JPH03232133A - 光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法 - Google Patents
光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法Info
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- JPH03232133A JPH03232133A JP2027497A JP2749790A JPH03232133A JP H03232133 A JPH03232133 A JP H03232133A JP 2027497 A JP2027497 A JP 2027497A JP 2749790 A JP2749790 A JP 2749790A JP H03232133 A JPH03232133 A JP H03232133A
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Landscapes
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザビーム等により、情報を高密嵐大容量で
記録再生及び消去できる光記録媒体および光記録媒体用
保護膜並びにその保護膜の製法に関するものであも 従来の技術 光デイスクメモリに関してζ↓ ＴｅとＴａＯ２を主成
分とするＴａＯｘ（０＜ ｘ＜ ２．０）薄膜を用いた
追記型のディスクがある。また繰り返し記録・消去が可
能な消去ディスクが実用化されつつある。この消去ディ
スクはレーザ光により記録薄膜を加熱し 溶融獣 急冷
することにより、非晶質化して情報を記録し またこれ
らを加熱し徐冷することにより結晶化して消去すること
ができるものである力丈 この記録薄膜の材料さしては
Ｓ、 Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｋｙ （ニス・アール・オプ
シンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ＋ ｓ Ｔｅｓ
＋ Ｓｂａ Ｓ２等が知られてる。ま？Ｑ、 Ａｓ
２Ｓ３やＡｓ２ Ｓｅｓあるいは５ｂａＳｅａ等カルコ
ゲン元素と周期律表第■族あるいはＧｅ等の第１Ｖ族元
素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られている。こ
れらの薄膜をレーザ光ガイド用の溝を設けた基板に形成
し光ディスクとし用いることができも これらのディス
クにレーザ光で情報を記録し その情報を消去する方法
としてはあらかじめ薄膜を結晶化させておき、これに約
１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応させて強度変調を
施し 例えば円盤状の記録ディスクを回転せしめて照射
した場合、このピークパワーレーザ光照射部位は 薄膜
の融点以上に昇温し かつ急冷し 非晶質化したマーク
として情報の記録がおこなえる。またこの変調バイアス
パワーレーザ光照射部位（上 薄膜の結晶化温度以上に
昇温し 既記緑信号情報を消去する働きがあリオーバラ
イトできも このように記録薄膜はレーザ光によって融
点以上に昇温し また結晶化温度以上に昇温されるもの
である。このため記録薄膜の下面および上面番へ 耐熱
性のすぐれた誘電体層を基板および接着層に対する保護
層として設けているのが一般的であム これらの保護層
の熱伝導特性により、昇温および急冷 徐冷の特性が変
わるものであるか収 保護層の材質を選ぶことによって
記録および消去の特性を決めろことができるものである
。
記録再生及び消去できる光記録媒体および光記録媒体用
保護膜並びにその保護膜の製法に関するものであも 従来の技術 光デイスクメモリに関してζ↓ ＴｅとＴａＯ２を主成
分とするＴａＯｘ（０＜ ｘ＜ ２．０）薄膜を用いた
追記型のディスクがある。また繰り返し記録・消去が可
能な消去ディスクが実用化されつつある。この消去ディ
スクはレーザ光により記録薄膜を加熱し 溶融獣 急冷
することにより、非晶質化して情報を記録し またこれ
らを加熱し徐冷することにより結晶化して消去すること
ができるものである力丈 この記録薄膜の材料さしては
Ｓ、 Ｒ，０ｖｓｈｉｎｓｋｙ （ニス・アール・オプ
シンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ＋ ｓ Ｔｅｓ
＋ Ｓｂａ Ｓ２等が知られてる。ま？Ｑ、 Ａｓ
２Ｓ３やＡｓ２ Ｓｅｓあるいは５ｂａＳｅａ等カルコ
ゲン元素と周期律表第■族あるいはＧｅ等の第１Ｖ族元
素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られている。こ
れらの薄膜をレーザ光ガイド用の溝を設けた基板に形成
し光ディスクとし用いることができも これらのディス
クにレーザ光で情報を記録し その情報を消去する方法
としてはあらかじめ薄膜を結晶化させておき、これに約
１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応させて強度変調を
施し 例えば円盤状の記録ディスクを回転せしめて照射
した場合、このピークパワーレーザ光照射部位は 薄膜
の融点以上に昇温し かつ急冷し 非晶質化したマーク
として情報の記録がおこなえる。またこの変調バイアス
パワーレーザ光照射部位（上 薄膜の結晶化温度以上に
昇温し 既記緑信号情報を消去する働きがあリオーバラ
イトできも このように記録薄膜はレーザ光によって融
点以上に昇温し また結晶化温度以上に昇温されるもの
である。このため記録薄膜の下面および上面番へ 耐熱
性のすぐれた誘電体層を基板および接着層に対する保護
層として設けているのが一般的であム これらの保護層
の熱伝導特性により、昇温および急冷 徐冷の特性が変
わるものであるか収 保護層の材質を選ぶことによって
記録および消去の特性を決めろことができるものである
。
発明が解決しようとする課題
薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇温結
晶化の手段を用いる情報記録および消去可能なオーバラ
イド記録媒体における第一の課題は消去特性、第二の課
題は記録消去のサイクル特性であも 消去特性について
はＴｅを含む非晶質膜は その融点は代表的なもので４
００℃〜９００℃と広い温度範囲にある。これらの薄膜
にレーザ光を照射し 昇温徐冷することにより結晶化が
行える。
晶化の手段を用いる情報記録および消去可能なオーバラ
イド記録媒体における第一の課題は消去特性、第二の課
題は記録消去のサイクル特性であも 消去特性について
はＴｅを含む非晶質膜は その融点は代表的なもので４
００℃〜９００℃と広い温度範囲にある。これらの薄膜
にレーザ光を照射し 昇温徐冷することにより結晶化が
行える。
この温度は一般的に融点より低い結晶化温度領域である
。またこの結晶化した膜に高いパワーレベルのレーザ光
をあて、その融点以上に加熱するとその部分は溶融し急
冷し 再び非晶質化してマークが形成できも 記録マー
クとして非晶質化を選ぶと、このマーク（戴 記録薄膜
が溶融し急冷されて形成されるものであるか収 冷却速
度が速いほど非晶質状態の均一なものが得られ信号振幅
が向上する。冷却速度が遅い場合はマークの中心と周辺
で非晶質化の程度に差が発生ず４ 次に結晶化消去に際
してＣ１レーザ光の照射により既に記録が行われている
非晶質マーク部を、結晶化温度以上に昇温し結晶化させ
てこのマークを消去すａこの時、マークが均一に結晶化
するときは消去特性が向上する力丈 記録マークが不均
一な場合は結晶化消去の状態が不均一となり、消去特性
が低下するという課題があった 記録消去のサイクル特
性については加九 冷却の多数回の繰り返しによるディ
スク基板あるいは保護層の熱的な損傷がある。ディスク
基板あるいは保護層が熱的な損傷を受けた場合、記録再
生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大を生じサイ
クル特性の劣化が発生するという課題があっな 本発明
の目的は記録消去特性に優れ サイクル特性の安定な光
ディスクを提供することであも 課題を解決するための手段 本発明は透明基板の一方の面に 第一の保護凰記録薄焦
第二の保護層 反射層を順次形成レレーザ光等の照射
により熱的に記録薄膜の光学的な状態を変化させて情報
を記録および消去する媒体において、第二 第二の保護
層としＺｎＳと５ｉ０２の混合膜に窒素を含ませた誘電
体層を用いるものであム 作用 すなわち保護層としてＺｎＳとＳｉＯ２の混合膜に窒素
を含ませた誘電体を用いることによって、誘電体がＺｎ
ＳとＳｉＯ２の混合膜とＺｎやＳｉ等の窒化物の混合体
となって、遊離したＺｎ、 Ｓｉ等の少な（＼ すなわ
ち欠陥の少ない緻密な膜となって、機械的強度が向上し
多数回の記録・消去の繰り返しに対して効果が大きいも
のであも また保護層そのものの熱伝導率も大きくなり
、このことは記録薄膜の冷却速度を速くする効果があり
、第二の保護層の膜厚を薄くして、金属層からなる反射
層と記録薄膜を近づけることによる急冷効果とあいまっ
て、記録薄膜を加熱急冷して得られる記録マークが均一
な非晶質状態となって、記録マークが不均一な場合に生
じる結晶化消去時の不均一な状態の発生を防止すること
ができて、消去特性を向上させることが出来るものであ
も 実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図において、 １はディスク基板でポリカーボネイト
等の樹脂基板からなっていも このディスク基板１はあ
らかじめレーザ光案内用の溝を形成した樹脂基板あるい
は２Ｐ法で溝を形成したガラス板 ガラス板に直接溝を
形成した基板であってもよし−２は第一の保護層でＺｎ
Ｓ−８ｉＯ２の混合膜に窒素を含ませた誘電対からなっ
ており、膜厚は約１５０ｎｏであ４３は記録薄膜でＴｅ
−Ｇｅ−８ｂからなる合金薄膜であり、膜厚は約３０ｎ
ｍであム ４は第二の保護層で第一の保護層２と同じ材
料からなっており、膜厚は約２０ｎｍであａ ５はＡ１
からなる反射層で膜厚は約６０ｎｍであム ６は保護板
で接着材７によってディスク基板ｌに貼り合わせてい４
図の構成において記録・消去及び再生は矢印８の方向よ
り、情報に応じて強度変調を施したレーザ光を照射して
、また反射光を検出して行うものである。ここで第二
第二の保護層２．４であるＺｎＳ−３ｉＯａ混合膜は５
ｉＣｈの比率を２０ｍｏｌ％にしている。
。またこの結晶化した膜に高いパワーレベルのレーザ光
をあて、その融点以上に加熱するとその部分は溶融し急
冷し 再び非晶質化してマークが形成できも 記録マー
クとして非晶質化を選ぶと、このマーク（戴 記録薄膜
が溶融し急冷されて形成されるものであるか収 冷却速
度が速いほど非晶質状態の均一なものが得られ信号振幅
が向上する。冷却速度が遅い場合はマークの中心と周辺
で非晶質化の程度に差が発生ず４ 次に結晶化消去に際
してＣ１レーザ光の照射により既に記録が行われている
非晶質マーク部を、結晶化温度以上に昇温し結晶化させ
てこのマークを消去すａこの時、マークが均一に結晶化
するときは消去特性が向上する力丈 記録マークが不均
一な場合は結晶化消去の状態が不均一となり、消去特性
が低下するという課題があった 記録消去のサイクル特
性については加九 冷却の多数回の繰り返しによるディ
スク基板あるいは保護層の熱的な損傷がある。ディスク
基板あるいは保護層が熱的な損傷を受けた場合、記録再
生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大を生じサイ
クル特性の劣化が発生するという課題があっな 本発明
の目的は記録消去特性に優れ サイクル特性の安定な光
ディスクを提供することであも 課題を解決するための手段 本発明は透明基板の一方の面に 第一の保護凰記録薄焦
第二の保護層 反射層を順次形成レレーザ光等の照射
により熱的に記録薄膜の光学的な状態を変化させて情報
を記録および消去する媒体において、第二 第二の保護
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を含ませた誘電体を用いることによって、誘電体がＺｎ
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ち欠陥の少ない緻密な膜となって、機械的強度が向上し
多数回の記録・消去の繰り返しに対して効果が大きいも
のであも また保護層そのものの熱伝導率も大きくなり
、このことは記録薄膜の冷却速度を速くする効果があり
、第二の保護層の膜厚を薄くして、金属層からなる反射
層と記録薄膜を近づけることによる急冷効果とあいまっ
て、記録薄膜を加熱急冷して得られる記録マークが均一
な非晶質状態となって、記録マークが不均一な場合に生
じる結晶化消去時の不均一な状態の発生を防止すること
ができて、消去特性を向上させることが出来るものであ
も 実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図において、 １はディスク基板でポリカーボネイト
等の樹脂基板からなっていも このディスク基板１はあ
らかじめレーザ光案内用の溝を形成した樹脂基板あるい
は２Ｐ法で溝を形成したガラス板 ガラス板に直接溝を
形成した基板であってもよし−２は第一の保護層でＺｎ
Ｓ−８ｉＯ２の混合膜に窒素を含ませた誘電対からなっ
ており、膜厚は約１５０ｎｏであ４３は記録薄膜でＴｅ
−Ｇｅ−８ｂからなる合金薄膜であり、膜厚は約３０ｎ
ｍであム ４は第二の保護層で第一の保護層２と同じ材
料からなっており、膜厚は約２０ｎｍであａ ５はＡ１
からなる反射層で膜厚は約６０ｎｍであム ６は保護板
で接着材７によってディスク基板ｌに貼り合わせてい４
図の構成において記録・消去及び再生は矢印８の方向よ
り、情報に応じて強度変調を施したレーザ光を照射して
、また反射光を検出して行うものである。ここで第二
第二の保護層２．４であるＺｎＳ−３ｉＯａ混合膜は５
ｉＣｈの比率を２０ｍｏｌ％にしている。
これに限定するものではなく、ＺｎＳ−８ｉ０２の混合
膜であれば窒素を含ませることによって前述した効果を
得られるものであも しかしＳｉＯ２の比率を５ｍｏｌ
％以下にすると、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合した時に得ら
れる効果 すなわち結晶粒径を小さくするという効果が
小さ（なり、５０ｍｏｌ％以上にすると、ＳｉＯ２膜の
性質が大きくなるものであるか収５ｉ０２の比率は５〜
４０ｍｏｌ％の範囲にするのが適当であつ九またＺｎＳ
−３ｉＯａ混合膜の形成方法としては −船釣には真空
蒸着あるいはスパッタ法が用いられている力（本実施例
ではアルゴンと窒素の混合ガスによるスパッタ法を用い
ている。この昧 窒素の分圧が膜質を決定する上で重要
になる力（スパッタ時の窒素分圧が１．５×１０−’
〜１．５ｘ １０−３ＴｏｒｒＯ間が適当であつ九 こ
の理由はり、５Ｘ １０−’Ｔｏｒｒよりも窒素の分圧
を小さくするとアルゴンと窒素の混合ガスによるスパッ
タ法の効果が小さくなるものであった すなわちＺｎＳ
−３ｉＯａ混合膜と窒化物の混合膜特に窒化物が出来に
くくなるものであも 逆に１゜５ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
よりも窒素の分圧を大きくすると、窒素分圧に応じてス
パッタ時の成膜効率が低下するといった課題が発生する
ため上記比率が適当であっ九 さらに第二の保護層４の
膜厚を約２０ｎｍと薄くしている力（これによって熱拡
散層となる反射層５と記録薄膜３が近くなり、記録・消
去時の記録薄膜３の熱が急速に反射層５に伝達されるこ
とになって、記録薄膜３を急冷する上で効果があるもの
であも 本実施例のディスク構成で、外径１３０ｎａ
１８００ｒｐｍ回転でｆｌ−３，４３ＭＨｚの信号ｆ
２−１．０Ｍ１（２の信号のオーバライド特性を測定し
た オーバライドｉ、ｔ、 １個のサークルスポット
で約１μｍのレーザ光により、高いパワーレベル１ロｍ
Ｗ、 低いパワーレベル８ｍＷの間の変調で、高いパ
ワーレベルで非晶質化マークを形成し 低いパワーレベ
ルで非晶質化マークを結晶化して消去する同時消録の方
法で行った この結果 記録信号のＣ／Ｎ比として４友
５５ｄＢ以上が得られ 消去特性として、オーバライド
消去率３０ｄＢ以上が得られた オーバライドのサイク
ル特性について（よ 特にピットエラーレイトの特性を
測定した結＆ １ｏｏｏｏｏｏサイクル以上劣化が見
られなかっな 発明の効果 以上 説明したように記録薄膜の両側の保護層としてＺ
ｎＳ−３ｉＯａの混合膜に窒素を含ませることによって
以下の効果を得られるものであム（１）誘電体がＺｎＳ
とＳｉＯ２の混合膜とＳｉＮ等の窒化物の混合体となっ
て、遊離したＳｉ等の少なし＼すなわち欠陥の少ない緻
密な膜となり、保護層の機械的強度が向上する。
膜であれば窒素を含ませることによって前述した効果を
得られるものであも しかしＳｉＯ２の比率を５ｍｏｌ
％以下にすると、ＺｎＳにＳｉＯ２を混合した時に得ら
れる効果 すなわち結晶粒径を小さくするという効果が
小さ（なり、５０ｍｏｌ％以上にすると、ＳｉＯ２膜の
性質が大きくなるものであるか収５ｉ０２の比率は５〜
４０ｍｏｌ％の範囲にするのが適当であつ九またＺｎＳ
−３ｉＯａ混合膜の形成方法としては −船釣には真空
蒸着あるいはスパッタ法が用いられている力（本実施例
ではアルゴンと窒素の混合ガスによるスパッタ法を用い
ている。この昧 窒素の分圧が膜質を決定する上で重要
になる力（スパッタ時の窒素分圧が１．５×１０−’
〜１．５ｘ １０−３ＴｏｒｒＯ間が適当であつ九 こ
の理由はり、５Ｘ １０−’Ｔｏｒｒよりも窒素の分圧
を小さくするとアルゴンと窒素の混合ガスによるスパッ
タ法の効果が小さくなるものであった すなわちＺｎＳ
−３ｉＯａ混合膜と窒化物の混合膜特に窒化物が出来に
くくなるものであも 逆に１゜５ｘ １Ｏ−３Ｔｏｒｒ
よりも窒素の分圧を大きくすると、窒素分圧に応じてス
パッタ時の成膜効率が低下するといった課題が発生する
ため上記比率が適当であっ九 さらに第二の保護層４の
膜厚を約２０ｎｍと薄くしている力（これによって熱拡
散層となる反射層５と記録薄膜３が近くなり、記録・消
去時の記録薄膜３の熱が急速に反射層５に伝達されるこ
とになって、記録薄膜３を急冷する上で効果があるもの
であも 本実施例のディスク構成で、外径１３０ｎａ
１８００ｒｐｍ回転でｆｌ−３，４３ＭＨｚの信号ｆ
２−１．０Ｍ１（２の信号のオーバライド特性を測定し
た オーバライドｉ、ｔ、 １個のサークルスポット
で約１μｍのレーザ光により、高いパワーレベル１ロｍ
Ｗ、 低いパワーレベル８ｍＷの間の変調で、高いパ
ワーレベルで非晶質化マークを形成し 低いパワーレベ
ルで非晶質化マークを結晶化して消去する同時消録の方
法で行った この結果 記録信号のＣ／Ｎ比として４友
５５ｄＢ以上が得られ 消去特性として、オーバライド
消去率３０ｄＢ以上が得られた オーバライドのサイク
ル特性について（よ 特にピットエラーレイトの特性を
測定した結＆ １ｏｏｏｏｏｏサイクル以上劣化が見
られなかっな 発明の効果 以上 説明したように記録薄膜の両側の保護層としてＺ
ｎＳ−３ｉＯａの混合膜に窒素を含ませることによって
以下の効果を得られるものであム（１）誘電体がＺｎＳ
とＳｉＯ２の混合膜とＳｉＮ等の窒化物の混合体となっ
て、遊離したＳｉ等の少なし＼すなわち欠陥の少ない緻
密な膜となり、保護層の機械的強度が向上する。
（２）記録信号振幅が増大り、、Ｃ／Ｎ比は５５ｄＢ以
上に向上すも （３）記録マークが均一化しオーバライド消去率が３０
ｄＢ以上に向上する。
上に向上すも （３）記録マークが均一化しオーバライド消去率が３０
ｄＢ以上に向上する。
（４）記録・消去時の冷却速度を速くできることによっ
て、多サイクル時の熱衝撃を小さくできサイクル特性が
向止すも
て、多サイクル時の熱衝撃を小さくできサイクル特性が
向止すも
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録媒体の
一部省略断面図であム ト・・・ディスク基板 ２・・・・第一の保護＃ ３・
・・・記録簿ｗＬ ４・・・・第二の保護服 ５・・・
・反射胤
一部省略断面図であム ト・・・ディスク基板 ２・・・・第一の保護＃ ３・
・・・記録簿ｗＬ ４・・・・第二の保護服 ５・・・
・反射胤
Claims (8)
- （１）透明基板の一方の面に、第一の保護膜、レーザ光
の照射により、そのエネルギーを吸収して昇温し、溶融
し、急冷し、非晶質化する性質と、非晶質の状態を昇温
することにより、結晶化する性質を有する記録薄膜、第
二の保護膜、反射層を順次形成した光記録媒体であって
、前記第一、第二の保護膜がＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合
膜に窒素を含ませてなることを特徴とする光記録媒体。 - （２）第二の保護層を第一の保護層より薄くし、膜厚を
３０ｎｍ以下にすることを特徴とする請求項１記載の光
記録媒体。 - （３）記録薄膜としてＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂからなる材料を
用いることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - （４）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜のＳｉＯ＿２比が５
〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載の
光記録媒体。 - （５）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜に窒素を含ませてな
ることを特徴とする光記録媒体用保護膜。 - （６）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜のＳｉＯ＿２比が５
〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項５記載の
光記録媒体用保護膜。 - （７）ＺｎＳとＳｉＯ＿２の混合膜からなる保護層をア
ルゴンと窒素の混合ガスを用いたスパッタ法で形成する
ことを特徴とする光記録媒体用保護膜の製法。 - （８）保護層を形成する時の窒素分圧を１．５×１０＾
−＾５〜１．５×１０＾−＾３Ｔｏｒｒの範囲にするこ
とを特徴とする請求項７記載の光記録媒体用保護膜の製
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2027497A JPH07111786B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2027497A JPH07111786B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03232133A true JPH03232133A (ja) | 1991-10-16 |
| JPH07111786B2 JPH07111786B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=12222779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2027497A Expired - Lifetime JPH07111786B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 光記録媒体と光記録媒体用保護膜と保護膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111786B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5395669A (en) * | 1991-11-26 | 1995-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical record medium |
| US5914214A (en) * | 1996-12-06 | 1999-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing an optical information recording medium |
| WO1999045538A1 (fr) * | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Kao Corporation | Support d'enregistrement optique et film protecteur a cet effet |
| US6114001A (en) * | 1997-06-06 | 2000-09-05 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, and method for fabricating it |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2027497A patent/JPH07111786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5395669A (en) * | 1991-11-26 | 1995-03-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical record medium |
| US5914214A (en) * | 1996-12-06 | 1999-06-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing an optical information recording medium |
| US6143469A (en) * | 1996-12-06 | 2000-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and manufacturing method |
| US6114001A (en) * | 1997-06-06 | 2000-09-05 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, and method for fabricating it |
| WO1999045538A1 (fr) * | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Kao Corporation | Support d'enregistrement optique et film protecteur a cet effet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07111786B2 (ja) | 1995-11-29 |
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