JPS6247839A - 情報記録用薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はレーザ光あるいは電子線などの記録用ビームに
よって９例えば映像や音声などのアナログ信号を周波数
変調するものや、または電子計算機のデータや、ディジ
タルオーディオ信号などのディジタル情報を、リアルタ
イムで記録、消去ならびに再生をすることが可能な情報
の記録用薄膜に関するものである。

〔発明の背景〕

情報記録用ビームであるレーザ光によって、薄膜に記録
を行なう記録原理は種々あるが、薄膜材料の相転移（相
変化とも呼ばれる）、ホトダークニングなどの原子配列
変化による記録においては。

薄膜の変形をほとんど伴ね厚いので、２枚のディスクを
直接貼り合わせた両面ディスクを用いることができると
いう長所がある。また、薄膜組成を適当に選へば情報記
録の書き換えを行なうことも可能である。この種の情報
記録に関する発明は多数出願されており、その中で最も
早いものは特公昭４７−２６８９７号公報において、Ｔ
ｅ−Ｇｅ系。

Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｔｅ−０系など多くの薄膜が提案
されている。また、特開昭５４−４１９０２号公報にお
いては、　Ｇｅ２ｏＴ　Ｑ、Ｓｂ、Ｓｅ、、。

Ｇｅ２．Ｂｉｌ。Ｓｅ、。などの組成の薄膜が開示され
ている。さらに、特開昭５７−２４０３９号公報におい
ては、　Ｓｂ、、Ｔｅ、、、、ＳｅＧ、、、、　Ｃｄ、
、Ｔｅ、４ＳｅｔＺ？Ｂ　１２Ｓｅ３．５ｂ２Ｓｅ、、
　Ｉｎ２゜Ｔｅ、、Ｓｅ６゜。

Ｂ　ｉ２．Ｔｅ□２．、Ｓｅ、、、ｓ、　Ｃｕ５ｅ、お
よびＴｅ、３ＳｅＧ、の薄膜が提案されている。しかし
これらの薄膜は、いずれにおいても１回書き込み、ある
いは書き換え可能な相転移記録薄膜として用いる場合に
おいて、結晶化（消去）の速度が遅い。

半導体レーザ光の吸収が少ないために感度が悪い。

再生信号強度が十分でない、非晶質状態での安定性が悪
い、あるいは耐酸化性が不十分であるなどの多くの欠点
を有しているために実用化が困難であった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、情
報の記録、消去、再生に関する特性が良好で、特に消去
（結晶化）の時間が短く、かつ結晶化温度の高い、高感
度で安定性に優れた情報記録用薄膜を提供することにあ
る。

〔発明の概要〕

上記の目的を達成するために１本発明の情報記録用薄膜
は、その膜厚方向の平均組成を。

一般式 ％式％（１） （式中、ＡはＢで表される元素およびＳｅ、　Ｔｅ以外
の元素の群より選ばれる少なくとも１種の元素を表わし
、ＢはＳｎ、Ｐｂ群より選ばれる少なくとも１種の元素
を表わし、それぞれの元素の組成範囲である。ｘ、ｙ、
ｚ、αは、原子％で。

０≦Ｘ＜３０．１０≦Ｙ≦７０．３０≦Ｚ≦８０゜Ｏ≦
α＜３０を表わす。） で示される組成範囲にすることを基本とするものである
。

本発明の上記一般式（１）において、Ａで表わされる元
素は２例えばＺｎ、　Ｃｄ、　Ｈｇ、　ＡＱ、　Ｇａ。

Ｉｎ、Ｔｆｌ、Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓｓ　Ｓｂ、Ｂｉ、
ＢｙＮ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｆ、ランタノイド元素、アク元素
イアクチノイド元素ス元素などの群より選ばれ、る少な
くとも１種の元素を含むものである。そして、上記のＡ
で表わされる元素の中でＡｓ、　Ｓｂ。

Ｓｉ、Ｇｅについては、その含有量を１０原子％未満と
することが好ましい。また、上記一般式（１）において
、Ａで表わされる成分としてｐ　Ｔｉｐ　Ｎ１ｙＣｏｎ
　Ｓｃ、Ｙ＋　Ｚｒ、Ｖ＋　Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ。

Ｆｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔなどの遷移金属元
素の群より選ばれる少なくとも１種の元素を添加しても
よいが、その含有量は１原子％未満とすることが好まし
い。

そして、上記の一般式（１）において、Ｂで表わされる
元素のうち、最も好ましいものはＳｎであり、ついで好
ましいものはＰｂである。

本発明の一般式（１）で示される情報記録用薄膜は、そ
の膜厚方向の平均組成が、上記の組成範囲内にあれば、
薄膜の膜厚方向に組成が変化してもよいが、その組成変
化は不連続的でない方がより好ましい。

そして２本発明の情報記録用薄膜の主要構成元素のうち
ＳｎとＳｅとは、それが共存することによって非晶質状
態を保持し、結晶化温度が高くなり。

かつ結晶化速度の大きい状態が得られる。また。

Ｔｅは非晶質状態の安定性を向上させると共に。

半導体レーザ光などの長波長光の吸収を容易にして記録
感度を高める効果がある。しかし、Ｔｅの含有量が３０
原子％以上になると結晶化温度の低下が顕著になるので
、　３０ｆｉ子％未満が好ましい。また、一般式（Ｉ）
おいて、Ａで表わされる成分元素のうち、Ｃ，Ｎｉおよ
びＴｉなどの元素は、半導体レーザ光などの長波長光の
吸収を容易にして記録感度を高め、記録による反射率変
化を大きくして再生信号強度を大にするなどの効果があ
る。

上述した組成範囲にある本発明の一般式（１）で示され
る情報記録用薄膜は、優れた記録、再生。

消去特性を持ち、安定性においても優れている。

また、非晶質状態での寿命が長く、かつ結晶化速度が大
きいという特性を有するものである。

本発明の一般式（１）で示されるＹとＺのより好ましい
比率およびＸ、αのより好ましい範囲は。

Ｏ≦Ｘ＜１５．０．２５≦Ｙ／（Ｙ十Ｚ）≦０．５およ
び５≦α＜３０（原子％）であり、最も好ましい組成の
比率および組成範囲は、０．３≦Ｙ／（Ｙ＋Ｚ）≦０．
４および１０≦α≦２５（原子％）である。

本発明の情報記録用薄膜において、その膜厚方向におけ
る各元素の含有料量の変化は通常は小さいが、任意のパ
ターンの変化が存在しても差し支えない。Ｓｅについて
は、記録用薄膜のいずれか一方の界面付近（他の層との
界面である場合もある）において、その薄膜の内側より
も増加しているのが好ましい。これによって耐酸化性が
向上する。

本発明における情報記録用薄膜の少なくとも一方の面は
、他の物質で密着して保護されていることが好ましい。

両面が保護されていればさらに好ましい。これらの保護
層（股）は、基板でもあるアクリル樹脂板、ポリカーボ
ネート樹脂板、エポキシ樹脂板など、あるいは２例えば
アクリル樹脂。

エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレン
、ポリエチレンなどの有機物によって形成されていても
よく、酸化物、弗化物、窒化物、硫化物、炭化物、炭素
、あるいは金属などを主成分とする無機物により形成さ
れていてもよい。また。

これらの複合材料であってもよい。ガラス、石英。

サファイア、鉄、あるいはアルミニウムを主成分とする
基板も、一方の無機物保護層として働き得る。有機物、
無機物のうちでは無機物と密着している方が耐熱性の面
では好ましい。しかし、無機物層（基板の場合を除く）
を厚くすると、クラックの発生、透過率の低下、感度の
低下のうちの少なくとも１つを起こし易いので、」−記
無機物層を形成させた記録用薄１漠の反対側には＋　Ｊ
’メい有機物層を密着させて設けろことが好ましい、こ
の厚い有機物層は基板であってもよい、これによって。

記録用薄膜の変形も起りにくくなる。有機物層の材料と
しては２例えば、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、エポキシ樹脂。

ホットメルト接着剤として知られているエチレン−酢酸
ビニル共重合体など、および粘着剤などが用いられる。

また、紫外線硬化樹脂でもよい、！＃。

機物よりなる保護層（膜）の場合は、無機物の組成その
ままの形体で保護層を形成させてもよいが。

反応性スパッタリングによる方法や、あるいは金属、半
金属、半導体の少なくとも１種の元素よりなる膜を形成
させた後、Ｎ１索、硫黄、窒素のうちの少なくとも１種
の元素と反応させるようにすると保護膜の形成が容易に
なる。！！機物保護層の例を挙げると＋　Ｃｏ、　Ｌａ
、　ＳＬ、　　Ｉｎ、　Ａｌｌ、　Ｇｅ、　Ｐｂ。

Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｗの群より選ばれる少なくとも１種
の元素の酸化物Ｃｄ、　Ｚｎ、　Ｇａ、　　Ｉｎ、　Ｓ
ｂ。

Ｓｎ、Ｐｂの群より選ばれる少なくとも１種の元素の硫
化物、セレン化物＋　Ｍ　ｇ　ｒ　Ｃｅ　）　Ｃａなど
の弗化物、またはＳｉ、　Ａｎ、　Ｔａなどの窒化物よ
りなるものであって２例えば、主成分がＣｅＯ２゜Ｌａ
２０．、ＳｉＯ、５ｉｎ２．Ｉｎ、０３．Ａｆｌ、Ｏ，
。

ＧｅＯ、Ｇｅｍ２．ＰｂＯ，ＳｎＯ，Ｓｎ○２．　Ｂｉ
２Ｏ２゜Ｔｅａ□、ＷＯ２，ＷＯ３１ＣｄＳ　、　Ｚｎ
Ｓ　＋　ＣｄＳｅ＋Ｚｎ５ａ＋　Ｉｎ、Ｓｍ、　Ｉｎ２
５６３ｙ　Ｓｂ２８３ｇ　５ｂ２Ｓｓ、。

Ｇａ、Ｓ、、Ｇａ２Ｓｅ、、ＭｇＦ２．ＣｅＦ、、Ｃａ
Ｆ２゜Ｇａｓ　＋　Ｇｅ、Ｓｅ、　Ｇｅ　Ｓ　Ｓ２ｔ　
Ｓ　ｎ　Ｓ　＋　Ｓ　ｎ　Ｓ　ｅＩ　Ｐ　ｂ　Ｓ　ｓＰ
　’ｂ　Ｓｅ、　Ｂ　ｌｘ　Ｓ　ｅ３　＋　Ｂ　１２　
Ｓ３ｔ　ＴａＮ　Ｉ　Ｓ　Ｌ３　Ｎ４　ｒＡａＮ、Ｃの
うちの１種に近い組成を持りたものである。これらの無
機物保護層（膜）の中で９表面反射率があまり高くなく
、膜が安定していて強固であるＳｉ、Ｎ、またはＵＮに
近い組成のものが好ましい。ついで好ましい保護膜は、
Ｇｅｍ２゜ＡＪ１２０３１　Ｓ　ｎ　Ｏ２１またはＳｉ
ｎ□に近い組成のものである。

本発明の情報記録用薄膜において、相転移によって記録
を行なう場合に、記録用薄膜の全面をあらかしめ結晶化
させておくのが好ましいが、基板として有機物を用いて
いる場合には、基板をあまり高温にすることができない
ので、他の方法で結晶化させる必要があり、紫外線照射
と低温加熱。

フラッシュランプよりの光の照射、高出力ガスレーザか
らの光の照射などにより結晶化を行なうのが好ましい。

ガスレーザからの光の照射の場合は。

光スポツト径（半値幅）を５ｕＩａ以上、５ｍｍ以下と
すると能率が良い。そして、結晶化は記録トラック上の
みで起こさせ、トラック間は非晶質のままとしてもよい
。非晶質状態の記録用薄膜を結晶化させることによって
記録させることも、もちろん可能である。

本発明の情報記録用薄膜において、光を照射すると、そ
の反射光は薄膜表面からの反射光と薄膜裏面からの反射
光とが重ね合せになるために光の干渉を起こす。反射率
の変化で信号を読みとる場合には、記録用薄膜に近接し
て光反射（吸収）層を設けることにより、干渉の効果を
大きくシ、読み出し信号を大きくすることかで些る。そ
して。

干渉の効果をより大きくするためには、記録用薄膜と反
射（吸収）層との間に中間層（膜）を設けるのが好まし
い。この中間層は記録の書き換え時に記録用ｍ膜と光反
射層との相互拡散が起こるのを防止する効果もある。ま
た、中間層には読み出しに用いる光があまり吸収されな
い物質が好ましい。中間層の膜厚はＳｎｍ以上、　４０
０ｎｍ以下で、かつ記録または消去状態において読み出
し光の波長付近で記録用部材の反射率が極小値に近くな
る膜厚とするのが好ましい。また、光反射（吸収）層は
記録用薄膜と基板との間、およびその反対側のうちのい
ずれの側に形成させてもよい。上記中間層のより好まし
い膜厚範囲はＳｎｍ以上、　４０ｎｍ以下である。また
、光反射層の中間層と反対の側にも上述の無機物よりな
る保護層を形成させるのが好ましい。

本発明の情報記録用薄膜は、共蒸着法や共スパッタリン
グ法などによって、保護膜として使用可能な上述の酸化
物、弗化物、窒化物、有機物などの中に分散させて混合
形態としてもよい。そうすることによって、光吸収係数
を調節し、再生信号強度（出力）を大きくすることもで
きる。そして。

上記の分散混合比率は、酸素、弗素、窒素、炭素が記録
用薄膜全体で占める割合を３０原子％以下とすることが
好ましい。このような複合薄膜化を行なうことにより２
通常は結晶化の速度が低下して感度がやや低くなるが、
しかし有機物との複合薄膜化においては逆に感度が向上
する場合もある。

本発明の情報記録用薄膜において、好ましい膜厚の範囲
は、記録用薄膜が単層膜の場合には、６０ｎＩ１１以上
、　Ｌ５０ｎｍ以下で、記録用薄膜が光反射層との２層
構造の場合には、　１Ｓｎｍ以上、　５０ｎｍ以下とす
るのがよい。また、無機物による保護層の膜厚は。

Ｓｎｍ以上、　２００ｎｍ以下の範囲が良く、無機物基
板自体で保護する場合には０．１〜ｂ しく、有機物による保護層の場合は、　１０ｎｍ以上。

１０ｍｍ以下が好ましい。また、光の干渉効果を大きく
シ、読み出し信号を大きくするための光反射層の膜厚は
、Ｓｎｍ以上、　３００ｎｍ以下の範囲が好ましく、中
間層においてはＳｎｍ以上、　４００ｎｍ以下の範囲が
好ましい。

本発明の情報記録用薄膜における各薄膜層の形成方法は
、真空蒸着、ガス中蒸着、スパッタリング、イオンビー
ムスパッタリング、イオンビーム蒸着、イオンブレーテ
ィング、電子ビーム蒸着。

射出成形、キャスティング、回転塗布、プラズマ重合な
どのうちのいずれかの方法を適宜選択することができる
。

本発明の情報記録用薄膜は、必ずしも非晶質状態と結晶
状、態の間の変化を記録に利用する必要は無く２例えば
結晶−結晶間、非晶質−非晶質問などの何らかの原子配
列変化によって光学的性質の変化を起こさせればよい。

また２本発明の記録用薄膜を用いた情報記録用部材は、
ディスク状として用いるばかりでなく、テープ状、カー
ド状など他の形態で使用することが可能である。

以下余白 〔発明の実施例〕 以下に２本発明の一実施例を挙げ９図面を参照しながら
さらに具体的に説明する。

（実施例　１） 直径３０ｃ１１１．厚さ１　、２ｍ１１１のディスク状
の化学強化ガラス板の表面に、紫外線硬化樹脂によって
トラッキング用の溝であるレプリカを形成し、１周を６
４セクタに分割し、各セクタの始まりに、溝と溝との中
間の山の部分に凹凸ピットの形で、ト、ラックアドレス
やセクタアドレスなどを入れた（この部分をヘッダ部と
呼ぶ）基板上に、マグネトロンスパッタリング法によっ
て、まず反射防止層兼保護層である厚さ４０ｎｍの５１
３Ｎ４層を形成した。次に、この基板を第２図に示す内
部構造の真空蒸着装置内に配置した。蒸着装置内には、
４つの蒸着用ボートｌ、２．３および４が配置されてい
る。

これらの内１つは電子ビーム蒸着源またはアーク放電蒸
着源に付は換えが可能である。これらの蒸着用ボートは
、基板１４に情報を記録させようとする部分の下にあっ
て、基板回転の中心軸５と中心を同一にする円周上にほ
ぼ位置する。蒸着用ボートの３つに、それぞれＴｅ、Ｓ
ｅ、Ｓｎを入れ、他の１つの蒸着源はアーク放電蒸着源
とした。各蒸着源と基板１４との間には、それぞれ扇形
のスリットをもつマスク６．７．８および９と、シャッ
タ１０、１１．１２および１３が設けられている。基板
１４を１２０ｒｐｎ＋の速さで回転させておいて、各蒸
着用ボートに電流を流し、ボート中の蒸着原料を蒸発さ
せた。各蒸着用ボートからの蒸発量は、水晶振動子式膜
厚モニタ１５．１６および１７で検出し、蒸発速度が一
定になるように蒸着用ボートに流す電流を制御した。そ
して、第１図に示すように、基板１９の上に形成したＳ
ｉ、Ｎ４に近い組成の保護層２０の上に、　Ｓ　ｎ２．
　Ｓ　ｅｓ’ｌ　Ｔｅ１．の組成の記録用薄膜２１を約
１１００ｎの膜厚に蒸着した。この膜厚は、記録用薄膜
２１の表面と裏面とで反射した光が干渉し、記録用薄膜
２１が非晶質状態あるいは結晶性の悪い状態にある時、
読み出しに用いるレーザ光の波長付近で反射率が極小に
なるような膜厚である。ついで。

再びマグネトロンスパッタリングによって。

Ｓｉ、Ｎ４に近い組成の保護層２２を約４０ｎｍの膜厚
に形成した。

上記と同様の条件ならびに手順によって、もう１枚の同
様な基板１９′上に、Ｓｉ３Ｎ４に近い組成の保護層２
０’　、　Ｓｎ２．Ｓｅ、、Ｔｅｉ、の組成の記録用薄
膜２１′、およびＳｉ、Ｎ、に近い組成の保護層２２′
　を順次蒸着した。このようにして作製した２枚の基板
１９．１９’のそれぞれの蒸着膜上に、紫外線硬化樹脂
層２３．２３’　を約０．５−の厚さに塗布して形成さ
せた後２両者の紫外線硬化樹脂層２３゜２３′側を内側
にして有機接着剤層２４によって貼り合せることにより
ディスクを作製した。

以上のようにして作製したディスクを１回転させながら
半径方向に動かして、ディスクの両面から開口比（Ｎｕ
ｍｅｒｉｃａｌ　Ａｐｅｒｔｕｒｅ）がＯ，ＯＳのレン
ズで集光させたアルゴンイオンレーザ光（波長４８８ｎ
ｍ）を、ディスクの全面に照射して。

Ｓ　ｎｚｅ　Ｓ　”ｓｔ　Ｔｅ、、の組成の記録用薄膜
２１．２１’　を十分に結晶化させた。

情報の記録は次のようにして行なった。すなわち、ディ
スクを６００ｒｐｍの速度で回転させ、半導体レーザ（
波長８２０ｎｍ）の光を記録が行なわれないレベルに保
って、記録ヘットのレンズで集光して基板を通して一方
の記録用薄膜に照射し、その反射光を検出することによ
ってトラッキング用の溝と）？Ｉ！どの中間に、光スポ
ットの中心が常に一致するように記録ヘッドを駆動した
。このようにすることによって、トラッキング用の溝か
ら発生するノイズの影響を避けることができる。そして
、上記のととぐトラッキングを行ないながら、さらに記
録用薄膜上に焦点がくるように自動焦点合わせを行ない
、レーザパワーを情報信号にしたがって強めたり９元の
レベルに戻したりすることにより情報記録を行なった。

また、必要に応じて別のトラッキング用の溝にジャンプ
させて記録を行なった。この情報記録によって、記録用
薄膜には非晶質に変化したことによると思われる反射率
の変化が生じた。この記録用薄膜では、レーザパワーを
下げた記録用光スポット、あるいはトラック方向の長さ
が記録用光スポットよりも長く、隣接するトラック方向
への広がりが記録用光スポットと同程度のレーザ光を照
射することによって情報の記録を消去することもできる
。アドレスを表わすピットの最隣接ピット間の距離を、
消去用光スポットのトラック方向の長さの１／２以上、
２倍以下の長さとすと、消去用光スポットによってもト
ラックやセクタのアドレスを読むことができる。アドレ
スを表わすピットの長さも、消去用光スポットのトラッ
ク方向の長さの１／２以上であることが好ましい。記録
ヘッダ部に設けられているその他のピットにおいても同
様である。情報の記録。

消去はｌＸｌ０６回以上繰返しが可能であった。記録用
薄膜の上下に形成させるＳｊ、Ｎ４の組成の保護層２１
．２１’　を省略した場合には、数回の記録。

消去で多少雑音が増加した。

情報の読み出しは次のようにして行なった。すなわち、
ディスクを６００ｒｐｍの回転速度で回転させ。

記録時の操作と同じようにトラッキングと自動焦点合わ
せとを行ないながら、　１．５ｍＷの半導体レーザ光で
反射光の強弱を検出し情報の再生を行なった。本実施例
においては、約１００ｍＶの高い信号出力を得ることが
できた。

本実施例における記録用薄膜は、耐酸化性に優れており
、Ｓｉ、Ｎ４の保護膜を形成しない記録用薄膜を、６０
℃の温度で相対湿度が９５％の雰囲気下に置いてもほと
んど酸化現象は見られなかった。

（実施例　２） 本発明の一般式ＡＸＢＹＳｅＺＴｅαで示される記録用
薄膜において、Ｘ＝Ｏ，α＝１５原子％として。

Ｂで表わされる元素であるＳｎとＳｅの含有量の比率（
Ｙ／（Ｙ＋Ｚ））を変化させて形成した記録用薄膜を用
いて、非結晶化で記録を行なった場合の。

記録（非結晶化）に必要なレーザ光のパワー（ｍ　Ｗ　
）と再生信号強度〔出力（ｍＶ））および消去（結晶化
）に必要なレーザ光の最短照射時間〔消去時間（μｓ）
〕の関係を調べた。その結果を第１表に示す・　　　　
　　　　　以下余白第１表 第１表に示すごとく７本発明の情報記録用薄膜は、いず
れにおいても記録用レーザパワー（ｔｒｒ　Ｗ　）が小
さく、再生信号出力（ｍＶ）の大きい優れた記録消去特
性を示している。

（実施例　３） 実施例２において示した２本発明の一般式ＡＸ　Ｂ　ｙ
　Ｓ　ｅｚＴｅαで示される記録用薄膜において。

ｘ＝０およびＢで表わされる元素であるＳｎとＳｅの相
対的な含有比率を一定（Ｙ　／（Ｙ　＋　Ｚ）＝０．３
３）に保って、Ｔｓの含有量αを変化させて形成した記
録用薄膜を用いて、記録に必要なレーザ光のパワー（＋
＋＋Ｗ）、再生信号強度〔出力（ｍＶ））、消去時間（
μＳ）および一定速度で昇温した場合の結晶化温度（℃
）の関係を調べた。その結果を第２表に示す。

第２表 第２表に示すごとく２本発明による情報記録用薄膜は、
Ｔｅの含有量が２７原子％において、消去時間（μｓ）
はやや長くなるものの、記録用レーザパワー（ｍＷ）は
小さく、再生信号出力（ｍＶ）が大で、消去時間が１μ
ｓ程度と極めて短く、良好な記録消去特性を示し、また
、結晶化温度が高く記録寿命が長いことを示している。

（実施例　４） 実施例２において示した本発明の一般式ＡＸＢＹＳｅＺ
Ｔｅαで示される記録用薄膜において。

Ｂで表わされる元素であるＳｎとＳｅの含有比率を一定
［Ｙ／（Ｙ＋　Ｚ）＝０．３３）に保って、上記の一般
式Ａで表わされる元素としてＣ（炭素）を添加した場合
の記録用薄膜を用いて、記録に必要なレーザ光のパワー
（ｍ　Ｗ　）および再生信号強度を調べた結果を第３表
に示す。

第３表 第３表に示すごとく２本発明による記録用薄膜は、記録
用レーザパワー（ｍＷ）が小さく、再生信号出力（＋ａ
Ｖ）の大きい、優れた記録消去特性を示している。

本発明における記録用薄膜の膜厚は、１５〜３００ｎｍ
の範囲においても情報の記録ならびに再生は可能である
が、膜厚が６０〜１５０ｎｍの範囲では光の干渉の効果
によって記録による反射率変化が大きくなるので好まし
い。

上記の実施例において２本発明の一般式ＡＸＢＹＳｅＺ
Ｔｅαで示される記録用薄膜のＢで表わされる元素とし
てＳｎを用いたが、ここで、　Ｓｎの一部または全部を
置換して、Ｐｂを添加しても同様な効果が得られること
を本発明者らは確認している。そして、これらの添加元
素のうち、非晶質状態の安定性ならびに結晶化（消去）
速度の点からいって、Ｓｎが最も好ましく、ついでｐｂ
が好ましい。なお、Ｐｂは再生信号の大きさの点ではＳ
ｎより優れている。

そして９本発明の一般式ＡＸＢＹＳｅＺＴｅαで示され
る組成の記録用薄膜において、上記実施例４においてＡ
で表わされる元素としてＣをとりあげたが、このＣの一
部または全部に、　Ｚｎ、　Ｃｄ。

Ｈｇ、ＡＱｔ　Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｕｔ　Ｂｉｔ　Ｂ＋　Ｎ
、Ｐ、Ｏ。

Ｓ、Ｆ、ランタノイド系元素、アクチノイド系元素、不
活性ガス系元素の群より選ばれる少なくとも１種の元素
を添加することによって、情報記録用薄膜の特性の改善
が見られることを確認している。また、この場合にＡｓ
、Ｓｂ、ＳｉおよびＧｅの群より選ばれる少なくとも１
種の元素で含有量１０原子％未滴の範囲で置換してもよ
く、さらにＴｉ。

Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｃ、Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａおよびｐｔなどの
群より選ばれる遷移金属元素の少なくとも１種をＩＭ子
％未満であれば添加しても、情報記録用薄膜の特性の改
善をはかることができることを本発明者らは確認してい
る。

本発明の情報記録用薄膜の保護膜として、上記実施例１
においてはＳｉ、Ｎ、を用いたが、その代わりに５ｕｎ
２などの酸化物、５ｂ２ｓ、などの硫化物、ＣｅＦ、な
どの弗化物あるいはＡＩＩＮなどの窒化物を用いても本
発明の目的を達成することができる。

〔発明の効果） 以上詳細に説明したごとく２本発明による情報記録用薄
膜は、情報の記録、消去、再生に関する特性が良好で、
特に消去（結晶化）時間が短く。

かつ結晶化温度が高く、高感度で、しかも長時間安定し
て情報の記録を行なうことができ、また記録の書換え、
も多数回可能な優れた記録特性を有する薄膜である。そ
して２本発明の記録用薄膜を用いた情報記録用部材は、
ディスク状、テープ状。

カード状、あるいはその他の任意の形態で使用すること
ができ、中でも光ディスク、特に相変化型可逆光ディス
クの記録用薄膜として好適である。

さらに４本発明の情報記録用薄膜は、製造プロセスが簡
単で、再現性がよく優れた性能の記録薄膜を得ることが
でき、工業上の利用価値は極めて大きい。　　　　　　
　　　　　　以下余白

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における情報記録用薄膜を用い
た記録用部材の構造を示す断面図、第２図は本発明の実
施例における情報記録用薄膜の作製に用いた真空蒸着装
置の内部構造を示す平面図である。 １．２，３．４・・・蒸着用ボート ５・・・中心軸 ６．７，８．９・・・扇形スリットを有するマスク１０
、１１．１２．１３・・・シャッタ１４・・・基板 １５、１６．１７・・・水晶振動子式膜厚モニタ１９、
１９’・・・基板 ２０、２０’　、　２２．２２’　・・・５ｊ３Ｎ４の
保護層２１、２１’・・・記録用薄膜 ２３、２３’・・・紫外線硬化樹脂層 ２４・・・有機接着剤層 代理人弁理士　　中　村　、純之助 矛１　図 １９．１９″爺林 ２４冶状斗港＊１３ １０．１１．１２．１３２〜デ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の基板上に、直接もしくは無機物および有機物
   のうちより選ばれる少なくとも１種からなる保護層を介
   して形成された、記録用ビームの照射を受けて原子配列
   の変化を生ずる情報記録用薄膜において、上記情報記録
   用薄膜は、該薄膜の膜厚方向の平均組成が、一般式 Ａ＿ＸＢ＿ＹＳｅ＿ＺＴｅ＿α （式中、ＡはＢで表される元素およびＳｅ、Ｔｅ以外の
   元素の群より選ばれる少なくとも１種の元素を表わし、
   ＢはＳｎ、Ｐｂ群より選ばれる少なくとも１種の元素を
   表わし、それぞれの元素の組成範囲であるＸ、Ｙ、Ｚ、
   αは、原子％で、 ０≦Ｘ＜３０、１０≦Ｙ≦７０、３０≦Ｚ≦８０、０≦
   α＜３０を表わす。） で示されることを特徴とする情報記録用薄膜。 ２、一般式Ａ＿ＸＢ＿ＹＳｅ＿ＺＴｅ＿αにおいて、Ａ
   で表わされる元素は、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｇａ、
   Ｉｎ、Ｔｌ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｂ、
   Ｎ、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｆ、ランタノイド元素、アクチノイド
   元素、不活性ガス元素、およびＴｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｃ
   、Ｙ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ
   、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの遷移金属元素の群より選ば
   れる少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項に記載の情報記録用薄膜。 ３、一般式Ａ＿ＸＢ＿ＹＳｅ＿ＺＴｅ＿αで示される組
   成の情報記録用薄膜において、Ａで表わされるＺｎ、Ｃ
   ｄ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｃ、Ｂｉ、Ｂ、Ｎ
   、Ｐ、Ｏ、Ｓ、Ｆ、ランタノイド元素、アクチノイド元
   素、不活性ガス元素の群より選ばれる少なくとも１種の
   元素の含有量は３０原子％未満であり、Ａで表わされる
   Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂの群より選ばれる少なくとも１
   種の元素の含有量は１０原子％未満であり、Ａで表わさ
   れる遷移金属元素であるＴｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｃ、Ｙ、
   Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｒｈ
   、Ｐｄ、Ｔａ、Ｐｔの群より選ばれる少なくとも１種の
   元素の含有量は１原子％未満であり、Ｂで表わされるＳ
   ｎ、Ｐｂ群より選ばれる少なくとも１種の元素の含有量
   は１０〜７０原子％であり、Ｓｅの含有量は３０〜８０
   原子％であり、Ｔｅの含有量は３０原子％未満であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に記
   載の情報記録用薄膜。 ４、一般式Ａ＿ＸＢ＿ＹＳｅ＿ＺＴｅ＿αで示される組
   成の情報記録用薄膜において、Ｂで表わされる元素と、
   Ｓｅとの組成の比率が０．２５≦Ｙ／（Ｙ＋Ｚ）≦０．
   ５であり、Ｔｅの組成範囲が、原子％で５≦α＜３０で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
   項のいずれか１項に記載の情報記録用薄膜。 ５、一般式Ａ＿ＸＢ＿ＹＳｅ＿ＺＴｅ＿αで示される組
   成の情報記録用薄膜において、Ｂで表わされる元素と、
   Ｓｅとの組成の比率が０．３≦Ｙ／（Ｙ＋Ｚ）≦０．４
   であり、Ｔｅの組成範囲が、原子％で１０≦α≦２５で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３
   項のいずれか１項に記載の情報記録用薄膜。 ６、一般式Ａ＿ＸＢ＿ＹＳｅ＿ＺＴｅ＿αで示される組
   成の情報記録用薄膜が単層膜である場合の膜厚は６０〜
   １５０ｎｍであり、２層以上の積層構造における情報記
   録用薄膜の単位膜厚は１５〜５０ｎｍであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１
   項に記載の情報記録用薄膜。