KR950006840B1 - 광기록매체와 광기록매체의 제법 - Google Patents

광기록매체와 광기록매체의 제법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

광기록매체와 광기록매체의 제법
제1도는 본 발명의 제1 및 제2실시예에 있어서 광정보기록매체의 구조를 표시한 단면도.
제2도는 본 발명의 제3실시예에 있어서의 광정보기록매체의 구조를 표시한 단면도.
제3도는 본 발명의 제4실시예의 광정보기록매체의 구조를 표시한 단면도.
제4도는 본 발명의 기록박막의 모재료(母材料)의 조성의 3각 다이어그램
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,9,16 : 디스크기판 2,10,17 : 제1유전체층
3,11,18 : 기록박막 4,12,21 : 제2유전체층
5,13,22 : 반사층 6,14,23 : 보호판
7,15,24 : 접착제 19 : 질화물층
20 : 흡착면
본 발명은, 레이저광 등의 광조사에 의해 기록층을 승온시켜 기록층에 원자배열의 구조변화를 발생시켜서 정보를 기록ㆍ소거하는 대용량 메모리인 광정보기록매체에 관한 것이다.
광디스크메모리에 관해서는, Te와 TeO2를주성분으로 하는 TeOx(0<x<2.0) 박막을 사용한 추기형(追記型)의 디스크가 있다. 또 정보의 반복기록ㆍ소거가 가능한 소거디스크가 실용화되고 있다. 이 소거디스크는 레이저광에 의해 기록박막을 가열, 용융, 급랭함으로써 비정질화해서 정보를 기록하고, 또 이것을 가열하고 서냉함으로써 결정화해서 소거할 수 있는 것이나, 이 기록박막의 재료로서는 S. R. Ovshinsky.(에스. 알. 오브신스키)씨 등의 칼코겐재료 Ge15Te81Sb2S2등이 알려져 있다(J. Feinleib et al ; Appl. Phys. Lett. 18(1971)). 또 As2S3나 As2Se3혹은 Sb2Se3등 칼코겐원소와 주기율표 제V족 혹은 Ge 등의 제IV족 원소 등의 조합으로 이루어진 박막 등이 널리 알려져 있다.
이들 기록박막을 레어저광 가이드용의 홈을 형성한 기판에 형성하고, 광디스크로서 사용할 수 있다. 이들 디스크에 레이저광으로 정보를 기록하고, 그 정보를 소거하는 방법으로서는, 미리 기록박막을 결정화시켜 놓고, 이것에 약 ㎛로 조인 레이저광을 정보에 대응시켜서 강도변조를 실시하고, 예를 들면 원반형상의 기록디스크를 회전시켜서 조사한 경우, 이 피크파워레이저광조사부위는, 기록박막의 융점이상으로 승온하고, 또한 급냉해서 비정질화된 마크로서 정보의 기록을 행할 수 있다. 또 이 변조바이어스 파워레이저광조사부위는, 기록박막의 결정화 온도 이상으로 승온하고, 이미 기록신호 정보를 소거하는 작용이 있어 오버라이트할 수 있다. 이와 같이 기록박막은 레이저광에 의해서 융점이상으로 승온하고, 또 결정화 온도 이상으로 승온되는 것이다.
이 때문에 기록박막의 하부면 및 상부면에 내열성이 뛰어난 유전체층을 기판 및 접착층에 대한 보호층으로서 형성하고 있는 것이 일반적이다. 이들 유전체층의 열전도특성에 의해, 승온 및 급냉, 서냉의 특성이 변하는 것이기 때문에, 유전체층의 재질을 선택하는, 층구성을 선택함으로써 기록 및 소거의 특성을 결정할 수 있는 것이다.
기록박막을 가열승온하고, 용융급냉비정질화 및 가열승온결정화의 수단을 사용하는 정보기록 및 소거가능한 오버라이트기록매체에 있어서의 과제는, 기록ㆍ소거의 반복특성과 소거특성이다.
기록ㆍ소거의 반복특성에 대해서는, 기록ㆍ소거의 가열, 냉각의 다수회의 반복에 의한 디스크기판 혹은 보호층의 열적인 손상에 의한 노이즈의 증대, 또는 손상은 없어도, 기록ㆍ소거의 반복에 따른 가열, 냉각의 반복에 의한 보호층의 맥동에 의해서, 기록박막재료가 디스크회전방향의 안내홈을 따라서 이동하는 등, 반복특성의 열화가 발생하는 과제가 있었다(T. Ohta et al : SPIE Proc. 1078(1989) 27).
소거특성에 대해서는 Te를 함유한 비정질막은, 그 융점은 대표적인 것으로 400℃~900℃로 넓은 온도범위에 있다. 이들 기록박막에 레이저광을 조사하고, 승온ㆍ서냉함으로써 결정화를 행할 수 있다. 이 온도는 일반적으로 융점보다도 낮은 결정화 온도영역이다. 또 이 결정화한 막에 높은 파워레벨의 레이저광을 비추고, 그 융점 이상으로 가열하면 그 부분은 용융해서 급랭하고, 다시 비정질화해서 마크가 형성될 수 있다. 기록마크로서 비정질화를 선택하면, 이 마크는, 기록박막이 용융ㆍ급랭되어 형성되는 것이기 때문에, 냉각 속도가 빠를수록 비정질 상태가 균일한 것을 얻게 되고 신호진폭이 향상한다(T. Ohta et al : Proc. Int. Symp. on Optical Memory, (1989)123).
냉각속도가 느린 경우는 마크의 중심과 주변에서 비정질화의 정도에 차이가 발생한다. 다음에 결정화 소거시에는, 레이저광의 조사에 의해 이미 기록이 행하여지고 있는 비정질마크부를, 결정화 온도 이상으로 승온하고 결정화시켜서 이 마크를 소거한다. 이때, 마크가 균일하게 결정화할 때는 소거특성이 향상하나, 기록마크가 불균일한 경우는 결정화소거의 상태가 불균일하게 되어, 소거특성이 저하한다고 하는 과제가 있었다.
본 발명의 목적은 레이저기록ㆍ소거의 광정보기록매체에 있어서, 개서의 반복특성 및 레이저의 파워의존성을 향상한 매체 및 그 매체의 제조방법을 제공하는데 있다.
레이저광의 조사에 의해, 그 에너지를 흡수해서 승온하고, 용융하고, 급랭해서 비정질화하는 성질과, 비정질의 상태를 승온함으로써 결정화하는 성질을 가진 기록박막을 가진 광기록매체에 있어서, 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 Ge-Te-Sb계의 칼코게나이트 등으로 이루어진 기록박막에, 질소 혹은 질화물을 함유시켜서 기록박막의 열특성을 향상하고, 레이저광에 의한 승온, 급랭의 반복열 스트레스에 대한 안정화를 실현한다.
기록, 소거의 반복특성 및 레이저광의 파워의존성에 관한 특성열화의 요인은, 일반적으로, 기록박막의 국소적인 물질이동에 의한 것이다.
따라서, 본 발명에서는, 이 기록박막의 물질이동에 대해서, 기록박막속 혹은 그 계면에 물질이동을 저지하는 기록막을 구성하는 물질의 질화물로 이루어진 요소를 함유시키는 것이다. 또, 이 기록박막을 사용하여, 투명기판의 한쪽면에 제1유전체층, 기록박막, 제2유전체층 및 반사층을 순차 형성하고, 제2유전층의 막두께를 제1유전체층의 막두께보다도 얇게 함으로써 금속층으로 이루어진 반사층과 기록박막을 가깝게 하게 되어, 기록박막이 급랭되는 것이기 때문에, 기록마크가 균일한 비정질 상태가 되어, 기록마크가 불균일한 경우에 생기는 결정화 소거시의 불균일한 상태의 발생을 방지할 수가 있어서, 소거특성을 향상시킬 수 있는 것이다.
상기 구성에 의해, 레이저광에 의한 박막의 용융이동이 이 저지요소에 의해 억제되고, 광정보기록매체로의 정보의 기록ㆍ소거의 개서 반복특성 및 레이저광의 파워의존성을 향상할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
[제1실시예]
먼저, 본 발명의 제1실시예를 제1도에 의거해서 설명한다. 제1도에 있어서는, (1)은 디스크기판이며, 폴리카보네이트 등의 수지기판으로 이루어져 있다. 이 디스크기판(1)은 미리 레이저광 안내용의 홈을 형성한 수지기판 혹은 2P법으로 홈을 형성한 유리판, 유리판에 직접 홈을 형성한 기판이라도 좋다. 혹은, 레이저광 안내용의 피트열을 형성한 기판을 사용해도 좋다. (2)는 제1유전체층으로 ZnO-SiO2의 혼합막으로 이루어져 있고, 막두께는 약 160nm이다. (3)은 기록박막으로 Te-Ge-Sb에 질소를 함유시킨 박막이고, 막두께는 약 20nm이다. (4)는 제2유전체층으로 제1유전체층(2)과 같은 재료로 이루어져 있고, 막두께는 약 20nm이다. (5)는 Al 합금으로 이루어진 반사층이다. (6)은 보호판으로 접착제(7)에 의해서 디스크기판(1)에 접착되어 있다. (6)은 보호판으로 접착제(7)에 의해서 디스크기판(1)에 접착되어 있다. (6)은, 또 다른 디스크라도 좋고, 이 경우는 양면 디스크가 된다.
제1도의 구성에 있어서 기록ㆍ소거 및 재생용의 레이저광은 화살표(8)의 방향으로부터 입사하고, 정보에 따라서 강도변조를 실시하고, 또 반사광을 검출해서 행하는 것이다.
여기서 유전체층, 기록박막 및 반사층의 형성방법으로서는, 일반적으로는 진공증착 혹은 스퍼터법이 사용되나, 본 실시예에서는, 기록박막의 형성방법으로서 아르곤과 질소의 혼합가스에 의한 스퍼터법을 사용하고 있다. 이때, 질소의 분압이 특성 혹은 막질을 결정하는데 있어서 중요하나, 기록박막의 스퍼터시의 질소분압은 1.0×10-5~1.0×10-4Torr의 범위가 적당하였다. 그 이유는 질소분압을 1.0×10-5Torr 보다도 작게 하면 아르곤과 질소의 혼합가스에 의한 스퍼터법의 효과가 작아졌다. 즉 Te, Ge, Sb로 이루어진 기록박막에 질소를 함유시켜서 반복특성을 향상시키는 효과가 작아졌다. 반대로 질소분압을 1.0×10-4Torr 보다도 크게 하면, 기록박막의 굴절률 등, 광학적인 특성의 변화, 혹은 결정화속도, 비정질화속도 등, 기록소거에 관계된 기본적인 특성이 변화하기 때문에, 상기 비율의 범위가 적당하였다.
또 제1, 제2유전체층(2), (4)의 ZnO-SiO2혼합막은 SiO2의 비율을 20mol%로 하고 있으나, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 그러나 SiO2의 비율을 5mol% 이하로 하면, ZnS에 SiO2를 혼합했을 때 얻어지는 효과, 즉 결정입자직경을 작게 한다고 하는 효과가 작아지고, 50mol% 이상으로 하면, SiO2막의 성질이 크게 되기 때문에, SiO2의 비율은 5~40mol%의 범위로 하는 것이 적당하였다.
또 제2유전체층(4)의 막두께를 약 20nm로 얇게 하고 있으나, 이에 의해 열확산층이 되는 반사층(5)과 기록박막(3)이 가까워지고, 기록ㆍ소거시의 기록박막(3)의 열이 급속히 반사층(5)에 전달되게 되어, 기록박막(3)을 급랭하는데 있어서 효과가 있는 것이다.
본 실시예의 디스크구성으로, 외경 130mm, 1800rpm, 회전, 선속도 8m/sec로 f1=3.43MHz의 신호, f2=1.25MHz의 신호의 오버라이트 특성을 측정하였다.
오버라이트는, 1개의 서클스폿으로 약 1㎛의 레이저광에 의해, 높은 파워레벨 16mW와 낮은 파워레벨 8mW 사이의 변조로, 높은 파워레벨로 비정질화 마크를 형성하고, 낮은 파워레벨로 비정질화 마크를 결정화해서 소거하는 동시 소거기록방법으로 행하였다. 이 결과, 기록신호의 C/N비로서는, 55dB 이상이 얻어지고, 소거특성으로서, 오버라이트소거율 30dB 이상이 얻어졌다. 오버라이트의 사이클특성에 대해서는, 특히 비트에러레이트의 특성을 측정한 결과, 1000000사이클 이상 열화를 볼 수 없었다.
[제2실시예]
기록박막이 칼코겐화합물로, Te, Ge, Sb중의 적어도 1개의 원소의 질화물을 함유시킨 것을 사용한다. 디스크구조는, 제1도에 표시한 바와 같이 기판, 제1유전체층, 기록박막, 제2유전체층 및 반사층의 4층 구조이다. 여기서는, 기록박막(3)은 Ge, Te, Sb의 적어도 1개의 원소의 질화물 또는 산화물을 함유하고 있고, 막두께는 약 20nm이다.
이 기록박막의 형성방법으로서는, 이 경우 스퍼터링법 혹은 전자빔증착법 등이 적용된다. 스퍼터타켓에 Ge, Te 혹은 Sb의 질화물을 미리 함유시킬 수 있다. 이 경우, Ar 가스만에 의한 스퍼터도 가능하다. 또, 증착원에 상기의 질화물을 함유시킬 수 있다.
본 실시예의 디스크구성으로, 외경 130mm, 1800rpm 회전, 선속도 8m/sec로 f1=3.43MHz의 신호, f2=1.25MHz의 신호의 오버라이트특성을 측정하였다.
오버라이트는, 1개의 서클스폿으로 약 1㎛의 레이저광에 의해, 높은 파워레벨 16mW와 낮은 파워레벨 8mW 사이의 변조로, 높은 파워레벨로 비정질화 마크를 형성하고, 낮은 파워레벨로 비정질화 마크를 결정화해서 소거하는 동시 소거기록방법으로 행하였다. 이 결과, 기록신호의 C/N비로서는, 55dB 이상이 얻어지고, 소거특성으로서, 오버라이트소거율 30dB 이상이 얻어졌다. 오버라이트의 사이클특성에 대해서는, 특히 비트에러레이트의 특성을 측정한 결과, 1000000사이클 이상 열화를 볼 수 없었다.
[제3실시예]
먼저, 본 발명의 제3일실시에를 제2도에 의거해서 설명한다. 제2도에 있어서는 (9)는 디스크기판이며, 폴리카보네이트 등의 수지기판으로 이루어져 있다. 이 디스크기판(9)은 미리 레이저광 안내용의 홈을 형성한 수지기판 혹은 2P법으로 홈을 형성한 유리판, 유리판에 직접 홈을 형성한 기판이라도 좋다. 혹은 레이저광 안내용의 피트열을 형성한 기판을 사용해도 좋다. (10)은 제1유전체층으로 ZnS-SiO2의 혼합막으로 이루어져 있다. (11)은 기록박막으로 Te, Ge, Sb 중의 적어도 1개의 원소의 질화물 또는 산화물의 매트릭스에, Ge-Te-Sb로 이루어진 성분이 분산한 것이다. 그 막두께는 20nm-120nm이다. (12)는 제2유전체층으로 제1유전체층(2)과 마찬가지 재료로 되어 있고, 막두게는 약 20nm이다. (13)은 Al 합금으로 이루어진 반사층이다. (14)는 보호판으로 접착제(15)에 의해서 디스크기판(9)에 접착되어 있다.
이 경우는, 상기 제1 및 제2실시예에 비해서 기록박막의 광흡수계수가 작고, 기록박막의 막두께는 크게 선택하는 것이 필요하다.
기록신호의 C/N비로서는, 55dB 이상이 얻어지고, 소거특성으로서, 오버라이트소거율 30dB 이상이 얻어졌다. 오버라이트의 사이클특성에 대해서는, 1000000사이클 이상 열화를 볼 수 없었다.
[제4실시예]
먼저, 본 발명의 제4실시예를 제3도에 의거해서 설명한다. 제3도에 있어서, (16)은 디스크기판으로 폴리카보네이트 등의 수지기판으로 이루어져 있다. 이 디스크기판(16)은 미리 레이저광 안내용의 홈을 형성한 수지기판 혹은 2P법으로 홈을 형성한 유리판, 유리판에 직접 홈을 형성한 기판이라도 좋다. 혹은 레이저광 안내용의 피트열을 형성한 기판을 사용해도 좋다. (17)은 제1유전체층으로 ZnO-SiO2의 혼합막으로 이루어져 있고, 막두께는 약 160nm이다. (18)은 기록박막으로 Ge-Te-Sb로 이루어진 성분으로 되어 있다. 본 발명에서는 기록박막(18)의 적어도 한쪽 계면에 Ge, Te, Sb의 적어도 1개의 성분의 질화물층(19) 혹은 질소의 흡착면(20)을 형성하는 것이다. (21)은 제2유전체층으로 제1유전체층(17)과 같은 재료로 이루어져 있고, 막두께는 약 20nm이다. (22)는 Al 합금으로 이루어진 반사층으로 막두께는 약 120nm이다. (23)은 보호판으로 접착제(24)에 의해서 디스크기판(16)에 부착되어 있다.
기록신호의 C/N비로서는, 55dB 이상이 얻어지고, 소거특성으로서, 오버라이트소거율이 30dB 이상이 얻어졌다. 오버라이트의 사이클 특성에 대해서는, 1000000사이클 이상 열화를 볼 수 없었다.
[제5실시예]
기록박막층으로, Ge, Te, Sb에 질소를 함유시킨 재료를 사용한다. 특히, 제4도에 표시한 GeTe-Sb2Te3-Sb의 3각 다이어그램의 조성에 대해서, 질소를 함유시키는 것이 유효하다. 이들 조성에서는, 기록ㆍ소거의 레이저광의 파워포인트를 선택함으로써, 1000000사이클 이상의 안정된 특성을 얻을 수 있다. 또, 이것에 질소를 함유시켜서, 혹은 Ge, Te, Sb의 적어도 1종의 원소의 질화물을 함유시킴으로써, 레이저광의 파워의 넓은 범위에 걸쳐서 1000000사이클 이상의 안정된 특성을 얻음과 동시에, 레이저광 기록감도의 향상을 도모할 수 있다. 특히 유효한 조성영역은, b=Sb/Sb2Te3으로 정의해서, 0<b<1.0의 조성영역이다.
b<0에서는, Te 성분이 과잉으로 되고, 산화에 대해서 약해진다. 또, b>1.0에서는, 소거율이 저하한다. 또, g=GeTe/Sb2Te3(몰비)로 정의해서, 0.5<g<3.0의 조성영역이 바람직하다. g가 0.5 이하에서는 내열 안정성이 저하한다. 또 g가 3.0 이상에서는, 열안정성은 양호하나 감도가 저하한다.
여기서 유전체층, 기록박막, 반사층의 형성방법으로서는, 일반적으로는 진공증착 혹은 스퍼터법이 사용되나, 본 실시예에서는 기록박막의 형성방법으로서 아르곤과 질소의 혼합가스에 의한 스퍼터법을 사용하고 있다. 이때, 질소의 분압이 특성 혹은 막질을 결정하는데 있어서 중요하나, 기록박막의 스퍼터시의 질소분압은 1.0×10-5~1.0×10-4Torr의 범위가 적당하였다. 그 이유는 질소분압을 1.0×10-5Torr 보다도 작게 하면, 아르곤과 질소의 혼합가스에 의한 스퍼터법의 효과가 작아졌다.즉 Te, Ge, Sb로 이루어진 기록박막에 질소를 함유시켜서 반복특성을 향상시키는 효과가 작아졌다. 반대로 질소분압을 1.0×10-4Torr 보다도 크게 하면, 기록박막의 굴절률 등, 광학적인 특성의 변화 혹은 결정화속도, 비정질화속도 등, 기록소거에 관계된 기본적인 특성이 변화하기 때문에 상기 비율의 범위가 적당하였다.
본 실시예의 기록박막층을 사용해서, 외경 130nm, 1800rpm 회전, 선속도 8m/sec로 f1=3.43MHz의 신호, f2=1.25MHz의 신호의 오버라이트 특성을 측정하였다. 오우버라이트는, 1개의 서클스폿으로약 1㎛의 레이저광에 의해, 높은 파워레벨 16mW와 낮은 파워레벨 8mW 사이의 변조로, 높은 파워레벨로 비정질화 마크를 형성하고, 낮은 파워레벨로 비정질화 마크를 결정화해서 소거하는 동시 소거기록방법으로 행하였다. 그 결과, 기록신호의 C/N비로서는, 55dB 이상이 얻어지고, 소거특성으로서, 오버라이트소거율 30dB 이상이 얻어졌다.
오버라이트의 사이클특성에 대해서는, 특히 비트에러레이트의 특성을 측정한 결과, 1000000사이클 이상 열화를 볼 수 없었다.

Claims (16)

  1. 투명기판의 한쪽면에 제1유전체층, 레이저광의 조사에 의해, 그 에너지를 흡수해서 승온하고, 용융하고, 급랭해서 비정질화하는 성질과, 비정질의 상태를 승온함으로써 결정화하는 성질을 가진 기록박막, 제2유전체층 및 반사층을 순차 형성한 광기록매체에 있어서, 상기 기록박막은 Ge, Te, Sb 및 질소를 함유하고, 상기 제2유전체층을 상기 제1유전체층보다도 얇게 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  2. 투명기판의 한쪽면에 제1유전체층, 레이저광의 조사에 의해, 그 에너지를 흡수해서 승온하고, 용융하고, 급랭해서 비정질화하는 성질과, 비정질의 상태를 승온함으로써 결정화하는 성질을 가진 기록박막, 제2유전체층 및 반사층을 순차 형성한 광기록 매체에 있어서, 상기 기록박막은 Ge, Te, Sb 및 이들 원소의 적어도 1종의 질화물을 함유하고, 상기 제2유전체층을 상기 제1유전체층보다도 얇게 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  3. 투명기판의 한쪽면에 제1유전체층, 레이저광의 조사에 의해, 그 에너지를 흡수해서 승온하고, 용융하고, 급랭해서 비정질화하는 성질과, 비정질의 상태를 승온함으로써 결정화하는 성질을 가진 기록박막, 제2유전체층 및 반사층을 순차 형성한 광기록매체에 있어서, 상기 기록박막으로서 Te, Ge, Sb 및 이들 원소중의 적어도 1종의 질화물과의 매트릭스 구성을 사용하고, 상기 제2유전체층을 상기 제1유전체층보다도 얇게 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  4. 투명기판의 한쪽면에 제1유전체층, 레이저광의 조사에 의해, 그 에너지를 흡수해서 승온하고, 용융하고, 급랭해서 비정질화하는 성질과, 비정질의 상태를 승온함으로써 결정화하는 성질을 가진 기록박막, 제2유전체층 및 반사층을 순차 형성한 광기록매체에 있어서, 상기 기록박막으로서 GeTe와 Sb2Te3와 Sb의 혼합체에 질소를 함유시킨 재료를 사용하고, 상기 제2유전체층을 상기 제1유전체층보다도 얇게 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  5. 제4항에 있어서, GeTe/Sb2Te3의 몰비를 g라 할 때 0.5<g<3.0인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기록박막을 형성할 때의 질소분압을 1.0×10-5~1.0×10-4Torr의 범위로 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  7. 투명기판의 한쪽면에 제1유전체층, 레이저광의 조사에 의해, 그 에너지를 흡수해서 승온하고, 용융하고, 급랭해서 비정질화하는 성질과, 비정질의 상태를 승온함으로써 결정화하는 성질을 가진 기록박막, 제2유전체층 및 반사층을 순차 형성하는 광기록매체의 제법에 있어서, 상기 기록박막은 칼코게나이드화합물에 Ge, Te, Sb 중의 적어도 1종의 질화물을 혼합한 타켓을 사용해서 스퍼터법으로 형성하고, 상기 제2유전체층을 상기 제1유전체층보다도 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 광기록매체의 제법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2유전체층의 막두께를 30nm 이하로 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2유전체층으로서, ZnS와 SiO2의 혼합막의 SiO2비가 5~40mol%인 재료를 사용한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  10. 제2항에 있어서, 상기 제2유전체층의 막두께를 30nm 이하로 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  11. 제2항에 있어서, 상기 제1, 제2유전체층으로서, ZnS와 SiO2의 혼합막의 SiO2비가 5~40mol%인 재료를 사용한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  12. 제3항에 있어서, 상기 제2유전체층의 막두께를 30nm 이하로 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  13. 제3항에 있어서, 상기 제1, 제2유전체층으로서, ZnS와 SiO2의 혼합막의 SiO2비가 5~40mol%인 재료를 사용한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  14. 제4항에 있어서, 상기 기록박막을 형성할 때의 기록박막을 형성할 때의 질소분압을 1.0×10-5~1.0×10-4Torr의 범위로 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  15. 제4항에 있어서, 상기 제2유전체층의 막두께를 30nm 이하로 한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  16. 제4항에 있어서, 상기 제1, 제2유전체층으로서, ZnS와 SiO2의 혼합막의 SiO2비가 5~40mol%인 재료를 사용한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
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