JP3415099B2 - 光ディスク記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光ディスク記録媒体およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は書換え可能な大容
量記録媒体である光ディスク記録媒体およびその製造方
法に関するものである。
量記録媒体である光ディスク記録媒体およびその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、面積あたりの記録密度が
高いのでコンパクトで容量が大きいメモリである。ま
た、持ち運びができる特徴を持っている。この光ディス
クには再生型、追記型、書換型の３種類がある。このな
かで、特に、書換型が磁気媒体の代替として期待されて
いる。
高いのでコンパクトで容量が大きいメモリである。ま
た、持ち運びができる特徴を持っている。この光ディス
クには再生型、追記型、書換型の３種類がある。このな
かで、特に、書換型が磁気媒体の代替として期待されて
いる。
【０００３】光ディスク記録媒体として、Ｇｅ，Ｔｅ，
Ｓｂからなる薄膜を用いた相変化媒体が知られている。
この媒体は、レーザ光の照射により加熱溶融し、急冷の
過程で非晶質化マークを形成し、弱いレーザ光の照射に
より加熱して、結晶化消去を行うことができる。相変化
を利用した書換型光ディスクでは、一般的に記録膜材料
の結晶状態を消去状態に利用しており、非晶質状態を記
録状態に利用している。このため、記録膜の昇温滞在時
間および冷却時間などの温度特性が消去および記録特性
を支配する。この温度特性は既に述べたように、光ディ
スクの線速度によつて変化する。このため、従来は、光
ディスクの構造によってその特性の改善がなされてい
た。光ディスクの構造は、光の入射する方向から基板上
に第１の誘電体膜、記録膜、第２の誘電体膜、反射膜と
積層した４層構造が一般的に用いられていた。この４層
構造において、外周にいくほど第２の誘電体膜を厚くし
たり反射膜を薄くしたりして、記録膜に供給されたエネ
ルギーの散逸状態を光ディスクの内周と外周とで近づけ
る試みがなされている。
Ｓｂからなる薄膜を用いた相変化媒体が知られている。
この媒体は、レーザ光の照射により加熱溶融し、急冷の
過程で非晶質化マークを形成し、弱いレーザ光の照射に
より加熱して、結晶化消去を行うことができる。相変化
を利用した書換型光ディスクでは、一般的に記録膜材料
の結晶状態を消去状態に利用しており、非晶質状態を記
録状態に利用している。このため、記録膜の昇温滞在時
間および冷却時間などの温度特性が消去および記録特性
を支配する。この温度特性は既に述べたように、光ディ
スクの線速度によつて変化する。このため、従来は、光
ディスクの構造によってその特性の改善がなされてい
た。光ディスクの構造は、光の入射する方向から基板上
に第１の誘電体膜、記録膜、第２の誘電体膜、反射膜と
積層した４層構造が一般的に用いられていた。この４層
構造において、外周にいくほど第２の誘電体膜を厚くし
たり反射膜を薄くしたりして、記録膜に供給されたエネ
ルギーの散逸状態を光ディスクの内周と外周とで近づけ
る試みがなされている。
【０００４】さらに、同一の構成の光ディスクを、異な
る回転速度のドライブで使用する場合もあり、この場合
は線速度は２倍以上異なる。このような場合においても
光ディスクの記録および消去特性が等価になる媒体が望
まれる。
る回転速度のドライブで使用する場合もあり、この場合
は線速度は２倍以上異なる。このような場合においても
光ディスクの記録および消去特性が等価になる媒体が望
まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光ディスクを異なる線
速度で用いる場合は、一般的に線速度が小さい場合と大
きい場合とで、線速度によって記録消去の条件が大きく
異なる。その結果、光ディスクへのデータの記録もしく
は消去の性能が、線速度の大小で変化することになる。
特に、線速度が大きい場合、結晶化に要する加熱時間が
短くなり、消去比が低下するという課題があった。これ
に対して従来はディスクを形成している膜の厚みを調整
してディスクの温度特性を選んで解決を図ろうとしてい
た。そのため、線速度が異なることに対してディスクの
膜厚構成を変える必要があった。
速度で用いる場合は、一般的に線速度が小さい場合と大
きい場合とで、線速度によって記録消去の条件が大きく
異なる。その結果、光ディスクへのデータの記録もしく
は消去の性能が、線速度の大小で変化することになる。
特に、線速度が大きい場合、結晶化に要する加熱時間が
短くなり、消去比が低下するという課題があった。これ
に対して従来はディスクを形成している膜の厚みを調整
してディスクの温度特性を選んで解決を図ろうとしてい
た。そのため、線速度が異なることに対してディスクの
膜厚構成を変える必要があった。
【０００６】この発明の目的は、膜厚構成を変えること
なく、広範囲の線速度に対しても十分な記録特性および
消去特性の得られる光ディスク記録媒体およびその製造
方法を提供することである。
なく、広範囲の線速度に対しても十分な記録特性および
消去特性の得られる光ディスク記録媒体およびその製造
方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の光ディス
ク記録媒体は、光学的に情報を記録することが可能な光
ディスク記録媒体であって、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｐｄの
４元素を含む記録膜であって、前記記録膜における前記
４元素の構成比が、化学当量成分のＧｅＴｅ、Ｓｂ 2 Ｔ
ｅ 3 、ＳｂおよびＰｄＴｅ 2 からなる混合物の構成比と
一致する記録膜を備えたことを特徴とする。
ク記録媒体は、光学的に情報を記録することが可能な光
ディスク記録媒体であって、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｐｄの
４元素を含む記録膜であって、前記記録膜における前記
４元素の構成比が、化学当量成分のＧｅＴｅ、Ｓｂ 2 Ｔ
ｅ 3 、ＳｂおよびＰｄＴｅ 2 からなる混合物の構成比と
一致する記録膜を備えたことを特徴とする。
【０００８】請求項２記載の光ディスク記録媒体は、請
求項１記載の光ディスク記録媒体において、前記化学当
量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔｅ 3 とＳｂとＰｄＴｅ 2 と
の混合物におけるＰｄＴｅ 2 の割合が１０ｍｏｌ％以下
となることを特徴とする。
求項１記載の光ディスク記録媒体において、前記化学当
量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔｅ 3 とＳｂとＰｄＴｅ 2 と
の混合物におけるＰｄＴｅ 2 の割合が１０ｍｏｌ％以下
となることを特徴とする。
【０００９】請求項３記載の光ディスク記録媒体は、請
求項１または２に記載の光ディスク記録媒体において、
前記化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔｅ 3 とＳｂとＰ
ｄＴｅ 2 との混合物におけるＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 の
モル比（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）が１以上３以下であ
ることを特徴とする。
求項１または２に記載の光ディスク記録媒体において、
前記化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔｅ 3 とＳｂとＰ
ｄＴｅ 2 との混合物におけるＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 の
モル比（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）が１以上３以下であ
ることを特徴とする。
【００１０】請求項４記載の光ディスク記録媒体は、請
求項１から３のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体
において、スパッタ法で成膜した反射膜を有する。
求項１から３のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体
において、スパッタ法で成膜した反射膜を有する。
【００１１】請求項５記載の光ディスク記録媒体は、請
求項１から４のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体
において、少なくとも１つの透明層を備えている。
求項１から４のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体
において、少なくとも１つの透明層を備えている。
【００１２】請求項６記載の光ディスク記録媒体は、請
求項１から４のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体
において、透明層と、少なくとも１つの誘電体層と、少
なくとも１つの記録層を有する。
求項１から４のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体
において、透明層と、少なくとも１つの誘電体層と、少
なくとも１つの記録層を有する。
【００１３】請求項７記載の光ディスク記録媒体は、請
求項１から５のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体
において、記録膜に接した少なくとも１つの誘電体層を
備えている。
求項１から５のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体
において、記録膜に接した少なくとも１つの誘電体層を
備えている。
【００１４】請求項８記載の光ディスク記録媒体の製造
方法は、化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 とＳｂ
とＰｄＴｅ2 の混合体をターゲット材料とするスパッタ
法により記録膜を形成したことを特徴とする。
方法は、化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 とＳｂ
とＰｄＴｅ2 の混合体をターゲット材料とするスパッタ
法により記録膜を形成したことを特徴とする。
【００１５】請求項９記載の光ディスク記録媒体の製造
方法は、請求項８記載の光ディスク記録媒体の製造方法
において、記録膜を形成する際のスパッタ雰囲気にＮ2
ガスまたはＯ2 ガスを添加する。
方法は、請求項８記載の光ディスク記録媒体の製造方法
において、記録膜を形成する際のスパッタ雰囲気にＮ2
ガスまたはＯ2 ガスを添加する。
【００１６】この発明の構成によれば、記録膜が、高融
点であるＧｅＴｅ（融点＝７２５℃），とＳｂ2 Ｔｅ3
（融点＝６２２℃）に、さらに高融点であるＰｄＴｅ2
（融点＝７４０℃）を添加した混合薄膜からなる。Ｐｄ
Ｔｅ2 組成は、結晶化の核形成速度が大であり、かかる
３成分からなる記録膜は、高いパワーレベルのレーザ光
の照射による加熱により溶融し、冷却過程で融点の低い
Ｓｂ2 Ｔｅ3 成分の働きで非晶質化し、記録マークを形
成する。このマークの上に低いパワーレベルのレーザ光
を照射し、融点以下で加熱することにより、高融点成分
であるＧｅＴｅおよびＰｄＴｅ2 成分に結晶化核生成が
生じる。しかる後に非晶質化マークが結晶化し、消去が
行われる。このとき、従来のＧｅＴｅの結晶化核生成に
加えて、高融点のＰｄＴｅ2 成分の結晶化核生成によ
り、消去速度が向上し、短い加熱時間で消去状態を得る
ことができる。加熱時間は、レーザ光スポットによる照
射時間に対応し、回転するディスクにおいては、ディス
ク上の点が、回転により、レーザ光スポットの径を横切
る時間に相当する。線速度が遅い場合は長いパルス幅の
照射に相当し、線速度が速い場合は短いパルス幅に相当
する。このように、ＰｄＴｅ2 を添加した記録膜とする
ことにより、膜厚構成を変えることなく、速い線速度に
対しても十分な記録特性および消去特性が得られる。
点であるＧｅＴｅ（融点＝７２５℃），とＳｂ2 Ｔｅ3
（融点＝６２２℃）に、さらに高融点であるＰｄＴｅ2
（融点＝７４０℃）を添加した混合薄膜からなる。Ｐｄ
Ｔｅ2 組成は、結晶化の核形成速度が大であり、かかる
３成分からなる記録膜は、高いパワーレベルのレーザ光
の照射による加熱により溶融し、冷却過程で融点の低い
Ｓｂ2 Ｔｅ3 成分の働きで非晶質化し、記録マークを形
成する。このマークの上に低いパワーレベルのレーザ光
を照射し、融点以下で加熱することにより、高融点成分
であるＧｅＴｅおよびＰｄＴｅ2 成分に結晶化核生成が
生じる。しかる後に非晶質化マークが結晶化し、消去が
行われる。このとき、従来のＧｅＴｅの結晶化核生成に
加えて、高融点のＰｄＴｅ2 成分の結晶化核生成によ
り、消去速度が向上し、短い加熱時間で消去状態を得る
ことができる。加熱時間は、レーザ光スポットによる照
射時間に対応し、回転するディスクにおいては、ディス
ク上の点が、回転により、レーザ光スポットの径を横切
る時間に相当する。線速度が遅い場合は長いパルス幅の
照射に相当し、線速度が速い場合は短いパルス幅に相当
する。このように、ＰｄＴｅ2 を添加した記録膜とする
ことにより、膜厚構成を変えることなく、速い線速度に
対しても十分な記録特性および消去特性が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。この実施の形態では、オーバラ
イト可能相変化書換型の光ディスクの場合について述べ
る。図１はこの発明の実施の形態を示す光ディスク記録
媒体の概略断面図である。
面に基づいて説明する。この実施の形態では、オーバラ
イト可能相変化書換型の光ディスクの場合について述べ
る。図１はこの発明の実施の形態を示す光ディスク記録
媒体の概略断面図である。
【００１８】この光ディスク記録媒体は、４層構造の薄
膜からなり、ポリカーボネート基板（光ディスク基板）
１の上に、第１の誘電体膜２、記録膜３、第２の誘電体
膜４、反射膜５を順次スパッタ法で積層し、接着剤６を
介してポリカーボネート保護板７と貼り合わせている。
第１の誘電体膜２は膜厚１６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ 2
からなる。記録膜３はＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 に、Ｐｄ
Ｔｅ2 を添加したものからなり、膜厚２０ｎｍである。
第２の誘電体膜４は膜厚２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 か
らなる。反射膜５は膜厚１１０ｎｍのＡｌ合金からな
る。
膜からなり、ポリカーボネート基板（光ディスク基板）
１の上に、第１の誘電体膜２、記録膜３、第２の誘電体
膜４、反射膜５を順次スパッタ法で積層し、接着剤６を
介してポリカーボネート保護板７と貼り合わせている。
第１の誘電体膜２は膜厚１６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ 2
からなる。記録膜３はＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 に、Ｐｄ
Ｔｅ2 を添加したものからなり、膜厚２０ｎｍである。
第２の誘電体膜４は膜厚２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 か
らなる。反射膜５は膜厚１１０ｎｍのＡｌ合金からな
る。
【００１９】レーザ光スポット８はポリカーボネート基
板１側から照射する。図２（ａ）は記録・消去のオーバ
ライトレーザ光の変調波形を示した図である。高いパワ
ーレベルＨがマーク記録に対応し、低いパワーレベルＬ
はマーク消去に対応する。図２（ｂ）はディスク上のト
ラックを示し、オーバライトして消去したマークを楕円
の点線で、オーバライトして新規に記録が行われたマー
クを楕円の実線で表す。なお円は、レーザ光スポット８
であり、この径を１μｍとし、このトラック部の回転線
速度を２０ｍ／ｓとすると、このトラックの任意の点
の、レーザ光スポット８の照射パルス幅は、１μｍ／
（２０ｍ／ｓ）＝５０ｎｓになる。
板１側から照射する。図２（ａ）は記録・消去のオーバ
ライトレーザ光の変調波形を示した図である。高いパワ
ーレベルＨがマーク記録に対応し、低いパワーレベルＬ
はマーク消去に対応する。図２（ｂ）はディスク上のト
ラックを示し、オーバライトして消去したマークを楕円
の点線で、オーバライトして新規に記録が行われたマー
クを楕円の実線で表す。なお円は、レーザ光スポット８
であり、この径を１μｍとし、このトラック部の回転線
速度を２０ｍ／ｓとすると、このトラックの任意の点
の、レーザ光スポット８の照射パルス幅は、１μｍ／
（２０ｍ／ｓ）＝５０ｎｓになる。
【００２０】図３に記録膜３へのＰｄＴｅ2 の添加量
と、結晶化のレーザ光照射パルス幅の関係を示す。ここ
で、ＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 のモル比をｇ＝ＧｅＴｅ／
Ｓｂ2Ｔｅ3 とおいて、ｇ＝１およびｇ＝２について、
それぞれＰｄＴｅ2 の添加量と、結晶化のレーザ光パル
ス幅の関係を求めている。なお、記録膜３の膜厚はいず
れも、２０ｎｍである。
と、結晶化のレーザ光照射パルス幅の関係を示す。ここ
で、ＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 のモル比をｇ＝ＧｅＴｅ／
Ｓｂ2Ｔｅ3 とおいて、ｇ＝１およびｇ＝２について、
それぞれＰｄＴｅ2 の添加量と、結晶化のレーザ光パル
ス幅の関係を求めている。なお、記録膜３の膜厚はいず
れも、２０ｎｍである。
【００２１】ＰｄＴｅ2 の添加量がゼロの場合は、結晶
化のレーザ光パルス幅は、モル比ｇ＝１のとき４０ｎｓ
で、モル比ｇ＝２のとき７０ｎｓになる。添加材料とし
て、ＰｄＴｅ2 を加えるにしたがって、結晶化のレーザ
光パルス幅の低下が生ずる。ただし、ＰｄＴｅ2 を添加
することにより、結晶化の転移温度が高くなるため、こ
こでは、レーザ光パルスのパワーレベルを高く選んでい
る。添加材料ＰｄＴｅ 2 により、記録膜３の光吸収係数
が増大し、転移温度が高くなることと、光吸収感度の増
大とで、パワーレベルの変更は、１０％レベルである。
転移温度の上昇は、ディスクの環境寿命の向上に寄与す
る。添加量が１０ｍｏｌ％で結晶化のレーザ光パルス幅
は、従来（添加量がゼロの場合）の約１／２になる。た
だし、さらに添加量を増加させると、光吸収係数の増大
のため、結晶状態と、非晶質状態の間の反射率差が低下
し、信号出力が低下する。
化のレーザ光パルス幅は、モル比ｇ＝１のとき４０ｎｓ
で、モル比ｇ＝２のとき７０ｎｓになる。添加材料とし
て、ＰｄＴｅ2 を加えるにしたがって、結晶化のレーザ
光パルス幅の低下が生ずる。ただし、ＰｄＴｅ2 を添加
することにより、結晶化の転移温度が高くなるため、こ
こでは、レーザ光パルスのパワーレベルを高く選んでい
る。添加材料ＰｄＴｅ 2 により、記録膜３の光吸収係数
が増大し、転移温度が高くなることと、光吸収感度の増
大とで、パワーレベルの変更は、１０％レベルである。
転移温度の上昇は、ディスクの環境寿命の向上に寄与す
る。添加量が１０ｍｏｌ％で結晶化のレーザ光パルス幅
は、従来（添加量がゼロの場合）の約１／２になる。た
だし、さらに添加量を増加させると、光吸収係数の増大
のため、結晶状態と、非晶質状態の間の反射率差が低下
し、信号出力が低下する。
【００２２】またモル比ｇ＝３の場合も図３に示すよう
に、結晶化のレーザ光パルス幅は、１００ｎｓから、Ｐ
ｄＴｅ2 の添加により、そのパルス幅は同様に短くな
る。この実施の形態によれば、記録膜３が、高融点であ
るＧｅＴｅ（融点＝７２５℃），とＳｂ2 Ｔｅ3 （融点
＝６２２℃）に、さらに高融点であるＰｄＴｅ2 （融点
＝７４０℃）を添加した混合薄膜からなる。ＰｄＴｅ2
組成は、結晶化の核形成速度が大であり、かかる３成分
からなる記録膜３は、高いパワーレベルのレーザ光の照
射による加熱により溶融し、冷却過程で融点の低いＳｂ
2 Ｔｅ3 成分の働きで非晶質化し、記録マークを形成す
る。このマークの上に低いパワーレベルのレーザ光を照
射し、融点以下で加熱することにより、高融点成分であ
るＧｅＴｅおよびＰｄＴｅ2 成分に結晶化核生成が生じ
る。しかる後に非晶質化マークが結晶化し、消去が行わ
れる。このとき、従来のＧｅＴｅの結晶化核生成に加え
て、高融点のＰｄＴｅ2 成分の結晶化核生成により、消
去速度が向上し、短い加熱時間で消去状態を得ることが
できる。加熱時間は、レーザ光スポットによる照射時間
に対応し、回転するディスクにおいては、ディスク上の
点が、回転により、レーザ光スポットの径を横切る時間
に相当する。線速度が遅い場合は長いパルス幅の照射に
相当し、線速度が速い場合は短いパルス幅に相当する。
に、結晶化のレーザ光パルス幅は、１００ｎｓから、Ｐ
ｄＴｅ2 の添加により、そのパルス幅は同様に短くな
る。この実施の形態によれば、記録膜３が、高融点であ
るＧｅＴｅ（融点＝７２５℃），とＳｂ2 Ｔｅ3 （融点
＝６２２℃）に、さらに高融点であるＰｄＴｅ2 （融点
＝７４０℃）を添加した混合薄膜からなる。ＰｄＴｅ2
組成は、結晶化の核形成速度が大であり、かかる３成分
からなる記録膜３は、高いパワーレベルのレーザ光の照
射による加熱により溶融し、冷却過程で融点の低いＳｂ
2 Ｔｅ3 成分の働きで非晶質化し、記録マークを形成す
る。このマークの上に低いパワーレベルのレーザ光を照
射し、融点以下で加熱することにより、高融点成分であ
るＧｅＴｅおよびＰｄＴｅ2 成分に結晶化核生成が生じ
る。しかる後に非晶質化マークが結晶化し、消去が行わ
れる。このとき、従来のＧｅＴｅの結晶化核生成に加え
て、高融点のＰｄＴｅ2 成分の結晶化核生成により、消
去速度が向上し、短い加熱時間で消去状態を得ることが
できる。加熱時間は、レーザ光スポットによる照射時間
に対応し、回転するディスクにおいては、ディスク上の
点が、回転により、レーザ光スポットの径を横切る時間
に相当する。線速度が遅い場合は長いパルス幅の照射に
相当し、線速度が速い場合は短いパルス幅に相当する。
【００２３】このように、ＰｄＴｅ2 を添加した記録膜
３とすることにより、結晶化消去の過程で、結晶化核の
生成を促進させ、消去に要するレーザ光照射パルス幅を
短くすることができ、速い線速度に対しても十分な記録
特性および消去特性が得られ、膜厚構成を変えることな
く、広範囲な線速度に対応することができる。なお、従
来、消去比を向上する方法として、第２の誘電体膜を厚
くして、冷却層としての役割を持つ反射膜と記録膜のギ
ャップを大きくして、ディスクの冷却速度を下げる方法
があるが、この場合、消去できるパワー幅が狭くなる傾
向を示していた。
３とすることにより、結晶化消去の過程で、結晶化核の
生成を促進させ、消去に要するレーザ光照射パルス幅を
短くすることができ、速い線速度に対しても十分な記録
特性および消去特性が得られ、膜厚構成を変えることな
く、広範囲な線速度に対応することができる。なお、従
来、消去比を向上する方法として、第２の誘電体膜を厚
くして、冷却層としての役割を持つ反射膜と記録膜のギ
ャップを大きくして、ディスクの冷却速度を下げる方法
があるが、この場合、消去できるパワー幅が狭くなる傾
向を示していた。
【００２４】なお、記録膜３中のＰｄＴｅ2 は１０ｍｏ
ｌ％以下とし、記録膜３中の主成分であるＧｅＴｅとＳ
ｂ2 Ｔｅ3 のモル比ｇを１以上３以下にすることが好ま
しい。また、記録膜３の膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎｍの
範囲にすることが好ましい。記録膜３の形成には、スパ
ッタ法を用いる。このときスパッタのターゲット材料と
して、ＰｄＴｅ2 を添加した、ＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3
およびＰｄＴｅ2 の混合体を用いることにより、スパッ
タ中で、安定な組成比での膜形成が行える。
ｌ％以下とし、記録膜３中の主成分であるＧｅＴｅとＳ
ｂ2 Ｔｅ3 のモル比ｇを１以上３以下にすることが好ま
しい。また、記録膜３の膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎｍの
範囲にすることが好ましい。記録膜３の形成には、スパ
ッタ法を用いる。このときスパッタのターゲット材料と
して、ＰｄＴｅ2 を添加した、ＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3
およびＰｄＴｅ2 の混合体を用いることにより、スパッ
タ中で、安定な組成比での膜形成が行える。
【００２５】さらに、スパッタ雰囲気にＮ2 ガスまたは
Ｏ2 ガスを入れて膜形成した場合、ＰｄＴｅ2 添加によ
る転移温度の上昇効果により、環境寿命の優れた膜を形
成することができる。この場合、Ｎ2 ガスまたはＯ2 ガ
スの量とＰｄＴｅ2 の量が比例関係になるようにする。
Ｏ2 ガスを入れて膜形成した場合、ＰｄＴｅ2 添加によ
る転移温度の上昇効果により、環境寿命の優れた膜を形
成することができる。この場合、Ｎ2 ガスまたはＯ2 ガ
スの量とＰｄＴｅ2 の量が比例関係になるようにする。
【００２６】また、記録膜３として、ＧｅＴｅとＳｂ2
Ｔｅ3 を主成分とし、ＳｂおよびＰｄＴｅ2 を添加して
も、同様の効果を得ることができる。Ｓｂを添加するこ
とにより、転移温度の上昇および非晶質化性能の向上を
ともに図ることができる。この場合、記録膜３中のＰｄ
Ｔｅ2 は１０ｍｏｌ％以下とし、ＳｂはＳｂ／Ｓｂ2Ｔ
ｅ3 ＝０．２とし、記録膜３中の主成分であるＧｅＴｅ
とＳｂ2 Ｔｅ3 のモル比ｇを１以上３以下にすることが
好ましい。また、記録膜３の膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎ
ｍの範囲にすることが好ましい。また、記録膜３の形成
には、上記同様スパッタ法により、ターゲット材料とし
て、ＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 ，ＳｂおよびＰｄＴｅ2 の
混合体を用いる。さらに、スパッタ雰囲気にＮ2 ガスま
たはＯ2ガスを入れて膜形成した場合、上記同様、環境
寿命の優れた膜を形成することができる。
Ｔｅ3 を主成分とし、ＳｂおよびＰｄＴｅ2 を添加して
も、同様の効果を得ることができる。Ｓｂを添加するこ
とにより、転移温度の上昇および非晶質化性能の向上を
ともに図ることができる。この場合、記録膜３中のＰｄ
Ｔｅ2 は１０ｍｏｌ％以下とし、ＳｂはＳｂ／Ｓｂ2Ｔ
ｅ3 ＝０．２とし、記録膜３中の主成分であるＧｅＴｅ
とＳｂ2 Ｔｅ3 のモル比ｇを１以上３以下にすることが
好ましい。また、記録膜３の膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎ
ｍの範囲にすることが好ましい。また、記録膜３の形成
には、上記同様スパッタ法により、ターゲット材料とし
て、ＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 ，ＳｂおよびＰｄＴｅ2 の
混合体を用いる。さらに、スパッタ雰囲気にＮ2 ガスま
たはＯ2ガスを入れて膜形成した場合、上記同様、環境
寿命の優れた膜を形成することができる。
【００２７】また、上記実施の形態では、ポリカーボネ
ート基板１の上に、第１の誘電体膜２、記録膜３、第２
の誘電体膜４および反射膜５の４層構造の薄膜を形成し
た構成について説明したが、記録膜３の膜厚を大きくす
る場合は、反射膜５を省略しても記録再生特性を得るこ
とができる。
ート基板１の上に、第１の誘電体膜２、記録膜３、第２
の誘電体膜４および反射膜５の４層構造の薄膜を形成し
た構成について説明したが、記録膜３の膜厚を大きくす
る場合は、反射膜５を省略しても記録再生特性を得るこ
とができる。
【００２８】
【発明の効果】この発明によれば、記録膜を、ＧｅＴｅ
とＳｂ2 Ｔｅ3 の主成分にＳｂおよびＰｄＴｅ2 を添加
した薄膜で形成することにより、結晶化消去の過程で、
結晶化核の生成を促進させ、消去に要するレーザ光照射
パルス幅を短くすることができ、速い線速度に対しても
十分な記録特性および消去特性が得られ、膜厚構成を変
えることなく、広範囲な線速度に対応することができ
る。一方、結晶化転移温度の上昇により、結晶化消去容
易な、かつ、環境寿命信頼性の高いオーバライト光ディ
スクを得ることができる。
とＳｂ2 Ｔｅ3 の主成分にＳｂおよびＰｄＴｅ2 を添加
した薄膜で形成することにより、結晶化消去の過程で、
結晶化核の生成を促進させ、消去に要するレーザ光照射
パルス幅を短くすることができ、速い線速度に対しても
十分な記録特性および消去特性が得られ、膜厚構成を変
えることなく、広範囲な線速度に対応することができ
る。一方、結晶化転移温度の上昇により、結晶化消去容
易な、かつ、環境寿命信頼性の高いオーバライト光ディ
スクを得ることができる。
【図１】この発明の実施の形態を示す光ディスク記録媒
体の概略断面図である。
体の概略断面図である。
【図２】（ａ）は同実施の形態における記録・消去のオ
ーバライトレーザ光の変調波形を示す図、（ｂ）はディ
スク上のトラックを示す図である。
ーバライトレーザ光の変調波形を示す図、（ｂ）はディ
スク上のトラックを示す図である。
【図３】同実施の形態における記録膜へのＰｄＴｅ2 の
添加量と、結晶化のレーザ光照射パルス幅との関係を示
す図である。
添加量と、結晶化のレーザ光照射パルス幅との関係を示
す図である。
１ ポリカーボネート基板
２ 第１の誘電体膜
３ 記録膜
４ 第２の誘電体膜
５ 反射膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 森 誠一郎
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平１−211249（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−251342（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−258291（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−127135（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−19490（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−119885（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−119886（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−121842（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B41M 5/26
G11B 7/24 511
Claims (9)
- 【請求項１】 光学的に情報を記録することが可能な光
ディスク記録媒体であって、 Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｐｄの４元素を含む記録膜であっ
て、前記記録膜における前記４元素の構成比が、化学当
量成分のＧｅＴｅ、Ｓｂ 2 Ｔｅ 3 、ＳｂおよびＰｄＴｅ
2 からなる混合物の構成比と一致する記録膜を備えた こ
とを特徴とする光ディスク記録媒体。 - 【請求項２】 前記化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔ
ｅ 3 とＳｂとＰｄＴｅ 2 との混合物におけるＰｄＴｅ 2
の割合が１０ｍｏｌ％以下となることを特徴とする請求
項１記載の光ディスク記録媒体。 - 【請求項３】 前記化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔ
ｅ 3 とＳｂとＰｄＴｅ 2 との混合物におけるＧｅＴｅと
Ｓｂ2 Ｔｅ3 のモル比（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）が１
以上３以下であることを特徴とする請求項１または２に
記載の光ディスク記録媒体。 - 【請求項４】 スパッタ法で成膜した反射膜を有する請
求項１から３のうちの１項に記載の光ディスク記録媒
体。 - 【請求項５】 少なくとも１つの透明層を備えた請求項
１から４のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体。 - 【請求項６】 透明層と、少なくとも１つの誘電体層
と、少なくとも１つの記録層を有する請求項１から４の
うちの１項に記載の光ディスク記録媒体。 - 【請求項７】 前記記録膜に接した少なくとも１つの誘
電体層を備えた請求項１から５のうちの１項に記載の光
ディスク記録媒体。 - 【請求項８】 化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3
とＳｂとＰｄＴｅ2 の混合体をターゲット材料とするス
パッタ法により記録膜を形成したことを特徴とする光デ
ィスク記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 前記記録膜を形成する際のスパッタ雰囲
気にＮ2 ガスまたはＯ2 ガスを添加する請求項８記載の
光ディスク記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000136894A JP3415099B2 (ja) | 1994-01-17 | 2000-05-10 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00299094A JP3187637B2 (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
| JP2000136894A JP3415099B2 (ja) | 1994-01-17 | 2000-05-10 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00299094A Division JP3187637B2 (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000335111A JP2000335111A (ja) | 2000-12-05 |
| JP3415099B2 true JP3415099B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=26336480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000136894A Expired - Fee Related JP3415099B2 (ja) | 1994-01-17 | 2000-05-10 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3415099B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9981850B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrically conductive thin films |
-
2000
- 2000-05-10 JP JP2000136894A patent/JP3415099B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9981850B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-05-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrically conductive thin films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000335111A (ja) | 2000-12-05 |
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