JPH11232692A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH11232692A JPH11232692A JP10028677A JP2867798A JPH11232692A JP H11232692 A JPH11232692 A JP H11232692A JP 10028677 A JP10028677 A JP 10028677A JP 2867798 A JP2867798 A JP 2867798A JP H11232692 A JPH11232692 A JP H11232692A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な繰り返し記録耐久性を確保する。
【解決手段】 基板１の一主面１ａ上に第１の誘電体層
２を積層形成し、その上に結晶化開始温度の異なる第１
の薄膜３と第２の薄膜４の２層の薄膜よりなる記録層５
を積層形成し、さらに第２の誘電体層６、反射層７、保
護層８を順次積層形成する。なお、上記第１の薄膜３及
び第２の薄膜４のうち、何れか一方の薄膜が窒素或いは
酸素を含有することが好ましく、基板１側となる第１の
薄膜３が窒素或いは酸素を含有することがより好まし
い。さらに、第１の薄膜３及び第２の薄膜４の結晶化開
始温度の差が２０（℃）以上であることが好ましく、基
板１側となる第１の薄膜３の結晶化開始温度が他方の第
２の薄膜４の結晶化開始温度よりも２０（℃）以上高い
ことがより好ましい。さらにまた、第１の薄膜３及び第
２の薄膜４の厚さが各々３（ｎｍ）以上であることが好
ましい。
２を積層形成し、その上に結晶化開始温度の異なる第１
の薄膜３と第２の薄膜４の２層の薄膜よりなる記録層５
を積層形成し、さらに第２の誘電体層６、反射層７、保
護層８を順次積層形成する。なお、上記第１の薄膜３及
び第２の薄膜４のうち、何れか一方の薄膜が窒素或いは
酸素を含有することが好ましく、基板１側となる第１の
薄膜３が窒素或いは酸素を含有することがより好まし
い。さらに、第１の薄膜３及び第２の薄膜４の結晶化開
始温度の差が２０（℃）以上であることが好ましく、基
板１側となる第１の薄膜３の結晶化開始温度が他方の第
２の薄膜４の結晶化開始温度よりも２０（℃）以上高い
ことがより好ましい。さらにまた、第１の薄膜３及び第
２の薄膜４の厚さが各々３（ｎｍ）以上であることが好
ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体及びそ
の製造方法に関する。詳しくは、レーザ光等の光の照射
により記録層を昇温させ、記録層に相変化を生じさせて
情報を記録消去し、光学的に情報信号の読み出しを行う
光記録媒体及びその製造方法に係わるものである。
の製造方法に関する。詳しくは、レーザ光等の光の照射
により記録層を昇温させ、記録層に相変化を生じさせて
情報を記録消去し、光学的に情報信号の読み出しを行う
光記録媒体及びその製造方法に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、データ記録の分野においては光学
データ記録方式に関する研究が各所で進められている。
この光学データ記録方式は、非接触で記録・再生が行え
ること、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記録密度
が達成できること、再生専用型、追記型、書換可能型の
それぞれのメモリー形態に対応できる等の数々の利点を
有し、安価な大容量ファイルの実現を可能とする方式と
して産業用から民生用まで幅広い用途の考えられている
ものである。
データ記録方式に関する研究が各所で進められている。
この光学データ記録方式は、非接触で記録・再生が行え
ること、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記録密度
が達成できること、再生専用型、追記型、書換可能型の
それぞれのメモリー形態に対応できる等の数々の利点を
有し、安価な大容量ファイルの実現を可能とする方式と
して産業用から民生用まで幅広い用途の考えられている
ものである。
【０００３】上記のうち、書換可能型のメモリー形態に
対応したものとしては、光磁気ディスクや相変化型光デ
ィスクが挙げられる。
対応したものとしては、光磁気ディスクや相変化型光デ
ィスクが挙げられる。
【０００４】例えば、上記書換可能型のメモリー形態に
対応した相変化型光ディスクは、以下に示すような構成
を有する。すなわち、透明基板の一主面上にＺｎＳ等よ
りなる透明誘電体膜が形成され、その上にカルコゲン系
合金材料等よりなる相変化記録膜が形成され、さらにＺ
ｎＳ等の透明誘電体膜が形成されて、さらにはアルミニ
ウム膜等の反射膜が形成された構成とされている。
対応した相変化型光ディスクは、以下に示すような構成
を有する。すなわち、透明基板の一主面上にＺｎＳ等よ
りなる透明誘電体膜が形成され、その上にカルコゲン系
合金材料等よりなる相変化記録膜が形成され、さらにＺ
ｎＳ等の透明誘電体膜が形成されて、さらにはアルミニ
ウム膜等の反射膜が形成された構成とされている。
【０００５】このカルコゲン系合金材料としては、Ｇｅ
−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、
Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系等が例示され、これらにおいては結
晶−非晶相間、結晶−結晶相間の転移を利用して情報の
記録消去が行われる。これらの中でも特に、高速結晶化
特性等の向上を目的として、特開昭６２−５３８８６号
公報や特開平３−８０６３５号公報、特開昭６３−２２
５９３４号公報、特公平８−３２４８２号公報に示され
るＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の組成比を特定した材料や、
耐久性の向上を目的として特開平６−１６６２６８号公
報や特開平４−２３２７７９号公報に示されるＡｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の組成比を特定した材料が良く知
られている。
−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、
Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系等が例示され、これらにおいては結
晶−非晶相間、結晶−結晶相間の転移を利用して情報の
記録消去が行われる。これらの中でも特に、高速結晶化
特性等の向上を目的として、特開昭６２−５３８８６号
公報や特開平３−８０６３５号公報、特開昭６３−２２
５９３４号公報、特公平８−３２４８２号公報に示され
るＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の組成比を特定した材料や、
耐久性の向上を目的として特開平６−１６６２６８号公
報や特開平４−２３２７７９号公報に示されるＡｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の組成比を特定した材料が良く知
られている。
【０００６】そして、上記相変化型光ディスクに情報を
記録する場合には、透明基板側から相変化記録膜にレー
ザ光等の光を照射して相変化記録膜をスポット的に昇温
し、相変化記録膜の一部の状態を変化させて記録を行
う。加熱温度によって異なるが、上記のような材料は例
えば急速加熱及び急冷で非晶質となり、除冷で結晶化す
る。このため、非晶質部分と結晶部分を形成することで
情報の記録が行われる。
記録する場合には、透明基板側から相変化記録膜にレー
ザ光等の光を照射して相変化記録膜をスポット的に昇温
し、相変化記録膜の一部の状態を変化させて記録を行
う。加熱温度によって異なるが、上記のような材料は例
えば急速加熱及び急冷で非晶質となり、除冷で結晶化す
る。このため、非晶質部分と結晶部分を形成することで
情報の記録が行われる。
【０００７】一方、上記相変化型光ディスクの情報を再
生する場合には、透明基板側から相変化記録膜に状態の
変化が発生しないようなレーザ光等の光を照射し、結晶
部分と非晶質部分の戻り光の違いにより情報の検出を行
う。
生する場合には、透明基板側から相変化記録膜に状態の
変化が発生しないようなレーザ光等の光を照射し、結晶
部分と非晶質部分の戻り光の違いにより情報の検出を行
う。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな相変化型光ディスクにおいては、高線速度、高密度
における信号特性、記録耐久性などにおいて十分な特性
を有しているとは言えず、さらなる特性向上が望まれて
いる。
うな相変化型光ディスクにおいては、高線速度、高密度
における信号特性、記録耐久性などにおいて十分な特性
を有しているとは言えず、さらなる特性向上が望まれて
いる。
【０００９】また、書き換え可能型のメモリー形態に対
応していることから、記録・消去特性及び繰り返し耐久
性の更なる向上も望まれている。
応していることから、記録・消去特性及び繰り返し耐久
性の更なる向上も望まれている。
【００１０】そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提
案されるものであって、高線速度、高密度における信号
特性、記録耐久性などにおいて十分な特性を有し、書き
換え可能型メモリーとして重要な特性である記録・消去
特性及び繰り返し耐久性においても十分な特性を有し、
十分な繰り返し記録耐久性を有する光記録媒体とこの光
記録媒体の製造を可能とする光記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
案されるものであって、高線速度、高密度における信号
特性、記録耐久性などにおいて十分な特性を有し、書き
換え可能型メモリーとして重要な特性である記録・消去
特性及び繰り返し耐久性においても十分な特性を有し、
十分な繰り返し記録耐久性を有する光記録媒体とこの光
記録媒体の製造を可能とする光記録媒体の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明の光記録媒体は、基板上に少なくとも第１の
誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射層が積層され
てなり、上記記録層を結晶状態或いは非結晶状態に可逆
的に変化させることで情報の記録及び消去が行われる光
記録媒体であって、上記記録層が結晶化開始温度が異な
る２層の薄膜により構成されていることを特徴とするも
のである。
め、本発明の光記録媒体は、基板上に少なくとも第１の
誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射層が積層され
てなり、上記記録層を結晶状態或いは非結晶状態に可逆
的に変化させることで情報の記録及び消去が行われる光
記録媒体であって、上記記録層が結晶化開始温度が異な
る２層の薄膜により構成されていることを特徴とするも
のである。
【００１２】上記結晶化開始温度とは、以下に示すよう
な温度である。図５に時間と温度、時間と反射率レベル
の関係を示す。図５中横軸は時間を示し、縦軸は温度と
反射率レベルを示し、図５中破線は温度の変化の様子を
示し、図５中実線は反射率レベルの変化の様子を示す。
そして、結晶化開始温度とは、アモルファス状態から結
晶状態となる際の反射率レベルが急激に変化する点Ｒ1
に対応する温度Ｔ1 で示される温度である。
な温度である。図５に時間と温度、時間と反射率レベル
の関係を示す。図５中横軸は時間を示し、縦軸は温度と
反射率レベルを示し、図５中破線は温度の変化の様子を
示し、図５中実線は反射率レベルの変化の様子を示す。
そして、結晶化開始温度とは、アモルファス状態から結
晶状態となる際の反射率レベルが急激に変化する点Ｒ1
に対応する温度Ｔ1 で示される温度である。
【００１３】上記記録層を構成する２層の薄膜の具体例
としては、カルコゲン系合金材料等よりなる相変化記録
膜が挙げられる。上記カルコゲン系合金材料としては、
Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系等が例示される。そして、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料が最も好ましく例示される。
としては、カルコゲン系合金材料等よりなる相変化記録
膜が挙げられる。上記カルコゲン系合金材料としては、
Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系等が例示される。そして、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料が最も好ましく例示される。
【００１４】また、本発明の光記録媒体においては、上
記記録層を構成する２層の薄膜のうち、何れか一方の薄
膜が窒素或いは酸素を含有することが好ましい。
記記録層を構成する２層の薄膜のうち、何れか一方の薄
膜が窒素或いは酸素を含有することが好ましい。
【００１５】なお、このような本発明の光記録媒体を製
造するにあたっては、基板上に２層の薄膜よりなる記録
層を形成する際に、上記記録層を構成する２層の薄膜の
何れか一方を、１５（％）以下の窒素を含むアルゴンガ
スの雰囲気下、或いは１５（％）以下の酸素を含むアル
ゴンガスの雰囲気下におけるスパッタリングにより形成
するようにすれば良い。
造するにあたっては、基板上に２層の薄膜よりなる記録
層を形成する際に、上記記録層を構成する２層の薄膜の
何れか一方を、１５（％）以下の窒素を含むアルゴンガ
スの雰囲気下、或いは１５（％）以下の酸素を含むアル
ゴンガスの雰囲気下におけるスパッタリングにより形成
するようにすれば良い。
【００１６】さらにまた、上記本発明の光記録媒体にお
いては、上記記録層を構成する２層の薄膜のうち、基板
側となる薄膜が窒素或いは酸素を含有することがより好
ましく、このような光記録媒体を製造するにあたって
は、基板側となる薄膜を、１５（％）以下の窒素を含む
アルゴンガスの雰囲気下、或いは１５（％）以下の酸素
を含むアルゴンガスの雰囲気下におけるスパッタリング
により形成するようにすれば良い。
いては、上記記録層を構成する２層の薄膜のうち、基板
側となる薄膜が窒素或いは酸素を含有することがより好
ましく、このような光記録媒体を製造するにあたって
は、基板側となる薄膜を、１５（％）以下の窒素を含む
アルゴンガスの雰囲気下、或いは１５（％）以下の酸素
を含むアルゴンガスの雰囲気下におけるスパッタリング
により形成するようにすれば良い。
【００１７】さらに、本発明の光記録媒体においては、
上記記録層を構成する２層の薄膜の結晶化開始温度の差
が２０（℃）以上であることが好ましく、上記記録層を
構成する２層の薄膜のうちの基板側となる薄膜の結晶化
開始温度が他方の薄膜の結晶化開始温度よりも２０
（℃）以上高いことがより好ましい。
上記記録層を構成する２層の薄膜の結晶化開始温度の差
が２０（℃）以上であることが好ましく、上記記録層を
構成する２層の薄膜のうちの基板側となる薄膜の結晶化
開始温度が他方の薄膜の結晶化開始温度よりも２０
（℃）以上高いことがより好ましい。
【００１８】また、本発明の光記録媒体においては、上
記記録層を構成する２層の薄膜の厚さが各々３（ｎｍ）
以上であることが好ましい。
記記録層を構成する２層の薄膜の厚さが各々３（ｎｍ）
以上であることが好ましい。
【００１９】本発明の光記録媒体においては、結晶状態
或いは非結晶状態に可逆的に変化させることで情報の記
録及び消去が行われる記録層を結晶化開始温度が異なる
２層の薄膜により構成していることから、結晶化開始温
度が比較的高温の薄膜により記録・消去特性が確保さ
れ、結晶化開始温度が比較的低温の薄膜により繰り返し
耐久性が確保される。
或いは非結晶状態に可逆的に変化させることで情報の記
録及び消去が行われる記録層を結晶化開始温度が異なる
２層の薄膜により構成していることから、結晶化開始温
度が比較的高温の薄膜により記録・消去特性が確保さ
れ、結晶化開始温度が比較的低温の薄膜により繰り返し
耐久性が確保される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。なお、ここでは、本発明を光
ディスク及びその製造方法に適用した例について述べ
る。
を参照しながら説明する。なお、ここでは、本発明を光
ディスク及びその製造方法に適用した例について述べ
る。
【００２１】本例の光ディスクは、以下に示すような構
成を有する。すなわち、図１に示すように、円盤状の基
板１の一主面１ａ上に第１の誘電体層２が積層形成さ
れ、その上に結晶化開始温度の異なる第１の薄膜３と第
２の薄膜４の２層の薄膜よりなる記録層５が積層形成さ
れ、さらにその上に第２の誘電体層６、反射層７、保護
層８が順次積層形成されてなるものである。
成を有する。すなわち、図１に示すように、円盤状の基
板１の一主面１ａ上に第１の誘電体層２が積層形成さ
れ、その上に結晶化開始温度の異なる第１の薄膜３と第
２の薄膜４の２層の薄膜よりなる記録層５が積層形成さ
れ、さらにその上に第２の誘電体層６、反射層７、保護
層８が順次積層形成されてなるものである。
【００２２】上記基板１は、レーザ光を透過し得る、例
えばポリカーボネートやガラス等よりなるものが使用さ
れる。また、上記第１の誘電体層２及び第２の誘電体層
６は少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好
ましく、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 等よりなるものとすれ
ばよい。さらに、反射層７は例えばアルミニウム等より
なるものとすればよい。さらにまた、保護層８は例えば
紫外線硬化型樹脂等よりなるものとすればよい。
えばポリカーボネートやガラス等よりなるものが使用さ
れる。また、上記第１の誘電体層２及び第２の誘電体層
６は少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好
ましく、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 等よりなるものとすれ
ばよい。さらに、反射層７は例えばアルミニウム等より
なるものとすればよい。さらにまた、保護層８は例えば
紫外線硬化型樹脂等よりなるものとすればよい。
【００２３】そして、本例の光ディスクにおいては特
に、上記第１の薄膜３及び第２の薄膜４が結晶化開始温
度が異なる２つの薄膜とされている必要がある。これら
第１の薄膜３及び第２の薄膜の具体例としては、カルコ
ゲン系合金材料等よりなる相変化記録膜が挙げられる。
上記カルコゲン系合金材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−
Ｔｅ系等が例示される。そして、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系材料が最も好ましく例示される。
に、上記第１の薄膜３及び第２の薄膜４が結晶化開始温
度が異なる２つの薄膜とされている必要がある。これら
第１の薄膜３及び第２の薄膜の具体例としては、カルコ
ゲン系合金材料等よりなる相変化記録膜が挙げられる。
上記カルコゲン系合金材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−
Ｔｅ系等が例示される。そして、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系材料が最も好ましく例示される。
【００２４】また、本例の光ディスクにおいては、上記
記録層５を構成する第１の薄膜３及び第２の薄膜４のう
ち、何れか一方の薄膜が窒素或いは酸素を含有すること
が好ましく、基板１側となる第１の薄膜３が窒素或いは
酸素を含有することがより好ましい。
記録層５を構成する第１の薄膜３及び第２の薄膜４のう
ち、何れか一方の薄膜が窒素或いは酸素を含有すること
が好ましく、基板１側となる第１の薄膜３が窒素或いは
酸素を含有することがより好ましい。
【００２５】さらに、本例の光ディスクにおいては、上
記記録層５を構成する第１の薄膜３及び第２の薄膜４の
結晶化開始温度の差が２０（℃）以上であることが好ま
しく、基板１側となる第１の薄膜３の結晶化開始温度が
他方の第２の薄膜４の結晶化開始温度よりも２０（℃）
以上高いことがより好ましい。
記記録層５を構成する第１の薄膜３及び第２の薄膜４の
結晶化開始温度の差が２０（℃）以上であることが好ま
しく、基板１側となる第１の薄膜３の結晶化開始温度が
他方の第２の薄膜４の結晶化開始温度よりも２０（℃）
以上高いことがより好ましい。
【００２６】さらにまた、本例の光ディスクにおいて
は、上記記録層５を構成する第１の薄膜３及び第２の薄
膜４の厚さが各々３（ｎｍ）以上であることが好まし
い。
は、上記記録層５を構成する第１の薄膜３及び第２の薄
膜４の厚さが各々３（ｎｍ）以上であることが好まし
い。
【００２７】なお、本例の光ディスクに情報を記録する
場合には、基板１側から記録層５にレーザ光等の光を照
射して記録層５をスポット的に昇温し、記録層５を構成
する第１の薄膜３及び第２の薄膜４の一部の状態を変化
させて記録を行う。加熱温度によって異なるが、上記第
１の薄膜３及び第２の薄膜４を形成する上述したような
材料は例えば急速加熱及び急冷で非晶質となり、除冷で
結晶化する。このため、非晶質部分と結晶部分を形成す
ることで情報の記録が行われる。
場合には、基板１側から記録層５にレーザ光等の光を照
射して記録層５をスポット的に昇温し、記録層５を構成
する第１の薄膜３及び第２の薄膜４の一部の状態を変化
させて記録を行う。加熱温度によって異なるが、上記第
１の薄膜３及び第２の薄膜４を形成する上述したような
材料は例えば急速加熱及び急冷で非晶質となり、除冷で
結晶化する。このため、非晶質部分と結晶部分を形成す
ることで情報の記録が行われる。
【００２８】一方、本例の光ディスクの情報を再生する
場合には、基板１側から記録層５に状態の変化が発生し
ないようなレーザ光等の光を照射し、結晶部分と非晶質
部分の戻り光の違いにより情報の検出を行う。
場合には、基板１側から記録層５に状態の変化が発生し
ないようなレーザ光等の光を照射し、結晶部分と非晶質
部分の戻り光の違いにより情報の検出を行う。
【００２９】本発明を適用した本例の光ディスクにおい
ては、結晶状態或いは非結晶状態に可逆的に変化させる
ことで情報の記録及び消去が行われる記録層５を結晶化
開始温度が異なる第１の薄膜３及び第２の薄膜４により
構成していることから、結晶化開始温度が比較的高温の
薄膜により記録・消去特性が確保され、結晶化開始温度
が比較的低温の薄膜により繰り返し耐久性が確保され
る。
ては、結晶状態或いは非結晶状態に可逆的に変化させる
ことで情報の記録及び消去が行われる記録層５を結晶化
開始温度が異なる第１の薄膜３及び第２の薄膜４により
構成していることから、結晶化開始温度が比較的高温の
薄膜により記録・消去特性が確保され、結晶化開始温度
が比較的低温の薄膜により繰り返し耐久性が確保され
る。
【００３０】そして、このような本例の光ディスクのう
ち、上記記録層５を構成する第１の薄膜３及び第２の薄
膜４のうちの何れか一方の薄膜が窒素或いは酸素を含有
するものを製造するにあたっては、基板１上にこの種の
光ディスクの製造に一般的に使用される方法で第１の誘
電体層２を形成した後に２層の薄膜よりなる記録層５を
形成する際に、上記記録層５を構成する２層の薄膜の何
れか一方を、１５（％）以下の窒素を含むアルゴンガス
の雰囲気下、或いは１５（％）以下の酸素を含むアルゴ
ンガスの雰囲気下におけるスパッタリングにより形成す
るようにすれば良い。その後、第２の誘電体層６、反射
層７、保護層８をこの種の光ディスクの製造に一般的に
使用される方法で順次積層形成するようにすれば良い。
ち、上記記録層５を構成する第１の薄膜３及び第２の薄
膜４のうちの何れか一方の薄膜が窒素或いは酸素を含有
するものを製造するにあたっては、基板１上にこの種の
光ディスクの製造に一般的に使用される方法で第１の誘
電体層２を形成した後に２層の薄膜よりなる記録層５を
形成する際に、上記記録層５を構成する２層の薄膜の何
れか一方を、１５（％）以下の窒素を含むアルゴンガス
の雰囲気下、或いは１５（％）以下の酸素を含むアルゴ
ンガスの雰囲気下におけるスパッタリングにより形成す
るようにすれば良い。その後、第２の誘電体層６、反射
層７、保護層８をこの種の光ディスクの製造に一般的に
使用される方法で順次積層形成するようにすれば良い。
【００３１】また、基板１側となる第１の薄膜３を窒素
或いは酸素を含有する膜とする場合には、第１の薄膜３
を、１５（％）以下の窒素を含むアルゴンガスの雰囲気
下、或いは１５（％）以下の酸素を含むアルゴンガスの
雰囲気下におけるスパッタリングにより形成するように
すれば良い。
或いは酸素を含有する膜とする場合には、第１の薄膜３
を、１５（％）以下の窒素を含むアルゴンガスの雰囲気
下、或いは１５（％）以下の酸素を含むアルゴンガスの
雰囲気下におけるスパッタリングにより形成するように
すれば良い。
【００３２】
【実施例】次に、本発明の効果を確認するべく、実際に
光ディスクを製造し、これら光ディスクの繰り返し記録
耐久性について調査を行った。
光ディスクを製造し、これら光ディスクの繰り返し記録
耐久性について調査を行った。
【００３３】サンプルの作製 〈実施サンプル１の作製〉先ず、厚さ０．６（ｍｍ）の
ポリカーボネート樹脂よりなる基板を用意し、その一主
面上にＳｉＯ2 を２０（ｍｏｌ％）の割合で含有するＺ
ｎＳよりなる厚さ１００（ｎｍ）の第１の誘電体層を高
周波スパッタリング（以下、ＲＦスパッタリングと称す
る。）により形成した。
ポリカーボネート樹脂よりなる基板を用意し、その一主
面上にＳｉＯ2 を２０（ｍｏｌ％）の割合で含有するＺ
ｎＳよりなる厚さ１００（ｎｍ）の第１の誘電体層を高
周波スパッタリング（以下、ＲＦスパッタリングと称す
る。）により形成した。
【００３４】続いて、記録層を構成する第１の薄膜を形
成した。ここでは、Ａｇ8 Ｉｎ6 Ｓｂ58Ｔｅ28 ターゲ
ットを用い、窒素を７．５（％）の割合で含有したアル
ゴンガスを７０（ｓｃｃｍ）の流速で真空装置内に流
し、トータルガス圧を４×１０-3（Ｔｏｒｒ）として直
流スパッタリング（以下、ＤＣスパッタリングと称す
る。）を行い、厚さ２０（ｎｍ）の第１の薄膜を第１の
誘電体層上に積層形成した。
成した。ここでは、Ａｇ8 Ｉｎ6 Ｓｂ58Ｔｅ28 ターゲ
ットを用い、窒素を７．５（％）の割合で含有したアル
ゴンガスを７０（ｓｃｃｍ）の流速で真空装置内に流
し、トータルガス圧を４×１０-3（Ｔｏｒｒ）として直
流スパッタリング（以下、ＤＣスパッタリングと称す
る。）を行い、厚さ２０（ｎｍ）の第１の薄膜を第１の
誘電体層上に積層形成した。
【００３５】さらに、記録層を構成する第２の薄膜を形
成した。ここでは、Ａｇ8 Ｉｎ6 Ｓｂ58Ｔｅ28 ターゲ
ットを用い、アルゴンガスのみを７０（ｓｃｃｍ）の流
速で真空装置内に流し、トータルガス圧を４×１０
-3（Ｔｏｒｒ）としてＤＣスパッタリングを行い、厚さ
８（ｎｍ）の第２の薄膜を第１の薄膜上に積層形成して
記録膜とした。
成した。ここでは、Ａｇ8 Ｉｎ6 Ｓｂ58Ｔｅ28 ターゲ
ットを用い、アルゴンガスのみを７０（ｓｃｃｍ）の流
速で真空装置内に流し、トータルガス圧を４×１０
-3（Ｔｏｒｒ）としてＤＣスパッタリングを行い、厚さ
８（ｎｍ）の第２の薄膜を第１の薄膜上に積層形成して
記録膜とした。
【００３６】続いて、真空中に保持したまま、ＳｉＯ2
を２０（ｍｏｌ％）の割合で含有するＺｎＳよりなる厚
さ３５（ｎｍ）の第２の誘電体層をＲＦスパッタリング
により記録層上に積層形成した。さらに、この第２の誘
電体層の上にＡｌ−Ｔｉよりなる厚さ１２０（ｎｍ）の
反射層を積層形成して実施サンプル１とした。
を２０（ｍｏｌ％）の割合で含有するＺｎＳよりなる厚
さ３５（ｎｍ）の第２の誘電体層をＲＦスパッタリング
により記録層上に積層形成した。さらに、この第２の誘
電体層の上にＡｌ−Ｔｉよりなる厚さ１２０（ｎｍ）の
反射層を積層形成して実施サンプル１とした。
【００３７】なお、この実施サンプル１の記録層を形成
する第１の薄膜の結晶化開始温度は約２２０（℃）であ
り、第２の薄膜の結晶化開始温度は約１９０（℃）であ
った。
する第１の薄膜の結晶化開始温度は約２２０（℃）であ
り、第２の薄膜の結晶化開始温度は約１９０（℃）であ
った。
【００３８】これら結晶化開始温度は以下のようにして
測定した。すなわち、これら薄膜を基板上に成膜するの
と同時に別途用意したスライドガラス上にも同様に各薄
膜を形成し、これらスライドガラス上に成膜された薄膜
について結晶化開始温度を測定することとした。結晶化
開始温度を測定する装置としては、温度制御機能を有す
る赤外線方式加熱炉と当該赤外線方式加熱炉内に配され
たサンプルの波長７８０（ｎｍ）レーザ光に対する反射
率を測定する装置を備えたものを用意した。そして、赤
外線方式加熱炉内に各薄膜と同様の薄膜が形成されたス
ライドガラスを配し、２０（℃／分）の速さで昇温して
いき、このときの反射率レベルの変化を調査した。
測定した。すなわち、これら薄膜を基板上に成膜するの
と同時に別途用意したスライドガラス上にも同様に各薄
膜を形成し、これらスライドガラス上に成膜された薄膜
について結晶化開始温度を測定することとした。結晶化
開始温度を測定する装置としては、温度制御機能を有す
る赤外線方式加熱炉と当該赤外線方式加熱炉内に配され
たサンプルの波長７８０（ｎｍ）レーザ光に対する反射
率を測定する装置を備えたものを用意した。そして、赤
外線方式加熱炉内に各薄膜と同様の薄膜が形成されたス
ライドガラスを配し、２０（℃／分）の速さで昇温して
いき、このときの反射率レベルの変化を調査した。
【００３９】そして、前述の通り、アモルファス状態か
ら結晶状態となる際の反射率レベルが急激に変化する点
に対応する温度を結晶化開始温度として測定した。
ら結晶状態となる際の反射率レベルが急激に変化する点
に対応する温度を結晶化開始温度として測定した。
【００４０】〈実施サンプル２の作製〉次に実施サンプ
ル２の作製を上述の実施サンプル１と同様にして行っ
た。異なる点としては、記録層を形成する第１の薄膜を
ＤＣスパッタリングにより形成する際の雰囲気ガスを窒
素を５（％）含有するアルゴンガスに変更し、第１の薄
膜の厚さを３（ｎｍ）に変更した点、第２の薄膜の厚さ
を２５（ｎｍ）に変更した点が挙げられる。
ル２の作製を上述の実施サンプル１と同様にして行っ
た。異なる点としては、記録層を形成する第１の薄膜を
ＤＣスパッタリングにより形成する際の雰囲気ガスを窒
素を５（％）含有するアルゴンガスに変更し、第１の薄
膜の厚さを３（ｎｍ）に変更した点、第２の薄膜の厚さ
を２５（ｎｍ）に変更した点が挙げられる。
【００４１】この実施サンプル２の記録層を形成する第
１の薄膜の結晶化開始温度は約２１０（℃）であり、第
２の薄膜の結晶化開始温度は約１９０（℃）であった。
１の薄膜の結晶化開始温度は約２１０（℃）であり、第
２の薄膜の結晶化開始温度は約１９０（℃）であった。
【００４２】〈実施サンプル３の作製〉次に実施サンプ
ル３の作製を上述の実施サンプル１と同様にして行っ
た。異なる点としては、記録層を形成する第１の薄膜を
ＤＣスパッタリングにより形成する際の雰囲気ガスを酸
素を４（％）含有するアルゴンガスに変更した点が挙げ
られる。
ル３の作製を上述の実施サンプル１と同様にして行っ
た。異なる点としては、記録層を形成する第１の薄膜を
ＤＣスパッタリングにより形成する際の雰囲気ガスを酸
素を４（％）含有するアルゴンガスに変更した点が挙げ
られる。
【００４３】この実施サンプル２の記録層を形成する第
１の薄膜の結晶化開始温度は約２１０（℃）であり、第
２の薄膜の結晶化開始温度は約１９０（℃）であった。
１の薄膜の結晶化開始温度は約２１０（℃）であり、第
２の薄膜の結晶化開始温度は約１９０（℃）であった。
【００４４】〈実施サンプル４の作製〉次に実施サンプ
ル４の作製を上述の実施サンプル１と同様にして行っ
た。異なる点としては、記録層を形成する第１の薄膜を
ＤＣスパッタリングにより形成する際の雰囲気ガスを窒
素を５（％）含有するアルゴンガスに変更し、第１の薄
膜の厚さを２５（ｎｍ）に変更した点、第２の薄膜の厚
さを３（ｎｍ）に変更した点が挙げられる。
ル４の作製を上述の実施サンプル１と同様にして行っ
た。異なる点としては、記録層を形成する第１の薄膜を
ＤＣスパッタリングにより形成する際の雰囲気ガスを窒
素を５（％）含有するアルゴンガスに変更し、第１の薄
膜の厚さを２５（ｎｍ）に変更した点、第２の薄膜の厚
さを３（ｎｍ）に変更した点が挙げられる。
【００４５】この実施サンプル４の記録層を形成する第
１の薄膜の結晶化開始温度は約２１０（℃）であり、第
２の薄膜の結晶化開始温度は約１９０（℃）であった。
１の薄膜の結晶化開始温度は約２１０（℃）であり、第
２の薄膜の結晶化開始温度は約１９０（℃）であった。
【００４６】〈比較サンプル１の作製〉先ず、厚さ０．
６（ｍｍ）のポリカーボネート樹脂よりなる基板を用意
し、その一主面上にＳｉＯ2 を２０（ｍｏｌ％）の割合
で含有するＺｎＳよりなる厚さ１００（ｎｍ）の第１の
誘電体層をＲＦスパッタリングにより形成した。
６（ｍｍ）のポリカーボネート樹脂よりなる基板を用意
し、その一主面上にＳｉＯ2 を２０（ｍｏｌ％）の割合
で含有するＺｎＳよりなる厚さ１００（ｎｍ）の第１の
誘電体層をＲＦスパッタリングにより形成した。
【００４７】続いて、記録層を形成した。ここでは、Ａ
ｇ8 Ｉｎ6 Ｓｂ58Ｔｅ28 ターゲットを用い、窒素を
７．５（％）の割合で含有したアルゴンガスを７０（ｓ
ｃｃｍ）の流速で真空装置内に流し、トータルガス圧を
４×１０-3（Ｔｏｒｒ）としてＤＣスパッタリングを行
い、厚さ２８（ｎｍ）の記録膜を形成した。
ｇ8 Ｉｎ6 Ｓｂ58Ｔｅ28 ターゲットを用い、窒素を
７．５（％）の割合で含有したアルゴンガスを７０（ｓ
ｃｃｍ）の流速で真空装置内に流し、トータルガス圧を
４×１０-3（Ｔｏｒｒ）としてＤＣスパッタリングを行
い、厚さ２８（ｎｍ）の記録膜を形成した。
【００４８】続いて、真空中に保持したまま、ＳｉＯ2
を２０（ｍｏｌ％）の割合で含有するＺｎＳよりなる厚
さ３５（ｎｍ）の第２の誘電体層をＲＦスパッタリング
により記録層上に積層形成した。さらに、この第２の誘
電体層の上にＡｌ−Ｔｉよりなる厚さ１２０（ｎｍ）の
反射層を積層形成して比較サンプル１とした。
を２０（ｍｏｌ％）の割合で含有するＺｎＳよりなる厚
さ３５（ｎｍ）の第２の誘電体層をＲＦスパッタリング
により記録層上に積層形成した。さらに、この第２の誘
電体層の上にＡｌ−Ｔｉよりなる厚さ１２０（ｎｍ）の
反射層を積層形成して比較サンプル１とした。
【００４９】なお、この比較サンプル１の記録層の結晶
化開始温度は約２２０（℃）であった。
化開始温度は約２２０（℃）であった。
【００５０】すなわち、この比較サンプル１は図２に示
すように、円盤状の基板１１の一主面１１ａ上に第１の
誘電体層１２が積層形成され、その上に記録層１５が積
層形成され、さらにその上に第２の誘電体層１６、反射
層１７が順次積層形成されてなるものである。そして、
この光ディスクにおいては、図２中に示すように反射層
１７上に必要に応じて保護層１８が形成されていても良
い。
すように、円盤状の基板１１の一主面１１ａ上に第１の
誘電体層１２が積層形成され、その上に記録層１５が積
層形成され、さらにその上に第２の誘電体層１６、反射
層１７が順次積層形成されてなるものである。そして、
この光ディスクにおいては、図２中に示すように反射層
１７上に必要に応じて保護層１８が形成されていても良
い。
【００５１】〈比較サンプル２の作製〉次に比較サンプ
ル２の作製を上述の比較サンプル１と同様にして行っ
た。異なる点としては、記録層をＤＣスパッタリングに
より形成する際の雰囲気ガスをアルゴンガスに変更した
点が挙げられる。
ル２の作製を上述の比較サンプル１と同様にして行っ
た。異なる点としては、記録層をＤＣスパッタリングに
より形成する際の雰囲気ガスをアルゴンガスに変更した
点が挙げられる。
【００５２】この比較サンプル２の記録層の結晶化開始
温度は約１９０（℃）であった。
温度は約１９０（℃）であった。
【００５３】繰り返し記録耐久性の調査 次に、上記実施サンプル１〜４と比較サンプル１，２の
繰り返し記録耐久性について以下に示すような方法で調
査を行った。すなわち、波長６８０（ｎｍ）で開口数
０．６の光学系を有する評価機を使用し、線速度を４．
８（ｍ／ｓｅｃ）とし、記録パワーは各サンプルにおけ
る最適パワーとして、ランダムＥＦＭ信号を繰り返し記
録再生した。そして、クロックに対する各マークエッジ
の標準偏差をウインドウ幅で規格化した値をジッターと
して調査した。この条件ではジッターが１５（％）以下
であれば、エラー訂正が可能であるとされている。そこ
で、ジッターが１５（％）以下の場合を繰り返し記録耐
久性が良好であるとして評価することとした。
繰り返し記録耐久性について以下に示すような方法で調
査を行った。すなわち、波長６８０（ｎｍ）で開口数
０．６の光学系を有する評価機を使用し、線速度を４．
８（ｍ／ｓｅｃ）とし、記録パワーは各サンプルにおけ
る最適パワーとして、ランダムＥＦＭ信号を繰り返し記
録再生した。そして、クロックに対する各マークエッジ
の標準偏差をウインドウ幅で規格化した値をジッターと
して調査した。この条件ではジッターが１５（％）以下
であれば、エラー訂正が可能であるとされている。そこ
で、ジッターが１５（％）以下の場合を繰り返し記録耐
久性が良好であるとして評価することとした。
【００５４】各サンプルの繰り返し記録再生回数とジッ
ターの関係を図３に示す。図３中横軸は繰り返し記録再
生回数を示し、縦軸はジッターを示す。また、図３中●
は実施サンプル１の結果、△は実施サンプル２の結果、
◎は実施サンプル３の結果、□は実施サンプル４の結
果、○は比較サンプル１の結果、×は比較サンプル２の
結果をそれぞれ示す。
ターの関係を図３に示す。図３中横軸は繰り返し記録再
生回数を示し、縦軸はジッターを示す。また、図３中●
は実施サンプル１の結果、△は実施サンプル２の結果、
◎は実施サンプル３の結果、□は実施サンプル４の結
果、○は比較サンプル１の結果、×は比較サンプル２の
結果をそれぞれ示す。
【００５５】図３の結果から、記録層を結晶化開始温度
の異なる２層の薄膜により構成している実施サンプル１
〜４が１００回以上の繰り返し記録再生に十分耐え、十
分な繰り返し記録耐久性を有するのに対し、記録層を１
層の薄膜により形成している比較サンプル１，２におい
ては、１００回程度の繰り返し記録再生が限界であるこ
とがわかった。
の異なる２層の薄膜により構成している実施サンプル１
〜４が１００回以上の繰り返し記録再生に十分耐え、十
分な繰り返し記録耐久性を有するのに対し、記録層を１
層の薄膜により形成している比較サンプル１，２におい
ては、１００回程度の繰り返し記録再生が限界であるこ
とがわかった。
【００５６】なお、実施サンプル１，３においては２０
００回以上の繰り返し記録再生に十分対応可能であり、
実施サンプル２，４においては５００回以上の繰り返し
記録再生に十分対応可能である。
００回以上の繰り返し記録再生に十分対応可能であり、
実施サンプル２，４においては５００回以上の繰り返し
記録再生に十分対応可能である。
【００５７】また、実施サンプル１〜４の結果から、記
録層を構成する２層の薄膜のそれぞれの厚さが３（ｎ
ｍ）以上であれば、十分な繰り返し記録耐久性を確保す
ることが可能であることがわかった。
録層を構成する２層の薄膜のそれぞれの厚さが３（ｎ
ｍ）以上であれば、十分な繰り返し記録耐久性を確保す
ることが可能であることがわかった。
【００５８】さらに、実施サンプル３の結果から、記録
層を形成する薄膜に窒素の代わりに酸素を含有させるよ
うにしても、結晶化開始温度を変更することが可能であ
り、繰り返し記録耐久性の向上に寄与することが可能で
あることがわかった。
層を形成する薄膜に窒素の代わりに酸素を含有させるよ
うにしても、結晶化開始温度を変更することが可能であ
り、繰り返し記録耐久性の向上に寄与することが可能で
あることがわかった。
【００５９】さらにまた、実施サンプル１〜４の結果か
ら、アルゴンガス中に５（％）以上の窒素或いは酸素を
含有させてスパッタリングを行えば、記録層を構成する
薄膜の結晶化開始温度を変更することが可能であり、繰
り返し記録耐久性の向上に寄与することが可能であるこ
とがわかった。
ら、アルゴンガス中に５（％）以上の窒素或いは酸素を
含有させてスパッタリングを行えば、記録層を構成する
薄膜の結晶化開始温度を変更することが可能であり、繰
り返し記録耐久性の向上に寄与することが可能であるこ
とがわかった。
【００６０】また、比較サンプル１，２の結果を比較す
ると、結晶化開始温度が比較的高温である比較サンプル
１の方がジッター値が低く抑えられていることがわかっ
た。
ると、結晶化開始温度が比較的高温である比較サンプル
１の方がジッター値が低く抑えられていることがわかっ
た。
【００６１】これらは、以下に示すような現象による。
すなわち、記録層を構成する薄膜中に窒素や酸素を含有
させると、結晶化開始温度が上昇し、変調度が向上する
とともに、結晶粒径が小さくなり、低ジッター特性が得
られる。このことから、本例のような高線速度、高密度
記録における信号特性、記録耐久性などにおいて十分な
特性が得られ、また書き換え可能型メモリーとして重要
な特性である記録・消去特性も確保される。一方、上記
のように窒素や酸素を含有させない場合には、書き換え
可能型メモリーとして重要な特性である繰り返しに対す
る耐久性が確保される。
すなわち、記録層を構成する薄膜中に窒素や酸素を含有
させると、結晶化開始温度が上昇し、変調度が向上する
とともに、結晶粒径が小さくなり、低ジッター特性が得
られる。このことから、本例のような高線速度、高密度
記録における信号特性、記録耐久性などにおいて十分な
特性が得られ、また書き換え可能型メモリーとして重要
な特性である記録・消去特性も確保される。一方、上記
のように窒素や酸素を含有させない場合には、書き換え
可能型メモリーとして重要な特性である繰り返しに対す
る耐久性が確保される。
【００６２】そして、本発明を適用してこれらの２層を
積層して記録層とすれば、この記録層においては、全体
のジッター値を低くすることが可能であるとともに、繰
り返しに対する耐久性も確保される。さらには、繰り返
し記録再生を行っているうちに、薄膜中の窒素或いは酸
素がこれらを含有しない薄膜中に拡散して行き、繰り返
し記録再生後のジッターの上昇も抑制する。このため、
本発明を適用した実施サンプル１〜４においては、繰り
返し記録耐久性が良好なものとなる。
積層して記録層とすれば、この記録層においては、全体
のジッター値を低くすることが可能であるとともに、繰
り返しに対する耐久性も確保される。さらには、繰り返
し記録再生を行っているうちに、薄膜中の窒素或いは酸
素がこれらを含有しない薄膜中に拡散して行き、繰り返
し記録再生後のジッターの上昇も抑制する。このため、
本発明を適用した実施サンプル１〜４においては、繰り
返し記録耐久性が良好なものとなる。
【００６３】ところで、前述のように記録層を構成する
薄膜に窒素或いは酸素を含有させれば結晶化開始温度を
変更することが可能であるが、光記録媒体の特性上の観
点から上限を検討する必要があると思われる。そこで、
この上限を検討することとする。
薄膜に窒素或いは酸素を含有させれば結晶化開始温度を
変更することが可能であるが、光記録媒体の特性上の観
点から上限を検討する必要があると思われる。そこで、
この上限を検討することとする。
【００６４】すなわち、記録層を構成する薄膜を形成す
る際のスパッタガス中の窒素ガスの含有量を変更して薄
膜を形成し、スパッタガス中の窒素ガスの含有量と結晶
化開始温度の関係及びスパッタガス中の窒素ガスの含有
量と反射率の関係を調査した。結果を図４に示す。図４
中横軸は窒素ガス含有量（％）を示し、縦軸は結晶化開
始温度とグルーブ反射率（Ｖ）を示す。また、図４中●
は結晶化開始温度を示し、図４中△はグルーブ反射率を
示す。
る際のスパッタガス中の窒素ガスの含有量を変更して薄
膜を形成し、スパッタガス中の窒素ガスの含有量と結晶
化開始温度の関係及びスパッタガス中の窒素ガスの含有
量と反射率の関係を調査した。結果を図４に示す。図４
中横軸は窒素ガス含有量（％）を示し、縦軸は結晶化開
始温度とグルーブ反射率（Ｖ）を示す。また、図４中●
は結晶化開始温度を示し、図４中△はグルーブ反射率を
示す。
【００６５】図４の結果を見てわかるように、スパッタ
ガス中の窒素ガス含有量が増加するにつれ、結晶化開始
温度が上昇している。結晶化開始温度が高くなると、ジ
ッター特性が良好となり、好ましい。しかしながら、図
４中に併せて示すように、スパッタガス中の窒素含有量
が増加するにつれ、グルーブ反射率は低下してしまう。
このような光記録媒体においては、ある程度のサーボ信
号を確保する必要があり、この点から鑑みると、スパッ
タガス中の窒素ガス含有量は１５（％）以下とされるこ
とが好ましい。
ガス中の窒素ガス含有量が増加するにつれ、結晶化開始
温度が上昇している。結晶化開始温度が高くなると、ジ
ッター特性が良好となり、好ましい。しかしながら、図
４中に併せて示すように、スパッタガス中の窒素含有量
が増加するにつれ、グルーブ反射率は低下してしまう。
このような光記録媒体においては、ある程度のサーボ信
号を確保する必要があり、この点から鑑みると、スパッ
タガス中の窒素ガス含有量は１５（％）以下とされるこ
とが好ましい。
【００６６】
【発明の効果】上述のように、本発明に係る光記録媒体
においては、結晶状態或いは非結晶状態に可逆的に変化
させることで情報の記録及び消去が行われる記録層を結
晶化開始温度が異なる２層の薄膜により構成しているこ
とから、結晶化開始温度が比較的高温の薄膜により記録
・消去特性が確保され、結晶化開始温度が比較的低温の
薄膜により繰り返し耐久性が確保され、これらの相互効
果により、良好な繰り返し記録耐久性が得られる。
においては、結晶状態或いは非結晶状態に可逆的に変化
させることで情報の記録及び消去が行われる記録層を結
晶化開始温度が異なる２層の薄膜により構成しているこ
とから、結晶化開始温度が比較的高温の薄膜により記録
・消去特性が確保され、結晶化開始温度が比較的低温の
薄膜により繰り返し耐久性が確保され、これらの相互効
果により、良好な繰り返し記録耐久性が得られる。
【図１】本発明に係る光記録媒体の構成を示す要部概略
断面図である。
断面図である。
【図２】光記録媒体の構成を示す要部概略断面図であ
る。
る。
【図３】繰り返し記録再生回数とジッターの関係を示す
特性図である。
特性図である。
【図４】窒素ガス含有量と結晶化開始温度、グルーブ反
射率の関係を示す特性図である。
射率の関係を示す特性図である。
【図５】時間と温度、反射率レベルの関係を示す特性図
である。
である。
１ 基板、２ 第１の誘電体層、３ 第１の薄膜、４
第２の薄膜、５ 記録層、６ 第２の誘電体層、７ 反
射層、８ 保護層
第２の薄膜、５ 記録層、６ 第２の誘電体層、７ 反
射層、８ 保護層
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも第１の誘電体層、記
録層、第２の誘電体層、反射層が積層されてなり、 上記記録層を結晶状態或いは非結晶状態に可逆的に変化
させることで情報の記録及び消去が行われる光記録媒体
であって、 上記記録層が結晶化開始温度が異なる２層の薄膜により
構成されていることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 上記記録層を構成する２層の薄膜のう
ち、何れか一方の薄膜が窒素或いは酸素を含有すること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 上記記録層を構成する２層の薄膜のう
ち、基板側となる薄膜が窒素或いは酸素を含有すること
を特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 上記記録層を構成する２層の薄膜の結晶
化開始温度の差が２０（℃）以上であることを特徴とす
る請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 上記記録層を構成する２層の薄膜のうち
の基板側となる薄膜の結晶化開始温度が他方の薄膜の結
晶化開始温度よりも２０（℃）以上高いことを特徴とす
る請求項４記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 上記記録層を構成する２層の薄膜の厚さ
が各々３（ｎｍ）以上であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 上記記録層を構成する２層の薄膜がＡｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の材料よりなることを特徴とする
請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項８】 基板上に少なくとも第１の誘電体層、結
晶化開始温度が異なる２層の薄膜により構成されている
記録層、第２の誘電体層、反射層を積層形成する際に、 上記記録層を構成する２層の薄膜の何れか一方を、１５
（％）以下の窒素を含むアルゴンガスの雰囲気下、或い
は１５（％）以下の酸素を含むアルゴンガスの雰囲気下
におけるスパッタリングにより形成することを特徴とす
る光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10028677A JPH11232692A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 光記録媒体及びその製造方法 |
| EP99101604A EP0936605A1 (en) | 1998-02-10 | 1999-02-03 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
| US09/244,200 US6194046B1 (en) | 1998-02-10 | 1999-02-04 | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
| KR1019990004539A KR19990072533A (ko) | 1998-02-10 | 1999-02-09 | 광기록매체및그제조방법 |
| CNB991028996A CN1146890C (zh) | 1998-02-10 | 1999-02-10 | 光记录介质及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10028677A JPH11232692A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11232692A true JPH11232692A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12255140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10028677A Abandoned JPH11232692A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6194046B1 (ja) |
| EP (1) | EP0936605A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11232692A (ja) |
| KR (1) | KR19990072533A (ja) |
| CN (1) | CN1146890C (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60311804T2 (de) * | 2002-06-03 | 2007-10-31 | Pioneer Corp. | Datenaufzeichnungsmedium und herstellungsverfahren hierfür |
| EP3543031B1 (en) * | 2016-11-18 | 2023-11-29 | Sony Group Corporation | Reversible recording medium and exterior member |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194653A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | 光学情報記録方法 |
| CA1272666A (en) * | 1985-05-15 | 1990-08-14 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multilayered article including crystallization inhibiting layer and method for fabricating same |
| JPH01158633A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPH0793805A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| TW337017B (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-21 | Ricoh Kk | Optical recording medium |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP10028677A patent/JPH11232692A/ja not_active Abandoned
-
1999
- 1999-02-03 EP EP99101604A patent/EP0936605A1/en not_active Withdrawn
- 1999-02-04 US US09/244,200 patent/US6194046B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-09 KR KR1019990004539A patent/KR19990072533A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-02-10 CN CNB991028996A patent/CN1146890C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6194046B1 (en) | 2001-02-27 |
| CN1226058A (zh) | 1999-08-18 |
| EP0936605A1 (en) | 1999-08-18 |
| CN1146890C (zh) | 2004-04-21 |
| KR19990072533A (ko) | 1999-09-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050119 |
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| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20060203 |