JPH03263627A - 光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法 - Google Patents
光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法Info
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- JPH03263627A JPH03263627A JP2061469A JP6146990A JPH03263627A JP H03263627 A JPH03263627 A JP H03263627A JP 2061469 A JP2061469 A JP 2061469A JP 6146990 A JP6146990 A JP 6146990A JP H03263627 A JPH03263627 A JP H03263627A
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Landscapes
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザビーム等により、情報を高密度、大容量
で記録再生及び消去できる光記録媒体に関するものであ
も 従来の技術 光デイスクメモリに関してＣＬ ＴｅとＴｅＯ２を主
成分とするＴｅ０− （０＜ Ｘ＜ ２．０）薄膜を用
いた追記型のディスクがあも また繰り返し記録・消去
が可能な消去ディスクが実用化されつつあも この消去
ディスクはレーザ光により記録薄膜を加熱し 溶融し
急冷することにより、非晶質化して情報を記録じ また
これを加熱し徐冷することにより結晶化して消去するこ
とができるものである力丈 この記録薄膜の材料として
はＳ、Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｋｙ （ニス・アール・オプ
シンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ＋５Ｔｅｓ＋５
ｂ２Ｓｚ等が知られていム まＬ Ａｓ２Ｓ３やＡｓ
ｔｓｅｓあるいは５ｂ２Ｓｅ事等カルコゲン元素と周期
律表Ｖ族あるいはＧｅ等の第■族元素等の組み合せから
なる記録薄膜等が広く知られていも これらの記録薄膜
をレーザ光ガイド用の溝を設けた基板に形成シ 光デ
ィスクとして用いることができも これらのディスクに
レーザ光で情報を記録し その情報を消去する方法とし
てはあらかじめ記録Ｗｌ膜を結晶化させておき、これに
約１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応させて強度変調
を施し 例えば円盤状の記録ディスクを回転せしめて照
射した場合、このピークパワーレーザ光照射部位は 記
録薄膜の融点以上に昇温し かつ急冷し 非晶質化した
マークとして情報の記録がおこなえも またこの変調バ
イアスパワーレーザ光照射部位ｉ１ 記録薄膜の結晶
化温度以上に昇温し 既記緑信号情報を消去する働きが
ありオーバーライドできる。
で記録再生及び消去できる光記録媒体に関するものであ
も 従来の技術 光デイスクメモリに関してＣＬ ＴｅとＴｅＯ２を主
成分とするＴｅ０− （０＜ Ｘ＜ ２．０）薄膜を用
いた追記型のディスクがあも また繰り返し記録・消去
が可能な消去ディスクが実用化されつつあも この消去
ディスクはレーザ光により記録薄膜を加熱し 溶融し
急冷することにより、非晶質化して情報を記録じ また
これを加熱し徐冷することにより結晶化して消去するこ
とができるものである力丈 この記録薄膜の材料として
はＳ、Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｋｙ （ニス・アール・オプ
シンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ＋５Ｔｅｓ＋５
ｂ２Ｓｚ等が知られていム まＬ Ａｓ２Ｓ３やＡｓ
ｔｓｅｓあるいは５ｂ２Ｓｅ事等カルコゲン元素と周期
律表Ｖ族あるいはＧｅ等の第■族元素等の組み合せから
なる記録薄膜等が広く知られていも これらの記録薄膜
をレーザ光ガイド用の溝を設けた基板に形成シ 光デ
ィスクとして用いることができも これらのディスクに
レーザ光で情報を記録し その情報を消去する方法とし
てはあらかじめ記録Ｗｌ膜を結晶化させておき、これに
約１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応させて強度変調
を施し 例えば円盤状の記録ディスクを回転せしめて照
射した場合、このピークパワーレーザ光照射部位は 記
録薄膜の融点以上に昇温し かつ急冷し 非晶質化した
マークとして情報の記録がおこなえも またこの変調バ
イアスパワーレーザ光照射部位ｉ１ 記録薄膜の結晶
化温度以上に昇温し 既記緑信号情報を消去する働きが
ありオーバーライドできる。
このように記録薄膜はレーザ光によって融点以上に昇温
し また結晶化温度以上に昇温されるものであん この
ため記録薄膜の両側に 耐熱性のすぐれた誘電体層を基
板および接着層に対する保護膜として設けているのが一
般的であも これらの保護膜の熱伝導特性により、昇温
および急冷 徐冷の特性が変わるものであるか板 保護
膜の材質を選ぶことによって記録および消去の特性を決
めることができるものであも 発明が解決しようとする課題 記録薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇
温結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能なオー
バーライド記録媒体における第一の課題は消去特性、第
二の課題は記録消去のサイクル特性であも 消去特性に
ついてはＴｅを含む非晶質膜は その融点は代表的なも
ので４００℃〜９００℃と広い温度範囲にあも これら
の記録薄膜にレーザ光を照射Ｌ 昇温徐冷することによ
り結晶化が行え為 この温度は一般的に融点より低い結
晶化温度領域であも またこの結晶化した膜に高いパワ
ーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加熱すると
その部分は溶融し急冷し 再び非晶質化してマークが形
成できる。記録マークとして非晶質化を選ぶと、このマ
ーク（よ 記録薄膜が溶融し急冷されて形成されるもの
であるか収 冷却速度が速いほど非晶質状態の均一なも
のが得られ信号振幅が向上すム 冷却速度が遅い場合は
マークの中心と周辺で非晶質化の程度に差が発生すも次
に結晶化消去に際して（よ レーザ光の照射により既に
記録が行われている非晶質マーク部を、結晶化温度以上
に昇温し結晶化させてこのマークを消去する。この時、
マークの非晶質状態が均一な場合は 均一に結晶化され
やすくなり消去特性が向上する力文 マークの非晶質状
態が不均一な場合（よ 結晶化消去の状態が不均一とな
って消去特性が低下するという課題があっｆ、 記録
消去のサイクル特性については加賎 冷却の多数回の繰
り返しによるディスク基板あるいは保護膜の熱的な損傷
があも ディスク基板あるいは保護膜が熱的な損傷を受
けた場合、記録再生 消去のサイクルにおいて、ノイズ
の増大を生じサイクル特性の劣化が発生するという課題
があった 本発明の目的は記録消去特性に優れ 記録消
去のサイクル特性の安定な光ディスクを提供することで
あも課題を解決するための手段 本発明は透明基板の一方の面に 第一の保護風記録薄風
第二の保護層 反射膜を順次形成しレーザ光等の照射
により記録薄膜の光学的な状態を変化させて情報を記録
および消去する媒体において、第一、第二の保護膜とし
てＺｎＳとＳｉＯ２の混合膜に窒素と酸素 あるいは酸
素を含ませた誘電体を用いるものであも 作用 すなわち保護膜としてＺｎＳとＳｉＯｓの混合膜に窒素
と酸素 あるいは酸素を含ませた誘電体を用いることに
よって、誘電体がＺｎＳと５ｉＯｐの混合膜とＺｎやＳ
ｉ等の窒化懺 あるいは酸化物の混合体となって、遊離
したＺｎ、Ｓｉ等の少なし＼ すなわち欠陥の少ない緻
密な膜となって、機械的強度が向上した多数回の記録・
消去の繰り返しに対して効果が大きいものであも また
保護膜そのものの熱伝導率を大きくする効果もあり、こ
のことは記録薄膜の冷却速度を速くすることになって、
第二の保護膜の膜厚を薄くして、金属からなる反射膜と
記録薄膜を近づけることによる急冷効果とあいまって、
記録薄膜を加熱徐冷した時に生じム 結晶化消去時の不
均一な状態の発生を防止することができて、消去特性を
向上させることが出来るものであも実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図において１はディスク基板でポリカーボネイト等の
樹脂基板からなっていも このディスク基板ｌはあらか
じめレーザ光案内用の溝を形成した樹脂基板あるいはフ
ォトポリマーを用いた いわゆる２Ｐ法で溝を形成した
ガラス板、ガラス板に直接溝を形成した基板であっても
よｌ、％２は第一の保護膜でＺｎＳ−ＳｉＯ２の混合膜
に窒素と酸素 あるいは窒素を含ませた誘電体からなっ
ており、膜厚は約１５０ｎｍであも ３は記録薄膜でＴ
ｅ−Ｇｅ−５ｂからなる合金薄膜であり膜厚は約３０ｎ
ｍであも４は第二の保護膜で第一の保護膜２と同じ材料
からなっており膜厚は約２０ｎｍであも ５はＡｌから
なる反射膜で膜厚は約６０ｎｍであも ６は保護板で接
着剤７によってディスク基板１に貼り合わせている。第
１図の構成において記録・消去及び再生は矢印８の方向
より、情報に応じて強度変調を施したレーザ光を照射し
て、また反射光を検出して行うものであも ここで第一
の保護膜２、第二の保護膜４であるＺｎＳ−８ｉＯ２混
合膜はＳｉＯ２の比率を２０ｍ。
し また結晶化温度以上に昇温されるものであん この
ため記録薄膜の両側に 耐熱性のすぐれた誘電体層を基
板および接着層に対する保護膜として設けているのが一
般的であも これらの保護膜の熱伝導特性により、昇温
および急冷 徐冷の特性が変わるものであるか板 保護
膜の材質を選ぶことによって記録および消去の特性を決
めることができるものであも 発明が解決しようとする課題 記録薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇
温結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能なオー
バーライド記録媒体における第一の課題は消去特性、第
二の課題は記録消去のサイクル特性であも 消去特性に
ついてはＴｅを含む非晶質膜は その融点は代表的なも
ので４００℃〜９００℃と広い温度範囲にあも これら
の記録薄膜にレーザ光を照射Ｌ 昇温徐冷することによ
り結晶化が行え為 この温度は一般的に融点より低い結
晶化温度領域であも またこの結晶化した膜に高いパワ
ーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加熱すると
その部分は溶融し急冷し 再び非晶質化してマークが形
成できる。記録マークとして非晶質化を選ぶと、このマ
ーク（よ 記録薄膜が溶融し急冷されて形成されるもの
であるか収 冷却速度が速いほど非晶質状態の均一なも
のが得られ信号振幅が向上すム 冷却速度が遅い場合は
マークの中心と周辺で非晶質化の程度に差が発生すも次
に結晶化消去に際して（よ レーザ光の照射により既に
記録が行われている非晶質マーク部を、結晶化温度以上
に昇温し結晶化させてこのマークを消去する。この時、
マークの非晶質状態が均一な場合は 均一に結晶化され
やすくなり消去特性が向上する力文 マークの非晶質状
態が不均一な場合（よ 結晶化消去の状態が不均一とな
って消去特性が低下するという課題があっｆ、 記録
消去のサイクル特性については加賎 冷却の多数回の繰
り返しによるディスク基板あるいは保護膜の熱的な損傷
があも ディスク基板あるいは保護膜が熱的な損傷を受
けた場合、記録再生 消去のサイクルにおいて、ノイズ
の増大を生じサイクル特性の劣化が発生するという課題
があった 本発明の目的は記録消去特性に優れ 記録消
去のサイクル特性の安定な光ディスクを提供することで
あも課題を解決するための手段 本発明は透明基板の一方の面に 第一の保護風記録薄風
第二の保護層 反射膜を順次形成しレーザ光等の照射
により記録薄膜の光学的な状態を変化させて情報を記録
および消去する媒体において、第一、第二の保護膜とし
てＺｎＳとＳｉＯ２の混合膜に窒素と酸素 あるいは酸
素を含ませた誘電体を用いるものであも 作用 すなわち保護膜としてＺｎＳとＳｉＯｓの混合膜に窒素
と酸素 あるいは酸素を含ませた誘電体を用いることに
よって、誘電体がＺｎＳと５ｉＯｐの混合膜とＺｎやＳ
ｉ等の窒化懺 あるいは酸化物の混合体となって、遊離
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密な膜となって、機械的強度が向上した多数回の記録・
消去の繰り返しに対して効果が大きいものであも また
保護膜そのものの熱伝導率を大きくする効果もあり、こ
のことは記録薄膜の冷却速度を速くすることになって、
第二の保護膜の膜厚を薄くして、金属からなる反射膜と
記録薄膜を近づけることによる急冷効果とあいまって、
記録薄膜を加熱徐冷した時に生じム 結晶化消去時の不
均一な状態の発生を防止することができて、消去特性を
向上させることが出来るものであも実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図において１はディスク基板でポリカーボネイト等の
樹脂基板からなっていも このディスク基板ｌはあらか
じめレーザ光案内用の溝を形成した樹脂基板あるいはフ
ォトポリマーを用いた いわゆる２Ｐ法で溝を形成した
ガラス板、ガラス板に直接溝を形成した基板であっても
よｌ、％２は第一の保護膜でＺｎＳ−ＳｉＯ２の混合膜
に窒素と酸素 あるいは窒素を含ませた誘電体からなっ
ており、膜厚は約１５０ｎｍであも ３は記録薄膜でＴ
ｅ−Ｇｅ−５ｂからなる合金薄膜であり膜厚は約３０ｎ
ｍであも４は第二の保護膜で第一の保護膜２と同じ材料
からなっており膜厚は約２０ｎｍであも ５はＡｌから
なる反射膜で膜厚は約６０ｎｍであも ６は保護板で接
着剤７によってディスク基板１に貼り合わせている。第
１図の構成において記録・消去及び再生は矢印８の方向
より、情報に応じて強度変調を施したレーザ光を照射し
て、また反射光を検出して行うものであも ここで第一
の保護膜２、第二の保護膜４であるＺｎＳ−８ｉＯ２混
合膜はＳｉＯ２の比率を２０ｍ。
１％にしているがこれに限定するものではなく、ＺｎＳ
−３ｉＯ２の混合膜であれば窒素と酸素 あるいは酸素
を含ませることによって、前述したＺｎ、Ｓｉ等の遊離
した成分の少ない緻密な膜を得られるものである。 し
かＬＳｉＯ２の比率を５ｍｏｌ％以下にすると、ＺｎＳ
にＳｉＯ２を混合した時に得られる効果 すなわち結晶
粒径を小さくするという効果が小さくなり、５０ｍｏｌ
％以上にするとＳｉＯ２膜の性質が大きくなるものであ
るか’ｘ Ｓｉｇｈの比率は５〜４０ｍｏｌ％の範囲
にするのが適当であっｆ：、 ＺｎＳ−３ｉＯ２混合
膜の形成方法として（よ 一般的には真空蒸着あるいは
スパッタ法が用いられている力ｔ 本実施例ではアルゴ
ンと窒素と酸太 あるいはアルゴンと酸素の混合ガスに
よるスパッタ法を用いていも この時窒素と酸素 ある
いは酸素の分圧が膜質を決定する上で重要になも アル
ゴンと窒素と酸素の混合ガスでスパッタを行う場合、窒
素分圧が１．５Ｘ１０”’〜１．５ＸＩＯ−″Ｔｏｒｒ
、 酸素分圧が５ Ｘ １０−”１．５Ｘ ＩＯ−４Ｔ
ｏｒｒの間が適当であった この理由は窒素分圧を１．
５Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ、 酸素分圧を５ Ｘ １０−
４Ｔｏｒｒよりも小さくするとアルゴンと窒素と酸素の
混合ガスによるスパッタ法の効果が小さくなるものであ
っｆ、 すなわちＺｎＳ−３ｉＯａ混合膜と窒化物
酸化物の混合体特に窒化懺 酸化物が出来にくくなるも
のであム逆に窒素分圧を１．５ｘ １０−３Ｔｏｒｒ、
酸素分圧を５×１０−４Ｔｏｒｒよりも大きくすると
、それぞれの分圧に応じてスパッタ時の成膜効率が低下
するといった課題が発生するため上記比率が適当であっ
た またアルゴンと酸素の混合ガスでスパッタを行う場
合、酸素分圧が５Ｘ１０−”〜５ ｘ １０−４Ｔｏｒ
ｒの間が適当であった この場合もアルゴンと窒素と酸
素の混合ガスでスパッタを行う場合と同様の理由による
ものであ４ａ 窒素と酸素で適当な分圧が異なる力丈
これはそれぞれのガスの活性化の度合が異なるためで
あも また第二の保護膜４の膜厚を約２０ｎｍと薄くし
ている力文 これによって熱拡散層となる反射膜５と記
録薄膜３が近くなり、記録・消去時の記録薄膜３の熱が
急速に反射Ｍ５に伝達されることになって、記録簿＃！
３を急冷する上で効果があるものであも 本実施例のデ
ィスク構戒で、外径１３０ｎａ １８００ｒｐｍ回転
線速度８ ｒｎ／ｓｅｃでｆｌ−３゜４３ＭＨｚの信
号ｆ２＝１．０ＭＨｚの信号のオーバーライド特性を測
定した オーバーライド１ヨ１個のサークルスポットで
約１μｍのレーザ光により、高いパワーレベル１６ｍＷ
、 低いパワーレベル８ｍＷの間の変調で、高いパワ
ーレベルで非晶質化マークを形成し 低いパワーレベル
で非晶質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法
で行った この結果記録信号のＣ／Ｎ比として４１ ５
５ｄＢ以上が得られ消去特性として、オーバーライド消
去率３０ｄＢ以上が得られた オーバーライドのサイク
ル特性について（よ 特にピットエラーレイトの特性を
測定した結ｉ １０ｏｏｏｏｏサイクル以上劣化が見
られなかっｔも 発明の詳細 な説明したように記録薄膜の両側の保護膜として、ＺＺ
ｎＳ−ＳｉＯの混合膜に窒素と酸素 あるいは酸素を含
ませ、記録・消去時の記録薄膜の冷却速度を速くするこ
とによって以下の効果を得られるものである。
−３ｉＯ２の混合膜であれば窒素と酸素 あるいは酸素
を含ませることによって、前述したＺｎ、Ｓｉ等の遊離
した成分の少ない緻密な膜を得られるものである。 し
かＬＳｉＯ２の比率を５ｍｏｌ％以下にすると、ＺｎＳ
にＳｉＯ２を混合した時に得られる効果 すなわち結晶
粒径を小さくするという効果が小さくなり、５０ｍｏｌ
％以上にするとＳｉＯ２膜の性質が大きくなるものであ
るか’ｘ Ｓｉｇｈの比率は５〜４０ｍｏｌ％の範囲
にするのが適当であっｆ：、 ＺｎＳ−３ｉＯ２混合
膜の形成方法として（よ 一般的には真空蒸着あるいは
スパッタ法が用いられている力ｔ 本実施例ではアルゴ
ンと窒素と酸太 あるいはアルゴンと酸素の混合ガスに
よるスパッタ法を用いていも この時窒素と酸素 ある
いは酸素の分圧が膜質を決定する上で重要になも アル
ゴンと窒素と酸素の混合ガスでスパッタを行う場合、窒
素分圧が１．５Ｘ１０”’〜１．５ＸＩＯ−″Ｔｏｒｒ
、 酸素分圧が５ Ｘ １０−”１．５Ｘ ＩＯ−４Ｔ
ｏｒｒの間が適当であった この理由は窒素分圧を１．
５Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ、 酸素分圧を５ Ｘ １０−
４Ｔｏｒｒよりも小さくするとアルゴンと窒素と酸素の
混合ガスによるスパッタ法の効果が小さくなるものであ
っｆ、 すなわちＺｎＳ−３ｉＯａ混合膜と窒化物
酸化物の混合体特に窒化懺 酸化物が出来にくくなるも
のであム逆に窒素分圧を１．５ｘ １０−３Ｔｏｒｒ、
酸素分圧を５×１０−４Ｔｏｒｒよりも大きくすると
、それぞれの分圧に応じてスパッタ時の成膜効率が低下
するといった課題が発生するため上記比率が適当であっ
た またアルゴンと酸素の混合ガスでスパッタを行う場
合、酸素分圧が５Ｘ１０−”〜５ ｘ １０−４Ｔｏｒ
ｒの間が適当であった この場合もアルゴンと窒素と酸
素の混合ガスでスパッタを行う場合と同様の理由による
ものであ４ａ 窒素と酸素で適当な分圧が異なる力丈
これはそれぞれのガスの活性化の度合が異なるためで
あも また第二の保護膜４の膜厚を約２０ｎｍと薄くし
ている力文 これによって熱拡散層となる反射膜５と記
録薄膜３が近くなり、記録・消去時の記録薄膜３の熱が
急速に反射Ｍ５に伝達されることになって、記録簿＃！
３を急冷する上で効果があるものであも 本実施例のデ
ィスク構戒で、外径１３０ｎａ １８００ｒｐｍ回転
線速度８ ｒｎ／ｓｅｃでｆｌ−３゜４３ＭＨｚの信
号ｆ２＝１．０ＭＨｚの信号のオーバーライド特性を測
定した オーバーライド１ヨ１個のサークルスポットで
約１μｍのレーザ光により、高いパワーレベル１６ｍＷ
、 低いパワーレベル８ｍＷの間の変調で、高いパワ
ーレベルで非晶質化マークを形成し 低いパワーレベル
で非晶質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法
で行った この結果記録信号のＣ／Ｎ比として４１ ５
５ｄＢ以上が得られ消去特性として、オーバーライド消
去率３０ｄＢ以上が得られた オーバーライドのサイク
ル特性について（よ 特にピットエラーレイトの特性を
測定した結ｉ １０ｏｏｏｏｏサイクル以上劣化が見
られなかっｔも 発明の詳細 な説明したように記録薄膜の両側の保護膜として、ＺＺ
ｎＳ−ＳｉＯの混合膜に窒素と酸素 あるいは酸素を含
ませ、記録・消去時の記録薄膜の冷却速度を速くするこ
とによって以下の効果を得られるものである。
（１）誘電体がＺｎＳとＳｉＯ２の混合膜とＳｉＮ等の
窒化Ｉ＆ＺｎＯ等の酸化物の混合体となって、遊離した
Ｚｎ、Ｓｉ等の少なしＸ、すなわち欠陥の少ない緻密な
膜となって保護膜の機械的強度が向上し 記録消去のサ
イクル特性が向上すも （２）多サイクル時の熱衝撃を小さくでき記録消去のサ
イクル特性が向上すも （３）記録信号振幅が増大Ｌ Ｃ／Ｎ比は５５ｄＢ以
上に向上すも （４）記録マークが均一化しオーバーライド消去率が３
０ｄＢ以上になり記録消去特性が向上すａ
窒化Ｉ＆ＺｎＯ等の酸化物の混合体となって、遊離した
Ｚｎ、Ｓｉ等の少なしＸ、すなわち欠陥の少ない緻密な
膜となって保護膜の機械的強度が向上し 記録消去のサ
イクル特性が向上すも （２）多サイクル時の熱衝撃を小さくでき記録消去のサ
イクル特性が向上すも （３）記録信号振幅が増大Ｌ Ｃ／Ｎ比は５５ｄＢ以
上に向上すも （４）記録マークが均一化しオーバーライド消去率が３
０ｄＢ以上になり記録消去特性が向上すａ
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録媒体の
一部省略断面図であム
一部省略断面図であム
Claims (16)
- （１）透明基板の一方の面に第一の保護膜と、レーザ光
の照射により、そのエネルギーを吸収して昇温し、溶融
し、急冷して非晶質化する性質と非晶質の状態を昇温す
ることにより結晶化する性質を有する記録薄膜と、第二
の保護膜と、反射膜とを順次形成した光記録媒体であっ
て、前記第一第二の保護膜がＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合
膜に窒素と酸素を含ませてなることを特徴とする光記録
媒体。 - （２）第二の保護膜を第一の保護膜より薄くし、膜厚を
３０ｎｍ以下にすることを特徴とする請求項１記載の光
記録媒体。 - （３）記録薄膜としてＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂからなる材料を
用いることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - （４）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜のＳｉＯ＿２比が５
〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載の
光記録媒体。 - （５）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜に窒素と酸素を含ま
せてなることを特徴とする光記録媒体用保護膜。 - （６）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜のＳｉＯ＿２比が５
〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項５記載の
光記録媒体用保護膜。 - （７）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜からなる保護膜をア
ルゴンと窒素と酸素の混合ガスを用いたスパッタ法で形
成することを特徴とする光記録媒体用保護膜の製法。 - （８）保護膜を形成する時の窒素分圧を１．５×１０＾
−＾５〜１．５×１０＾−＾３Ｔｏｒｒ、酸素分圧を５
×１０＾−＾６〜５×１０＾−＾４Ｔｏｒｒの範囲にす
ることを特徴とする請求項７記載の光記録媒体用保護膜
の製法。 - （９）透明基板の一方の面に第一の保護膜と、レーザ光
の照射により、そのエネルギーを吸収して昇温し、溶融
し、急冷して非晶質化する性質と非晶質の状態を昇温す
ることにより結晶化する性質を有する記録薄膜と、第二
の保護膜と、反射膜とを順次形成した光記録媒体であっ
て、前記第一、第二の保護膜がＺｎＳとＳｉＯ＿２の混
合膜に酸素を含ませてなることを特徴とする光記録媒体
。 - （１０）第二の保護膜を第一の保護膜より薄くし、膜厚
を３０ｎｍ以下にすることを特徴とする請求項９記載の
光記録媒体。 - （１１）記録薄膜としてＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂからなる材料
を用いることを特徴とする請求項９記載の光記録媒体。 - （１２）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜のＳｉＯ＿２比が
５〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項９記載
の光記録媒体。 - （１３）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜に酸素を含ませて
なることを特徴とする光記録媒体用保護膜。 - （１４）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜のＳｉＯ＿２比が
５〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１３記
載の光記録媒体用保護膜。 - （１５）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜からなる保護膜を
アルゴンと酸素の混合ガスを用いたスパッタ法で形成す
ることを特徴とする光記録媒体用保護膜の製法。 - （１６）保護膜を形成する時の酸素分圧を５×１０＾−
＾６〜５×１０＾−＾４Ｔｏｒｒの範囲にすることを特
徴とする請求項１５記載の光記録媒体用保護膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061469A JPH03263627A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061469A JPH03263627A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263627A true JPH03263627A (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=13171944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2061469A Pending JPH03263627A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03263627A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5641606A (en) * | 1994-10-05 | 1997-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Phase-change optical disks and processes for preparing the same |
| WO1998055994A1 (fr) * | 1997-06-06 | 1998-12-10 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Support optique d'enregistrement d'informations et son procede de fabrication |
| US5914214A (en) * | 1996-12-06 | 1999-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing an optical information recording medium |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP2061469A patent/JPH03263627A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5641606A (en) * | 1994-10-05 | 1997-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Phase-change optical disks and processes for preparing the same |
| US5914214A (en) * | 1996-12-06 | 1999-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing an optical information recording medium |
| US6143469A (en) * | 1996-12-06 | 2000-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and manufacturing method |
| WO1998055994A1 (fr) * | 1997-06-06 | 1998-12-10 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Support optique d'enregistrement d'informations et son procede de fabrication |
| US6114001A (en) * | 1997-06-06 | 2000-09-05 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, and method for fabricating it |
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