JP3187637B2 - 光ディスク記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光ディスク記録媒体およびその製造方法Info
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- JP3187637B2 JP3187637B2 JP00299094A JP299094A JP3187637B2 JP 3187637 B2 JP3187637 B2 JP 3187637B2 JP 00299094 A JP00299094 A JP 00299094A JP 299094 A JP299094 A JP 299094A JP 3187637 B2 JP3187637 B2 JP 3187637B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は書換え可能な大容量記
録媒体である光ディスク記録媒体およびその製造方法に
関するものである。
録媒体である光ディスク記録媒体およびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、面積あたりの記録密度が
高いのでコンパクトで容量が大きいメモリである。ま
た、持ち運びができる特徴を持っている。この光ディス
クには再生型、追記型、書換型の３種類がある。このな
かで、特に、書換型が磁気媒体の代替として期待されて
いる。
高いのでコンパクトで容量が大きいメモリである。ま
た、持ち運びができる特徴を持っている。この光ディス
クには再生型、追記型、書換型の３種類がある。このな
かで、特に、書換型が磁気媒体の代替として期待されて
いる。
【０００３】光ディスク記録媒体として、Ｇｅ，Ｔｅ，
Ｓｂからなる薄膜を用いた相変化媒体が知られている。
この媒体は、レーザ光の照射により加熱溶融し、急冷の
過程で非晶質化マークを形成し、弱いレーザ光の照射に
より加熱して、結晶化消去を行うことができる。相変化
を利用した書換型光ディスクでは、一般的に記録膜材料
の結晶状態を消去状態に利用しており、非晶質状態を記
録状態に利用している。このため、記録膜の昇温滞在時
間および冷却時間などの温度特性が消去および記録特性
を支配する。この温度特性は既に述べたように、光ディ
スクの線速度によつて変化する。このため、従来は、光
ディスクの構造によってその特性の改善がなされてい
た。光ディスクの構造は、光の入射する方向から基板上
に第１の誘電体膜、記録膜、第２の誘電体膜、反射膜と
積層した４層構造が一般的に用いられていた。この４層
構造において、外周にいくほど第２の誘電体膜を厚くし
たり反射膜を薄くしたりして、記録膜に供給されたエネ
ルギーの散逸状態を光ディスクの内周と外周とで近づけ
る試みがなされている。
Ｓｂからなる薄膜を用いた相変化媒体が知られている。
この媒体は、レーザ光の照射により加熱溶融し、急冷の
過程で非晶質化マークを形成し、弱いレーザ光の照射に
より加熱して、結晶化消去を行うことができる。相変化
を利用した書換型光ディスクでは、一般的に記録膜材料
の結晶状態を消去状態に利用しており、非晶質状態を記
録状態に利用している。このため、記録膜の昇温滞在時
間および冷却時間などの温度特性が消去および記録特性
を支配する。この温度特性は既に述べたように、光ディ
スクの線速度によつて変化する。このため、従来は、光
ディスクの構造によってその特性の改善がなされてい
た。光ディスクの構造は、光の入射する方向から基板上
に第１の誘電体膜、記録膜、第２の誘電体膜、反射膜と
積層した４層構造が一般的に用いられていた。この４層
構造において、外周にいくほど第２の誘電体膜を厚くし
たり反射膜を薄くしたりして、記録膜に供給されたエネ
ルギーの散逸状態を光ディスクの内周と外周とで近づけ
る試みがなされている。
【０００４】さらに、同一の構成の光ディスクを、異な
る回転速度のドライブで使用する場合もあり、この場合
は線速度は２倍以上異なる。このような場合においても
光ディスクの記録および消去特性が等価になる媒体が望
まれる。
る回転速度のドライブで使用する場合もあり、この場合
は線速度は２倍以上異なる。このような場合においても
光ディスクの記録および消去特性が等価になる媒体が望
まれる。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】光ディスクを異なる線
速度で用いる場合は、一般的に線速度が小さい場合と大
きい場合とで、線速度によって記録消去の条件が大きく
異なる。その結果、光ディスクへのデータの記録もしく
は消去の性能が、線速度の大小で変化することになる。
特に、線速度が大きい場合、結晶化に要する加熱時間が
短くなり、消去比が低下するという課題があった。これ
に対して従来はディスクを形成している膜の厚みを調整
してディスクの温度特性を選んで解決を図ろうとしてい
た。そのため、線速度が異なることに対してディスクの
膜厚構成を変える必要があった。
速度で用いる場合は、一般的に線速度が小さい場合と大
きい場合とで、線速度によって記録消去の条件が大きく
異なる。その結果、光ディスクへのデータの記録もしく
は消去の性能が、線速度の大小で変化することになる。
特に、線速度が大きい場合、結晶化に要する加熱時間が
短くなり、消去比が低下するという課題があった。これ
に対して従来はディスクを形成している膜の厚みを調整
してディスクの温度特性を選んで解決を図ろうとしてい
た。そのため、線速度が異なることに対してディスクの
膜厚構成を変える必要があった。
【０００６】この発明の目的は、膜厚構成を変えること
なく、広範囲の線速度に対しても十分な記録特性および
消去特性の得られる光ディスク記録媒体およびその製造
方法を提供することである。
なく、広範囲の線速度に対しても十分な記録特性および
消去特性の得られる光ディスク記録媒体およびその製造
方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による光ディスク
記録媒体は、光学的に情報を記録することが可能な光デ
ィスク記録媒体であって、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｐｄの４
元素を含む記録膜であって、前記記録膜における前記４
元素の構成比が、化学当量成分のＧｅＴｅ、Ｓｂ 2 Ｔｅ
3 およびＰｄＴｅ 2 からなる混合物の構成比と一致する
記録膜を備えたことを特徴としている。
記録媒体は、光学的に情報を記録することが可能な光デ
ィスク記録媒体であって、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｐｄの４
元素を含む記録膜であって、前記記録膜における前記４
元素の構成比が、化学当量成分のＧｅＴｅ、Ｓｂ 2 Ｔｅ
3 およびＰｄＴｅ 2 からなる混合物の構成比と一致する
記録膜を備えたことを特徴としている。
【０００８】ここで、前記化学当量成分のＧｅＴｅとＳ
ｂ 2 Ｔｅ 3 とＰｄＴｅ 2 との混合物におけるＰｄＴｅ 2
の割合は１０ｍｏｌ％以下となることが好ましい。 ま
た、前記化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔｅ 3 とＰｄ
Ｔｅ 2 との混合物におけるＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 のモ
ル比（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）は１以上３以下である
ことが好ましい。
ｂ 2 Ｔｅ 3 とＰｄＴｅ 2 との混合物におけるＰｄＴｅ 2
の割合は１０ｍｏｌ％以下となることが好ましい。 ま
た、前記化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔｅ 3 とＰｄ
Ｔｅ 2 との混合物におけるＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 のモ
ル比（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）は１以上３以下である
ことが好ましい。
【０００９】また、上述の光ディスク記録媒体は、スパ
ッタ法で成膜した反射膜を有してもよく、少なくとも１
つの透明層を備えていてもよく、透明層と、少なくとも
１つの誘電体層と、少なくとも１つの記録層を有してい
てもよい。 また、前記記録膜に接した少なくとも１つの
誘電体層を備えていてもよい。
ッタ法で成膜した反射膜を有してもよく、少なくとも１
つの透明層を備えていてもよく、透明層と、少なくとも
１つの誘電体層と、少なくとも１つの記録層を有してい
てもよい。 また、前記記録膜に接した少なくとも１つの
誘電体層を備えていてもよい。
【００１０】本発明の光ディスク記録媒体の製造方法
は、化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔｅ 3 とＰｄＴｅ
2 の混合体をターゲット材料とするスパッタ法により記
録膜を形成したことを特徴とする。 この記録膜を形成す
る際のスパッタ雰囲気にＮ2 ガスまたはＯ2 ガスを添加
することも本発明の特徴である。
は、化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔｅ 3 とＰｄＴｅ
2 の混合体をターゲット材料とするスパッタ法により記
録膜を形成したことを特徴とする。 この記録膜を形成す
る際のスパッタ雰囲気にＮ2 ガスまたはＯ2 ガスを添加
することも本発明の特徴である。
【００１１】
【作用】この発明の構成によれば、記録膜が、高融点で
あるＧｅＴｅ（融点＝７２５℃），とＳｂ2 Ｔｅ3 （融
点＝６２２℃）に、さらに高融点であるＰｄＴｅ2 （融
点＝７４０℃）を添加した混合薄膜からなる。ＰｄＴｅ
2 組成は、結晶化の核形成速度が大であり、かかる３成
分からなる記録膜は、高いパワーレベルのレーザ光の照
射による加熱により溶融し、冷却過程で融点の低いＳｂ
2 Ｔｅ3 成分の働きで非晶質化し、記録マークを形成す
る。このマークの上に低いパワーレベルのレーザ光を照
射し、融点以下で加熱することにより、高融点成分であ
るＧｅＴｅおよびＰｄＴｅ2 成分に結晶化核生成が生じ
る。しかる後に非晶質化マークが結晶化し、消去が行わ
れる。このとき、従来のＧｅＴｅの結晶化核生成に加え
て、高融点のＰｄＴｅ2 成分の結晶化核生成により、消
去速度が向上し、短い加熱時間で消去状態を得ることが
できる。加熱時間は、レーザ光スポットによる照射時間
に対応し、回転するディスクにおいては、ディスク上の
点が、回転により、レーザ光スポットの径を横切る時間
に相当する。線速度が遅い場合は長いパルス幅の照射に
相当し、線速度が速い場合は短いパルス幅に相当する。
このように、ＰｄＴｅ2 を添加した記録膜とすることに
より、膜厚構成を変えることなく、速い線速度に対して
も十分な記録特性および消去特性が得られる。
あるＧｅＴｅ（融点＝７２５℃），とＳｂ2 Ｔｅ3 （融
点＝６２２℃）に、さらに高融点であるＰｄＴｅ2 （融
点＝７４０℃）を添加した混合薄膜からなる。ＰｄＴｅ
2 組成は、結晶化の核形成速度が大であり、かかる３成
分からなる記録膜は、高いパワーレベルのレーザ光の照
射による加熱により溶融し、冷却過程で融点の低いＳｂ
2 Ｔｅ3 成分の働きで非晶質化し、記録マークを形成す
る。このマークの上に低いパワーレベルのレーザ光を照
射し、融点以下で加熱することにより、高融点成分であ
るＧｅＴｅおよびＰｄＴｅ2 成分に結晶化核生成が生じ
る。しかる後に非晶質化マークが結晶化し、消去が行わ
れる。このとき、従来のＧｅＴｅの結晶化核生成に加え
て、高融点のＰｄＴｅ2 成分の結晶化核生成により、消
去速度が向上し、短い加熱時間で消去状態を得ることが
できる。加熱時間は、レーザ光スポットによる照射時間
に対応し、回転するディスクにおいては、ディスク上の
点が、回転により、レーザ光スポットの径を横切る時間
に相当する。線速度が遅い場合は長いパルス幅の照射に
相当し、線速度が速い場合は短いパルス幅に相当する。
このように、ＰｄＴｅ2 を添加した記録膜とすることに
より、膜厚構成を変えることなく、速い線速度に対して
も十分な記録特性および消去特性が得られる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づいて説
明する。この実施例では、オーバライト可能相変化書換
型の光ディスクの場合について述べる。図１はこの発明
の一実施例を示す光ディスク記録媒体の概略断面図であ
る。この光ディスク記録媒体は、４層構造の薄膜からな
り、ポリカーボネート基板（光ディスク基板）１の上
に、第１の誘電体膜２、記録膜３、第２の誘電体膜４、
反射膜５を順次スパッタ法で積層し、接着剤６を介して
ポリカーボネート保護板７と貼り合わせている。第１の
誘電体膜２は膜厚１６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 からな
る。 記録膜３はＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 に、ＰｄＴｅ2
を添加したものからなり、膜厚２０ｎｍである。したが
って、この記録膜における、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｐｄの
４元素の構成比は、化学当量成分のＧｅＴｅ、Ｓｂ 2 Ｔ
ｅ 3 およびＰｄＴｅ 2 からなる混合物の構成比と一致し
ている。第２の誘電体膜４は膜厚２５ｎｍのＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 からなる。反射膜５は膜厚１１０ｎｍのＡｌ合金
からなる。
明する。この実施例では、オーバライト可能相変化書換
型の光ディスクの場合について述べる。図１はこの発明
の一実施例を示す光ディスク記録媒体の概略断面図であ
る。この光ディスク記録媒体は、４層構造の薄膜からな
り、ポリカーボネート基板（光ディスク基板）１の上
に、第１の誘電体膜２、記録膜３、第２の誘電体膜４、
反射膜５を順次スパッタ法で積層し、接着剤６を介して
ポリカーボネート保護板７と貼り合わせている。第１の
誘電体膜２は膜厚１６０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 からな
る。 記録膜３はＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 に、ＰｄＴｅ2
を添加したものからなり、膜厚２０ｎｍである。したが
って、この記録膜における、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｐｄの
４元素の構成比は、化学当量成分のＧｅＴｅ、Ｓｂ 2 Ｔ
ｅ 3 およびＰｄＴｅ 2 からなる混合物の構成比と一致し
ている。第２の誘電体膜４は膜厚２５ｎｍのＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 からなる。反射膜５は膜厚１１０ｎｍのＡｌ合金
からなる。
【００１３】レーザ光スポット８はポリカーボネート基
板１側から照射する。図２（ａ）は記録・消去のオーバ
ライトレーザ光の変調波形を示した図である。高いパワ
ーレベルＨがマーク記録に対応し、低いパワーレベルＬ
はマーク消去に対応する。図２（ｂ）はディスク上のト
ラックを示し、オーバライトして消去したマークを楕円
の点線で、オーバライトして新規に記録が行われたマー
クを楕円の実線で表す。なお円は、レーザ光スポット８
であり、この径を１μｍとし、このトラック部の回転線
速度を２０ｍ／ｓとすると、このトラックの任意の点
の、レーザ光スポット８の照射パルス幅は、１μｍ／
（２０ｍ／ｓ）＝５０ｎｓになる。
板１側から照射する。図２（ａ）は記録・消去のオーバ
ライトレーザ光の変調波形を示した図である。高いパワ
ーレベルＨがマーク記録に対応し、低いパワーレベルＬ
はマーク消去に対応する。図２（ｂ）はディスク上のト
ラックを示し、オーバライトして消去したマークを楕円
の点線で、オーバライトして新規に記録が行われたマー
クを楕円の実線で表す。なお円は、レーザ光スポット８
であり、この径を１μｍとし、このトラック部の回転線
速度を２０ｍ／ｓとすると、このトラックの任意の点
の、レーザ光スポット８の照射パルス幅は、１μｍ／
（２０ｍ／ｓ）＝５０ｎｓになる。
【００１４】図３に記録膜３へのＰｄＴｅ2 の添加量
と、結晶化のレーザ光照射パルス幅の関係を示す。ここ
で、ＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 のモル比をｇ＝ＧｅＴｅ／
Ｓｂ2Ｔｅ3 とおいて、ｇ＝１およびｇ＝２について、
それぞれＰｄＴｅ2 の添加量と、結晶化のレーザ光パル
ス幅の関係を求めている。なお、記録膜３の膜厚はいず
れも、２０ｎｍである。
と、結晶化のレーザ光照射パルス幅の関係を示す。ここ
で、ＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 のモル比をｇ＝ＧｅＴｅ／
Ｓｂ2Ｔｅ3 とおいて、ｇ＝１およびｇ＝２について、
それぞれＰｄＴｅ2 の添加量と、結晶化のレーザ光パル
ス幅の関係を求めている。なお、記録膜３の膜厚はいず
れも、２０ｎｍである。
【００１５】ＰｄＴｅ2 の添加量がゼロの場合は、結晶
化のレーザ光パルス幅は、モル比ｇ＝１のとき４０ｎｓ
で、モル比ｇ＝２のとき７０ｎｓになる。添加材料とし
て、ＰｄＴｅ2 を加えるにしたがって、結晶化のレーザ
光パルス幅の低下が生ずる。ただし、ＰｄＴｅ2 を添加
することにより、結晶化の転移温度が高くなるため、こ
こでは、レーザ光パルスのパワーレベルを高く選んでい
る。添加材料ＰｄＴｅ 2 により、記録膜３の光吸収係数
が増大し、転移温度が高くなることと、光吸収感度の増
大とで、パワーレベルの変更は、１０％レベルである。
転移温度の上昇は、ディスクの環境寿命の向上に寄与す
る。添加量が１０ｍｏｌ％で結晶化のレーザ光パルス幅
は、従来（添加量がゼロの場合）の約１／２になる。た
だし、さらに添加量を増加させると、光吸収係数の増大
のため、結晶状態と、非晶質状態の間の反射率差が低下
し、信号出力が低下する。
化のレーザ光パルス幅は、モル比ｇ＝１のとき４０ｎｓ
で、モル比ｇ＝２のとき７０ｎｓになる。添加材料とし
て、ＰｄＴｅ2 を加えるにしたがって、結晶化のレーザ
光パルス幅の低下が生ずる。ただし、ＰｄＴｅ2 を添加
することにより、結晶化の転移温度が高くなるため、こ
こでは、レーザ光パルスのパワーレベルを高く選んでい
る。添加材料ＰｄＴｅ 2 により、記録膜３の光吸収係数
が増大し、転移温度が高くなることと、光吸収感度の増
大とで、パワーレベルの変更は、１０％レベルである。
転移温度の上昇は、ディスクの環境寿命の向上に寄与す
る。添加量が１０ｍｏｌ％で結晶化のレーザ光パルス幅
は、従来（添加量がゼロの場合）の約１／２になる。た
だし、さらに添加量を増加させると、光吸収係数の増大
のため、結晶状態と、非晶質状態の間の反射率差が低下
し、信号出力が低下する。
【００１６】またモル比ｇ＝３の場合も図３に示すよう
に、結晶化のレーザ光パルス幅は、１００ｎｓから、Ｐ
ｄＴｅ2 の添加により、そのパルス幅は同様に短くな
る。この実施例によれば、記録膜３が、高融点であるＧ
ｅＴｅ（融点＝７２５℃），とＳｂ2 Ｔｅ3 （融点＝６
２２℃）に、さらに高融点であるＰｄＴｅ2 （融点＝７
４０℃）を添加した混合薄膜からなる。ＰｄＴｅ2 組成
は、結晶化の核形成速度が大であり、かかる３成分から
なる記録膜３は、高いパワーレベルのレーザ光の照射に
よる加熱により溶融し、冷却過程で融点の低いＳｂ2 Ｔ
ｅ3 成分の働きで非晶質化し、記録マークを形成する。
このマークの上に低いパワーレベルのレーザ光を照射
し、融点以下で加熱することにより、高融点成分である
ＧｅＴｅおよびＰｄＴｅ2 成分に結晶化核生成が生じ
る。しかる後に非晶質化マークが結晶化し、消去が行わ
れる。このとき、従来のＧｅＴｅの結晶化核生成に加え
て、高融点のＰｄＴｅ2 成分の結晶化核生成により、消
去速度が向上し、短い加熱時間で消去状態を得ることが
できる。加熱時間は、レーザ光スポットによる照射時間
に対応し、回転するディスクにおいては、ディスク上の
点が、回転により、レーザ光スポットの径を横切る時間
に相当する。線速度が遅い場合は長いパルス幅の照射に
相当し、線速度が速い場合は短いパルス幅に相当する。
このように、ＰｄＴｅ2 を添加した記録膜３とすること
により、結晶化消去の過程で、結晶化核の生成を促進さ
せ、消去に要するレーザ光照射パルス幅を短くすること
ができ、速い線速度に対しても十分な記録特性および消
去特性が得られ、膜厚構成を変えることなく、広範囲な
線速度に対応することができる。なお、従来、消去比を
向上する方法として、第２の誘電体膜を厚くして、冷却
層としての役割を持つ反射膜と記録膜のギャップを大き
くして、ディスクの冷却速度を下げる方法があるが、こ
の場合、消去できるパワー幅が狭くなる傾向を示してい
た。
に、結晶化のレーザ光パルス幅は、１００ｎｓから、Ｐ
ｄＴｅ2 の添加により、そのパルス幅は同様に短くな
る。この実施例によれば、記録膜３が、高融点であるＧ
ｅＴｅ（融点＝７２５℃），とＳｂ2 Ｔｅ3 （融点＝６
２２℃）に、さらに高融点であるＰｄＴｅ2 （融点＝７
４０℃）を添加した混合薄膜からなる。ＰｄＴｅ2 組成
は、結晶化の核形成速度が大であり、かかる３成分から
なる記録膜３は、高いパワーレベルのレーザ光の照射に
よる加熱により溶融し、冷却過程で融点の低いＳｂ2 Ｔ
ｅ3 成分の働きで非晶質化し、記録マークを形成する。
このマークの上に低いパワーレベルのレーザ光を照射
し、融点以下で加熱することにより、高融点成分である
ＧｅＴｅおよびＰｄＴｅ2 成分に結晶化核生成が生じ
る。しかる後に非晶質化マークが結晶化し、消去が行わ
れる。このとき、従来のＧｅＴｅの結晶化核生成に加え
て、高融点のＰｄＴｅ2 成分の結晶化核生成により、消
去速度が向上し、短い加熱時間で消去状態を得ることが
できる。加熱時間は、レーザ光スポットによる照射時間
に対応し、回転するディスクにおいては、ディスク上の
点が、回転により、レーザ光スポットの径を横切る時間
に相当する。線速度が遅い場合は長いパルス幅の照射に
相当し、線速度が速い場合は短いパルス幅に相当する。
このように、ＰｄＴｅ2 を添加した記録膜３とすること
により、結晶化消去の過程で、結晶化核の生成を促進さ
せ、消去に要するレーザ光照射パルス幅を短くすること
ができ、速い線速度に対しても十分な記録特性および消
去特性が得られ、膜厚構成を変えることなく、広範囲な
線速度に対応することができる。なお、従来、消去比を
向上する方法として、第２の誘電体膜を厚くして、冷却
層としての役割を持つ反射膜と記録膜のギャップを大き
くして、ディスクの冷却速度を下げる方法があるが、こ
の場合、消去できるパワー幅が狭くなる傾向を示してい
た。
【００１７】なお、記録膜３中のＰｄＴｅ2 は１０ｍｏ
ｌ％以下とし、記録膜３中の主成分であるＧｅＴｅとＳ
ｂ2 Ｔｅ3 のモル比ｇを１以上３以下にすることが好ま
しい。また、記録膜３の膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎｍの
範囲にすることが好ましい。記録膜３の形成には、スパ
ッタ法を用いる。このときスパッタのターゲット材料と
して、ＰｄＴｅ2 を添加した、ＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3
およびＰｄＴｅ2 の混合体を用いることにより、スパッ
タ中で、安定な組成比での膜形成が行える。
ｌ％以下とし、記録膜３中の主成分であるＧｅＴｅとＳ
ｂ2 Ｔｅ3 のモル比ｇを１以上３以下にすることが好ま
しい。また、記録膜３の膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎｍの
範囲にすることが好ましい。記録膜３の形成には、スパ
ッタ法を用いる。このときスパッタのターゲット材料と
して、ＰｄＴｅ2 を添加した、ＧｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3
およびＰｄＴｅ2 の混合体を用いることにより、スパッ
タ中で、安定な組成比での膜形成が行える。
【００１８】さらに、スパッタ雰囲気にＮ2 ガスまたは
Ｏ2 ガスを入れて膜形成した場合、ＰｄＴｅ2 添加によ
る転移温度の上昇効果により、環境寿命の優れた膜を形
成することができる。この場合、Ｎ2 ガスまたはＯ2 ガ
スの量とＰｄＴｅ2 の量が比例関係になるようにする。
なお、記録膜３として、ＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 を主成
分とし、ＳｂおよびＰｄＴｅ2 を添加しても、同様の効
果を得ることができる。また、Ｓｂを添加することによ
り、転移温度の上昇および非晶質化性能の向上をともに
図ることができる。この場合、記録膜３中のＰｄＴｅ2
は１０ｍｏｌ％以下とし、ＳｂはＳｂ／Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＝
０．２とし、記録膜３中の主成分であるＧｅＴｅとＳｂ
2 Ｔｅ3のモル比ｇを１以上３以下にすることが好まし
い。また、記録膜３の膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎｍの範
囲にすることが好ましい。また、記録膜３の形成には、
上記同様スパッタ法により、ターゲット材料として、Ｇ
ｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 ，ＳｂおよびＰｄＴｅ2 の混合体
を用いる。さらに、スパッタ雰囲気にＮ2 ガスまたはＯ
2 ガスを入れて膜形成した場合、上記同様、環境寿命の
優れた膜を形成することができる。
Ｏ2 ガスを入れて膜形成した場合、ＰｄＴｅ2 添加によ
る転移温度の上昇効果により、環境寿命の優れた膜を形
成することができる。この場合、Ｎ2 ガスまたはＯ2 ガ
スの量とＰｄＴｅ2 の量が比例関係になるようにする。
なお、記録膜３として、ＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3 を主成
分とし、ＳｂおよびＰｄＴｅ2 を添加しても、同様の効
果を得ることができる。また、Ｓｂを添加することによ
り、転移温度の上昇および非晶質化性能の向上をともに
図ることができる。この場合、記録膜３中のＰｄＴｅ2
は１０ｍｏｌ％以下とし、ＳｂはＳｂ／Ｓｂ2 Ｔｅ3 ＝
０．２とし、記録膜３中の主成分であるＧｅＴｅとＳｂ
2 Ｔｅ3のモル比ｇを１以上３以下にすることが好まし
い。また、記録膜３の膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎｍの範
囲にすることが好ましい。また、記録膜３の形成には、
上記同様スパッタ法により、ターゲット材料として、Ｇ
ｅＴｅ，Ｓｂ2 Ｔｅ3 ，ＳｂおよびＰｄＴｅ2 の混合体
を用いる。さらに、スパッタ雰囲気にＮ2 ガスまたはＯ
2 ガスを入れて膜形成した場合、上記同様、環境寿命の
優れた膜を形成することができる。
【００１９】また、上記実施例では、ポリカーボネート
基板１の上に、第１の誘電体膜２、記録膜３、第２の誘
電体膜４および反射膜５の４層構造の薄膜を形成した構
成について説明したが、記録膜３の膜厚を大きくする場
合は、反射膜５を省略しても記録再生特性を得ることが
できる。
基板１の上に、第１の誘電体膜２、記録膜３、第２の誘
電体膜４および反射膜５の４層構造の薄膜を形成した構
成について説明したが、記録膜３の膜厚を大きくする場
合は、反射膜５を省略しても記録再生特性を得ることが
できる。
【００２０】
【発明の効果】この発明によれば、記録膜を、ＧｅＴｅ
とＳｂ2 Ｔｅ3 の主成分にＰｄＴｅ2を添加した薄膜で
形成することにより、結晶化消去の過程で、結晶化核の
生成を促進させ、消去に要するレーザ光照射パルス幅を
短くすることができ、速い線速度に対しても十分な記録
特性および消去特性が得られ、膜厚構成を変えることな
く、広範囲な線速度に対応することができる。一方、結
晶化転移温度の上昇により、結晶化消去容易な、かつ、
環境寿命信頼性の高いオーバライト光ディスクを得るこ
とができる。
とＳｂ2 Ｔｅ3 の主成分にＰｄＴｅ2を添加した薄膜で
形成することにより、結晶化消去の過程で、結晶化核の
生成を促進させ、消去に要するレーザ光照射パルス幅を
短くすることができ、速い線速度に対しても十分な記録
特性および消去特性が得られ、膜厚構成を変えることな
く、広範囲な線速度に対応することができる。一方、結
晶化転移温度の上昇により、結晶化消去容易な、かつ、
環境寿命信頼性の高いオーバライト光ディスクを得るこ
とができる。
【図１】この発明の一実施例を示す光ディスク記録媒体
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図２】（ａ）は同実施例における記録・消去のオーバ
ライトレーザ光の変調波形を示す図、（ｂ）はディスク
上のトラックを示す図である。
ライトレーザ光の変調波形を示す図、（ｂ）はディスク
上のトラックを示す図である。
【図３】同実施例における記録膜へのＰｄＴｅ2 の添加
量と、結晶化のレーザ光照射パルス幅との関係を示す図
である。
量と、結晶化のレーザ光照射パルス幅との関係を示す図
である。
１ ポリカーボネート基板（光ディスク基板） ２ 第１の誘電体膜 ３ 記録膜 ４ 第２の誘電体膜 ５ 反射膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 誠一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−211249（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−251342（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−258291（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−127135（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−19490（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−119886（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24 511
Claims (9)
- 【請求項１】 光学的に情報を記録することが可能な光
ディスク記録媒体であって、 Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｐｄの４元素を含む記録膜であっ
て、前記記録膜における前記４元素の構成比が、化学当
量成分のＧｅＴｅ、Ｓｂ 2 Ｔｅ 3 およびＰｄＴｅ 2 から
なる混合物の構成比と一致する記録膜を備えた ことを特
徴とする光ディスク記録媒体。 - 【請求項２】 前記化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔ
ｅ 3 とＰｄＴｅ 2 との混合物におけるＰｄＴｅ 2 の割合
が１０ｍｏｌ％以下となることを特徴とする請求項１記
載の光ディスク記録媒体。 - 【請求項３】 前記化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ 2 Ｔ
ｅ 3 とＰｄＴｅ 2 との混合物におけるＧｅＴｅとＳｂ2
Ｔｅ3 のモル比（ＧｅＴｅ／Ｓｂ2 Ｔｅ3 ）が１以上３
以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の
光ディスク記録媒体。 - 【請求項４】 スパッタ法で成膜した反射膜を有する請
求項１から３のうちの１項に記載の光ディスク記録媒
体。 - 【請求項５】 少なくとも１つの透明層を備えた請求項
１から４のうちの１項に記載の光ディスク記録媒体。 - 【請求項６】 透明層と、少なくとも１つの誘電体層
と、少なくとも１つの記録層を有する請求項１から４の
うちの１項に記載の光ディスク記録媒体。 - 【請求項７】 前記記録膜に接した少なくとも１つの誘
電体層を備えた請求項１から５のうちの１項に記載の光
ディスク記録媒体。 - 【請求項８】 化学当量成分のＧｅＴｅとＳｂ2 Ｔｅ3
とＰｄＴｅ2 の混合体をターゲット材料とするスパッタ
法により記録膜を形成したことを特徴とする光ディスク
記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 前記記録膜を形成する際のスパッタ雰囲
気にＮ2 ガスまたはＯ2 ガスを添加する請求項８記載の
光ディスク記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00299094A JP3187637B2 (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
| JP2000136894A JP3415099B2 (ja) | 1994-01-17 | 2000-05-10 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00299094A JP3187637B2 (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000136894A Division JP3415099B2 (ja) | 1994-01-17 | 2000-05-10 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07205548A JPH07205548A (ja) | 1995-08-08 |
| JP3187637B2 true JP3187637B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=11544823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00299094A Expired - Fee Related JP3187637B2 (ja) | 1994-01-17 | 1994-01-17 | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3187637B2 (ja) |
-
1994
- 1994-01-17 JP JP00299094A patent/JP3187637B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07205548A (ja) | 1995-08-08 |
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