JP2000149325A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
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- JP2000149325A JP2000149325A JP10317965A JP31796598A JP2000149325A JP 2000149325 A JP2000149325 A JP 2000149325A JP 10317965 A JP10317965 A JP 10317965A JP 31796598 A JP31796598 A JP 31796598A JP 2000149325 A JP2000149325 A JP 2000149325A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高線速度における記録・再生特性、及び高密
度での信号特性においても十分な特性を有する。 【解決手段】 結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層と、上記記録
層と隣接して形成された誘電体層とを備え、光線を照射
して上記記録層に相変化を生じさせることにより情報信
号の記録及び／又は消去が行われ、上記記録層と上記誘
電体層との界面にＣ及びＯが存在する。
度での信号特性においても十分な特性を有する。 【解決手段】 結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層と、上記記録
層と隣接して形成された誘電体層とを備え、光線を照射
して上記記録層に相変化を生じさせることにより情報信
号の記録及び／又は消去が行われ、上記記録層と上記誘
電体層との界面にＣ及びＯが存在する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶状態と非結晶
状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からな
る記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を
生じさせることにより情報信号の記録及び／又は再生が
行われる光記録媒体及びその製造方法に関する。
状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からな
る記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を
生じさせることにより情報信号の記録及び／又は再生が
行われる光記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、データ記録の分野において、光学
記録方式に関する研究が進められている。この光学記録
方式は、記録媒体と非接触で情報信号の記録、再生を行
うことができ、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記
録密度を達成することができる。また、光学記録方式
は、再生専用型、追記型、書換可能型のそれぞれのメモ
リー形態に対応できる等の数々の利点を有する。このよ
うに、光記録方式は、安価な大容量ファイルの実現を可
能とする記録方式として、産業用から民生用まで幅広い
用途が考えられている。
記録方式に関する研究が進められている。この光学記録
方式は、記録媒体と非接触で情報信号の記録、再生を行
うことができ、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記
録密度を達成することができる。また、光学記録方式
は、再生専用型、追記型、書換可能型のそれぞれのメモ
リー形態に対応できる等の数々の利点を有する。このよ
うに、光記録方式は、安価な大容量ファイルの実現を可
能とする記録方式として、産業用から民生用まで幅広い
用途が考えられている。
【０００３】上述したような光学記録方式のうち、書換
可能型のメモリー形態に対応したものとしては、光磁気
ディスクや、相変化型光ディスク等が挙げられる。光磁
気ディスクでは、磁性材料からなる記録層を部分的にキ
ュリー点または温度補償点以上に昇温させることによっ
て記録層の保磁力を小さくし、外部から記録磁界を印加
することによって記録層の磁化方向を変化させて情報信
号が記録され、また、磁気的に情報信号の読みだしが行
われる。一方、相変化型光ディスクでは、結晶状態と非
結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料か
らなる記録層を備え、レーザ光等の照射により記録層を
昇温させ、記録層に相変化を生じさせて情報が記録消去
され、また、光学的に情報信号の読み出しが行われる。
可能型のメモリー形態に対応したものとしては、光磁気
ディスクや、相変化型光ディスク等が挙げられる。光磁
気ディスクでは、磁性材料からなる記録層を部分的にキ
ュリー点または温度補償点以上に昇温させることによっ
て記録層の保磁力を小さくし、外部から記録磁界を印加
することによって記録層の磁化方向を変化させて情報信
号が記録され、また、磁気的に情報信号の読みだしが行
われる。一方、相変化型光ディスクでは、結晶状態と非
結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料か
らなる記録層を備え、レーザ光等の照射により記録層を
昇温させ、記録層に相変化を生じさせて情報が記録消去
され、また、光学的に情報信号の読み出しが行われる。
【０００４】このような相変化型光ディスク等に用いら
れる相変化材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系合金材料、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系合金材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材
料、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金材料等のいわゆるカルコゲ
ン系合金材料が知られている。
れる相変化材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系合金材料、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系合金材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材
料、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金材料等のいわゆるカルコゲ
ン系合金材料が知られている。
【０００５】そして、特開昭62-53886号公報、特開昭63
-225934号公報、特開平3-80635号公報、特公平8-32482
号公報等では、相変化材料の高速結晶化特性等の向上を
目的としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比が特定
されている。
-225934号公報、特開平3-80635号公報、特公平8-32482
号公報等では、相変化材料の高速結晶化特性等の向上を
目的としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比が特定
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような相変化型光ディスクにおいては、高線速度、高
密度における信号特性などは、まだ十分なレベルにある
とは言えず、更なる特性向上が望まれている。特に、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料を記録層に用いた場合、数回
の繰り返し記録によるジッター特性劣化の現象などがあ
り、更なる特性向上が望まれている。
たような相変化型光ディスクにおいては、高線速度、高
密度における信号特性などは、まだ十分なレベルにある
とは言えず、更なる特性向上が望まれている。特に、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料を記録層に用いた場合、数回
の繰り返し記録によるジッター特性劣化の現象などがあ
り、更なる特性向上が望まれている。
【０００７】本発明は、上述したような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、今後の書換可能型のメモリ
ーとして重要な特性である高線速度における記録・再生
特性、及び高密度での信号特性においても十分な特性を
有する光記録媒体及びその製造方法を提供することを目
的とする。
みて提案されたものであり、今後の書換可能型のメモリ
ーとして重要な特性である高線速度における記録・再生
特性、及び高密度での信号特性においても十分な特性を
有する光記録媒体及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層と、上記記録層と隣接して形
成された誘電体層とを備え、光線を照射して上記記録層
に相変化を生じさせることにより情報信号の記録及び／
又は消去が行われる光記録媒体であって、上記記録層と
上記誘電体層との界面にＣ及びＯが存在することを特徴
とする。
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層と、上記記録層と隣接して形
成された誘電体層とを備え、光線を照射して上記記録層
に相変化を生じさせることにより情報信号の記録及び／
又は消去が行われる光記録媒体であって、上記記録層と
上記誘電体層との界面にＣ及びＯが存在することを特徴
とする。
【０００９】上述したような本発明に係る光記録媒体で
は、上記記録層と上記誘電体層との界面にＣ及びＯが存
在しているので、Ｃが上記相変化材料の高速結晶化を促
進し、また、Ｏが上記相変化材料の結晶成長時の結晶粒
径を制御して、高線速、高密度での記録再生が可能とな
る。
は、上記記録層と上記誘電体層との界面にＣ及びＯが存
在しているので、Ｃが上記相変化材料の高速結晶化を促
進し、また、Ｏが上記相変化材料の結晶成長時の結晶粒
径を制御して、高線速、高密度での記録再生が可能とな
る。
【００１０】また、本発明の光記録媒体の製造方法は、
基板上に結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的
に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射
して上記記録層に相変化を生じさせることにより情報信
号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体の製造方
法であって、上記記録層の形成前及び／又は形成後に、
Ｃ及びＯを含有する不活性ガス雰囲気下で、プレスパッ
タリングを行うことを特徴とする。
基板上に結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的
に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射
して上記記録層に相変化を生じさせることにより情報信
号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体の製造方
法であって、上記記録層の形成前及び／又は形成後に、
Ｃ及びＯを含有する不活性ガス雰囲気下で、プレスパッ
タリングを行うことを特徴とする。
【００１１】上述したような本発明に係る光記録媒体の
製造方法では、上記記録層の形成前及び／又は形成後
に、Ｃ及びＯを含有する不活性ガス雰囲気下でプレスパ
ッタリングを行うことで、上記記録層の界面にＣ及びＯ
を存在させ、高線速、高密度での記録再生を可能とす
る。
製造方法では、上記記録層の形成前及び／又は形成後
に、Ｃ及びＯを含有する不活性ガス雰囲気下でプレスパ
ッタリングを行うことで、上記記録層の界面にＣ及びＯ
を存在させ、高線速、高密度での記録再生を可能とす
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１は、本発明に係る光記録媒体の一構成
例を模式的に示す断面図である。この光記録媒体は、相
変化型のディスク状光記録媒体（以下、光ディスクと称
する。）である。この光ディスク１は、基板２の一主面
２ａ上に、第１の誘電体層３と、記録層４と、第２の誘
電体層５と、熱拡散層６と、保護層７とが順次積層形成
されてなる。
例を模式的に示す断面図である。この光記録媒体は、相
変化型のディスク状光記録媒体（以下、光ディスクと称
する。）である。この光ディスク１は、基板２の一主面
２ａ上に、第１の誘電体層３と、記録層４と、第２の誘
電体層５と、熱拡散層６と、保護層７とが順次積層形成
されてなる。
【００１４】基板２は、ポリカーボネートやガラス等、
レーザ光を透過し得る材料からなる。
レーザ光を透過し得る材料からなる。
【００１５】第１の誘電体層３及び第２の誘電体層５は
少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好まし
く、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2等が挙げられる。この第１
の誘電体層３の厚さとしては５０ｎｍ〜２５０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば１００ｎｍである。また、
第２の誘電体層５の厚さとしては５ｎｍ〜３０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば２０ｎｍである。
少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好まし
く、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2等が挙げられる。この第１
の誘電体層３の厚さとしては５０ｎｍ〜２５０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば１００ｎｍである。また、
第２の誘電体層５の厚さとしては５ｎｍ〜３０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば２０ｎｍである。
【００１６】記録層４は、相変化材料からなり、具体的
にはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ材料からなるものが好ましい。こ
のような記録層４は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅを含有する相変
化材料をターゲットとして用いたスパッタリングによっ
て形成される。この記録層４の厚さとしては１０ｎｍ〜
５０ｎｍが好ましく、具体的には、例えば２０ｎｍであ
る。
にはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ材料からなるものが好ましい。こ
のような記録層４は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅを含有する相変
化材料をターゲットとして用いたスパッタリングによっ
て形成される。この記録層４の厚さとしては１０ｎｍ〜
５０ｎｍが好ましく、具体的には、例えば２０ｎｍであ
る。
【００１７】熱拡散層６は、例えばアルミニウム等から
なる。この熱拡散層６の厚さとしては５０ｎｍ〜２５０
ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１６０ｎｍであ
る。
なる。この熱拡散層６の厚さとしては５０ｎｍ〜２５０
ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１６０ｎｍであ
る。
【００１８】保護層７は、例えば紫外線硬化型樹脂等か
らなる。
らなる。
【００１９】そして、この光ディスク１では、第１の誘
電体層３と記録層４との界面、又は記録層４と第２の誘
電体層５との界面に、Ｃ及びＯが存在する。第１の誘電
体層３と記録層４との界面、又は記録層４と第２の誘電
体層５との界面に、Ｃ及びＯを存在させることで、相変
化材料からなる記録層４の結晶化過程において、Ｃが相
変化材料の結晶化の核となり高速結晶化を促進し、ま
た、Ｏが上記相変化材料の結晶成長時の結晶粒径を制御
する。これにより、記録層４の相変化速度を高めて、光
ディスク１の高線速、高密度での記録再生が可能とな
る。
電体層３と記録層４との界面、又は記録層４と第２の誘
電体層５との界面に、Ｃ及びＯが存在する。第１の誘電
体層３と記録層４との界面、又は記録層４と第２の誘電
体層５との界面に、Ｃ及びＯを存在させることで、相変
化材料からなる記録層４の結晶化過程において、Ｃが相
変化材料の結晶化の核となり高速結晶化を促進し、ま
た、Ｏが上記相変化材料の結晶成長時の結晶粒径を制御
する。これにより、記録層４の相変化速度を高めて、光
ディスク１の高線速、高密度での記録再生が可能とな
る。
【００２０】このような光ディスク１に対して情報の記
録を行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主
面２ｂからレーザ光等の記録光を部分的に照射して記録
層４の一部を所定の結晶相或いは非結晶相に相変化させ
ることにより記録を行う。上述したような相変化材料で
は、加熱温度によって異なるが、例えば急速加熱又は急
冷することにより非晶質状態となり、徐冷することによ
り結晶状態となる。このように、情報信号に応じて、記
録層４に結晶部分と非結晶部分とを形成することで情報
の記録が行われる。
録を行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主
面２ｂからレーザ光等の記録光を部分的に照射して記録
層４の一部を所定の結晶相或いは非結晶相に相変化させ
ることにより記録を行う。上述したような相変化材料で
は、加熱温度によって異なるが、例えば急速加熱又は急
冷することにより非晶質状態となり、徐冷することによ
り結晶状態となる。このように、情報信号に応じて、記
録層４に結晶部分と非結晶部分とを形成することで情報
の記録が行われる。
【００２１】また、この光ディスク１から情報の再生を
行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主面２
ｂ側から記録層４にレーザ光等の再生光を照射して、記
録層４中の異なる結晶相或いは非結晶相間の反射率の差
異により、結晶相及び非結晶相に対応した情報の再生を
行う。なお、この再生光は、記録層４に相変化を起こさ
ないようなものであることが必要である。
行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主面２
ｂ側から記録層４にレーザ光等の再生光を照射して、記
録層４中の異なる結晶相或いは非結晶相間の反射率の差
異により、結晶相及び非結晶相に対応した情報の再生を
行う。なお、この再生光は、記録層４に相変化を起こさ
ないようなものであることが必要である。
【００２２】以下、このような光ディスク１の製造方法
について説明する。
について説明する。
【００２３】まず、ポリカーボネートやガラス等、レー
ザ光を透過し得る材料からなり、トラッキング用のグル
ーブがスパイラル状に形成された基板２を用意する。
ザ光を透過し得る材料からなり、トラッキング用のグル
ーブがスパイラル状に形成された基板２を用意する。
【００２４】次に、基板２のグルーブが形成された面上
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等をスパッタリングにより被着さ
せて、第１の誘電体層３を形成する。この第１の誘電体
層３の厚さとしては５０ｎｍ〜２５０ｎｍが好ましく、
具体的には、例えば１００ｎｍとする。
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等をスパッタリングにより被着さ
せて、第１の誘電体層３を形成する。この第１の誘電体
層３の厚さとしては５０ｎｍ〜２５０ｎｍが好ましく、
具体的には、例えば１００ｎｍとする。
【００２５】ここで、本発明では、第１の誘電体層３形
成後であって記録層４形成前、又は記録層４形成後であ
って第２の誘電体層５形成前に、Ｃ及びＯを含有する不
活性ガス中でプレスパッタリングを行う。Ｃ及びＯを含
有する不活性ガスとして、具体的にはＣＯ2又はＣＯを
含有するＡｒガスを用いることが好ましい。
成後であって記録層４形成前、又は記録層４形成後であ
って第２の誘電体層５形成前に、Ｃ及びＯを含有する不
活性ガス中でプレスパッタリングを行う。Ｃ及びＯを含
有する不活性ガスとして、具体的にはＣＯ2又はＣＯを
含有するＡｒガスを用いることが好ましい。
【００２６】つぎに、プレスパッタリングについて説明
する。一般に、スパッタリングによる成膜工程では、所
望の膜厚を得るために、ターゲットと基板との間に設け
られているシャッタの開閉により膜形成を制御してい
る。プレスパッタとは、このシャッタを開ける前の状態
をいい、成膜には寄与しない状態をいう。
する。一般に、スパッタリングによる成膜工程では、所
望の膜厚を得るために、ターゲットと基板との間に設け
られているシャッタの開閉により膜形成を制御してい
る。プレスパッタとは、このシャッタを開ける前の状態
をいい、成膜には寄与しない状態をいう。
【００２７】例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる記録層
４、或いはＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる誘電体層の成膜時
は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅターゲット或いはＺｎＳ−ＳｉＯ
2ターゲットをＡｒガス雰囲気中でプレスパッタリング
状態にし、シャッタを開けて所望の膜厚を成膜する。こ
のプレスパッタ時のＡｒガスは不活性ガスであり、プレ
スパッタ状態に基板がさらされても界面にＡｒが反応吸
着していくことはない。
４、或いはＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる誘電体層の成膜時
は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅターゲット或いはＺｎＳ−ＳｉＯ
2ターゲットをＡｒガス雰囲気中でプレスパッタリング
状態にし、シャッタを開けて所望の膜厚を成膜する。こ
のプレスパッタ時のＡｒガスは不活性ガスであり、プレ
スパッタ状態に基板がさらされても界面にＡｒが反応吸
着していくことはない。
【００２８】一方、本発明におけるプレスパッタ状態と
は、ＣＯ2又はＣＯを含有するＡｒガス中で放電させて
いることから、シャッタが閉じており成膜こそされない
が、成膜チャンバ内には、活性化したＣやＯ、或いはＣ
Ｏがが存在し、誘電体層と記録層との界面にこれらの
Ｃ、Ｏ或いはＣＯが吸着、反応することになる。
は、ＣＯ2又はＣＯを含有するＡｒガス中で放電させて
いることから、シャッタが閉じており成膜こそされない
が、成膜チャンバ内には、活性化したＣやＯ、或いはＣ
Ｏがが存在し、誘電体層と記録層との界面にこれらの
Ｃ、Ｏ或いはＣＯが吸着、反応することになる。
【００２９】このようにして、第１の誘電体層３と記録
層４との界面、又は記録層４と第２の誘電体層５との界
面に、Ｃ及びＯを存在させることができ、記録層４の相
変化速度を高めて、高線速、高密度での記録再生に適し
た光ディスク１を得ることができる。
層４との界面、又は記録層４と第２の誘電体層５との界
面に、Ｃ及びＯを存在させることができ、記録層４の相
変化速度を高めて、高線速、高密度での記録再生に適し
た光ディスク１を得ることができる。
【００３０】そして、第１の誘電体層３上に、相変化材
料としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅをスパッタリングにより被着
させて記録層４を形成する。この記録層４の厚さとして
は１０ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、具体的には、例えば
２０ｎｍである。
料としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅをスパッタリングにより被着
させて記録層４を形成する。この記録層４の厚さとして
は１０ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、具体的には、例えば
２０ｎｍである。
【００３１】次に、記録層４上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等
をスパッタリングにより被着させて、第２の誘電体層５
を形成する。この第２の誘電体層５の厚さとしては５ｎ
ｍ〜３０ｎｍが好ましく、具体的には、例えば２０ｎｍ
とする。
をスパッタリングにより被着させて、第２の誘電体層５
を形成する。この第２の誘電体層５の厚さとしては５ｎ
ｍ〜３０ｎｍが好ましく、具体的には、例えば２０ｎｍ
とする。
【００３２】次に、第２の誘電体層５上に、アルミニウ
ム等を被着させて熱拡散層６を形成する。この熱拡散層
６の厚さとしては５０ｎｍ〜２５０ｎｍが好ましく、具
体的には、例えば１６０ｎｍとする。
ム等を被着させて熱拡散層６を形成する。この熱拡散層
６の厚さとしては５０ｎｍ〜２５０ｎｍが好ましく、具
体的には、例えば１６０ｎｍとする。
【００３３】最後に、熱拡散層６上に、紫外線硬化型樹
脂等をスピンコート法によって塗布することにより保護
層７を形成して、光ディスク１が得られる。
脂等をスピンコート法によって塗布することにより保護
層７を形成して、光ディスク１が得られる。
【００３４】
【実施例】つぎに、上述したような光ディスクを作製
し、その特性を調査した実験例について説明する。
し、その特性を調査した実験例について説明する。
【００３５】〈実施例１〉まず、一主面上にトラッキン
グの為のグルーブが０．８５μｍのピッチでスパイラル
状に形成されている、ポリカーボネート製の基板を用意
し、この基板のグルーブが形成された面上に、スパッタ
リングによりＺｎＳ−ＳｉＯ2を１００ｎｍの厚みに被
着させて第１の誘電体層を形成した。
グの為のグルーブが０．８５μｍのピッチでスパイラル
状に形成されている、ポリカーボネート製の基板を用意
し、この基板のグルーブが形成された面上に、スパッタ
リングによりＺｎＳ−ＳｉＯ2を１００ｎｍの厚みに被
着させて第１の誘電体層を形成した。
【００３６】次に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を放電ターゲット
とし、ＣＯ2を１０％含有するＡｒガス雰囲気中でプレ
スパッタ（シャッタは閉じた状態）を３０秒間行った。
これにより、成膜チャンバ内に、活性化したＣやＯ、或
いはＣＯを存在せしめ、第１の誘電体層の表面にこれら
のＣ、Ｏ或いはＣＯが吸着、反応することになる。ま
た、このときの投入パワーはＲＦ電源で１ｋＷとした。
とし、ＣＯ2を１０％含有するＡｒガス雰囲気中でプレ
スパッタ（シャッタは閉じた状態）を３０秒間行った。
これにより、成膜チャンバ内に、活性化したＣやＯ、或
いはＣＯを存在せしめ、第１の誘電体層の表面にこれら
のＣ、Ｏ或いはＣＯが吸着、反応することになる。ま
た、このときの投入パワーはＲＦ電源で１ｋＷとした。
【００３７】次に、この第１の誘電体層の上に、Ｇｅ2
Ｓｂ2Ｔｅ5をターゲットとしたスパッタリングによりＧ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅを２５ｎｍの厚みに被着させて記録層を
形成した。
Ｓｂ2Ｔｅ5をターゲットとしたスパッタリングによりＧ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅを２５ｎｍの厚みに被着させて記録層を
形成した。
【００３８】次に、この記録層の上にスパッタリングに
よりＺｎＳ−ＳｉＯ2を２０ｎｍの厚みに被着させて第
２の誘電体層を形成した。
よりＺｎＳ−ＳｉＯ2を２０ｎｍの厚みに被着させて第
２の誘電体層を形成した。
【００３９】さらに、この第２の誘電体層の上にスパッ
タリングによりＡｌを１６０ｎｍの厚みに被着させて熱
拡散層を形成した。
タリングによりＡｌを１６０ｎｍの厚みに被着させて熱
拡散層を形成した。
【００４０】これら各層のスパッタリングは各材料ごと
に分かれたチャンバーを有するスパッタリング装置を用
いて行うこととし、スパッタリングの際には各チャンバ
ー内の真空度を５×１０-5Ｐａ以下とした後、Ａｒガス
を導入して所定の真空度とした。
に分かれたチャンバーを有するスパッタリング装置を用
いて行うこととし、スパッタリングの際には各チャンバ
ー内の真空度を５×１０-5Ｐａ以下とした後、Ａｒガス
を導入して所定の真空度とした。
【００４１】さらに、各層が形成された基板をスパッタ
リング装置から取り出し、上記熱拡散層上にスピンコー
ト法により紫外線硬化樹脂よりなる保護層を形成し、光
ディスクを完成した。
リング装置から取り出し、上記熱拡散層上にスピンコー
ト法により紫外線硬化樹脂よりなる保護層を形成し、光
ディスクを完成した。
【００４２】〈比較例１〉プレスパッタを行わなかった
こと以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作製し
た。
こと以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作製し
た。
【００４３】〈比較例２〉プレスパッタ時に、ＣＯ2を
１０％含有するＡｒガスの代わりに、Ｏ2を４％含有す
るＡｒガスを用いたこと以外は実施例１と同様にして光
ディスクを作製した。
１０％含有するＡｒガスの代わりに、Ｏ2を４％含有す
るＡｒガスを用いたこと以外は実施例１と同様にして光
ディスクを作製した。
【００４４】次に、これら実施例１、比較例１及び比較
例２の光ディスクを初期化した。ここで言う初期化と
は、この光ディスクの記録層を安定な所定の結晶層にし
ておくことを示す。
例２の光ディスクを初期化した。ここで言う初期化と
は、この光ディスクの記録層を安定な所定の結晶層にし
ておくことを示す。
【００４５】そして、実施例１、比較例１及び比較例２
の光ディスクについて、線速度とジッター値との関係を
評価した。
の光ディスクについて、線速度とジッター値との関係を
評価した。
【００４６】評価を行うには、まず、これらの光ディス
クに対して相変化型光記録再生装置により、図２に示す
ような発光パターンを用いて、線速度を４〜１６ｍ／ｓ
ｅｃで、長さ０．５７６μｍのマークとなるよう記録し
た。図２中、Ｐｈ，Ｐｌ及びＰｃは、ジッター値が最良
になるパワーとした。
クに対して相変化型光記録再生装置により、図２に示す
ような発光パターンを用いて、線速度を４〜１６ｍ／ｓ
ｅｃで、長さ０．５７６μｍのマークとなるよう記録し
た。図２中、Ｐｈ，Ｐｌ及びＰｃは、ジッター値が最良
になるパワーとした。
【００４７】そして、１０回のオーバーライト後のクロ
ックに対する各マークエッジの標準偏差をウインドウ幅
で規格化した値をジッター値とした。この条件では、ジ
ッター値が１５％以下であればエラー訂正可能であると
されていることから、ジッター値が１５％以下となる線
速を記録再生可能な線速とした。特に、そのジッターの
ボトムが得られる線速を最適線速とした。
ックに対する各マークエッジの標準偏差をウインドウ幅
で規格化した値をジッター値とした。この条件では、ジ
ッター値が１５％以下であればエラー訂正可能であると
されていることから、ジッター値が１５％以下となる線
速を記録再生可能な線速とした。特に、そのジッターの
ボトムが得られる線速を最適線速とした。
【００４８】実施例１、比較例１及び比較例２の光ディ
スクについて、線速度とジッター値との関係を図３に示
す。ここで、図３においては、実施例１の結果を□で示
す。また、比較例１の結果を○で示し、比較例２の結果
を●で示す。
スクについて、線速度とジッター値との関係を図３に示
す。ここで、図３においては、実施例１の結果を□で示
す。また、比較例１の結果を○で示し、比較例２の結果
を●で示す。
【００４９】図３より、比較例１では、ジッター値も大
きく、最適線速も低かった。また、比較例２では、ジッ
ター値は若干下がるものの、最適線速は、比較例１とほ
とんど変わらなかった。一方、実施例１では、ボトムジ
ッターも高く、且つ最適線速が７ｍ／ｓｅｃと高線速に
対応できることがわかる。
きく、最適線速も低かった。また、比較例２では、ジッ
ター値は若干下がるものの、最適線速は、比較例１とほ
とんど変わらなかった。一方、実施例１では、ボトムジ
ッターも高く、且つ最適線速が７ｍ／ｓｅｃと高線速に
対応できることがわかる。
【００５０】次に、最適プレスパッタ条件を求めるた
め、プレスパッタの条件を変えて光ディスクを作製し、
特性を評価した。
め、プレスパッタの条件を変えて光ディスクを作製し、
特性を評価した。
【００５１】〈実施例２〉プレスパッタ時のＣＯ2の濃
度を５％としたこと以外は、実施例１と同様にして光デ
ィスクを作製した。
度を５％としたこと以外は、実施例１と同様にして光デ
ィスクを作製した。
【００５２】〈実施例３〉プレスパッタ時のＣＯ2の濃
度を１５％としたこと以外は、実施例１と同様にして光
ディスクを作製した。
度を１５％としたこと以外は、実施例１と同様にして光
ディスクを作製した。
【００５３】〈実施例４〉記録層の形成後にプレスパッ
タを行い、プレスパッタ時のＣＯ2の濃度を５％とした
こと以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作製し
た。
タを行い、プレスパッタ時のＣＯ2の濃度を５％とした
こと以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作製し
た。
【００５４】〈実施例５〉記録層の形成後にプレスパッ
タを行ったこと以外は、実施例１と同様にして光ディス
クを作製した。
タを行ったこと以外は、実施例１と同様にして光ディス
クを作製した。
【００５５】〈実施例６〉記録層の形成後にプレスパッ
タを行い、プレスパッタ時のＣＯ2の濃度を１５％とし
たこと以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作製
した。
タを行い、プレスパッタ時のＣＯ2の濃度を１５％とし
たこと以外は、実施例１と同様にして光ディスクを作製
した。
【００５６】〈比較例３〉プレスパッタ時に、ＣＯ2を
含有しないＡｒガスを用いたこと以外は実施例１と同様
にして光ディスクを作製した。
含有しないＡｒガスを用いたこと以外は実施例１と同様
にして光ディスクを作製した。
【００５７】〈比較例４〉記録層の形成後にプレスパッ
タを行い、当該プレスパッタ時に、ＣＯ2を含有しない
Ａｒガスを用いたこと以外は実施例１と同様にして光デ
ィスクを作製した。
タを行い、当該プレスパッタ時に、ＣＯ2を含有しない
Ａｒガスを用いたこと以外は実施例１と同様にして光デ
ィスクを作製した。
【００５８】実施例１〜実施例６、比較例３及び比較例
６の光ディスクについて、上記と同様にしてディスクを
初期化し、線速度とジッター値との関係を評価した。現
行の最適線速５ｍ／ｓｅｃに対し、最適線速がそれ以上
で、かつボトムジッター値が１５％以下となる場合には
「ＯＫ」として評価し、それ以外の場合には「ＮＧ」と
して評価した。
６の光ディスクについて、上記と同様にしてディスクを
初期化し、線速度とジッター値との関係を評価した。現
行の最適線速５ｍ／ｓｅｃに対し、最適線速がそれ以上
で、かつボトムジッター値が１５％以下となる場合には
「ＯＫ」として評価し、それ以外の場合には「ＮＧ」と
して評価した。
【００５９】実施例１〜実施例６、比較例３及び比較例
４の光ディスクについての評価結果を表１に示す。
４の光ディスクについての評価結果を表１に示す。
【００６０】
【表１】
【００６１】表１より、ＣＯ2を含有しないＡｒガスだ
けでプレスパッタした比較例３及び比較例４ではＮＧで
あったが、ＣＯ2を含有するＡｒガスでプレスパッタし
た実施例１〜実施例６では、全ての条件でＯＫであっ
た。
けでプレスパッタした比較例３及び比較例４ではＮＧで
あったが、ＣＯ2を含有するＡｒガスでプレスパッタし
た実施例１〜実施例６では、全ての条件でＯＫであっ
た。
【００６２】従って、記録層下地の第１の誘電体層形成
工程と記録層形成工程、又は記録層形成工程と記録層上
地の第２の誘電体層形成工程、あるいはその両方におい
て、ＣＯ2を含有するＡｒガス雰囲気下にてプレスパッ
タリングすることにより、記録層と誘電体層との界面に
Ｃ及びＯを存在せしめ、高線速での記録再生にも対応で
きる良好なジッター特性が得られることがわかった。
工程と記録層形成工程、又は記録層形成工程と記録層上
地の第２の誘電体層形成工程、あるいはその両方におい
て、ＣＯ2を含有するＡｒガス雰囲気下にてプレスパッ
タリングすることにより、記録層と誘電体層との界面に
Ｃ及びＯを存在せしめ、高線速での記録再生にも対応で
きる良好なジッター特性が得られることがわかった。
【００６３】
【発明の効果】本発明では、誘電体層と記録層との界面
に、Ｃ及びＯを存在させることで、記録層の相変化速度
を高めることができ、高線速、高密度での記録再生が可
能な光記録媒体を実現することができる。
に、Ｃ及びＯを存在させることで、記録層の相変化速度
を高めることができ、高線速、高密度での記録再生が可
能な光記録媒体を実現することができる。
【００６４】また、本発明の光記録媒体の製造方法で
は、プレスパッタリングを行うことにより、誘電体層と
記録層との界面にＣ及びＯを存在させ、記録層の相変化
速度を高めて、高線速、高密度での記録再生に適した光
記録媒体を得ることができる。
は、プレスパッタリングを行うことにより、誘電体層と
記録層との界面にＣ及びＯを存在させ、記録層の相変化
速度を高めて、高線速、高密度での記録再生に適した光
記録媒体を得ることができる。
【図１】本発明に係る光ディスクの一構成例を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】光ディスクのジッター特性を評価するための記
録発光パターンを示した図である。
録発光パターンを示した図である。
【図３】記録線速度とジッター値との関係を示す図であ
る。
る。
１ 光ディスク、 ２ 基板、 ３ 第１の誘電体層、
４ 記録層、 ５第２の誘電体層、 ６ 熱拡散層、
７ 保護層
４ 記録層、 ５第２の誘電体層、 ６ 熱拡散層、
７ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１
Claims (5)
- 【請求項１】 結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層と、 上記記録層と隣接して形成された誘電体層とを備え、光
線を照射して上記記録層に相変化を生じさせることによ
り情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体
において、 上記記録層と上記誘電体層との界面にＣ及びＯが存在す
ることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 上記記録層は、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含有
することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 上記誘電体層は、ＺｎＳ，ＳｉＯ2を含
有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体の
製造方法において、 上記記録層の形成前及び／又は形成後に、Ｃ及びＯを含
有する不活性ガス雰囲気下で、プレスパッタリングを行
うことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 上記Ｃ及びＯを含有する不活性ガスが、
ＣＯ2又はＣＯを含有するＡｒガスであることを特徴と
する請求項４記載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10317965A JP2000149325A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10317965A JP2000149325A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000149325A true JP2000149325A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18093981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10317965A Withdrawn JP2000149325A (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000149325A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427517B1 (ko) * | 2000-05-11 | 2004-04-27 | 닛폰 덴키 가부시끼 가이샤 | 상 변화 광 디스크 |
| KR100578008B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2006-05-11 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 광학적 정보 기록 매체와 그 제조 방법, 이 매체를 이용한정보의 기록 방법 및 기록 장치 |
| KR100695739B1 (ko) * | 2002-03-15 | 2007-03-15 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 광학적 정보 기록 매체와 그 제조 방법, 및 그 기록 재생방법 |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP10317965A patent/JP2000149325A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427517B1 (ko) * | 2000-05-11 | 2004-04-27 | 닛폰 덴키 가부시끼 가이샤 | 상 변화 광 디스크 |
| KR100695739B1 (ko) * | 2002-03-15 | 2007-03-15 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 광학적 정보 기록 매체와 그 제조 방법, 및 그 기록 재생방법 |
| KR100578008B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2006-05-11 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 광학적 정보 기록 매체와 그 제조 방법, 이 매체를 이용한정보의 기록 방법 및 기록 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |