝が設けられている。

レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射ざぜるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常０．３〜１゜３卯でおり、溝の深さは
使用するレーザ波長の１７１２から１７４の範囲に設定
される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されてい
る。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーの
レーザ光をピット上を通過するように照射することによ
り、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して行
なう。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、テルル−セレン系合金層のみを記録層と
して用いた光記録媒体では信号品質が充分に良好ではな
かった。

一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主
成分とすることにより、信号品質が良好となることを見
出し、すでに提案している。本発明はこれをさらに改善
したものでおり、耐候性がよくかつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］　　。

本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層が硫化物を主
成分とする前記基板側に形成された層と、この層に隣接
して前記基板の外方に形成されたテルル、セレンおよび
窒素を主成分とする層とを少なくとも有していることを
特徴とする光記録媒体である。

本発明においては例えば第１図に示すように、基板１上
に硫化物を主成分とする層（以下硫化物層と略す）２、
テルル、セレンおよび窒素を主成分とする層（以下テル
ル−セレン−窒素層と略す）３が順次積層されて記録層
を形成する。基板１とテルル−セレン−窒素層３との間
に硫化物層２を設けることにより、記録により形成され
るピットが大きく拡がらないようになる。したがって、
ピットをつめて記録できるので高密度記録が可能となる
。又、記録パワー変動に対する余裕度も大きくなるので
実用的な光記録媒体となる。ざらに又、大きなピットが
形成されないためトラッキングやフォーカスサーボが不
安定にならないので実用的な光記録媒体となる。

硫化物層としては種々の硫化物を使用することができる
が、その中では硫化亜鉛がとくに望ましい。吸収のない
硫化物の場合の膜厚は５Ａから１８００人の範囲が望ま
しい。吸収のおる硫化物の場合の膜厚は２人から９００
人の範囲が望ましい。吸収のめる硫化物を用いた場合の
記録ピットはテルル−セレン−窒素層の孔と硫化物層の
変形（孔、凹部等〉とにより形成される。

テルル−セレン−窒素層の厚さは１００Ａから１０００
Ａの範囲が記録再生特性の観点から望ましい。

またテルル−セレン−窒素層における窒素の含有量は原
子数パーセントで２パ一セント以上２０パーセント未満
が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、セレンの
含有量は原子数パーセントで２パーセントから５０パー
セントの範囲が耐候性の観点から望ましい。

テルル−セレン−窒素層には鉛、ヒ素、スズ、ゲルマニ
ウム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リ
ン、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニ
ウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウ
ム、コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素が
添加されていてもよい。この場合、ピットの形状を良好
に整える場合がある。ただし添加量は原子数パーセント
で２０パ一セント未満が望ましい。

成膜方法は、スパッタリング法の他に、蒸着法、反応性
蒸着法、イオンブレーティング法、イオンビームデポジ
ション法等でもよい。

基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものが用いられる。

［作　用］ 基板とテルル−セレン−窒素層の間に硫化物層を介在さ
せることによってピットが大きく拡がらなくなり、優れ
た光記録媒体を得ることができる。

これはテルル−セレン−窒素層の有無による表面エネル
ギーの差が硫化物層の形成により変化するためであると
考えられる。

［実施例］ 以下本発明の実施例について説明する。

実施例 １００　’Ｃで２時間アニール処理した内径１５簡、外
径１３０Ｍ、厚さ１．２Ｍのポリカーボネート樹脂ディ
スク基板に硫化亜鉛を約１００人厚形成し、ひきつづき
この上に、テルル−セレン合金ターゲットをアルゴンと
窒素の混合ガスでマグネトロンスパッタして、テルルと
セレンと窒素の比が原子数パーセントで９０対４対６の
テルル−セレン−窒素層を約２４０人厚形成した。

この光ディスクを９５°Ｃの窒素雰囲気中で１時間アニ
ールしたのち、波長８３００八における基板入射反射率
を測定したところ３２％であった。波長８３００Ａの半
導体レーザ光を基板を通して入射して記録層上で１．６
柳φ程度に絞り、媒体線速度５．６ｍ／ＳｅＣ、記録周
波数３．７７ＭＨ２、記録パルス幅７ｏｎｓｅｃ、記録
パワー６．５ｍ−の条件で記録し、０、’７ｍＷで再生
した。バンド幅３０ｋＨ２のキャリアーとノイズとの比
（Ｃ／Ｎ　）は５０ｄＢと良好であった。

この光ディスクを６０℃、８０％の高温高湿度の環境に
６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はなく、
耐候性に優れた光記録媒体であることが確認された。

比較のための硫化亜鉛層を設けない光ディスクに比べて
、４５ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られる記録パワー範囲はお
よそ２倍大きくなり、記録パワー変動に対する余裕度の
大きいことが確認された。又、トラッキングやフォーカ
スのサーボも不安定になることはなかった。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候性がよく
かつ高感度で信号品質の良好なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体の１実施例を示す部分断面
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。 １・・・基板 ２・・・硫化物層 ３・・・テルル−セレン−窒素層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット ２２ご゛１シト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除去さ
   れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
   らなる光記録媒体において、前記記録層が硫化物を主成
   分とする前記基板側に形成された層と、この層に隣接し
   て前記基板の外方に形成されたテルル、セレンおよび窒
   素を主成分とする層とを少なくとも有していることを特
   徴とする光記録媒体。