JPH03178050A - 光学情報記録再生消去部材 - Google Patents
光学情報記録再生消去部材Info
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- JPH03178050A JPH03178050A JP1318051A JP31805189A JPH03178050A JP H03178050 A JPH03178050 A JP H03178050A JP 1318051 A JP1318051 A JP 1318051A JP 31805189 A JP31805189 A JP 31805189A JP H03178050 A JPH03178050 A JP H03178050A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザービーム等により、情報を高密度、大容
量で記録再生 及び消去できる光学情報記録再生消去部
材に関するものであも 従来の技術 光デイスクメモリに関してｌｅｔ、 ＴｅとＴｅｒａ
を主成分とするＴｅ０ｘ（０＜ ｘ＜ ２．０）薄膜を
用いた追記型のディスクがある。さらに レーザー光に
より薄膜を加熱し 溶融し 急冷することにより、非晶
質化し情報を記録しまたこれを加熱し 徐冷することに
より結晶化し 消去することができる材料として１．ｌ
ｔ、 Ｓ、 Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｋｙ （ｘス・アー
ル・オプシンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ＋ｓＴ
ｅ・＋５ｂｅＳ＊等が知られている。ま？Ｑ Ａｓ＊
ＳｓやＡｓｖ Ｓｅａあるいは５ｂ２Ｓｅａ等カルコゲ
ン元素と周期律表第Ｖ族るいはＧｅ等の第Ｖ族元素等の
組み合せからなる薄膜等が広く知られていも これらの
薄膜にレーザー光で情報を記録し その情報を消去する
方法としてはあらかじめ薄膜を結晶化させておき、これ
にφ１μｍに絞ったレーザー光を情報に対応させて強度
変調を施し 例えば 円盤状の記録ディスクを回転せし
めて照射し このレーザー光照射部位（友 薄膜の融点
以上に昇温し かつ急冷し 非晶質化したマークとして
情報の記録がおこなえも この情報を消去するに際して
はディスクの回転トラック方向に長いスポット光を照射
することにより、薄膜を加熱昇温させ、長いスポット光
による徐冷効果によって再び結晶化させる方法が知られ
ていも さらに 記録溶融ピークパワーと消去結晶化バ
イアスパワーの変調レーザー光の照射により、オーバラ
イドする方法も沁られていも 発明が解決しようとする課題 薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇温結
晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体
における第一の課題は加熱サイクルに対応して信号品質
が変動することであん この変動要因として（友 記録
スポット光および消去スポット光による４００℃以上の
急速な加臥 冷却の多数回のくりかえし刺激による基板
材質の熱直機械的な損傷があ瓜 さら＆へ 記録薄膜の
熱舷機械的な損傷があん 記録薄膜についてＧ−Ｌ
融点以上の加熱において、溶融による体積膨張およべそ
の構成元素によって（上 薄膜構成材料の蒸気圧が上昇
し 構成成分の蒸発により、組成 成分の移動による膜
厚変化が発生する場合もあも 同時屹 記録薄膜の上面
と下面の耐熱層が昇温し 非対称に膨張し 記録薄膜物
質の移動を助長すん基板あるいは記録膜が以上のような
変化を生じた場合、記録再生 消去のサイクルにおいて
、ノイズの増大を生改 サイクル特性の劣化が発生する
という課題があった 第二の課題（よ 非晶質マークの
不均一性であも レーザー光照射部が溶融し急冷し 非
晶質マークが形成するとき、冷却速度によって（友 一
部結晶化をともなう場合があもこれが信号品質を低下さ
せるという課題があっ１゜本発明の第一の目的はサイク
ル特性の安定な部材を提供することであム 第二の目的
ζよ 信号品質を向上することであも 課題を解決するための手段 本発明（上 上記目的を達成するためにレーザー光等の
照射により熱的に薄膜の状態を変化させて情報を記録お
よび消去する部材において、基板の上に形成した第１の
耐熱層と記録薄膜層と、第２の耐熱層および、放熱反射
層とからなる構成で、記録薄膜層と放熱反射層の間の第
２の耐熱層を４゜ｎｍ以下の薄い膜厚構成に選ぶことを
特徴とする光学情報記録再生消去部材を提供するもので
あも作用 Ｔｅを含む非晶質膜は その融点は代表的なもので４０
０℃から９００℃と広い温度範囲にあも これらの膜に
レーザー光を照射し 昇温急冷することにより結晶化が
行えも この温度ζよ −船釣に融点より低い結晶化温
度領域であも また この結晶化した膜に高いパワーレ
ベルのレーザー光をあて、その融点以上に加熱すると、
その部分は溶融し急冷し 再び非晶質化し マークが形
成できも この時、まず記録薄膜が昇温し 溶融膨張す
るとともに 記録薄膜層が熱源となって上面およ訳 下
面の耐熱層を加熱すも この耐熱層の膨張量がマークの
前部と後部で非対称な場合、その体積差に相当する記録
薄膜物質の移動が発生ずん 耐熱層の膨張量を小さくす
る構成を選ぶことにより、記録薄膜物質移動による記録
部材の劣化を阻止することが出来る。また 記録薄膜層
の冷却速度を上げることにより、非晶質マークを均質に
することができる。
量で記録再生 及び消去できる光学情報記録再生消去部
材に関するものであも 従来の技術 光デイスクメモリに関してｌｅｔ、 ＴｅとＴｅｒａ
を主成分とするＴｅ０ｘ（０＜ ｘ＜ ２．０）薄膜を
用いた追記型のディスクがある。さらに レーザー光に
より薄膜を加熱し 溶融し 急冷することにより、非晶
質化し情報を記録しまたこれを加熱し 徐冷することに
より結晶化し 消去することができる材料として１．ｌ
ｔ、 Ｓ、 Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｋｙ （ｘス・アー
ル・オプシンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ＋ｓＴ
ｅ・＋５ｂｅＳ＊等が知られている。ま？Ｑ Ａｓ＊
ＳｓやＡｓｖ Ｓｅａあるいは５ｂ２Ｓｅａ等カルコゲ
ン元素と周期律表第Ｖ族るいはＧｅ等の第Ｖ族元素等の
組み合せからなる薄膜等が広く知られていも これらの
薄膜にレーザー光で情報を記録し その情報を消去する
方法としてはあらかじめ薄膜を結晶化させておき、これ
にφ１μｍに絞ったレーザー光を情報に対応させて強度
変調を施し 例えば 円盤状の記録ディスクを回転せし
めて照射し このレーザー光照射部位（友 薄膜の融点
以上に昇温し かつ急冷し 非晶質化したマークとして
情報の記録がおこなえも この情報を消去するに際して
はディスクの回転トラック方向に長いスポット光を照射
することにより、薄膜を加熱昇温させ、長いスポット光
による徐冷効果によって再び結晶化させる方法が知られ
ていも さらに 記録溶融ピークパワーと消去結晶化バ
イアスパワーの変調レーザー光の照射により、オーバラ
イドする方法も沁られていも 発明が解決しようとする課題 薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇温結
晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体
における第一の課題は加熱サイクルに対応して信号品質
が変動することであん この変動要因として（友 記録
スポット光および消去スポット光による４００℃以上の
急速な加臥 冷却の多数回のくりかえし刺激による基板
材質の熱直機械的な損傷があ瓜 さら＆へ 記録薄膜の
熱舷機械的な損傷があん 記録薄膜についてＧ−Ｌ
融点以上の加熱において、溶融による体積膨張およべそ
の構成元素によって（上 薄膜構成材料の蒸気圧が上昇
し 構成成分の蒸発により、組成 成分の移動による膜
厚変化が発生する場合もあも 同時屹 記録薄膜の上面
と下面の耐熱層が昇温し 非対称に膨張し 記録薄膜物
質の移動を助長すん基板あるいは記録膜が以上のような
変化を生じた場合、記録再生 消去のサイクルにおいて
、ノイズの増大を生改 サイクル特性の劣化が発生する
という課題があった 第二の課題（よ 非晶質マークの
不均一性であも レーザー光照射部が溶融し急冷し 非
晶質マークが形成するとき、冷却速度によって（友 一
部結晶化をともなう場合があもこれが信号品質を低下さ
せるという課題があっ１゜本発明の第一の目的はサイク
ル特性の安定な部材を提供することであム 第二の目的
ζよ 信号品質を向上することであも 課題を解決するための手段 本発明（上 上記目的を達成するためにレーザー光等の
照射により熱的に薄膜の状態を変化させて情報を記録お
よび消去する部材において、基板の上に形成した第１の
耐熱層と記録薄膜層と、第２の耐熱層および、放熱反射
層とからなる構成で、記録薄膜層と放熱反射層の間の第
２の耐熱層を４゜ｎｍ以下の薄い膜厚構成に選ぶことを
特徴とする光学情報記録再生消去部材を提供するもので
あも作用 Ｔｅを含む非晶質膜は その融点は代表的なもので４０
０℃から９００℃と広い温度範囲にあも これらの膜に
レーザー光を照射し 昇温急冷することにより結晶化が
行えも この温度ζよ −船釣に融点より低い結晶化温
度領域であも また この結晶化した膜に高いパワーレ
ベルのレーザー光をあて、その融点以上に加熱すると、
その部分は溶融し急冷し 再び非晶質化し マークが形
成できも この時、まず記録薄膜が昇温し 溶融膨張す
るとともに 記録薄膜層が熱源となって上面およ訳 下
面の耐熱層を加熱すも この耐熱層の膨張量がマークの
前部と後部で非対称な場合、その体積差に相当する記録
薄膜物質の移動が発生ずん 耐熱層の膨張量を小さくす
る構成を選ぶことにより、記録薄膜物質移動による記録
部材の劣化を阻止することが出来る。また 記録薄膜層
の冷却速度を上げることにより、非晶質マークを均質に
することができる。
実施例１
記録層である薄膜を形成する基板ｌとして（よあらかじ
△ レーザー光案内用の溝あるいは ビット列を形成し
たポリカーボネイト等の樹脂基板あるい（よ ガラス板
を用いも この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎ
ＳあるいはＺｎＳｅあるいは８１０２等の第１の下面無
機誘電体層である下面耐熱層２を形成しておく。この誘
電体層としては５ｉＯｐを１５モル％以上含ませたＺｎ
Ｓ誘電体層が好１い１Ｚｎｓの代わり４Ｑ ＺｎＳｅ
を用いてもよ（１例えば線膨張係数ｉｔ ＺｎＳでは
？、５Ｘ １０−’／ｌであ’）Ｏ５ｉｏｓでζ上５．
５ｘ １０−’／ｌ：と小さ鶏 この上に Ｔｅ−Ｇｅ
−３ｂからなる合金薄膜の記録薄膜層３を形威すも さ
らにこの記録薄膜層３の上に第２の上面無機誘電体層で
ある上面耐熱層４を設けることにより耐熱性の向上をは
かることができも 薄膜形成の方法としては 真空蒸着
あるいは スパッタ法が使用できも 上面耐熱層４の上
に放熱および、光反射を行わせる金属層の反射層５を設
けも 第１図（ａ）、（ｂ）に上面耐熱層４の厚いディ
スク構成および、薄いディスク構成をそれぞれ示す。こ
の上面耐熱層４の無機誘電体膜の膜厚として４０ｎｍ以
下の薄い膜厚領域を選ぶことが重要であも さらに保護
板としてポリカーボネイト板を接着剤で密着す７ｈ
１３０ｍｍのディスクとして、２４０Ｏｒｐｍ回転でｆ
ｌ＝５．３３ＭＨｚの信号と、ｆ２−２．０ＭＨｚの信
号のオーバーライド特性を測定する。オーバーライドは
ｌケのサークルスポットφ１μｍのレーザー光により、
高いパワーレベル１４ｍＷ、低いパワーレベル６ｍＷの
パワーレベル間の変調で、高いパワーレベルで非晶質化
マークを形成し 低いパワーレベルで非晶質化マークを
結晶化して消去する同時消録の方法であも 第２図に上
面耐熱層の膜厚と記録のサイクル特性の関係を示す。耐
熱層の膜厚は２００ｎｍ、 ８０ｎｍ、 ４０ｎｍ、
２０ｎｍ、 １５ｎｍ、そして、１０ｎｍであも 放熱
反射層としてｉｔ ＡｌあるいＩＩ Ａｕ、ＮｉＣ
ｒ等の合金膜を用いも 記録特性はジッタであられｔ′
ｏ ｌサイクル目つまりジッタの初期値はすべて５０％
以下であん 上面の耐熱層の膜厚が２００ｎｍと厚い場
合、ジッタζ１ １００００サイクルを超えると増大が
みられ７）、、 ８０ｎｍの場合、ジッタ＋１ １０
００００サイクルを越えると増大がみられる。４０ｎｍ
、 ２０ｎｍ、 １０ｒ＋ｍの上面耐熱層で（上 熱膨
張が小さく、膨張量の差も小さく、１００００００サイ
クル以上でジッタは５０％以下で、ピットエラーレイト
の増大はみられなＩ、％ 実施例２ 耐熱層に用いる誘電体膜のＺｎＳあるい１１ ＺｎＳ
ｅへの５ｉｄｅの混合比を選Ａ ５ｉｄｅの混合比２
０モル％、３０モル％、および４０モル％で！上 サイ
クル特性に差があモ４０モル％と多い膜では１０万サイ
クル以上でピットエラーレイトの増大が発生ずん２０モ
ル％および３０モル％ではサイクル特性が安定であも実
施例３ 記録薄膜として（友 膜厚が薄い方が熱容量が小さく、
感度が廃鶏 さらに 上面耐熱層が薄いほどジッタが小
さ鶏 又 記録薄膜の膜厚より、上面耐熱層を薄くする
ことにより耐熱層の膨張を、記録薄膜より小さくできも
したがって、記録薄膜の膜厚３０ｎｍ以下の領域で、
さらに 上面耐熱層膜厚を記録膜膜厚以下にすることに
より、Ｗｌｋ＆ジッタおよびサイクル特性のすぐれる記
録消去部材を得も 記録部材の構成は 下面と上面に耐
熱層を設けた記録薄膜および、上面の耐熱層の上に放熱
金属層の反射層を設けてなん 記録のサイクル特性Ｃヨ
ビットエラー特性およびジッタで評価して、上面耐
熱層の膜厚４０ｎｍ以下の薄い急冷構成の領域で１００
００００サイクル以上の特性を得ることができも 発明の効果 ■）ジッタが５０％以下で、 ビットエラー特性のサイ
クル特性が１００万サイクル以上に向上すも２）Ｃ／Ｎ
比および消去率の高い部材を得も
△ レーザー光案内用の溝あるいは ビット列を形成し
たポリカーボネイト等の樹脂基板あるい（よ ガラス板
を用いも この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎ
ＳあるいはＺｎＳｅあるいは８１０２等の第１の下面無
機誘電体層である下面耐熱層２を形成しておく。この誘
電体層としては５ｉＯｐを１５モル％以上含ませたＺｎ
Ｓ誘電体層が好１い１Ｚｎｓの代わり４Ｑ ＺｎＳｅ
を用いてもよ（１例えば線膨張係数ｉｔ ＺｎＳでは
？、５Ｘ １０−’／ｌであ’）Ｏ５ｉｏｓでζ上５．
５ｘ １０−’／ｌ：と小さ鶏 この上に Ｔｅ−Ｇｅ
−３ｂからなる合金薄膜の記録薄膜層３を形威すも さ
らにこの記録薄膜層３の上に第２の上面無機誘電体層で
ある上面耐熱層４を設けることにより耐熱性の向上をは
かることができも 薄膜形成の方法としては 真空蒸着
あるいは スパッタ法が使用できも 上面耐熱層４の上
に放熱および、光反射を行わせる金属層の反射層５を設
けも 第１図（ａ）、（ｂ）に上面耐熱層４の厚いディ
スク構成および、薄いディスク構成をそれぞれ示す。こ
の上面耐熱層４の無機誘電体膜の膜厚として４０ｎｍ以
下の薄い膜厚領域を選ぶことが重要であも さらに保護
板としてポリカーボネイト板を接着剤で密着す７ｈ
１３０ｍｍのディスクとして、２４０Ｏｒｐｍ回転でｆ
ｌ＝５．３３ＭＨｚの信号と、ｆ２−２．０ＭＨｚの信
号のオーバーライド特性を測定する。オーバーライドは
ｌケのサークルスポットφ１μｍのレーザー光により、
高いパワーレベル１４ｍＷ、低いパワーレベル６ｍＷの
パワーレベル間の変調で、高いパワーレベルで非晶質化
マークを形成し 低いパワーレベルで非晶質化マークを
結晶化して消去する同時消録の方法であも 第２図に上
面耐熱層の膜厚と記録のサイクル特性の関係を示す。耐
熱層の膜厚は２００ｎｍ、 ８０ｎｍ、 ４０ｎｍ、
２０ｎｍ、 １５ｎｍ、そして、１０ｎｍであも 放熱
反射層としてｉｔ ＡｌあるいＩＩ Ａｕ、ＮｉＣ
ｒ等の合金膜を用いも 記録特性はジッタであられｔ′
ｏ ｌサイクル目つまりジッタの初期値はすべて５０％
以下であん 上面の耐熱層の膜厚が２００ｎｍと厚い場
合、ジッタζ１ １００００サイクルを超えると増大が
みられ７）、、 ８０ｎｍの場合、ジッタ＋１ １０
００００サイクルを越えると増大がみられる。４０ｎｍ
、 ２０ｎｍ、 １０ｒ＋ｍの上面耐熱層で（上 熱膨
張が小さく、膨張量の差も小さく、１００００００サイ
クル以上でジッタは５０％以下で、ピットエラーレイト
の増大はみられなＩ、％ 実施例２ 耐熱層に用いる誘電体膜のＺｎＳあるい１１ ＺｎＳ
ｅへの５ｉｄｅの混合比を選Ａ ５ｉｄｅの混合比２
０モル％、３０モル％、および４０モル％で！上 サイ
クル特性に差があモ４０モル％と多い膜では１０万サイ
クル以上でピットエラーレイトの増大が発生ずん２０モ
ル％および３０モル％ではサイクル特性が安定であも実
施例３ 記録薄膜として（友 膜厚が薄い方が熱容量が小さく、
感度が廃鶏 さらに 上面耐熱層が薄いほどジッタが小
さ鶏 又 記録薄膜の膜厚より、上面耐熱層を薄くする
ことにより耐熱層の膨張を、記録薄膜より小さくできも
したがって、記録薄膜の膜厚３０ｎｍ以下の領域で、
さらに 上面耐熱層膜厚を記録膜膜厚以下にすることに
より、Ｗｌｋ＆ジッタおよびサイクル特性のすぐれる記
録消去部材を得も 記録部材の構成は 下面と上面に耐
熱層を設けた記録薄膜および、上面の耐熱層の上に放熱
金属層の反射層を設けてなん 記録のサイクル特性Ｃヨ
ビットエラー特性およびジッタで評価して、上面耐
熱層の膜厚４０ｎｍ以下の薄い急冷構成の領域で１００
００００サイクル以上の特性を得ることができも 発明の効果 ■）ジッタが５０％以下で、 ビットエラー特性のサイ
クル特性が１００万サイクル以上に向上すも２）Ｃ／Ｎ
比および消去率の高い部材を得も
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消
去部材の上面耐熱層の膜厚とサイクル特性をあられず＠
第２図（ａ）は上面耐熱層の厚い従来のディスク構戊
の断面は 第２図（ｂ）は上面耐熱層の薄いディスク構
戊の断面図であも
去部材の上面耐熱層の膜厚とサイクル特性をあられず＠
第２図（ａ）は上面耐熱層の厚い従来のディスク構戊
の断面は 第２図（ｂ）は上面耐熱層の薄いディスク構
戊の断面図であも
Claims (8)
- （１）基板上に設けられた第１の耐熱層と、前記第１の
耐熱層の上に設けられたレーザー光の照射により、その
エネルギーを吸収して昇温し、溶融し、急冷し、アモル
ファス化する性質とをアモルファスの状態を昇温するこ
とにより、結晶化する性質とを有する記録薄膜と、前記
記録薄膜層の上に設けられた第２の耐熱層と、前記第２
の耐熱層の上に設けられた放熱反射層とから構成され、
前記第２の耐熱層の厚さを４０ｎｍ以下の薄膜にするこ
とを特徴とする光学情報記録再生消去部材。 - （２）記録薄膜層の単位面積当たりの熱容量を１．０×
１０＾−＾６ｃａｌ／ｃｍ＾２以下に選ぶことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録再生消去
部材。 - （３）第１および第２の耐熱層として、熱膨張係数が１
×１０＾−＾５以下の誘電体を用いることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録再生消去部材
。 - （４）第１および第２の耐熱層として、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅのすくなくとも１種とＳｉＯ＿２の混合膜からなる誘
電体膜を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学情報記録再生消去部材。 - （５）第２の耐熱層の厚さを３０ｎｍ以下の薄膜にする
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学情報
記録再生消去部材。 - （６）ＳｉＯ＿２の量を、４０モル％以下に選ぶことを
特徴とする特許請求の範囲第５項記載の光学情報記録再
生消去部材。 - （７）記録薄膜層としてＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂからなる材料
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光学情報記録再生消去部材。 - （８）記録薄膜層として、その膜厚を３０ｎｍ以下に選
ぶとともに第２の耐熱層の膜厚を、前記記録薄膜層の膜
厚以下に選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光学情報記録再生消去部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318051A JP2523907B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 光学情報記録再生消去部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318051A JP2523907B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 光学情報記録再生消去部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178050A true JPH03178050A (ja) | 1991-08-02 |
| JP2523907B2 JP2523907B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=18094937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1318051A Expired - Lifetime JP2523907B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 光学情報記録再生消去部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523907B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5289453A (en) * | 1990-03-14 | 1994-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording method |
| WO2004100140A1 (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Write-once optical record carrier for high-speed recording |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
| JPS63259855A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録部材 |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP1318051A patent/JP2523907B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
| JPS63259855A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録部材 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5289453A (en) * | 1990-03-14 | 1994-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording method |
| WO2004100140A1 (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Write-once optical record carrier for high-speed recording |
| US8129012B2 (en) | 2003-05-07 | 2012-03-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Write-once optical record carrier for high-speed recording |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2523907B2 (ja) | 1996-08-14 |
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