JPH11348422A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH11348422A JPH11348422A JP10157957A JP15795798A JPH11348422A JP H11348422 A JPH11348422 A JP H11348422A JP 10157957 A JP10157957 A JP 10157957A JP 15795798 A JP15795798 A JP 15795798A JP H11348422 A JPH11348422 A JP H11348422A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度における信号特性、記録耐久性などに
おいて十分な特性を有する光記録媒体及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 この光記録媒体は、結晶状態と非晶質状
態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からなる
記録層を有し、上記記録層に光線を照射して当該記録層
に相変化を生じさせることにより情報信号の記録及び／
又は消去が行われる光記録媒体であって、上記記録層
は、相変化材料としてＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδを含有
し、それぞれの組成比α，β，γ及びδ（原子％）が、
６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．２，２≦γ／δ≦
３なる関係を満たすことを特徴とする。
おいて十分な特性を有する光記録媒体及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 この光記録媒体は、結晶状態と非晶質状
態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からなる
記録層を有し、上記記録層に光線を照射して当該記録層
に相変化を生じさせることにより情報信号の記録及び／
又は消去が行われる光記録媒体であって、上記記録層
は、相変化材料としてＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδを含有
し、それぞれの組成比α，β，γ及びδ（原子％）が、
６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．２，２≦γ／δ≦
３なる関係を満たすことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶状態と非結晶
状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からな
る記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を
生じさせることにより情報信号の記録及び／又は消去が
行われる光記録媒体及びその製造方法に関する。
状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からな
る記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を
生じさせることにより情報信号の記録及び／又は消去が
行われる光記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、データ記録の分野において、光学
記録方式に関する研究が進められている。この光学記録
方式は、記録媒体と非接触で情報信号の記録、再生を行
うことができ、磁気記録方式に比べて一行以上も高い記
録密度を達成することができる。また、光学記録方式
は、再生専用型、追記型、書換可能型のそれぞれのメモ
リー形態に対応できる等の数々の利点を有する。このよ
うに、光記録方式は、安価な大容量ファイルの実現を可
能とする記録方式として、産業用から民生用まで幅広い
用途が考えられている。
記録方式に関する研究が進められている。この光学記録
方式は、記録媒体と非接触で情報信号の記録、再生を行
うことができ、磁気記録方式に比べて一行以上も高い記
録密度を達成することができる。また、光学記録方式
は、再生専用型、追記型、書換可能型のそれぞれのメモ
リー形態に対応できる等の数々の利点を有する。このよ
うに、光記録方式は、安価な大容量ファイルの実現を可
能とする記録方式として、産業用から民生用まで幅広い
用途が考えられている。
【０００３】上述したような光学記録方式のうち、書換
可能型のメモリー形態に対応したものとしては、光磁気
ディスクや、相変化型光ディスク等が挙げられる。光磁
気ディスクでは、磁性材料からなる記録層を部分的にキ
ュリー点または温度補償点以上に昇温させることによっ
て記録層の保磁力を小さくし、外部から記録磁界を印加
することによって記録層の磁化方向を変化させて情報信
号が記録され、また、磁気的に情報信号の読みだしが行
われる。一方、相変化型光ディスクでは、結晶状態と非
結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料か
らなる記録層を備え、レーザ光等の照射により記録層を
昇温させ、記録層に相変化を生じさせて情報が記録消去
され、また、光学的に情報信号の読み出しが行われる。
可能型のメモリー形態に対応したものとしては、光磁気
ディスクや、相変化型光ディスク等が挙げられる。光磁
気ディスクでは、磁性材料からなる記録層を部分的にキ
ュリー点または温度補償点以上に昇温させることによっ
て記録層の保磁力を小さくし、外部から記録磁界を印加
することによって記録層の磁化方向を変化させて情報信
号が記録され、また、磁気的に情報信号の読みだしが行
われる。一方、相変化型光ディスクでは、結晶状態と非
結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料か
らなる記録層を備え、レーザ光等の照射により記録層を
昇温させ、記録層に相変化を生じさせて情報が記録消去
され、また、光学的に情報信号の読み出しが行われる。
【０００４】このような相変化型光ディスク等に用いら
れる相変化材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系合金材料、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系合金材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材
料、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金材料等のいわゆるカルコゲ
ン系合金材料が知られている。
れる相変化材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系合金材料、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系合金材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材
料、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金材料等のいわゆるカルコゲ
ン系合金材料が知られている。
【０００５】そして、特開昭62-3886号公報、特開昭63-
225934号公報、特開平3-80635号公報、特公平8-32482号
公報等では、相変化材料の高速結晶化特性等の向上を目
的としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比が特定さ
れている。また、特開平4-232779号公報、特開平6-1662
68号公報等では、記録層の耐久性向上を目的としてＡｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の組成比が特定されている。
225934号公報、特開平3-80635号公報、特公平8-32482号
公報等では、相変化材料の高速結晶化特性等の向上を目
的としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比が特定さ
れている。また、特開平4-232779号公報、特開平6-1662
68号公報等では、記録層の耐久性向上を目的としてＡｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の組成比が特定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな相変化光ディスクにおいては、高線速度、高密度に
おける信号特性、記録耐久性などは、まだ十分なレベル
にあるとは言えず、さらなる特性向上が望まれている。
うな相変化光ディスクにおいては、高線速度、高密度に
おける信号特性、記録耐久性などは、まだ十分なレベル
にあるとは言えず、さらなる特性向上が望まれている。
【０００７】本発明は、上述したような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、高線速度、高密度における
信号特性、記録耐久性などにおいて十分な特性を有し、
書換可能型メモリーとして重要な特性である記録・消去
特性及び繰り返し耐久性においても十分な特性を有する
光記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
みて提案されたものであり、高線速度、高密度における
信号特性、記録耐久性などにおいて十分な特性を有し、
書換可能型メモリーとして重要な特性である記録・消去
特性及び繰り返し耐久性においても十分な特性を有する
光記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を有し、上記記録層に光線を
照射して当該記録層に相変化を生じさせることにより情
報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体であ
って、上記記録層は、相変化材料としてＡｇαＩｎβＳ
ｂγＴｅδを含有し、それぞれの組成比α，β，γ及び
δ（原子％）が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．
２，２≦γ／δ≦３なる関係を満たすことを特徴とす
る。
結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を有し、上記記録層に光線を
照射して当該記録層に相変化を生じさせることにより情
報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体であ
って、上記記録層は、相変化材料としてＡｇαＩｎβＳ
ｂγＴｅδを含有し、それぞれの組成比α，β，γ及び
δ（原子％）が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．
２，２≦γ／δ≦３なる関係を満たすことを特徴とす
る。
【０００９】上述したような本発明に係る光記録媒体で
は、相変化材料からなる記録層の組成が上述のように規
定されているので、記録層における相変化の速度が向上
し、高線速度においても良好に情報の記録が行われる。
は、相変化材料からなる記録層の組成が上述のように規
定されているので、記録層における相変化の速度が向上
し、高線速度においても良好に情報の記録が行われる。
【００１０】また、本発明に係る光記録媒体の製造方法
は、結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的に生
じる相変化材料からなる記録層を有し、上記記録層に光
線を照射して当該記録層に相変化を生じさせることによ
り情報の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体の製
造方法であって、上記記録層は、ＡｇαＩｎβＳｂγＴ
ｅδをターゲットとしてスパッタリングすることにより
形成され、それぞれの組成比α，β，γ及びδ（原子
％）が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．２，２≦
γ／δ≦３なる関係を満たすことを特徴とする。
は、結晶状態と非晶質状態との間の相変化が可逆的に生
じる相変化材料からなる記録層を有し、上記記録層に光
線を照射して当該記録層に相変化を生じさせることによ
り情報の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体の製
造方法であって、上記記録層は、ＡｇαＩｎβＳｂγＴ
ｅδをターゲットとしてスパッタリングすることにより
形成され、それぞれの組成比α，β，γ及びδ（原子
％）が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．２，２≦
γ／δ≦３なる関係を満たすことを特徴とする。
【００１１】上述したような本発明に係る光記録媒体の
製造方法では、相変化材料からなる記録層を形成する際
に、上述したような組成のターゲットを用いているの
で、記録層における相変化の速度を向上させて、高線速
度においても良好に情報の記録が行われる光記録媒体が
得られる。
製造方法では、相変化材料からなる記録層を形成する際
に、上述したような組成のターゲットを用いているの
で、記録層における相変化の速度を向上させて、高線速
度においても良好に情報の記録が行われる光記録媒体が
得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１は、本発明に係る光記録媒体の一構成
例を模式的に示す断面図である。この光記録媒体は、相
変化型のディスク状光記録媒体（以下、光ディスクと称
する。）である。この光ディスク１は、基板２の一主面
２ａ上に、第１の誘電体層３と、記録層４と、第２の誘
電体層５と、熱拡散層６と、保護層７とが順次積層形成
されてなる。
例を模式的に示す断面図である。この光記録媒体は、相
変化型のディスク状光記録媒体（以下、光ディスクと称
する。）である。この光ディスク１は、基板２の一主面
２ａ上に、第１の誘電体層３と、記録層４と、第２の誘
電体層５と、熱拡散層６と、保護層７とが順次積層形成
されてなる。
【００１４】基板２は、ポリカーボネートやガラス等、
レーザ光を透過し得る材料からなる。
レーザ光を透過し得る材料からなる。
【００１５】第１の誘電体層３及び第２の誘電体層５は
少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好まし
く、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2等が挙げられる。この第１
の誘電体層３の厚さとしては６０ｎｍ〜１３０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍである。また、
第２の誘電体層５の厚さとしては１０ｎｍ〜３５ｎｍが
好ましく、具体的には、例えば２０ｎｍである。
少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好まし
く、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2等が挙げられる。この第１
の誘電体層３の厚さとしては６０ｎｍ〜１３０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍである。また、
第２の誘電体層５の厚さとしては１０ｎｍ〜３５ｎｍが
好ましく、具体的には、例えば２０ｎｍである。
【００１６】記録層４は、相変化材料としてＡｇαＩｎ
βＳｂγＴｅδ材料からなり、それぞれの組成比α，
β，γ及びδ（原子％）が、６≦α≦１６，１．１≦δ
／β≦２．２，２≦γ／δ≦３なる関係を満たしてい
る。相変化材料からなる記録層の組成を上述のようにす
ることで、相変化の速度を高めることができる。従っ
て、高線速度における光ディスク１の記録特性を高める
ことができる。また、この記録層４には、Ｎ又はＯが含
有されていることが好ましい。また、この記録層４の厚
さとしては１５ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的に
は、例えば３０ｎｍである。
βＳｂγＴｅδ材料からなり、それぞれの組成比α，
β，γ及びδ（原子％）が、６≦α≦１６，１．１≦δ
／β≦２．２，２≦γ／δ≦３なる関係を満たしてい
る。相変化材料からなる記録層の組成を上述のようにす
ることで、相変化の速度を高めることができる。従っ
て、高線速度における光ディスク１の記録特性を高める
ことができる。また、この記録層４には、Ｎ又はＯが含
有されていることが好ましい。また、この記録層４の厚
さとしては１５ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的に
は、例えば３０ｎｍである。
【００１７】熱拡散層６は、例えばアルミニウム等から
なる。この熱拡散層６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０
ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍであ
る。
なる。この熱拡散層６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０
ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍであ
る。
【００１８】保護層７は、例えば紫外線硬化型樹脂等か
らなる。
らなる。
【００１９】このような光ディスク１に対して情報の記
録を行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主
面２ｂからレーザ光等の記録光を部分的に照射して記録
層４の一部を所定の結晶相或いは非結晶相に相変化させ
ることにより記録を行う。上述したような相変化材料で
は、加熱温度によって異なるが、例えば急速加熱又は急
冷することにより非晶質状態となり、徐冷することによ
り結晶状態となる。このように、情報信号に応じて、記
録層４に結晶部分と非結晶部分とを形成することで情報
の記録が行われる。
録を行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主
面２ｂからレーザ光等の記録光を部分的に照射して記録
層４の一部を所定の結晶相或いは非結晶相に相変化させ
ることにより記録を行う。上述したような相変化材料で
は、加熱温度によって異なるが、例えば急速加熱又は急
冷することにより非晶質状態となり、徐冷することによ
り結晶状態となる。このように、情報信号に応じて、記
録層４に結晶部分と非結晶部分とを形成することで情報
の記録が行われる。
【００２０】また、この光ディスク１から情報の再生を
行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主面２
ｂ側から記録層４にレーザ光等の再生光を照射して記録
層４中の異なる結晶相或いは非結晶相間の反射率の差異
により、結晶相及び非結晶相に対応した情報の再生を行
う。なお、この再生光は、記録層４に相変化を起こさな
いようなものであることが必要である。
行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主面２
ｂ側から記録層４にレーザ光等の再生光を照射して記録
層４中の異なる結晶相或いは非結晶相間の反射率の差異
により、結晶相及び非結晶相に対応した情報の再生を行
う。なお、この再生光は、記録層４に相変化を起こさな
いようなものであることが必要である。
【００２１】以下、このような光ディスク１の製造方法
について説明する。
について説明する。
【００２２】まず、ポリカーボネートやガラス等、レー
ザ光を透過し得る材料からなる基板２を用意し、トラッ
キング用のグルーブをスパイラル状に形成する。
ザ光を透過し得る材料からなる基板２を用意し、トラッ
キング用のグルーブをスパイラル状に形成する。
【００２３】次に、基板２のグルーブが形成された面上
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等をスパッタリングにより被着さ
せて、第１の誘電体層３を形成する。この第１の誘電体
層３の厚さとしては６０ｎｍ〜１３０ｎｍが好ましく、
具体的には、例えば１２０ｎｍとする。
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等をスパッタリングにより被着さ
せて、第１の誘電体層３を形成する。この第１の誘電体
層３の厚さとしては６０ｎｍ〜１３０ｎｍが好ましく、
具体的には、例えば１２０ｎｍとする。
【００２４】次に、第１の誘電体層３上に、相変化材料
としてＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料をスパッタリン
グにより被着させて記録層４を形成する。この記録層４
の厚さとしては１５ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的
には、例えば３０ｎｍとする。
としてＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料をスパッタリン
グにより被着させて記録層４を形成する。この記録層４
の厚さとしては１５ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的
には、例えば３０ｎｍとする。
【００２５】このとき、記録層４をスパッタリングによ
って形成する際に、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料を
ターゲットとして用い、それぞれの組成比α，β，γ及
びδ（原子％）が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦
２．２，２≦γ／δ≦３なる関係を満たしている。ま
た、スパッタガスとして、Ａｒガスが用いられる。この
とき、Ａｒガスに１０％以下のＯ2ガス、或いはＮ2ガス
が含まれていてもかまわない。Ｏ2ガス又はＮ2ガスが含
有されるスパッタガスを用いることで、記録層４中にＮ
又はＯが取り込まれる。
って形成する際に、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料を
ターゲットとして用い、それぞれの組成比α，β，γ及
びδ（原子％）が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦
２．２，２≦γ／δ≦３なる関係を満たしている。ま
た、スパッタガスとして、Ａｒガスが用いられる。この
とき、Ａｒガスに１０％以下のＯ2ガス、或いはＮ2ガス
が含まれていてもかまわない。Ｏ2ガス又はＮ2ガスが含
有されるスパッタガスを用いることで、記録層４中にＮ
又はＯが取り込まれる。
【００２６】次に、記録層４上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等
をスパッタリングにより被着させて、第２の誘電体層５
を形成する。この第２の誘電体層５の厚さとしては１０
ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例えば２０ｎ
ｍとする。
をスパッタリングにより被着させて、第２の誘電体層５
を形成する。この第２の誘電体層５の厚さとしては１０
ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例えば２０ｎ
ｍとする。
【００２７】次に、第２の誘電体層５上に、アルミニウ
ム等を被着させて熱拡散層６を形成する。この熱拡散層
６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましく、具
体的には、例えば１２０ｎｍとする。
ム等を被着させて熱拡散層６を形成する。この熱拡散層
６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましく、具
体的には、例えば１２０ｎｍとする。
【００２８】最後に、熱拡散層６上に、紫外線硬化型樹
脂等をスピンコート法によって塗布することにより保護
層７を形成して、光ディスク１が得られる。
脂等をスピンコート法によって塗布することにより保護
層７を形成して、光ディスク１が得られる。
【００２９】以下、光ディスクの記録層を構成する材料
の組成、又は当該記録層をスパッタリングによって形成
する際のスパッタガスの組成について行った実験例につ
いて説明する。
の組成、又は当該記録層をスパッタリングによって形成
する際のスパッタガスの組成について行った実験例につ
いて説明する。
【００３０】〈実施例〉本実験例においては、記録層を
構成するＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの組成、及びスパッ
タリングにより記録層を形成する際に使用されるスパッ
タガスに含有されるＯ2ガス又はＮ2ガスの割合をそれぞ
れ変化させて光ディスクを作製し、それらの光ディスク
について評価を行った。
構成するＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの組成、及びスパッ
タリングにより記録層を形成する際に使用されるスパッ
タガスに含有されるＯ2ガス又はＮ2ガスの割合をそれぞ
れ変化させて光ディスクを作製し、それらの光ディスク
について評価を行った。
【００３１】まず、一主面上にトラッキングの為のグル
ーブが０．８５μｍのピッチでスパイラル状に形成され
ている、ポリカーボネート製の基板を用意し、この基板
のグルーブが形成された面上に、スパッタリングにより
ＺｎＳ−ＳｉＯ2を１２０ｎｍの厚みに被着させて第１
の誘電体膜を形成した。
ーブが０．８５μｍのピッチでスパイラル状に形成され
ている、ポリカーボネート製の基板を用意し、この基板
のグルーブが形成された面上に、スパッタリングにより
ＺｎＳ−ＳｉＯ2を１２０ｎｍの厚みに被着させて第１
の誘電体膜を形成した。
【００３２】次に、この第１の誘電体膜の上に、スパッ
タリングによりＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδを３０ｎｍの
厚みに被着させて記録層を形成した。
タリングによりＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδを３０ｎｍの
厚みに被着させて記録層を形成した。
【００３３】次に、この記録層の上にスパッタリングに
よりＺｎＳ−ＳｉＯ2を２０ｎｍの厚みに被着させて第
２の誘電体層を形成した。
よりＺｎＳ−ＳｉＯ2を２０ｎｍの厚みに被着させて第
２の誘電体層を形成した。
【００３４】さらに、この第２の誘電体層の上にスパッ
タリングによりＡｌを１２０ｎｍの厚みに被着させて熱
拡散層を形成した。
タリングによりＡｌを１２０ｎｍの厚みに被着させて熱
拡散層を形成した。
【００３５】これら各層のスパッタリングは各材料ごと
に分かれたチャンバーを有するスパッタリング装置を用
いて行うこととし、スパッタリングの際には、各チャン
バー内の真空度を５×１０-5Ｐａ以下とした後、Ａｒガ
スを導入して所定の真空度とした。
に分かれたチャンバーを有するスパッタリング装置を用
いて行うこととし、スパッタリングの際には、各チャン
バー内の真空度を５×１０-5Ｐａ以下とした後、Ａｒガ
スを導入して所定の真空度とした。
【００３６】さらに、各層が形成された基板をスパッタ
リング装置から取り出し、上記熱拡散層上にスピンコー
ト法により紫外線硬化樹脂よりなる保護層を形成し、光
ディスクを完成した。
リング装置から取り出し、上記熱拡散層上にスピンコー
ト法により紫外線硬化樹脂よりなる保護層を形成し、光
ディスクを完成した。
【００３７】記録層を構成するＡｇαＩｎβＳｂγＴｅ
δの組成、及び記録層を形成する際のスパッタガスに含
有されるＯ2ガス又はＮ2ガスの割合を、後掲する表１に
示すようにそれぞれ変化させて、光ディスクを作製し
た。そして、それぞれの光ディスクを、サンプル１〜サ
ンプル４４とした。
δの組成、及び記録層を形成する際のスパッタガスに含
有されるＯ2ガス又はＮ2ガスの割合を、後掲する表１に
示すようにそれぞれ変化させて、光ディスクを作製し
た。そして、それぞれの光ディスクを、サンプル１〜サ
ンプル４４とした。
【００３８】次に、これらの光ディスクを初期化した。
ここで言う初期化とは、この光ディスクの記録層を安定
な所定の結晶層にしておくことを示す。
ここで言う初期化とは、この光ディスクの記録層を安定
な所定の結晶層にしておくことを示す。
【００３９】そして、サンプル１〜サンプル４４の光デ
ィスクについて、ジッター値と線速度との関係を評価し
た。
ィスクについて、ジッター値と線速度との関係を評価し
た。
【００４０】評価を行うには、まず、これらの光ディス
クに対して相変化型光記録再生装置により、図２に示す
ような発光パターンを用いて線速度４ｍ／秒〜１６ｍ／
秒で、３Ｔマーク長が０．５７６μｍになるように記録
した。図２中、Ｐｃは、パワーが０．５ｍＷを示し、Ｐ
ｈ及びＰｌは、ジッター値が最良になるパワーとした。
クに対して相変化型光記録再生装置により、図２に示す
ような発光パターンを用いて線速度４ｍ／秒〜１６ｍ／
秒で、３Ｔマーク長が０．５７６μｍになるように記録
した。図２中、Ｐｃは、パワーが０．５ｍＷを示し、Ｐ
ｈ及びＰｌは、ジッター値が最良になるパワーとした。
【００４１】そして、十回のオーバーライト後のクロッ
クに対する各マークエッジの標準偏差をウインドウ幅で
規格化した値をジッター値とした。この条件では、ジッ
ター値が１５％以下であればエラー訂正可能であるとさ
れていることから、ジッター値が１５％以下となる線速
度を記録再生が可能な線速度とした。
クに対する各マークエッジの標準偏差をウインドウ幅で
規格化した値をジッター値とした。この条件では、ジッ
ター値が１５％以下であればエラー訂正可能であるとさ
れていることから、ジッター値が１５％以下となる線速
度を記録再生が可能な線速度とした。
【００４２】そして、ジッター値と線速度との関係を調
べて評価した。評価は、線速度が７ｍ／秒以上の領域に
おいて、ジッター値が１５％以下となる線速度帯域を持
つ場合には「ＯＫ」とし、ジッター値が１５％以下とな
る良好な線速度領域がなかった場合には「ＮＧ」とし
た。
べて評価した。評価は、線速度が７ｍ／秒以上の領域に
おいて、ジッター値が１５％以下となる線速度帯域を持
つ場合には「ＯＫ」とし、ジッター値が１５％以下とな
る良好な線速度領域がなかった場合には「ＮＧ」とし
た。
【００４３】サンプル１〜サンプル４４の光ディスクの
記録層を構成するＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの組成とス
パッタガスに含有されるＯ2ガス又はＮ2ガスの割合、及
びジッター値と線速度との関係についての評価結果を表
１に示す。
記録層を構成するＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの組成とス
パッタガスに含有されるＯ2ガス又はＮ2ガスの割合、及
びジッター値と線速度との関係についての評価結果を表
１に示す。
【００４４】
【表１】
【００４５】記録層を構成するＡｇαＩｎβＳｂγＴｅ
δの組成が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．２，
２≦γ／δ≦３なる関係を満たしていないサンプルの光
ディスクでは、ジッター値と線速度とについての評価が
ＮＧとされている。
δの組成が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．２，
２≦γ／δ≦３なる関係を満たしていないサンプルの光
ディスクでは、ジッター値と線速度とについての評価が
ＮＧとされている。
【００４６】一方、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの組成
が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．２，２≦γ／
δ≦３、の範囲内とされている記録層のサンプルの光デ
ィスクにおいては、ジッター値と線速度とについての評
価はＯＫとなっている。
が、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦２．２，２≦γ／
δ≦３、の範囲内とされている記録層のサンプルの光デ
ィスクにおいては、ジッター値と線速度とについての評
価はＯＫとなっている。
【００４７】すなわち、記録層の組成を、ＡｇαＩｎβ
ＳｂγＴｅδよりなり、６≦α≦１６，１．１≦δ／β
≦２．２，２≦γ／δ≦３なる関係を有するような組成
とすることにより、良好なジッター特性が得られること
がわかった。
ＳｂγＴｅδよりなり、６≦α≦１６，１．１≦δ／β
≦２．２，２≦γ／δ≦３なる関係を有するような組成
とすることにより、良好なジッター特性が得られること
がわかった。
【００４８】しかし、記録層の組成が、ＡｇαＩｎβＳ
ｂγＴｅδよりなり、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦
２．２，２≦γ／δ≦３なる関係を有するような組成と
されていても、スパッタガス中に酸素又は窒素が、１０
％以上で混合されている場合には、ジッター値と線速度
とについての評価がＮＧとされている。従って、スパッ
タガス中に含有されるＯ2ガス又はＮ2ガスの割合を、１
０％以下とすることが好ましい。
ｂγＴｅδよりなり、６≦α≦１６，１．１≦δ／β≦
２．２，２≦γ／δ≦３なる関係を有するような組成と
されていても、スパッタガス中に酸素又は窒素が、１０
％以上で混合されている場合には、ジッター値と線速度
とについての評価がＮＧとされている。従って、スパッ
タガス中に含有されるＯ2ガス又はＮ2ガスの割合を、１
０％以下とすることが好ましい。
【００４９】また、サンプル５の光ディスクと、サンプ
ル１５の光ディスクについて記録線速度とジッター値と
の関係を測定した結果を図３に示す。図３では、各線速
度でのジッターボトム値を示している。図３より、サン
プル５の光ディスクでは、ジッター値が１５％以下にな
る線速度が４ｍ／秒以下と小さい。一方、サンプル１５
の光ディスクでは、線速度が７ｍ／秒以上という高線速
度においても、ジッター値が１５％以下という、良好な
ジッター特性が得られていることがわかる。
ル１５の光ディスクについて記録線速度とジッター値と
の関係を測定した結果を図３に示す。図３では、各線速
度でのジッターボトム値を示している。図３より、サン
プル５の光ディスクでは、ジッター値が１５％以下にな
る線速度が４ｍ／秒以下と小さい。一方、サンプル１５
の光ディスクでは、線速度が７ｍ／秒以上という高線速
度においても、ジッター値が１５％以下という、良好な
ジッター特性が得られていることがわかる。
【００５０】
【発明の効果】本発明では、記録層を構成するＡｇαＩ
ｎβＳｂγＴｅδの組成比を規定することで、高線速度
においても良好に記録再生を行うことのできる光記録媒
体を実現することができる。
ｎβＳｂγＴｅδの組成比を規定することで、高線速度
においても良好に記録再生を行うことのできる光記録媒
体を実現することができる。
【００５１】また、本発明の光記録媒体の製造方法で
は、スパッタリングによって記録層を形成する際のター
ゲット材料ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの組成比を規定す
ることで、高線速度においても良好に記録再生を行うこ
とのできる光記録媒体を得ることができる。
は、スパッタリングによって記録層を形成する際のター
ゲット材料ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの組成比を規定す
ることで、高線速度においても良好に記録再生を行うこ
とのできる光記録媒体を得ることができる。
【図１】本発明に係る光ディスクの一構成例を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】光ディスクのジッター特性を評価するための記
録波形を示した図である。
録波形を示した図である。
【図３】記録線速度とジッター値との関係を示す図であ
る。
る。
１ 光ディスク、 ２ 基板、 ３ 第１の誘電体層、
４ 記録層、 ５第２の誘電体層、 ６ 熱拡散層、
７ 保護層
４ 記録層、 ５第２の誘電体層、 ６ 熱拡散層、
７ 保護層
Claims (4)
- 【請求項１】 結晶状態と非晶質状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を有し、上記
記録層に光線を照射して当該記録層に相変化を生じさせ
ることにより情報信号の記録及び／又は消去が行われる
光記録媒体において、 上記記録層は、相変化材料としてＡｇαＩｎβＳｂγＴ
ｅδを含有し、それぞれの組成比α，β，γ及びδ（原
子％）が、 ６≦α≦１６ １．１≦δ／β≦２．２ ２≦γ／δ≦３ なる関係を満たすことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 上記記録層は、Ｎ又はＯを含有すること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 結晶状態と非晶質状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を有し、上記
記録層に光線を照射して当該記録層に相変化を生じさせ
ることにより情報の記録及び／又は消去が行われる光記
録媒体の製造方法において、 上記記録層は、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδをターゲット
としてスパッタリングすることにより形成され、それぞ
れの組成比α，β，γ及びδ（原子％）が、 ６≦α≦１６ １．１≦δ／β≦２．２ ２≦γ／δ≦３ なる関係を満たすことを特徴とする光記録媒体の製造方
法。 - 【請求項４】 上記記録層をスパッタリングによって形
成する際に、Ａｒガスと、Ｎ2ガス又はＯ2ガスとの混合
ガスをスパッタガスとして用い、上記スパッタガスに対
する、Ｎ2ガス又はＯ2ガスの含有量を１０％以下とする
ことを特徴とする請求項３記載の光記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157957A JPH11348422A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 光記録媒体及びその製造方法 |
| TW088109058A TW513719B (en) | 1998-06-05 | 1999-06-01 | Optical recording medium and manufacturing method therefor |
| SG9902862A SG98370A1 (en) | 1998-06-05 | 1999-06-03 | Optical recording medium and manufacturing method therefor |
| EP99110811A EP0962924A3 (en) | 1998-06-05 | 1999-06-04 | Optical recording medium and manufacturing method therefor |
| CN99106992A CN1239283A (zh) | 1998-06-05 | 1999-06-04 | 光记录介质及其制造方法 |
| KR1019990020577A KR20000005902A (ko) | 1998-06-05 | 1999-06-04 | 광기록매체및그제조방법 |
| US09/325,637 US20020018961A1 (en) | 1998-06-05 | 1999-06-04 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157957A JPH11348422A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11348422A true JPH11348422A (ja) | 1999-12-21 |
Family
ID=15661161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10157957A Withdrawn JPH11348422A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0962924A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11348422A (ja) |
| KR (1) | KR20000005902A (ja) |
| CN (1) | CN1239283A (ja) |
| SG (1) | SG98370A1 (ja) |
| TW (1) | TW513719B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TW575873B (en) * | 2000-07-13 | 2004-02-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Information recording medium, method for producing the same, and recording/reproducing method using the same |
| EP1851763B8 (en) * | 2005-02-21 | 2013-09-11 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and recording and reproducing method using the same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2941848B2 (ja) * | 1988-07-20 | 1999-08-30 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
| US5156693A (en) * | 1990-02-19 | 1992-10-20 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium |
| JPH0628710A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体、その製造方法及びその初期化方法 |
| US5785828A (en) * | 1994-12-13 | 1998-07-28 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target for producing optical recording medium |
| JPH08216522A (ja) * | 1995-02-09 | 1996-08-27 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP10157957A patent/JPH11348422A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-06-01 TW TW088109058A patent/TW513719B/zh active
- 1999-06-03 SG SG9902862A patent/SG98370A1/en unknown
- 1999-06-04 KR KR1019990020577A patent/KR20000005902A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-06-04 EP EP99110811A patent/EP0962924A3/en not_active Withdrawn
- 1999-06-04 US US09/325,637 patent/US20020018961A1/en not_active Abandoned
- 1999-06-04 CN CN99106992A patent/CN1239283A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0962924A3 (en) | 1999-12-29 |
| EP0962924A2 (en) | 1999-12-08 |
| CN1239283A (zh) | 1999-12-22 |
| TW513719B (en) | 2002-12-11 |
| US20020018961A1 (en) | 2002-02-14 |
| SG98370A1 (en) | 2003-09-19 |
| KR20000005902A (ko) | 2000-01-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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