JPS6331040A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。

［従来の技術］ レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔｅ）等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８９
７号公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている（特公昭５４−４１ｃ＋ｏ２＠公報、特公昭５
７−７９１９＠公報、特公昭５７−５６０５８号公報）
。

近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００人前後でおるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フィジカ・スティタス・ソリ
ダイ、　７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、　５ｔａｔ
、　ｓｏｌ、　７．１８９．１９６４）　）。　　　　
゛このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光
記録媒体は第２図に示すような構成になっている。すな
わち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記
録層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を
通して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成さ
れる。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の
合成樹脂が使用され、基板１にはピットが同心円状力る
いはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録されるよう
に通常案内溝が設けられている。

レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると光は回折
され、ビーム中心が溝からずれるにつれて回折光強度の
空間分布が変化するので、これを検出してレーザビーム
を溝の中心に入射させるようにサーボ系が構成されてい
る。溝の幅は通常０．３〜１．３μｓであり、溝の深さ
は使用するレーザ波長の１７１２から１７４の範囲に設
定される。集光に関しても同様にサーボ系が構成されて
いる。情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワー
のレーザ光をピット上を通過するように照射することに
より、ピットの有無に起因する反射率の変化を検出して
行なう。

し発明が解決しようとする問題点コ しかしなから、テルル−セレン合金層を記録層として用
いた光記録媒体では信号品質が充分に良好ではなかった
。

一方、本発明者らは記録層をテルルとセレンと窒素を主
成分とすることにより、信号品質が良好となることを児
出し、すでに提案している。本発明はこれをざらに改善
したものでおり、耐候性がよくかつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層がホウ化物を
主成分とする前記基板側に形成された層と、この層に隣
接して前記基板の外方に形成されたテルル、セレンおよ
び窒素を主成分とする層とを少なくとも有していること
を特徴とする光記録媒体でおる。

本発明においては例えば第１図に示すように、基板］上
にホウ化物を主成分とする層（以下ホウ化物層と略す）
２およびテルル、セレンおよび窒素を主成分とする層（
以下テルル−セレン−窒素層と略す）３が順次積層され
て記録層を形成する。

基板１とテルル−セレン−窒素層３との間にホウ化物層
２を設けることにより、記録により形成されるピットが
大きく拡がらないようになる。したがって、ピットをつ
めて記録できるので高密度記録が可能となる。又、記録
パワー変動に対する余裕度も大きくなるので実用的な光
記録媒体となる。

ざらに又、大きなピットが形成されないためトラッキン
グやフォーカスサーボが不安定にならないので実用的な
光記録媒体となる。

ホウ化物層としては種々のホウ化物を使用することがで
きるが、その中ではホウ化チタンがとくに望ましい。吸
収のないホウ化物の場合の膜厚は５′八から２０００Ａ
の範囲が望ましい。吸収のあるホウ化物の場合の膜厚は
２人から１０００人の範囲が望ましい。吸収の必るホウ
化物を用いた場合の記録ピットはテルル−セレン−窒素
層の孔とホウ化物層の変形（孔、凹部等）とにより形成
される。

テルル−セレン−窒素層の厚さは１００八から１０００
への範囲が記録再生特性の観点から望ましい。

またテルル−セレン−窒素層にあける窒素の含有量は原
子数パーセントで２パ一セント以上２０パーセント未満
が記録再生特性、耐候性の観点から望ましく、セレンの
含有量は原子数パーセントで２パーセントから５０パー
セントの範囲が耐候性の観点から望ましい。

テルル−セレン−窒素層には鉛、ヒ素、スズ、ゲルマニ
ウム、カドミウム、タリウム、アンチモン、イオウ、リ
ン、インジウム、ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニ
ウム、銅、銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウ
ム、コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素が
添加されていてもよい。この場合、ピットの形状を良好
に整える場合がある。ただし添加量は原子数パーセント
で２０パ一セント未満が望ましい。

成膜方法は、スパッタリング法の他に、蒸着法、反応性
蒸着法、イオンブレーティング法、イオンビームデポジ
ション法等でもよい。

基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
など通常使用されているものが用いられる。

［作　用］ 基板とテルル−セレン−窒素層の間にホウ化物層を介在
させることによってビットが大きく拡がらなくなり、優
れた光記録媒体を得ることができる。これはテルル−セ
レン−窒素層の有無による表面エネルギーの差がホウ化
物層の形成により変化するためであると考えられる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。

１００　’Ｃで２時間アニール処理した内径１５Ｈ１外
径１３０＃、厚さ１．２＃のポリカーボネート樹脂ディ
スク基板に、ホウ化チタンを約３０人厚形成し、ひきつ
づきこの上に、テルル−セレン合金ターゲットをアルゴ
ンと窒素の混合ガスでマグネトロンスパッタして、テル
ルとセレンと窒素の比が原子数パーセントで９０対４対
６のテルル−セレン−窒素層を約２４０Ａ厚形成した。

この光ディスクを９５°Ｃの窒素雰囲気中で１時間アニ
ールしたのち、波長ａ３ｏｏＡ＋、：おける基板入射反
射率を測定したところ３４％で必った。波長８３００Ａ
の半導体レーザ光を基板を通して入射して記録層上で１
．６庫φ程度に絞り、媒体線速度５．６ｍ／ＳｅＣ、記
録周波数３．７７）１１−１ｚ、記録パルス幅７０ｎＳ
ｅＣ、記録パワー６．５ｍ−の条件で記録し、０．７ｍ
Ｗで再生した。バンド幅３０　ＫＨｚのキャリアーとノ
イズとの比（Ｃ／Ｎ　）は５０ｄＢと良好であった。こ
の光ディスクを７０’Ｃ。

８０％の高温高湿度の環境に６０時間保存した後、上記
特性を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体
であることが確認された。

比較のためのホウ化チタン層を設けない光ディスクに比
べて、４５ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られる記録パワー範囲
はおよそ２倍大きくなり、記録パワー変動に対する余裕
度の大きいことが確認された。又、トラッキングやフォ
ーカスのサーボも不安定になることはなかった。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明の光記録媒体は耐候性がよく
かつ高感度で信号品質の良好なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体の１実施例を示す部分断面
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図である
。 １・・・基板　　　　　　２・・−ホウ化物層３・・・
テルル−セレン−窒素層 ２１・・・記録層　　　　　２２・・・ピット；ｌニジ
・−・ 代理人弁理士　　内　　原　　　　４拡Ｓ７，１（し′ ２２ピ１νト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去さ
   れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
   らなる光記録媒体において、前記記録層かホウ化物を主
   成分とする前記基板側に形成された層と、この層に隣接
   して前記基板の外方に形成されたテルル、セレンおよび
   窒素を主成分とする層とを少なくとも有していることを
   特徴とする光記録媒体。