JPH0528676B2 - - Google Patents
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- JPH0528676B2 JPH0528676B2 JP62128940A JP12894087A JPH0528676B2 JP H0528676 B2 JPH0528676 B2 JP H0528676B2 JP 62128940 A JP62128940 A JP 62128940A JP 12894087 A JP12894087 A JP 12894087A JP H0528676 B2 JPH0528676 B2 JP H0528676B2
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- tellurium
- selenium
- recording
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- titanium
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24304—Metals or metalloids group 2 or 12 elements (e.g. Be, Ca, Mg, Zn, Cd)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光記録媒体の製造方法、特に、レー
ザ光によつて情報を記録再生することのできる光
記録媒体の製造方法に関する。
ザ光によつて情報を記録再生することのできる光
記録媒体の製造方法に関する。
レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。
生する光デイスクメモリは、記録密度が高いこと
から大容量記録装置として優れた特徴を有してい
る。
この光記録媒体の材料としては、最初にタンタ
ルと鉛が使用された｛サイエンス（Science）
154、1550、1966）｝。それ以来種々の材料が使用
されているが、テルル等のカルコゲン元素、また
は、これらの化合物はよく使用されており（特公
昭47−26897号公報）、とくにテルル−セレン系合
金はよく使用されている（特公昭54−41902号公
報、特公昭57−7919号公報、特公昭57−56058号
公報）。
ルと鉛が使用された｛サイエンス（Science）
154、1550、1966）｝。それ以来種々の材料が使用
されているが、テルル等のカルコゲン元素、また
は、これらの化合物はよく使用されており（特公
昭47−26897号公報）、とくにテルル−セレン系合
金はよく使用されている（特公昭54−41902号公
報、特公昭57−7919号公報、特公昭57−56058号
公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phy.stat.sol.７、189、1964）｝。
としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が8000Å前後であるが、テ
ルル−セレン系合金はこの波長帯にも比較的よく
適合し、適度な反射率と適度な吸収率が得られる
｛フイジカ・ステイタス・ソリダイ、７、189、
1964（phy.stat.sol.７、189、1964）｝。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用
いた光記録媒体の一例は第１図に示すような構成
になつている。すなわち基板１に隣接してテルル
−セレン系合金よりなる記録層２１が設けられて
いる。記録用レーザ光は基板１を通して記録層２
１に集光照射され、ピツト２２が形成される。基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用され、基板１には
ピツト２２が同心円状あるいはスパイラル状に一
定間隔で精度よく記録されるように通常、案内溝
が設けられている。
いた光記録媒体の一例は第１図に示すような構成
になつている。すなわち基板１に隣接してテルル
−セレン系合金よりなる記録層２１が設けられて
いる。記録用レーザ光は基板１を通して記録層２
１に集光照射され、ピツト２２が形成される。基
板１としてはポリカーボネート、ポリオレフイ
ン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹
脂等の合成樹脂やガラスが使用され、基板１には
ピツト２２が同心円状あるいはスパイラル状に一
定間隔で精度よく記録されるように通常、案内溝
が設けられている。
レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射すると
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/20から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。
光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつれ
て回折光強度の空間分布が変化するので、これを
検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよ
うにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/20から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。
情報の読み出しは、記録のときよりも弱いパワ
ーのレーザ光をピツト２２上を通過するように照
射することにより、ピツト２２の有無に起因する
反射率の変化を検出して行なう。
ーのレーザ光をピツト２２上を通過するように照
射することにより、ピツト２２の有無に起因する
反射率の変化を検出して行なう。
しかしながら、このような上述した従来の光記
録媒体の製造方法は、テルル−セレン合金膜の記
録層では記録パワーマージンのひろい記録再生特
性は得られなかつた。
録媒体の製造方法は、テルル−セレン合金膜の記
録層では記録パワーマージンのひろい記録再生特
性は得られなかつた。
この改善を目的として、記録層をテルルとセレ
ンとチタンとを主成分とするターゲツトをスパツ
タしてテルルとセレンとチタンとを主成分とする
記録層の光記録媒体が提案され、記録パワーマー
ジンのひろい記録再生特性が得られている。しか
しながら、スパツタリングを多数回行なつていく
うちに記録感度が低下していくという問題があつ
た。本発明者はこの原因を調査検討した結果、ス
パツタされたチタン元素がターゲツト上に再付着
し当初のターゲツト組成がチタンが多くなるよう
に変化していくためであることを見出し、本発明
に到つたものである。
ンとチタンとを主成分とするターゲツトをスパツ
タしてテルルとセレンとチタンとを主成分とする
記録層の光記録媒体が提案され、記録パワーマー
ジンのひろい記録再生特性が得られている。しか
しながら、スパツタリングを多数回行なつていく
うちに記録感度が低下していくという問題があつ
た。本発明者はこの原因を調査検討した結果、ス
パツタされたチタン元素がターゲツト上に再付着
し当初のターゲツト組成がチタンが多くなるよう
に変化していくためであることを見出し、本発明
に到つたものである。
本発明の光記録媒体の製造方法は、基板と、レ
ーザ光によつて一部が選択的に除去されて情報を
記録する前記基板上に形成された記録層とを少な
くとも有する光記録媒体の製造方法であつて、テ
ルルとセレンとを主成分とする第１のターゲツト
と、チタンを主成分とする第２のターゲツトとを
同時にスパツタリングして、テルルとセレンとチ
タンとを主成分とする記録層を作製するように構
成される。
ーザ光によつて一部が選択的に除去されて情報を
記録する前記基板上に形成された記録層とを少な
くとも有する光記録媒体の製造方法であつて、テ
ルルとセレンとを主成分とする第１のターゲツト
と、チタンを主成分とする第２のターゲツトとを
同時にスパツタリングして、テルルとセレンとチ
タンとを主成分とする記録層を作製するように構
成される。
100℃で２時間アニール処理した内径は15mm、
外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネ
ート樹脂デイスク基板上に、テルル−セレンター
ゲツトとチタンターゲツトを同時にスパツタし
て、テルルとセレンとチタンの組成を原子数パー
セントで82対15対３で約240Å厚形成した。
外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネ
ート樹脂デイスク基板上に、テルル−セレンター
ゲツトとチタンターゲツトを同時にスパツタし
て、テルルとセレンとチタンの組成を原子数パー
セントで82対15対３で約240Å厚形成した。
しかる後、95℃で１時間アニール処理して光記
録媒体を作製した。
録媒体を作製した。
この光デイスクの基板入射における波長8300Å
の反射率を測定したところ、約35％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
し、記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー9.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアーと
ノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は45dBと良好であつた。
の反射率を測定したところ、約35％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
し、記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー9.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアーと
ノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は45dBと良好であつた。
多数回のスパツタリングを行なつて多数枚の光
デイスクを同様に作製して評価したところ、組成
比の変動はなく、記録感度の再現性は良好であつ
た。
デイスクを同様に作製して評価したところ、組成
比の変動はなく、記録感度の再現性は良好であつ
た。
記録層の厚さは100Åから1000Åの範囲が望ま
しく、セレンの含有量は原子数パーセントで２パ
ーセント以上40パーセント未満の範囲が望まし
く、チタンの含有量は原子数パーセントで１パー
セント以上10パーセント未満が望ましい。
しく、セレンの含有量は原子数パーセントで２パ
ーセント以上40パーセント未満の範囲が望まし
く、チタンの含有量は原子数パーセントで１パー
セント以上10パーセント未満が望ましい。
記録層と基板との間にはトリガー層を設けても
よく、記録層の上には記録再生特性に支障をきた
さない程度の保護膜を設けてもよい。
よく、記録層の上には記録再生特性に支障をきた
さない程度の保護膜を設けてもよい。
本発明光記録媒体の製造方法は、二種製のター
ゲツトを同時にスパツタリングすることにより、
記録パワーマージンのひろい記録再生特性を有す
るものを再現性よく製造することができるという
効果がある。
ゲツトを同時にスパツタリングすることにより、
記録パワーマージンのひろい記録再生特性を有す
るものを再現性よく製造することができるという
効果がある。
第１図は本発明および従来の光記録媒体の一例
を示す部分断面図である。 １……基板、２１……記録層、２２……ピツ
ト。
を示す部分断面図である。 １……基板、２１……記録層、２２……ピツ
ト。
Claims (1)
- １ 基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除
去されて情報を記録する前記基板上に形成された
記録層とを少なくとも有する光記録媒体の製造方
法において、テルルとセレンとを主成分とする第
１のターゲツトとチタンを主成分とする第２のタ
ーゲツトとを同時にスパツタリングして、テルル
とセレンとチタンとを主成分とする記録層を作製
することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128940A JPS63293087A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62128940A JPS63293087A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63293087A JPS63293087A (ja) | 1988-11-30 |
| JPH0528676B2 true JPH0528676B2 (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=14997169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62128940A Granted JPS63293087A (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63293087A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621146A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
| JPS6247839A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-02 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜 |
-
1987
- 1987-05-25 JP JP62128940A patent/JPS63293087A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621146A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
| JPS6247839A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-03-02 | Hitachi Ltd | 情報記録用薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63293087A (ja) | 1988-11-30 |
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