JP3078823B2 - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザービーム等により、情報を高密度、大
容量で記録，再生，消去できる光記録媒体及びその製造
方法に関する。
容量で記録，再生，消去できる光記録媒体及びその製造
方法に関する。
従来の技術 光記録用ディスクとしては、記録，再生が可能な追記
型ディスクと、記録，再生のみならず、消去も可能な可
逆型ディスクとがある。
型ディスクと、記録，再生のみならず、消去も可能な可
逆型ディスクとがある。
上記追記型ディスクの記録材料としては、TeとTeO2を
主成分としアモルファスから結晶にのみ変化する（結晶
からアモルファスには変化しない）TeOx（０＜ｘ＜2.
0）薄膜を用いたものがある。
主成分としアモルファスから結晶にのみ変化する（結晶
からアモルファスには変化しない）TeOx（０＜ｘ＜2.
0）薄膜を用いたものがある。
一方、上記可逆型ディスクの記録材料としては、希土
類と遷移元素とから成る光磁気メモリ材料が主流である
が、近年、レーザ光により記録薄膜を加熱，溶融し、急
冷することにより非晶質化して情報を記録する一方、こ
れを加熱し徐冷することにより結晶化して情報を消去す
ることができる相変化型光メモリ材料が研究されてい
る。
類と遷移元素とから成る光磁気メモリ材料が主流である
が、近年、レーザ光により記録薄膜を加熱，溶融し、急
冷することにより非晶質化して情報を記録する一方、こ
れを加熱し徐冷することにより結晶化して情報を消去す
ることができる相変化型光メモリ材料が研究されてい
る。
上記相変化型光メモリ材料としては、S.R.Ovshinsky
（エス・アール・オブシンスキー）氏等が提案したカル
コゲン材料Ge15Te81Sb2S2等が知られている。また、As2
S3やAs2Se3或いはSb2Se3等カルコゲン元素と周期律表第
Ｖ族若しくはGe等の第IV族元素等の組み合わせからなる
薄膜等が広く知られている。これらの記録薄膜をレーザ
光ガイド用の溝を設けた基板に形成することにより、光
ディスクとして用いることができる。
（エス・アール・オブシンスキー）氏等が提案したカル
コゲン材料Ge15Te81Sb2S2等が知られている。また、As2
S3やAs2Se3或いはSb2Se3等カルコゲン元素と周期律表第
Ｖ族若しくはGe等の第IV族元素等の組み合わせからなる
薄膜等が広く知られている。これらの記録薄膜をレーザ
光ガイド用の溝を設けた基板に形成することにより、光
ディスクとして用いることができる。
ここで、上記記録ディスクにレーザ光を照射して、情
報を記録，消去するには、記録ディスクの記録薄膜を予
め結晶化させておく。そして、情報に対応させて強度変
調を施した径約１μｍのレーザ光を、回転状態にある記
録ディスクに照射する。そうすると、ピークパワーレー
ザ光照射部位は、記録薄膜の融点以上に昇温し、更に急
冷されるため、非晶質化したマークとして情報が記録さ
れる。一方、上記変調バイアスパワーレーザ光照射部位
を記録薄膜の結晶化温度以上，融点以下に昇温すると、
既記録信号情報を消去する働ことができるので、オーバ
ライトすることが可能である。このように、記録薄膜は
レーザ光によって融点以上に昇温し、また結晶化温度以
上に昇温されるようなサイクルが繰り返し行われる。こ
のため、記録薄膜の下面および上面に、耐熱性のすぐれ
た誘電体層を基板および接着層に対する保護層として設
けているのが一般的である。そして、これらの誘電体層
の熱伝導特性により、記録薄膜の昇温，急冷，徐冷の特
性が変化するので、誘電体層の材質や、層構成を選択す
ることによって記録及び消去の特性が決定される。
報を記録，消去するには、記録ディスクの記録薄膜を予
め結晶化させておく。そして、情報に対応させて強度変
調を施した径約１μｍのレーザ光を、回転状態にある記
録ディスクに照射する。そうすると、ピークパワーレー
ザ光照射部位は、記録薄膜の融点以上に昇温し、更に急
冷されるため、非晶質化したマークとして情報が記録さ
れる。一方、上記変調バイアスパワーレーザ光照射部位
を記録薄膜の結晶化温度以上，融点以下に昇温すると、
既記録信号情報を消去する働ことができるので、オーバ
ライトすることが可能である。このように、記録薄膜は
レーザ光によって融点以上に昇温し、また結晶化温度以
上に昇温されるようなサイクルが繰り返し行われる。こ
のため、記録薄膜の下面および上面に、耐熱性のすぐれ
た誘電体層を基板および接着層に対する保護層として設
けているのが一般的である。そして、これらの誘電体層
の熱伝導特性により、記録薄膜の昇温，急冷，徐冷の特
性が変化するので、誘電体層の材質や、層構成を選択す
ることによって記録及び消去の特性が決定される。
発明が解決しようとする課題 ところで、相変化型光メモリ材料から成る記録薄膜を
用いた光記録用ディスクは、記録，消去の繰り返し特性
と消去特性とに劣るという課題を有している。それぞれ
の内容について、以下に詳述する。
用いた光記録用ディスクは、記録，消去の繰り返し特性
と消去特性とに劣るという課題を有している。それぞれ
の内容について、以下に詳述する。
（１）記録，消去の繰り返し特性に関する課題。
記録，消去時に加熱、冷却を多数回の繰り返すた
め、ディスク基板あるいは保護層に熱的な損傷が生じ、
これによってノイズが増大する。
め、ディスク基板あるいは保護層に熱的な損傷が生じ、
これによってノイズが増大する。
このような損傷が無い場合であっても、加熱、冷却
の繰り返しによる保護層の脈動によって、記録薄膜材料
がディスク回転方向の案内溝に沿って移動し、やはりノ
イズが増大する。
の繰り返しによる保護層の脈動によって、記録薄膜材料
がディスク回転方向の案内溝に沿って移動し、やはりノ
イズが増大する。
（２）記録，消去特性に関する課題。
Teを含む非晶質膜の融点は、代表的なもので400℃〜9
00℃と広い温度範囲にあり、この記録薄膜にレーザ光を
照射し、昇温，徐冷することにより結晶化することがで
きる。この場合の温度は、一般的に融点より低い結晶化
温度領域である。一方、この結晶化した膜に高いパワー
レベルのレーザ光を照射してその融点以上に加熱してそ
の部分を溶融させ、更に急冷させると、再度非晶質化し
てマークが形成できる。
00℃と広い温度範囲にあり、この記録薄膜にレーザ光を
照射し、昇温，徐冷することにより結晶化することがで
きる。この場合の温度は、一般的に融点より低い結晶化
温度領域である。一方、この結晶化した膜に高いパワー
レベルのレーザ光を照射してその融点以上に加熱してそ
の部分を溶融させ、更に急冷させると、再度非晶質化し
てマークが形成できる。
ところでこの場合、記録マークとして非晶質化したも
のを選択すると、この記録マークは記録薄膜を溶融し、
更に急冷することにより形成されるものであるから、冷
却速度が速いほど非晶質状態の均一なものが得られ信号
振幅が向上する。ところが、従来の光記録媒体では冷却
速度が遅いため、記録マークの中心部と周辺部との間で
非晶質化の程度に差が発生し、信号振幅が低下する。
のを選択すると、この記録マークは記録薄膜を溶融し、
更に急冷することにより形成されるものであるから、冷
却速度が速いほど非晶質状態の均一なものが得られ信号
振幅が向上する。ところが、従来の光記録媒体では冷却
速度が遅いため、記録マークの中心部と周辺部との間で
非晶質化の程度に差が発生し、信号振幅が低下する。
一方、記録マークを消去する際には、レーザ光を照射
して再度結晶化し、上記記録マークを消去する必要があ
るが、この場合マークが均一に結晶化すれば消去特性は
向上する。しかしながら、従来の光記録媒体では上述の
如く記録マークが不均一であるため、消去状態も不均一
となる。このため、消去特性が低下する。
して再度結晶化し、上記記録マークを消去する必要があ
るが、この場合マークが均一に結晶化すれば消去特性は
向上する。しかしながら、従来の光記録媒体では上述の
如く記録マークが不均一であるため、消去状態も不均一
となる。このため、消去特性が低下する。
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであり、繰
り返し特性及び記録，消去特性に優れた光記録媒体及び
その製造方法を提供することを目的とする。
り返し特性及び記録，消去特性に優れた光記録媒体及び
その製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、レーザ光の照射
によって融点以上に昇温して溶融し、更に急冷すること
によって非晶質状態となる性質と、レーザ光の照射によ
って結晶化温度以上に昇温し、更に徐冷することによっ
て上記非晶質状態から結晶化状態になる性質とを有する
記録薄膜を備えた光記録媒体において、記録薄膜はTe,G
e,Sbを主成分とする材料からなり、記録薄膜の少なくと
も一方の面には、窒素が吸着されており、あらかじめ記
録薄膜とこれに吸着された窒素を同時に昇温させること
により溶融させた後、徐冷することにより結晶化する初
期化をしてから記録を行うものであることを特徴とす
る。
によって融点以上に昇温して溶融し、更に急冷すること
によって非晶質状態となる性質と、レーザ光の照射によ
って結晶化温度以上に昇温し、更に徐冷することによっ
て上記非晶質状態から結晶化状態になる性質とを有する
記録薄膜を備えた光記録媒体において、記録薄膜はTe,G
e,Sbを主成分とする材料からなり、記録薄膜の少なくと
も一方の面には、窒素が吸着されており、あらかじめ記
録薄膜とこれに吸着された窒素を同時に昇温させること
により溶融させた後、徐冷することにより結晶化する初
期化をしてから記録を行うものであることを特徴とす
る。
また、透明基板の一方の面に、第１保護層と、レーザ
光の照射によって融点以上に昇温して溶融し、更に急冷
することによって非晶質状態となる性質と、レーザ光の
照射によって結晶化温度以上に昇温し、更に徐冷するこ
とによって上記非晶質状態から結晶化状態になる性質と
を有する記録薄膜と、第２保護層と、反射層とが順次形
成された光記録媒体において、記録薄膜の少なくとも一
方の面には、窒素が吸着され、あらかじめ記録薄膜とこ
れに吸着された窒素を同時に昇温させることにより溶融
させた後、徐冷することにより結晶化する初期化をして
から記録を行うものであることを特徴とする。
光の照射によって融点以上に昇温して溶融し、更に急冷
することによって非晶質状態となる性質と、レーザ光の
照射によって結晶化温度以上に昇温し、更に徐冷するこ
とによって上記非晶質状態から結晶化状態になる性質と
を有する記録薄膜と、第２保護層と、反射層とが順次形
成された光記録媒体において、記録薄膜の少なくとも一
方の面には、窒素が吸着され、あらかじめ記録薄膜とこ
れに吸着された窒素を同時に昇温させることにより溶融
させた後、徐冷することにより結晶化する初期化をして
から記録を行うものであることを特徴とする。
また、光記録媒体の製造方法において、透明基板の一
方の面に、第１保護層と、レーザ光の照射によって融点
以上に昇温して溶融し、更に急冷することによって非晶
質状態となる性質と、レーザ光の照射によって結晶化温
度以上に昇温し、更に徐冷することによって上記非晶質
状態から結晶化状態になる性質とを有し且つ少なくとも
一方の界面には窒素が吸着された記録薄膜と、第２保護
層と、反射層とを順次形成することによって、あらかじ
め記録薄膜とこれに吸着された窒素を同時に昇温させる
ことにより溶融させた後、徐冷することにより結晶化す
る初期化をしてから記録を行う光記録媒体を製造するこ
とを特徴とする。
方の面に、第１保護層と、レーザ光の照射によって融点
以上に昇温して溶融し、更に急冷することによって非晶
質状態となる性質と、レーザ光の照射によって結晶化温
度以上に昇温し、更に徐冷することによって上記非晶質
状態から結晶化状態になる性質とを有し且つ少なくとも
一方の界面には窒素が吸着された記録薄膜と、第２保護
層と、反射層とを順次形成することによって、あらかじ
め記録薄膜とこれに吸着された窒素を同時に昇温させる
ことにより溶融させた後、徐冷することにより結晶化す
る初期化をしてから記録を行う光記録媒体を製造するこ
とを特徴とする。
また、光記録媒体の製造方法において、透明基板の一
方の面に、第１保護層と、レーザ光の照射によって融点
以上に昇温して溶融し、更に急冷することによって非晶
質状態となる性質と、レーザ光の照射によって結晶化温
度以上に昇温し、更に徐冷することによって上記非晶質
状態から結晶化状態になる性質とを有し且つ少なくとも
一方の界面には窒素が吸着された記録薄膜と、第２保護
層と、反射層とを順次形成する第１ステップと、記録薄
膜にレーザ光を照射して記録薄膜を昇温，溶融させて、
記録薄膜中に窒素を取り込ませる第２ステップと、を有
することを特徴とする。
方の面に、第１保護層と、レーザ光の照射によって融点
以上に昇温して溶融し、更に急冷することによって非晶
質状態となる性質と、レーザ光の照射によって結晶化温
度以上に昇温し、更に徐冷することによって上記非晶質
状態から結晶化状態になる性質とを有し且つ少なくとも
一方の界面には窒素が吸着された記録薄膜と、第２保護
層と、反射層とを順次形成する第１ステップと、記録薄
膜にレーザ光を照射して記録薄膜を昇温，溶融させて、
記録薄膜中に窒素を取り込ませる第２ステップと、を有
することを特徴とする。
作用 上記第１発明の如く、記録薄膜（例えばTe−Ge−Sbか
ら成る）の少なくとも一方の面に窒素が吸着されている
と、レーザー光を照射して記録薄膜の融点以上に昇温し
記録薄膜を溶融させた後、徐冷して記録薄膜を結晶化さ
せる所謂初期化時に、記録薄膜内に窒素が取り込まれる
ことになる。この含有された窒素の作用により、記録消
去の繰り返しに伴う保護層の脈動によって記録薄膜材料
が案内溝に沿って移動するという現象を抑制することが
でき、これによって、下記実施例の実験で示すように、
記録，消去の繰り返し特性を向上することができる。
ら成る）の少なくとも一方の面に窒素が吸着されている
と、レーザー光を照射して記録薄膜の融点以上に昇温し
記録薄膜を溶融させた後、徐冷して記録薄膜を結晶化さ
せる所謂初期化時に、記録薄膜内に窒素が取り込まれる
ことになる。この含有された窒素の作用により、記録消
去の繰り返しに伴う保護層の脈動によって記録薄膜材料
が案内溝に沿って移動するという現象を抑制することが
でき、これによって、下記実施例の実験で示すように、
記録，消去の繰り返し特性を向上することができる。
また、第２発明の如く、透明基板の一方の面に、第１
保護層と、記録薄膜と、第２保護層と、反射層とが順次
に形成され、且つ上記第２保護層の膜厚が第１保護層の
膜厚より薄くなるような構造であれば、金属層からなる
反射層と記録薄膜を近づけることができるので、記録薄
膜を急冷することが可能となり、これによって記録マー
クが均一な非晶質状態となる。加えて、記録マークが均
一な非晶質状態であれば、消去時に結晶が不均一な状態
となるのを防止することができる。これらのことから、
記録，消去特性を向上させることができる。
保護層と、記録薄膜と、第２保護層と、反射層とが順次
に形成され、且つ上記第２保護層の膜厚が第１保護層の
膜厚より薄くなるような構造であれば、金属層からなる
反射層と記録薄膜を近づけることができるので、記録薄
膜を急冷することが可能となり、これによって記録マー
クが均一な非晶質状態となる。加えて、記録マークが均
一な非晶質状態であれば、消去時に結晶が不均一な状態
となるのを防止することができる。これらのことから、
記録，消去特性を向上させることができる。
更に、上記光記録媒体は、第３発明及び第４発明に示
す方法により作製される。
す方法により作製される。
実施例 本発明の一実施例を、第１図に基づいて、以下に説明
する。
する。
ポリカーボネイト等の樹脂から成るディスク基板１の
表面には、ZnS−SiO2の混合膜から成る第１保護層であ
る第１誘電体層２（膜厚：約150nm）と、Te−Ge−Sbか
らなる合金から構成され下記第２誘電体層４側に窒素が
吸着された記録薄膜３（膜厚：約30nm）と、上記第１誘
電体層２と同材質で構成された第２保護層である第２誘
電体層４（膜厚：約20nm）と、Al合金から成る反射層５
（膜厚：約60nm）とが、スパッタリング法により形成さ
れている。
表面には、ZnS−SiO2の混合膜から成る第１保護層であ
る第１誘電体層２（膜厚：約150nm）と、Te−Ge−Sbか
らなる合金から構成され下記第２誘電体層４側に窒素が
吸着された記録薄膜３（膜厚：約30nm）と、上記第１誘
電体層２と同材質で構成された第２保護層である第２誘
電体層４（膜厚：約20nm）と、Al合金から成る反射層５
（膜厚：約60nm）とが、スパッタリング法により形成さ
れている。
また、上記反射層５の表面には、接着剤層７により固
定された保護板６が設けられている。尚、上記構造のデ
ィスクを用いて記録，消去及び再生を行うには、ディス
ク基板１側（図中、矢符Ａ方向）から、情報に応じて強
度変調を施したレーザ光を照射したり、或いはレーザ光
の反射光を検出することにより行う。
定された保護板６が設けられている。尚、上記構造のデ
ィスクを用いて記録，消去及び再生を行うには、ディス
ク基板１側（図中、矢符Ａ方向）から、情報に応じて強
度変調を施したレーザ光を照射したり、或いはレーザ光
の反射光を検出することにより行う。
ここで、上記構造の光記録媒体を以下のようにして作
製した。
製した。
まず、ディスク基板１をスパッタリング装置のチャン
バ内に配置し、更に上記チャンバ内を真空排気してアル
ゴンガスを導入した後、ディスク基板１の一方の面に第
１誘電体層２と記録薄膜３とを形成する。次に、上記ア
ルゴンガスの導入を停止させた後、窒素ガスを所定時間
導入する。これにより、チャンバ内が窒素雰囲気となる
ため、記録薄膜３の露出面に窒素が吸着されることにな
る。次いで、窒素ガスの導入を停止させた後、アルゴン
ガスを再度導入し、上記記録薄膜３の表面に第２誘電体
層４と反射層５とを順に形成する。その後、接着剤によ
り反射層５上に保護板６を固定する。
バ内に配置し、更に上記チャンバ内を真空排気してアル
ゴンガスを導入した後、ディスク基板１の一方の面に第
１誘電体層２と記録薄膜３とを形成する。次に、上記ア
ルゴンガスの導入を停止させた後、窒素ガスを所定時間
導入する。これにより、チャンバ内が窒素雰囲気となる
ため、記録薄膜３の露出面に窒素が吸着されることにな
る。次いで、窒素ガスの導入を停止させた後、アルゴン
ガスを再度導入し、上記記録薄膜３の表面に第２誘電体
層４と反射層５とを順に形成する。その後、接着剤によ
り反射層５上に保護板６を固定する。
ところで、上記成膜直後は上記記録薄膜３は非晶質で
あるため、使用する以前に記録薄膜３を結晶化させると
いう初期化プロセスが必要となる。この初期化プロセス
は、例えば、アルゴンレーザ等のレーザ光を、回転状態
にあるディスクの記録薄膜３に照射して融点以上に昇温
させて溶融した後、徐々に冷却することにより行う。こ
こで、上記構成のディスクを上記方法で初期化すると、
記録薄膜３の溶融に伴って記録薄膜３の界面に吸着され
た窒素が記録薄膜３内に取り込まれることになる。この
結果、記録薄膜３の膜質が変化して、保護膜の脈動によ
って記録膜材料が案内溝に沿って移動する現象を抑制す
ることができることになる。
あるため、使用する以前に記録薄膜３を結晶化させると
いう初期化プロセスが必要となる。この初期化プロセス
は、例えば、アルゴンレーザ等のレーザ光を、回転状態
にあるディスクの記録薄膜３に照射して融点以上に昇温
させて溶融した後、徐々に冷却することにより行う。こ
こで、上記構成のディスクを上記方法で初期化すると、
記録薄膜３の溶融に伴って記録薄膜３の界面に吸着され
た窒素が記録薄膜３内に取り込まれることになる。この
結果、記録薄膜３の膜質が変化して、保護膜の脈動によ
って記録膜材料が案内溝に沿って移動する現象を抑制す
ることができることになる。
〔両誘電体層を形成するにあたっての留意点〕 SiO2の比率における留意点 上記実施例では、第１及び第２の誘電体層２・４とし
てZnS−SiO2混合膜（SiO2の比率:20mol％）を用いてい
るが、SiO2の比率によりディスクの特性が変化する。そ
こで、SiO2の比率を変えた実験を行ったところ、SiO2の
比率は５〜40mol％の範囲が適当であることが認められ
た。これは、SiO2の比率を5mol％以下にすると、ZnSにS
iO2を混合したときに得られる効果、即ち結晶粒径を小
さくするという効果が小さくなる。一方、40mol％以上
にすると、割れ易いというSiO2膜の性質が大きくなっ
て、実用上好ましくない。したがって、SiO2の比率とし
ては、上記の範囲が適当である。
てZnS−SiO2混合膜（SiO2の比率:20mol％）を用いてい
るが、SiO2の比率によりディスクの特性が変化する。そ
こで、SiO2の比率を変えた実験を行ったところ、SiO2の
比率は５〜40mol％の範囲が適当であることが認められ
た。これは、SiO2の比率を5mol％以下にすると、ZnSにS
iO2を混合したときに得られる効果、即ち結晶粒径を小
さくするという効果が小さくなる。一方、40mol％以上
にすると、割れ易いというSiO2膜の性質が大きくなっ
て、実用上好ましくない。したがって、SiO2の比率とし
ては、上記の範囲が適当である。
第２誘電体層４の膜厚おける留意点 上記実施例においては、第１誘電体層２の膜厚は150n
mであるのに対して、第２誘電体層４の膜厚は約20nmで
あり、第１誘電体層２に比べて極めて薄くなるように構
成している。ところで、第２誘電体層４の膜厚によりデ
ィスクの特性が変化する。そこで、第２誘電体層４の膜
厚を変えて実験を行ったところ、第２誘電体層４の膜厚
は30nm以下が適当であることが認められた。これは、第
２誘電体層４を薄くすると、熱拡散層としての働きを有
する反射層５と記録薄膜３との距離が小さくなり、記
録，消去時の記録薄膜３の熱が反射層５に伝達され易く
なるため、記録薄膜３を急冷することができるという理
由による。
mであるのに対して、第２誘電体層４の膜厚は約20nmで
あり、第１誘電体層２に比べて極めて薄くなるように構
成している。ところで、第２誘電体層４の膜厚によりデ
ィスクの特性が変化する。そこで、第２誘電体層４の膜
厚を変えて実験を行ったところ、第２誘電体層４の膜厚
は30nm以下が適当であることが認められた。これは、第
２誘電体層４を薄くすると、熱拡散層としての働きを有
する反射層５と記録薄膜３との距離が小さくなり、記
録，消去時の記録薄膜３の熱が反射層５に伝達され易く
なるため、記録薄膜３を急冷することができるという理
由による。
本実施例のディスク構成（外径130mm）で、回転数180
0rpm、線速度8m/secでf1＝3.43MHzの信号、f2＝1.0MHz
の信号のオーバーライト特性を測定した。尚、オーバー
ライトは、１個のサークルスポットで約１μｍのレーザ
光により、高いパワーレベル16mW、低いパワーレベル8m
Wの間の変調で、高いパワーレベルで非晶質化マークを
形成し、低いパワーレベルで非晶質化マークを結晶化し
て消去する同時消録の方法で行った。
0rpm、線速度8m/secでf1＝3.43MHzの信号、f2＝1.0MHz
の信号のオーバーライト特性を測定した。尚、オーバー
ライトは、１個のサークルスポットで約１μｍのレーザ
光により、高いパワーレベル16mW、低いパワーレベル8m
Wの間の変調で、高いパワーレベルで非晶質化マークを
形成し、低いパワーレベルで非晶質化マークを結晶化し
て消去する同時消録の方法で行った。
この結果、記録信号のC/N比としては55dB以上が得ら
れ、また消去特性としてはオーバーライト消去率30dB以
上が得られ、従来の光記録媒体に比べて記録，消去特性
が向上する。
れ、また消去特性としてはオーバーライト消去率30dB以
上が得られ、従来の光記録媒体に比べて記録，消去特性
が向上する。
また、オーバーライトのサイクル特性については、特
にビットエラーレイトの特性を測定した結果、従来の界
面に窒素を吸着させないディスクでは数万〜10万サイク
ルで劣化したのに対して、本発明のディスクでは100万
サイクル以上劣化が確認されなかった。
にビットエラーレイトの特性を測定した結果、従来の界
面に窒素を吸着させないディスクでは数万〜10万サイク
ルで劣化したのに対して、本発明のディスクでは100万
サイクル以上劣化が確認されなかった。
〔その他の事項〕 上記実施例では、記録薄膜３の第２誘電体層４側の面
に窒素を吸着させているが、第１誘電体層２を形成した
後にチャンバ内に窒素を導入して、記録薄膜３の第１誘
電体層２側の面に窒素を吸着させても良いし、また記録
薄膜３の両面に窒素を吸着させても良い。更に、記録薄
膜３の界面に窒素を吸着させる方法としては、上記実施
例に示す方法の他、ディスク基板１の近傍にだけ窒素を
導入するという方法でも良い。
に窒素を吸着させているが、第１誘電体層２を形成した
後にチャンバ内に窒素を導入して、記録薄膜３の第１誘
電体層２側の面に窒素を吸着させても良いし、また記録
薄膜３の両面に窒素を吸着させても良い。更に、記録薄
膜３の界面に窒素を吸着させる方法としては、上記実施
例に示す方法の他、ディスク基板１の近傍にだけ窒素を
導入するという方法でも良い。
前記ディスク基板１としては、予めレーザ光案内用の
溝を形成した樹脂基板、2P法で溝を形成したガラス板、
或いはガラス板に直接溝を形成した基板等を用いること
が可能である。
溝を形成した樹脂基板、2P法で溝を形成したガラス板、
或いはガラス板に直接溝を形成した基板等を用いること
が可能である。
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、あらかじめ記録
薄膜とこれに吸着された窒素を同時に昇温させることに
より溶融させた後、徐冷することにより結晶化する初期
化をしてから記録を行うことによって記録薄膜層に窒素
を含ませることができ、その結果、記録，消去の繰り返
しに伴い保護層の脈動が発生しても、記録薄膜材料が案
内溝に沿って移動するのを抑制することができる。これ
によって、繰り返し特性を向上することが可能となる。
薄膜とこれに吸着された窒素を同時に昇温させることに
より溶融させた後、徐冷することにより結晶化する初期
化をしてから記録を行うことによって記録薄膜層に窒素
を含ませることができ、その結果、記録，消去の繰り返
しに伴い保護層の脈動が発生しても、記録薄膜材料が案
内溝に沿って移動するのを抑制することができる。これ
によって、繰り返し特性を向上することが可能となる。
また、記録薄膜と金属層からなる反射層との間に形成
された第２誘電体層を薄くすると、反射層に記録薄膜と
の距離が小さくなるため、記録薄膜を急冷することが可
能となる。これにより、熱衝撃が低減するので繰り返し
特性が向上すると共に、記録マークが均一化して消去特
性の向上をはかることができる等の効果を奏する。
された第２誘電体層を薄くすると、反射層に記録薄膜と
の距離が小さくなるため、記録薄膜を急冷することが可
能となる。これにより、熱衝撃が低減するので繰り返し
特性が向上すると共に、記録マークが均一化して消去特
性の向上をはかることができる等の効果を奏する。
第１図は本発明の光記録媒体の構造を示す断面図であ
る。 １……ディスク基板、２……第１誘電体層、３……記録
薄膜、４……第２誘電体層、５……反射層、６……保護
板、７……接着剤層。
る。 １……ディスク基板、２……第１誘電体層、３……記録
薄膜、４……第２誘電体層、５……反射層、６……保護
板、７……接着剤層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河原 克巳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−100745（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−151486（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−290135（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−115685（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−287837（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−54442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−259855（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−220151（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−10980（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−16383（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (6)
- 【請求項１】レーザ光の照射によって融点以上に昇温し
て溶融し、更に急冷することによって非晶質状態となる
性質と、レーザ光の照射によって結晶化温度以上に昇温
し、更に徐冷することによって上記非晶質状態から結晶
化状態になる性質とを有する記録薄膜を備えた光記録媒
体において、 前記記録薄膜はTe,Ge,Sbを主成分とする材料からなり、 前記記録薄膜の少なくとも一方の面には、窒素が吸着さ
れ、 あらかじめ記録薄膜とこれに吸着された窒素を同時に昇
温させることにより溶融させた後、徐冷することにより
結晶化する初期化をしてから記録を行うものであること
を特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】透明基板の一方の面に、第１保護層と、レ
ーザ光の照射によって融点以上に昇温して溶融し、更に
急冷することによって非晶質状態となる性質と、レーザ
光の照射によって結晶化温度以上に昇温し、更に徐冷す
ることによって上記非晶質状態から結晶化状態になる性
質とを有する記録薄膜と、第２保護層と、反射層とが順
次形成された光記録媒体において、 前記記録薄膜の少なくとも一方の面には、窒素が吸着さ
れ、 あらかじめ記録薄膜とこれに吸着された窒素を同時に昇
温させることにより溶融させた後、徐冷することにより
結晶化する初期化をしてから記録を行うものであること
を特徴とする光記録媒体。 - 【請求項３】前記第１保護層と第２保護層とは、ZnS及
びSiO2の混合物から成り、且つ上記SiO2の比率が５〜40
mol％の範囲内にあることを特徴とする請求項２記載の
光記録媒体。 - 【請求項４】前記第２保護層の膜厚は、 30nm以下であって、前記第１保護層の膜厚より小さいこ
とを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項５】透明基板の一方の面に、第１保護層と、レ
ーザ光の照射によって融点以上に昇温して溶融し、更に
急冷することによって非晶質状態となる性質と、レーザ
光の照射によって結晶化温度以上に昇温し、更に徐冷す
ることによって上記非晶質状態から結晶化状態になる性
質とを有し且つ少なくとも一方の界面には窒素が吸着さ
れた記録薄膜と、第２保護層と、反射層とを順次形成す
ることを特徴とする、あらかじめ記録薄膜とこれに吸着
された窒素を同時に昇温させることにより溶融させた
後、徐冷することにより結晶化する初期化をしてから記
録を行う光記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】透明基板の一方の面に、第１保護層と、レ
ーザ光の照射によって融点以上に昇温して溶融し、更に
急冷することによって非晶質状態となる性質と、レーザ
光の照射によって結晶化温度以上に昇温し、更に徐冷す
ることによって上記非晶質状態から結晶化状態になる性
質とを有し且つ少なくとも一方の界面には窒素が吸着さ
れた記録薄膜と、第２保護層と、反射層とを順次形成す
る第１ステップと、 前記記録薄膜にレーザ光を照射して記録薄膜を昇温，溶
融させて、記録薄膜中に前記窒素を取り込ませる第２ス
テップと、 を有することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02160736A JP3078823B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 光記録媒体及びその製造方法 |
| US07/559,166 US5194363A (en) | 1990-04-27 | 1990-07-30 | Optical recording medium and production process for the medium |
| US07/573,246 US5230973A (en) | 1990-04-27 | 1990-08-24 | Method of recording and erasing information in an erasible optical recording medium |
| KR1019910006821A KR950006840B1 (ko) | 1990-04-27 | 1991-04-27 | 광기록매체와 광기록매체의 제법 |
| US08/904,983 USRE36383E (en) | 1990-04-27 | 1997-08-01 | Optical recording medium and production process for the medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02160736A JP3078823B2 (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0452189A JPH0452189A (ja) | 1992-02-20 |
| JP3078823B2 true JP3078823B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=15721347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02160736A Expired - Fee Related JP3078823B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-06-19 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3078823B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69738285T2 (de) * | 1996-09-06 | 2008-02-28 | Ricoh Co., Ltd. | Optisches Speichermedium |
| GB2336463B (en) | 1998-04-16 | 2000-07-05 | Ricoh Kk | Optical recording method for a rewritable phase-change optical recording medium |
| JP2000339751A (ja) | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Ricoh Co Ltd | 相変化形光記録媒体 |
| DE60125675T2 (de) | 2000-09-28 | 2007-10-11 | Ricoh Company, Ltd. | Optisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zu dessen Herstellung und Verfahren und Vorrichtung zum Aufzeichnen auf oder Lesen von diesem Medium |
| EP1548721B1 (en) | 2002-10-02 | 2009-08-12 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording medium |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP02160736A patent/JP3078823B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452189A (ja) | 1992-02-20 |
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|---|---|---|---|
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