JP2523907B2 - 光学情報記録再生消去部材 - Google Patents
光学情報記録再生消去部材Info
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- JP2523907B2 JP2523907B2 JP1318051A JP31805189A JP2523907B2 JP 2523907 B2 JP2523907 B2 JP 2523907B2 JP 1318051 A JP1318051 A JP 1318051A JP 31805189 A JP31805189 A JP 31805189A JP 2523907 B2 JP2523907 B2 JP 2523907B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザービーム等により、情報を高密度、大
容量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去
部材に関するものである。
容量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去
部材に関するものである。
従来の技術 光ディスクメモリに関しては、TeとTeO2を主成分とす
るTeOx（０＜ｘ＜2.0）薄膜を用いた追記型のディスク
がある。さらに、レーザー光により薄膜を加熱し、溶融
し、急冷することにより、非晶質化し情報を記録しまた
これを加熱し、徐冷することにより結晶化し、消去する
ことができる材料としては、S.R.Ovshinsky（エス・ア
ール・オブシンスキー）氏等のカルコゲン材料Ge15Te81
Sb2S2等が知られている。また、As2S3やAs2Se3あるいは
Sb2Se3等カルコゲン元素と周期律表第Ｖ族るいはGe等の
第Ｖ族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られて
いる。これらの薄膜にレーザー光で情報を記録し、その
情報を消去する方法としてはあらかじめ薄膜を結晶化さ
せておき、これにφ１μｍに絞ったレーザー光を情報に
対応させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディ
スクを回転せしめて照射し、このレーザー光照射部位
は、薄膜の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化し
たマークとして情報の記録がおこなえる。この情報を消
去するに際してはディスクの回転トラック方向に長いス
ポット光を照射することにより、薄膜を加熱昇温させ、
長いスポット光による徐冷効果によって再び結晶化させ
る方法が知られている。さらに、記録溶融ピークパワー
と消去結晶化バイアスパワーの変調レーザー光の照射に
より、オーバライトする方法も知られている。
るTeOx（０＜ｘ＜2.0）薄膜を用いた追記型のディスク
がある。さらに、レーザー光により薄膜を加熱し、溶融
し、急冷することにより、非晶質化し情報を記録しまた
これを加熱し、徐冷することにより結晶化し、消去する
ことができる材料としては、S.R.Ovshinsky（エス・ア
ール・オブシンスキー）氏等のカルコゲン材料Ge15Te81
Sb2S2等が知られている。また、As2S3やAs2Se3あるいは
Sb2Se3等カルコゲン元素と周期律表第Ｖ族るいはGe等の
第Ｖ族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られて
いる。これらの薄膜にレーザー光で情報を記録し、その
情報を消去する方法としてはあらかじめ薄膜を結晶化さ
せておき、これにφ１μｍに絞ったレーザー光を情報に
対応させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディ
スクを回転せしめて照射し、このレーザー光照射部位
は、薄膜の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化し
たマークとして情報の記録がおこなえる。この情報を消
去するに際してはディスクの回転トラック方向に長いス
ポット光を照射することにより、薄膜を加熱昇温させ、
長いスポット光による徐冷効果によって再び結晶化させ
る方法が知られている。さらに、記録溶融ピークパワー
と消去結晶化バイアスパワーの変調レーザー光の照射に
より、オーバライトする方法も知られている。
発明が解決しようとする課題 薄膜を加熱昇温し、溶融急冷非晶質化および加熱昇温
結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒
体における第一の課題は加熱サイクルに対応して信号品
質が変動することである。この変動要因としては、記録
スポット光およぴ消去スポット光による400℃以上の急
速な加熱、冷却の多数回のくりかえし刺激による基板材
質の熱的、機械的な損傷がある。さらに、記録薄膜の熱
的、機械的な損傷がある。記録薄膜については、融点以
上の加熱において、溶融による体積膨張および、その構
成元素によっては、薄膜構成材料の蒸気圧が上昇し、構
成成分の蒸発により、組成、成分の移動による膜厚変化
が発生する場合もある。同時に、記録薄膜の上面と下面
の耐熱層が昇温し、非対称に膨張し、記録薄膜物質の移
動を助長する。基板あるいは記録膜が以上のような変化
を生じた場合、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノ
イズの増大を生じ、サイクル特性の劣化が発生するとい
う課題があった、第二の課題は、非晶質マークの不均一
性である。レーザ高照射部が溶融し、急冷し、非晶質マ
ークが形成するとき、冷却速度によっては、一部結晶化
をともなう場合がある。これが信号品質を低下させると
いう課題があった。本発明の第一の目的はサイクル特性
の安定な部材を提供することである。第二の目的は、信
号品質を向上することである。
結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒
体における第一の課題は加熱サイクルに対応して信号品
質が変動することである。この変動要因としては、記録
スポット光およぴ消去スポット光による400℃以上の急
速な加熱、冷却の多数回のくりかえし刺激による基板材
質の熱的、機械的な損傷がある。さらに、記録薄膜の熱
的、機械的な損傷がある。記録薄膜については、融点以
上の加熱において、溶融による体積膨張および、その構
成元素によっては、薄膜構成材料の蒸気圧が上昇し、構
成成分の蒸発により、組成、成分の移動による膜厚変化
が発生する場合もある。同時に、記録薄膜の上面と下面
の耐熱層が昇温し、非対称に膨張し、記録薄膜物質の移
動を助長する。基板あるいは記録膜が以上のような変化
を生じた場合、記録再生、消去のサイクルにおいて、ノ
イズの増大を生じ、サイクル特性の劣化が発生するとい
う課題があった、第二の課題は、非晶質マークの不均一
性である。レーザ高照射部が溶融し、急冷し、非晶質マ
ークが形成するとき、冷却速度によっては、一部結晶化
をともなう場合がある。これが信号品質を低下させると
いう課題があった。本発明の第一の目的はサイクル特性
の安定な部材を提供することである。第二の目的は、信
号品質を向上することである。
課題を解決するための手段 本発明は、上記目的を達成するためにレーザー光等の
照射により熱的に薄膜の状態を変化させて情報を記録お
よび消去する部材において、基板の上に形成した第１の
耐熱層と記録薄膜層と、第２の耐熱層および、放熱反射
層とからなる構成で、記録薄膜層と放熱反射層の間の第
２の耐熱層を40nm以下の薄い膜厚構成に選ぶことを特徴
とする光学情報記録再生消去部材を提供するものであ
る。
照射により熱的に薄膜の状態を変化させて情報を記録お
よび消去する部材において、基板の上に形成した第１の
耐熱層と記録薄膜層と、第２の耐熱層および、放熱反射
層とからなる構成で、記録薄膜層と放熱反射層の間の第
２の耐熱層を40nm以下の薄い膜厚構成に選ぶことを特徴
とする光学情報記録再生消去部材を提供するものであ
る。
作用 Teを含む非晶質膜は、その融点は代表的なもので400
℃から900℃と広い温度範囲にある。これらの膜にレー
ザー光を照射し、昇温急冷することにより結晶化が行え
る。この温度は、一般的に融点より低い結晶化温度領域
である。また、この結晶化した膜に高いパワーレベルの
レーザー光をあて、その融点以上に加熱すると、その部
分は溶融し急冷し、再び非晶質化し、マークが形成でき
る。この時、まず記録薄膜が昇温し、溶融膨張するとと
もに、記録薄膜層が熱源となって上面および、下面の耐
熱層を加熱する。この耐熱層の膨張量がマークの前部と
後部で非対称な場合、その体積差に相当する記録薄膜物
質の移動が発生する。耐熱層の膨張量を小さくする構成
を選ぶことにより、記録薄膜物質移動による記録部材の
劣化を阻止することが出来る。また、記録薄膜層の冷却
速度を上げることにより、非晶質マークを均質にするこ
とができる。
℃から900℃と広い温度範囲にある。これらの膜にレー
ザー光を照射し、昇温急冷することにより結晶化が行え
る。この温度は、一般的に融点より低い結晶化温度領域
である。また、この結晶化した膜に高いパワーレベルの
レーザー光をあて、その融点以上に加熱すると、その部
分は溶融し急冷し、再び非晶質化し、マークが形成でき
る。この時、まず記録薄膜が昇温し、溶融膨張するとと
もに、記録薄膜層が熱源となって上面および、下面の耐
熱層を加熱する。この耐熱層の膨張量がマークの前部と
後部で非対称な場合、その体積差に相当する記録薄膜物
質の移動が発生する。耐熱層の膨張量を小さくする構成
を選ぶことにより、記録薄膜物質移動による記録部材の
劣化を阻止することが出来る。また、記録薄膜層の冷却
速度を上げることにより、非晶質マークを均質にするこ
とができる。
実施例１ 記録層である薄膜を形成する基板１としては、あらか
じめ、レーザー光案内用の溝あるいは、ピット列を形成
したポリカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板
を用いる。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたZnS
あるいはZnSeあるいはSiO2等の第１の下面無機誘電体層
である下面耐熱層２を形成しておく。この誘電体層とし
てはSiO2を15モル％以上含ませたZnS誘電体層が好まし
い。ZnSの代わりに、ZnSeを用いてもよい。例えば線膨
張係数は、ZnSでは7.5×10-6/℃である。SiO2では、5.5
×10-7/℃と小さい。この上に、Te−Ge−Sbからなる合
金薄膜の記録層薄膜３を形成する。さらにこの記録層薄
層３の上に第２の上面無機誘電体層である上面耐熱層４
を設けることにより耐熱性の向上をはかることができ
る。薄膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは、スパ
ッタ法が使用できる。上面耐熱層４の上に放熱および、
光反射を行わせる金属層の反射層５を設ける。第１図
（ａ），（ｂ）に上面耐熱層４の厚いディスク構成およ
び、薄いディスク構成をそれぞれ示す。この上面耐熱層
４の無機誘電体膜の膜厚として40nm以下の薄い膜厚領域
を選ぶことが重要である。さらに保護板としてポリカー
ボネイト板を接着剤で密着する。130mmのディスクとし
て、2400rpm回転でf1＝5.33MHZの信号と、f2＝2.0MHzの
信号のオーバーライト特性を測定する。オーバーライト
は１ケのサークルスポットφ１μｍのレーザー光によ
り、高いパワーレベル14mW,低いパワーレベル6mWのパワ
ーレベル間の変調で、高いパワーレベルで非晶質化マー
クを形成し、低いパワーレベルで非晶質化マークを結晶
化して消去する同時消録の方法である。第２図に上面耐
熱層の膜厚と記録のサイクル特性の関係を示す。耐熱層
の膜厚は200nm,80nm,40nm,20nm,15nm,そして、10nmであ
る。放射反射層としては、Alあるいは、Au、NiCr等の合
金膜を用いる。記録特性はジッタであらわす。１サイク
ル目つまりジッタの初期値はすべて50％以下である。上
面の耐熱層の膜厚が200nmと厚い場合、ジッタは、10000
サイクルを超えると増大がみられる。80nmの場合、ジッ
タは、100000サイクルを越えると増大がみられる。40n
m,20nm,10nmの上面耐熱層では、熱膨張が小さく、膨張
量の差も小さく、1000000サイクル以上でジッタは50％
以下で、ビットエラーレイトの増大はみられない。
じめ、レーザー光案内用の溝あるいは、ピット列を形成
したポリカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板
を用いる。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたZnS
あるいはZnSeあるいはSiO2等の第１の下面無機誘電体層
である下面耐熱層２を形成しておく。この誘電体層とし
てはSiO2を15モル％以上含ませたZnS誘電体層が好まし
い。ZnSの代わりに、ZnSeを用いてもよい。例えば線膨
張係数は、ZnSでは7.5×10-6/℃である。SiO2では、5.5
×10-7/℃と小さい。この上に、Te−Ge−Sbからなる合
金薄膜の記録層薄膜３を形成する。さらにこの記録層薄
層３の上に第２の上面無機誘電体層である上面耐熱層４
を設けることにより耐熱性の向上をはかることができ
る。薄膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは、スパ
ッタ法が使用できる。上面耐熱層４の上に放熱および、
光反射を行わせる金属層の反射層５を設ける。第１図
（ａ），（ｂ）に上面耐熱層４の厚いディスク構成およ
び、薄いディスク構成をそれぞれ示す。この上面耐熱層
４の無機誘電体膜の膜厚として40nm以下の薄い膜厚領域
を選ぶことが重要である。さらに保護板としてポリカー
ボネイト板を接着剤で密着する。130mmのディスクとし
て、2400rpm回転でf1＝5.33MHZの信号と、f2＝2.0MHzの
信号のオーバーライト特性を測定する。オーバーライト
は１ケのサークルスポットφ１μｍのレーザー光によ
り、高いパワーレベル14mW,低いパワーレベル6mWのパワ
ーレベル間の変調で、高いパワーレベルで非晶質化マー
クを形成し、低いパワーレベルで非晶質化マークを結晶
化して消去する同時消録の方法である。第２図に上面耐
熱層の膜厚と記録のサイクル特性の関係を示す。耐熱層
の膜厚は200nm,80nm,40nm,20nm,15nm,そして、10nmであ
る。放射反射層としては、Alあるいは、Au、NiCr等の合
金膜を用いる。記録特性はジッタであらわす。１サイク
ル目つまりジッタの初期値はすべて50％以下である。上
面の耐熱層の膜厚が200nmと厚い場合、ジッタは、10000
サイクルを超えると増大がみられる。80nmの場合、ジッ
タは、100000サイクルを越えると増大がみられる。40n
m,20nm,10nmの上面耐熱層では、熱膨張が小さく、膨張
量の差も小さく、1000000サイクル以上でジッタは50％
以下で、ビットエラーレイトの増大はみられない。
実施例２ 耐熱層に用いる誘電体膜のZnSあるいは、ZnSeへのSiO
2の混合比を選ぶ。SiO2の混合比20モル％,30モル％，お
よび40モル％では、サイクル特性に差がある。40モル％
と多い膜では10万サイクル以上でビットエラーレイトの
増大が発生する。20モル％および30モル％ではサイクル
特性が安定である。
2の混合比を選ぶ。SiO2の混合比20モル％,30モル％，お
よび40モル％では、サイクル特性に差がある。40モル％
と多い膜では10万サイクル以上でビットエラーレイトの
増大が発生する。20モル％および30モル％ではサイクル
特性が安定である。
実施例３ 記録薄膜としては、膜厚が薄い方が熱容量が小さく、
感度が高い。さらに、上面耐熱層が薄いほどジッタが小
さい。又、記録薄膜の膜厚より、上面耐熱層を薄くする
ことにより耐熱層の膨張を、記録薄膜より小さくでき
る。したがって、記録薄膜の膜厚30nm以下の領域で、さ
らに、上面耐熱層膜厚を記録膜膜厚以下にすることによ
り、感度、ジッタおよびサイクル特性のすぐれる記録消
去部材を得る。記録部材の構成は、下面と上面に耐熱層
を設けた記録薄膜および、上面の耐熱層の上に放熱金属
層の反射層を設けてなる。記録のサイクル特性は、ビッ
トエラー特性およびジッタで評価して、上面耐熱層の膜
厚40nm以下の薄い急冷構成の領域で1000000サイクル以
上の特性を得ることができる。
感度が高い。さらに、上面耐熱層が薄いほどジッタが小
さい。又、記録薄膜の膜厚より、上面耐熱層を薄くする
ことにより耐熱層の膨張を、記録薄膜より小さくでき
る。したがって、記録薄膜の膜厚30nm以下の領域で、さ
らに、上面耐熱層膜厚を記録膜膜厚以下にすることによ
り、感度、ジッタおよびサイクル特性のすぐれる記録消
去部材を得る。記録部材の構成は、下面と上面に耐熱層
を設けた記録薄膜および、上面の耐熱層の上に放熱金属
層の反射層を設けてなる。記録のサイクル特性は、ビッ
トエラー特性およびジッタで評価して、上面耐熱層の膜
厚40nm以下の薄い急冷構成の領域で1000000サイクル以
上の特性を得ることができる。
発明の効果 １）ジッタが50％以下で、ビットエラー特性のサイクル
特性が100万サイクル以上に向上する。
特性が100万サイクル以上に向上する。
２）C/N比および消去率の高い部材を得る。
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消
去部材の上面耐熱層の膜厚とサイクル特性をあらわす
図、第２図（ａ）は上面耐熱層の厚い従来のディスク構
成の断面図、第２図（ｂ）は上面耐熱層の薄いディスク
構成の断面図である。 １……基板、２……下面耐熱層、３……記録薄膜層、４
……上面耐熱層、５……反射層。
去部材の上面耐熱層の膜厚とサイクル特性をあらわす
図、第２図（ａ）は上面耐熱層の厚い従来のディスク構
成の断面図、第２図（ｂ）は上面耐熱層の薄いディスク
構成の断面図である。 １……基板、２……下面耐熱層、３……記録薄膜層、４
……上面耐熱層、５……反射層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 和夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−259855（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】基板上に設けられた第１の耐熱層と、前記
第１の耐熱層の上に設けられたレーザー光の照射によ
り、そのエネルギーを吸収して昇温し、溶融し、急冷
し、アモルファス化する性質と、アモルファスの状態を
昇温することにより、結晶化する性質とを有する記録薄
膜と、前記記録薄膜層の上に設けられた第２の耐熱層
と、前記第２の耐熱層の上に設けられた放熱反射層とか
ら構成され、前記第２の耐熱層の厚さを40nm以下の薄膜
にすることを特徴とする光学情報記録再生消去部材。 - 【請求項２】記録薄膜層の単位面積当たりの熱容量を1.
0×10-6cal/cm2以下に選ぶことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光学情報記録再生消去部材。 - 【請求項３】第１および第２の耐熱層として、熱膨張係
数が１×10-5以下の誘電体を用いることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光学情報記録再生消去部材。 - 【請求項４】第１および第２の耐熱層として、ZnS,ZnSe
のすくなくとも１種とSiO2の混合膜からなる誘電体を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
情報記録再生消去部材。 - 【請求項５】第２の耐熱層の厚さを30nm以下の薄膜にす
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学情
報記録再生消去部材。 - 【請求項６】SiO2の量を、40モル％以下に選ぶことを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学情報記録再生
消去部材。 - 【請求項７】記録薄膜層としてTe,Ge,Sbからなる材料を
用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
学情報記録再生消去部材。 - 【請求項８】記録薄膜層として、その膜厚を30nm以下に
選ぶとともに、第２の耐熱層の膜厚を、前記記録薄膜層
の膜厚以下に選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光学情報記録再生消去部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318051A JP2523907B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 光学情報記録再生消去部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318051A JP2523907B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 光学情報記録再生消去部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178050A JPH03178050A (ja) | 1991-08-02 |
| JP2523907B2 true JP2523907B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=18094937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1318051A Expired - Lifetime JP2523907B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 光学情報記録再生消去部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523907B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5289453A (en) * | 1990-03-14 | 1994-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording method |
| JP2006525616A (ja) * | 2003-05-07 | 2006-11-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 高速記録用追記型光記録担体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
| JPH0690808B2 (ja) * | 1987-04-17 | 1994-11-14 | 松下電器産業株式会社 | 光学式情報記録部材 |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP1318051A patent/JP2523907B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03178050A (ja) | 1991-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100531 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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