JPH04136164A - 光記録媒体用保護膜形成用スパッタリングターゲット及び製造方法 - Google Patents
光記録媒体用保護膜形成用スパッタリングターゲット及び製造方法Info
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- JPH04136164A JPH04136164A JP25802790A JP25802790A JPH04136164A JP H04136164 A JPH04136164 A JP H04136164A JP 25802790 A JP25802790 A JP 25802790A JP 25802790 A JP25802790 A JP 25802790A JP H04136164 A JPH04136164 A JP H04136164A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ビームを用いて情報を記緻 再生並びに消去
することのできる光記録媒体用保護膜形成用スパッタリ
ング及びその製造方法に関するものであも 従来の技術 近蝦 実時間での記録再生が可能な情報記録媒体として
光ディスクがあり、大容量高密度メモリとして、大いに
期待されていも 光ディスクに１よ】回のみの記録が可
能な追記型と、記録した信号を消去することができ、何
回も記ａ ／Ｉ！ｆ去を繰り返すことのできる書換え
型があム 書換え型光ディスクとしてｉ＆ 記録薄膜
の可逆的な相変態を利用した方式が提案されてぃム す
なゎ板 レーザ光による加熱し 溶融し 急冷して記録
薄膜を非晶質状態として記録信号を形成し 加熱徐冷で
結晶状態に戻し消去を行う。この書換え彫型光ディスク
を実現する記録薄膜として（よ カルコゲン化合物の材
料が提案されている。
することのできる光記録媒体用保護膜形成用スパッタリ
ング及びその製造方法に関するものであも 従来の技術 近蝦 実時間での記録再生が可能な情報記録媒体として
光ディスクがあり、大容量高密度メモリとして、大いに
期待されていも 光ディスクに１よ】回のみの記録が可
能な追記型と、記録した信号を消去することができ、何
回も記ａ ／Ｉ！ｆ去を繰り返すことのできる書換え
型があム 書換え型光ディスクとしてｉ＆ 記録薄膜
の可逆的な相変態を利用した方式が提案されてぃム す
なゎ板 レーザ光による加熱し 溶融し 急冷して記録
薄膜を非晶質状態として記録信号を形成し 加熱徐冷で
結晶状態に戻し消去を行う。この書換え彫型光ディスク
を実現する記録薄膜として（よ カルコゲン化合物の材
料が提案されている。
これらの記録薄膜をレーザ光ガイド用の溝を設けた基板
に形成し 光ディスクとして用いることができる。
に形成し 光ディスクとして用いることができる。
これらのディスクにレーザ光で情報を記録まその情報を
消去する方法としては あらかじめ記録薄膜を結晶化さ
せておき、これに約１μｍに絞ったレーザ光を情報に対
応させて強度変調を施し例えば円盤状の記録ディスクを
回転せしめて照射した場合、このピークパワーレーザ光
照射部位は記録薄膜の融点以上に昇温し かつ急冷し
非晶質化したマークとして情報の記録がおこなえもまた
この変調バイアスパワーレーザ光照射部位（上 記録薄
膜の結晶化温度以上に昇温し 徐冷し結晶化させて、既
記緑信号情報を消去する働きがありオーバライドできる
。このように記録薄膜はレーザ光によって融点以上に昇
温し また結晶化温度以上に昇温されるものであ４ こ
のため記録薄膜の下面および上面に 耐熱性のすぐれた
誘電体層を基板および接着層に対する保護層として設け
ているのが一般的である。これらの誘電体層の熱伝導特
性により、記眩 消去及びサイクル特性が変わるもので
あるか収 誘電体層の材質あるいは層構成を選ぶことに
よって記録および消去の特性を決めることができるもの
である。この誘電体膜を形成する方法として通常真空蒸
着法あるい（ｉスパッタリング法等が用いられる。
消去する方法としては あらかじめ記録薄膜を結晶化さ
せておき、これに約１μｍに絞ったレーザ光を情報に対
応させて強度変調を施し例えば円盤状の記録ディスクを
回転せしめて照射した場合、このピークパワーレーザ光
照射部位は記録薄膜の融点以上に昇温し かつ急冷し
非晶質化したマークとして情報の記録がおこなえもまた
この変調バイアスパワーレーザ光照射部位（上 記録薄
膜の結晶化温度以上に昇温し 徐冷し結晶化させて、既
記緑信号情報を消去する働きがありオーバライドできる
。このように記録薄膜はレーザ光によって融点以上に昇
温し また結晶化温度以上に昇温されるものであ４ こ
のため記録薄膜の下面および上面に 耐熱性のすぐれた
誘電体層を基板および接着層に対する保護層として設け
ているのが一般的である。これらの誘電体層の熱伝導特
性により、記眩 消去及びサイクル特性が変わるもので
あるか収 誘電体層の材質あるいは層構成を選ぶことに
よって記録および消去の特性を決めることができるもの
である。この誘電体膜を形成する方法として通常真空蒸
着法あるい（ｉスパッタリング法等が用いられる。
発明か解決しようとする課題
記録薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇
温結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能なオー
バライド記録媒体における課題は記録・消去の繰り返し
特性と消去特性であム記録・消去の繰り返し特性につい
て（訳 記録・消去の加重 冷却の多数回の繰り返しに
よるディスク基板あるいは誘電体層の熱的な損傷による
ノイズの増大 また損傷は無くてＬ 記録・消去の繰り
返しに伴う加へ 冷却の繰り返しによる誘電体層の脈動
によって、記録薄膜材料がディスク回転方向の案内溝に
沿って移動して、記録・消去の繰り返し特性の劣化が課
題であった 消去特性についてはＴｅを含む非晶質膜（よ その融点
は代表的なもので４００℃〜９００℃と広い温度範囲に
ある。
温結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能なオー
バライド記録媒体における課題は記録・消去の繰り返し
特性と消去特性であム記録・消去の繰り返し特性につい
て（訳 記録・消去の加重 冷却の多数回の繰り返しに
よるディスク基板あるいは誘電体層の熱的な損傷による
ノイズの増大 また損傷は無くてＬ 記録・消去の繰り
返しに伴う加へ 冷却の繰り返しによる誘電体層の脈動
によって、記録薄膜材料がディスク回転方向の案内溝に
沿って移動して、記録・消去の繰り返し特性の劣化が課
題であった 消去特性についてはＴｅを含む非晶質膜（よ その融点
は代表的なもので４００℃〜９００℃と広い温度範囲に
ある。
これらの記録薄膜にレーザ光を照射し 昇温徐冷するこ
とにより結晶化が行える。この温度は一般的に融点より
低い結晶化温度領域である。またこの結晶化した膜に高
いパワーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加熱
するとその部分は溶融し急冷し 再び非晶質化してマー
クが形成できも 記録マークとして非晶質化を選ぶと、
このマクは記録薄膜が溶融し急冷されて形成されるもの
であるから、冷却速度が速いほど非晶質状態の均一なも
のが得られ信号振幅が向上する。冷却速度が遅い場合は
マークの中心と周辺で非晶質化の程度に差が発生する。
とにより結晶化が行える。この温度は一般的に融点より
低い結晶化温度領域である。またこの結晶化した膜に高
いパワーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加熱
するとその部分は溶融し急冷し 再び非晶質化してマー
クが形成できも 記録マークとして非晶質化を選ぶと、
このマクは記録薄膜が溶融し急冷されて形成されるもの
であるから、冷却速度が速いほど非晶質状態の均一なも
のが得られ信号振幅が向上する。冷却速度が遅い場合は
マークの中心と周辺で非晶質化の程度に差が発生する。
次に結晶化消去に際して（訳し−サ光の照射により既に
記録が行われている非晶質マーク部を、結晶化温度以上
に昇温し結晶化させてこのマークを消去する。
記録が行われている非晶質マーク部を、結晶化温度以上
に昇温し結晶化させてこのマークを消去する。
記録消去のサイクル特性については加４ｋ 冷却の多
数回の繰り返しによるディスク基板あるいは保護層の熱
的な損傷がある。ディスク基板あるいは保護層が熱的な
損傷を受けた場合、記録再供消去のサイクルにおいて、
ノイズの増大を生じサイクル特性の劣化か発生するとい
う課題があり、保護層としてＺｎＳとＳｉＯ２の混合膜
に酸素を含ませた誘電体層を用いることで記録消去特性
を向上させる提案がされている。
数回の繰り返しによるディスク基板あるいは保護層の熱
的な損傷がある。ディスク基板あるいは保護層が熱的な
損傷を受けた場合、記録再供消去のサイクルにおいて、
ノイズの増大を生じサイクル特性の劣化か発生するとい
う課題があり、保護層としてＺｎＳとＳｉＯ２の混合膜
に酸素を含ませた誘電体層を用いることで記録消去特性
を向上させる提案がされている。
しかしなか東 前記誘電体薄膜をスパッタ法で形成する
ときに アルゴンと酸素の混合ガスを用いる反応性スパ
ッタの場合、 レート等の変化にともな〜（遊離したＳ
ｉ、Ｓと酸素との結合割合が変化する。すなわち膜質が
安定しないため好ましくなしＭ 本発明の目的（よ 誘
電体薄膜の成膜中に安定して酸素を取り込ませることの
できるスパッタ用ターゲット及びその製造方法を提供す
るものである。
ときに アルゴンと酸素の混合ガスを用いる反応性スパ
ッタの場合、 レート等の変化にともな〜（遊離したＳ
ｉ、Ｓと酸素との結合割合が変化する。すなわち膜質が
安定しないため好ましくなしＭ 本発明の目的（よ 誘
電体薄膜の成膜中に安定して酸素を取り込ませることの
できるスパッタ用ターゲット及びその製造方法を提供す
るものである。
課題を解決するための手段
本発明は、予めＺｎＳ、ＳｉＯ２からなる材料に酸素を
含ませた光記録媒体用保護膜形成用スパッタリングター
ゲットであり、そのスパッタリングターゲットの製造方
法として１．ｔ、、 ＺｎＳ、 ＳｉＯ２からなる
材料を酸素雰囲気中で混合し 均一な混合物とした後に
加圧を行い成形体とした後、その成形体を、酸素雰囲気
中で加熱して成形体とするものである。
含ませた光記録媒体用保護膜形成用スパッタリングター
ゲットであり、そのスパッタリングターゲットの製造方
法として１．ｔ、、 ＺｎＳ、 ＳｉＯ２からなる
材料を酸素雰囲気中で混合し 均一な混合物とした後に
加圧を行い成形体とした後、その成形体を、酸素雰囲気
中で加熱して成形体とするものである。
作用
すなわ板 予めＺｎＳ、ＳｉＯ２からなる材料に酸素を
含ませたターゲットを用いて成膜することにより、成膜
中に誘電体薄膜に取り込まれる酸素量を安定にすること
ができも すなわちＺ ｎ Ｓ。
含ませたターゲットを用いて成膜することにより、成膜
中に誘電体薄膜に取り込まれる酸素量を安定にすること
ができも すなわちＺ ｎ Ｓ。
Ｓｉ○２以外に遊離したＳｉ、Ｓと力（前記酸素と結合
して緻密な膜となり機械的強度が強くなるものであａ
従って、記録消去の繰り返しによる熱ストレスに対して
強くなり多サイクル特性が向上すム 又機械的強度を強
くすることができるた嵌記録膜と反射層の間の誘電体層
を薄くすることができ急冷構成にすることができるた嵌
消去特性を向上させることができるものである。従っ
て、ばらつきが小さく良好な特性を有する光記録ディス
クを安定して作ることができるものである。
して緻密な膜となり機械的強度が強くなるものであａ
従って、記録消去の繰り返しによる熱ストレスに対して
強くなり多サイクル特性が向上すム 又機械的強度を強
くすることができるた嵌記録膜と反射層の間の誘電体層
を薄くすることができ急冷構成にすることができるた嵌
消去特性を向上させることができるものである。従っ
て、ばらつきが小さく良好な特性を有する光記録ディス
クを安定して作ることができるものである。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明すム Ｚ
ｎＳ、ＳｉＯ２の材料を目標組成になるようＧＱ ラ
イカイキ、あるいはボールミル等で酸素雰囲気中で混合
し均一な混合物した後に純水を添加しさらに混合を行う
。
ｎＳ、ＳｉＯ２の材料を目標組成になるようＧＱ ラ
イカイキ、あるいはボールミル等で酸素雰囲気中で混合
し均一な混合物した後に純水を添加しさらに混合を行う
。
この混合物を、例えば φ１５０ｍｍ厚さ６ｍｍの成形
体になるような金型にいれ 窒素雰囲気中で５０Ｋｇ／
ｃｍ’から３００Ｋｇ／ｃｍ２の範囲で加圧を行い圧粉
体とし九 次にこの圧粉体を酸素雰囲気中 ８００℃の
温度で加熱することによりＺｎＳ−３ｉ０２のターゲッ
トを完成させも 以上の実施例で説明したターゲット
を用いて、ディスクを作成すも 作成するディスクの構
成を第１図に示す。第１図において１はディスク基板で
ポリカーボネイト等の樹脂基板からなっている。このデ
ィスク基板ｌはあらかじめレーザ光案内用の溝を形成し
た樹脂基板あるいは２Ｐ法で溝を形成したガラス板、ガ
ラス板に直接溝を形成した基板であってもよしも ２は
第１の誘電体層でＺｎ５Ｓ ｉ ０２の混合膜からなっ
ており、膜厚は約１５０ｎｍであａ ３は記録薄膜層で
Ｔｅ−Ｇｅ−３ｂからなる合金薄膜であり膜厚は約３０
ｎｍであム ４は第２の誘電体層で第１の誘電体層２と
同じ材料からなっており、膜厚は約２０ｎｍであ７）。
体になるような金型にいれ 窒素雰囲気中で５０Ｋｇ／
ｃｍ’から３００Ｋｇ／ｃｍ２の範囲で加圧を行い圧粉
体とし九 次にこの圧粉体を酸素雰囲気中 ８００℃の
温度で加熱することによりＺｎＳ−３ｉ０２のターゲッ
トを完成させも 以上の実施例で説明したターゲット
を用いて、ディスクを作成すも 作成するディスクの構
成を第１図に示す。第１図において１はディスク基板で
ポリカーボネイト等の樹脂基板からなっている。このデ
ィスク基板ｌはあらかじめレーザ光案内用の溝を形成し
た樹脂基板あるいは２Ｐ法で溝を形成したガラス板、ガ
ラス板に直接溝を形成した基板であってもよしも ２は
第１の誘電体層でＺｎ５Ｓ ｉ ０２の混合膜からなっ
ており、膜厚は約１５０ｎｍであａ ３は記録薄膜層で
Ｔｅ−Ｇｅ−３ｂからなる合金薄膜であり膜厚は約３０
ｎｍであム ４は第２の誘電体層で第１の誘電体層２と
同じ材料からなっており、膜厚は約２０ｎｍであ７）。
５はＡ１合金からなる反射層で膜厚は約６０ｎｍであ
る。
る。
６は保護板で接着剤７によってディスク基板１に貼り合
わせている。
わせている。
ここで、誘電体層の形成方法として、アルゴンガスによ
るスパッタ法を用いて、誘電体薄膜形成時に本発明で完
成させたターゲットを用いて、ディスクを完成させμ
このディスクの特性を測定した結果 記緻 消去の繰り
返し特性に於て、良好な結果が得られ九 又量産性にお
いてもばらつきが無い安定した特性が得られｔも 本
実施例においては 冷間静水圧プレスにて製造を行った
がホットプレスで製造する場合においても同様であ本発
明の効果 以上 説明したようにＺｎＳ、ＳｉＯ２からなるターゲ
ットにあらかじめ酸素を含ませることにより、簡易な方
法で酸素含有量の安定な膜形成ができ、量産性にも優れ
た 光記録媒体用保護膜形成用スパッタリングターゲッ
トとなも
るスパッタ法を用いて、誘電体薄膜形成時に本発明で完
成させたターゲットを用いて、ディスクを完成させμ
このディスクの特性を測定した結果 記緻 消去の繰り
返し特性に於て、良好な結果が得られ九 又量産性にお
いてもばらつきが無い安定した特性が得られｔも 本
実施例においては 冷間静水圧プレスにて製造を行った
がホットプレスで製造する場合においても同様であ本発
明の効果 以上 説明したようにＺｎＳ、ＳｉＯ２からなるターゲ
ットにあらかじめ酸素を含ませることにより、簡易な方
法で酸素含有量の安定な膜形成ができ、量産性にも優れ
た 光記録媒体用保護膜形成用スパッタリングターゲッ
トとなも
第１図は本発明の一実施例における光記録媒体の一部省
略断面図である。 １・・・ディスク基板、２・・・第１の誘電体層 ３・
・・記録薄膜層 ４・・・第２の誘電体層 ５・・・反
射層６・・・接着恩 ７・・・保護板 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名
略断面図である。 １・・・ディスク基板、２・・・第１の誘電体層 ３・
・・記録薄膜層 ４・・・第２の誘電体層 ５・・・反
射層６・・・接着恩 ７・・・保護板 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名
Claims (2)
- （１）ＺｎＳとＳｉＯ＿２からなる材料に酸素を含ませ
ることを特徴とした光記録媒体用保護膜形成用スパッタ
リングターゲット。 - （２）ＺｎＳとＳｉＯ＿２からなる材料を酸素雰囲気中
で混合し、その混合体を加圧成形した後に、酸素雰囲気
中で加熱成形することを特徴とした光記録膜媒体用保護
膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25802790A JPH04136164A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 光記録媒体用保護膜形成用スパッタリングターゲット及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25802790A JPH04136164A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 光記録媒体用保護膜形成用スパッタリングターゲット及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04136164A true JPH04136164A (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=17314517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25802790A Pending JPH04136164A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 光記録媒体用保護膜形成用スパッタリングターゲット及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04136164A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0665725A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-03-08 | Dowa Mining Co Ltd | 光記録保護膜用スパッタリング・ターゲットおよびその製造方法 |
| US6114001A (en) * | 1997-06-06 | 2000-09-05 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, and method for fabricating it |
| WO2002042518A1 (de) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Unaxis Trading Ag | Target mit dickenprofilierung für rf manetron |
| KR101021848B1 (ko) * | 2007-11-13 | 2011-03-17 | 한양대학교 산학협력단 | ＺｎＳ계 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로써 얻어진ＺｎＳ계 스퍼터링 타겟 |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS63143254A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ用タ−ゲツト |
| JPS63223170A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Ube Ind Ltd | スパッタリング用β―サイアロンターゲット |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP25802790A patent/JPH04136164A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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