JPH0793805A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JPH0793805A JPH0793805A JP5236891A JP23689193A JPH0793805A JP H0793805 A JPH0793805 A JP H0793805A JP 5236891 A JP5236891 A JP 5236891A JP 23689193 A JP23689193 A JP 23689193A JP H0793805 A JPH0793805 A JP H0793805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- film
- recording film
- alloy
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、結晶化温度が高く、記録状態を安定
して維持できる記録膜を有し、記録再生に充分な信頼性
のある情報記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】基板上に少なくともＴｅを含む合金からなるア
モルファス相の記録膜を有する情報記録媒体であって、
この記録膜が少なくとも１．５原子％のＡｒを含むこと
を特徴としている。
して維持できる記録膜を有し、記録再生に充分な信頼性
のある情報記録媒体を提供することを目的とする。 【構成】基板上に少なくともＴｅを含む合金からなるア
モルファス相の記録膜を有する情報記録媒体であって、
この記録膜が少なくとも１．５原子％のＡｒを含むこと
を特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】情報記録媒体は、基板上に記録膜を形成
してなるものであり、この記録膜にレーザ光を照射して
記録膜の光学的特性、例えば反射率を変化させることに
より情報を記録するものである。記録膜の光学的特性を
変化させる方法としては、レーザ光を照射して記録膜の
材料を相変化させる方法や、記録膜を屈折率の異なる２
つの層で構成し、レーザ光を照射して２つの層の材料を
合金化させる方法が挙げられる。例えば、特開昭６２−
５３８８６号公報には、ＧｅＳｂＴｅ合金からなる記録
膜を用いて相変化させるタイプの情報記録媒体が開示さ
れており、特開昭６０−２８０４５号公報には、記録膜
をＧｅＳｂＴｅ合金からなる層とＢｉＴｅ合金からなる
層で構成して両層を合金化させるタイプの情報記録媒体
が開示されている。
してなるものであり、この記録膜にレーザ光を照射して
記録膜の光学的特性、例えば反射率を変化させることに
より情報を記録するものである。記録膜の光学的特性を
変化させる方法としては、レーザ光を照射して記録膜の
材料を相変化させる方法や、記録膜を屈折率の異なる２
つの層で構成し、レーザ光を照射して２つの層の材料を
合金化させる方法が挙げられる。例えば、特開昭６２−
５３８８６号公報には、ＧｅＳｂＴｅ合金からなる記録
膜を用いて相変化させるタイプの情報記録媒体が開示さ
れており、特開昭６０−２８０４５号公報には、記録膜
をＧｅＳｂＴｅ合金からなる層とＢｉＴｅ合金からなる
層で構成して両層を合金化させるタイプの情報記録媒体
が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】少なくともＴｅを含む
合金、例えばＧｅＳｂＴｅ合金は、蒸着したままの状態
では、通常アモルファス相になっている。一般に、アモ
ルファス相は、光学定数ｎ* ＝ｎ−ｉｋのうち、光の吸
収に関係するｋの値が結晶相と異なる。また、アモルフ
ァス相は、熱力学的に非平衡な状態であり結晶相に比べ
て熱的に不安定であるので、自然に結晶化が進行して結
晶相に変わる可能性がある。このため、初期のアモルフ
ァス状態が変化する恐れがある。
合金、例えばＧｅＳｂＴｅ合金は、蒸着したままの状態
では、通常アモルファス相になっている。一般に、アモ
ルファス相は、光学定数ｎ* ＝ｎ−ｉｋのうち、光の吸
収に関係するｋの値が結晶相と異なる。また、アモルフ
ァス相は、熱力学的に非平衡な状態であり結晶相に比べ
て熱的に不安定であるので、自然に結晶化が進行して結
晶相に変わる可能性がある。このため、初期のアモルフ
ァス状態が変化する恐れがある。
【０００４】アモルファス相のＧｅＳｂＴｅ合金からな
る記録膜を単層で用いる場合、初期のアモルファス状態
が変化すると、未記録領域の光学的特性、例えば反射率
が一定の値を維持できず基準とならないために、記録さ
れた情報を良好に再生することができなくなることがあ
る。また、アモルファス相のＧｅＳｂＴｅ合金からなる
膜を結晶相のＢｉＴｅ合金からなる膜と積層して記録膜
として用いる場合も、初期のアモルファス状態が変化す
ると、両膜の多重干渉効果により決定される初期反射率
が変化してしまうことがある。したがって、ＧｅＳｂＴ
ｅ合金のような少なくともＴｅを含む合金を記録膜に用
いる場合には、そのアモルファス相の熱的安定性が重要
になる。
る記録膜を単層で用いる場合、初期のアモルファス状態
が変化すると、未記録領域の光学的特性、例えば反射率
が一定の値を維持できず基準とならないために、記録さ
れた情報を良好に再生することができなくなることがあ
る。また、アモルファス相のＧｅＳｂＴｅ合金からなる
膜を結晶相のＢｉＴｅ合金からなる膜と積層して記録膜
として用いる場合も、初期のアモルファス状態が変化す
ると、両膜の多重干渉効果により決定される初期反射率
が変化してしまうことがある。したがって、ＧｅＳｂＴ
ｅ合金のような少なくともＴｅを含む合金を記録膜に用
いる場合には、そのアモルファス相の熱的安定性が重要
になる。
【０００５】この熱的安定性は、記録膜を構成する合金
の結晶化温度に起因する。すなわち、記録膜を形成する
際に合金の結晶化温度を高くすることにより、そのアモ
ルファス相を安定にすることができる。このような方法
として、ＧｅＳｂＴｅ合金からなる膜に窒素を加えて窒
化物を生成させて結晶化温度を高くする方法が報告され
ているが、その効果は充分でない。
の結晶化温度に起因する。すなわち、記録膜を形成する
際に合金の結晶化温度を高くすることにより、そのアモ
ルファス相を安定にすることができる。このような方法
として、ＧｅＳｂＴｅ合金からなる膜に窒素を加えて窒
化物を生成させて結晶化温度を高くする方法が報告され
ているが、その効果は充分でない。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、結晶化温度が高く、記録状態を安定して維持でき
る記録膜を有し、記録再生に充分な信頼性のある情報記
録媒体を提供することを目的とする。
あり、結晶化温度が高く、記録状態を安定して維持でき
る記録膜を有し、記録再生に充分な信頼性のある情報記
録媒体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に少な
くともＴｅを含む合金からなるアモルファス相の記録膜
を有する情報記録媒体であって、前記記録膜が少なくと
も１．５原子％のＡｒを含むことを特徴とする情報記録
媒体を提供する。
くともＴｅを含む合金からなるアモルファス相の記録膜
を有する情報記録媒体であって、前記記録膜が少なくと
も１．５原子％のＡｒを含むことを特徴とする情報記録
媒体を提供する。
【０００８】ここで、基板材料としては、ポリカーボネ
ート、ガラス等の透明材料を用いることができる。ま
た、少なくともＴｅを含む合金としては、ＧｅＳｂＴｅ
合金、ＩｎＳｂＴｅ合金、ＧｅＴｅ合金等を挙げること
ができる。
ート、ガラス等の透明材料を用いることができる。ま
た、少なくともＴｅを含む合金としては、ＧｅＳｂＴｅ
合金、ＩｎＳｂＴｅ合金、ＧｅＴｅ合金等を挙げること
ができる。
【０００９】本発明においては、記録膜中に含まれるＡ
ｒ量を少なくとも１．５原子％に設定する。これは、Ａ
ｒ量が１．５原子％未満であると、記録膜の十分な熱的
安定性が得られなくなるからである。また、記録膜中に
Ａｒを混入させる方法としては、記録膜を成膜する際の
スパッタリング処理においてＡｒガス量を調節する方
法、基板−ターゲット間距離を調節する方法等を用いる
ことができる。
ｒ量を少なくとも１．５原子％に設定する。これは、Ａ
ｒ量が１．５原子％未満であると、記録膜の十分な熱的
安定性が得られなくなるからである。また、記録膜中に
Ａｒを混入させる方法としては、記録膜を成膜する際の
スパッタリング処理においてＡｒガス量を調節する方
法、基板−ターゲット間距離を調節する方法等を用いる
ことができる。
【００１０】本発明においては、少なくともＴｅを含む
合金からなるアモルファス相の膜と他の膜を積層して、
この積層膜に記録光を照射して積層膜の材料が合金化す
ることにより光学的特性を変化させて記録が行われる方
式（以下、合金化方式と省略する）でもよいし、少なく
ともＴｅを含む合金からなるアモルファス相の記録膜に
記録光を照射して記録膜の材料が相変化を起すことによ
り光学的特性を変化させて記録が行われる方式（以下、
相変化方式と省略する）でもよい。なお、積層膜を構成
する他の膜の材料としては、Ｂｉ2 Ｔｅ3 合金のような
ＢｉＴｅ系合金等を用いることができる。
合金からなるアモルファス相の膜と他の膜を積層して、
この積層膜に記録光を照射して積層膜の材料が合金化す
ることにより光学的特性を変化させて記録が行われる方
式（以下、合金化方式と省略する）でもよいし、少なく
ともＴｅを含む合金からなるアモルファス相の記録膜に
記録光を照射して記録膜の材料が相変化を起すことによ
り光学的特性を変化させて記録が行われる方式（以下、
相変化方式と省略する）でもよい。なお、積層膜を構成
する他の膜の材料としては、Ｂｉ2 Ｔｅ3 合金のような
ＢｉＴｅ系合金等を用いることができる。
【００１１】
【作用】本発明の情報記録媒体は、基板上に少なくとも
Ｔｅを含む合金からなるアモルファス相の記録膜を有す
る情報記録媒体であって、前記記録膜が少なくとも１．
５原子％のＡｒを含むことを特徴としている。
Ｔｅを含む合金からなるアモルファス相の記録膜を有す
る情報記録媒体であって、前記記録膜が少なくとも１．
５原子％のＡｒを含むことを特徴としている。
【００１２】少なくともＴｅを含む合金からなるアモル
ファス相の記録膜中に少なくとも１．５原子％のＡｒが
混入することにより、この合金の結晶化温度が高くな
る。このため、相対的にこの合金のアモルファス相が安
定となる。したがって、記録膜において安定して記録状
態を維持することができる。
ファス相の記録膜中に少なくとも１．５原子％のＡｒが
混入することにより、この合金の結晶化温度が高くな
る。このため、相対的にこの合金のアモルファス相が安
定となる。したがって、記録膜において安定して記録状
態を維持することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。なお、本実施例では、少なくともＴｅを
含む合金としてＧｅＳｂＴｅ合金を用いた場合について
説明する。
的に説明する。なお、本実施例では、少なくともＴｅを
含む合金としてＧｅＳｂＴｅ合金を用いた場合について
説明する。
【００１４】図１は本発明の合金化方式の情報記録媒体
の一実施例を示す断面図である。図中１１は、ポリカー
ボネートからなる基板を示す。基板１１上には、少なく
とも１．５原子％のＡｒを含むＧｅＳｂＴｅ合金からな
る第１の記録膜１２が形成されており、第１の記録膜１
２上には、ＢｉＴｅ合金からなる第２の記録膜１３が形
成されている。第１の記録膜１２は初期状態でアモルフ
ァス相であり、第２の記録膜１３は初期状態で結晶相で
ある。
の一実施例を示す断面図である。図中１１は、ポリカー
ボネートからなる基板を示す。基板１１上には、少なく
とも１．５原子％のＡｒを含むＧｅＳｂＴｅ合金からな
る第１の記録膜１２が形成されており、第１の記録膜１
２上には、ＢｉＴｅ合金からなる第２の記録膜１３が形
成されている。第１の記録膜１２は初期状態でアモルフ
ァス相であり、第２の記録膜１３は初期状態で結晶相で
ある。
【００１５】上記構成を有する情報記録媒体に記録を行
う場合、基板１１側からレーザ光１４を照射する。基板
１１側から入射したレーザ光１４は、第１の記録膜１２
および第２の記録膜１３に到達すると、両記録膜を加熱
する。これにより、第１の記録膜１２が結晶化すると共
に、第１の記録膜１２と第２の記録膜１３との界面にお
いて双方の記録膜を構成する材料の原子が拡散して合金
化する。このようにして記録領域１５が形成される。こ
の記録領域１５の反射率は、未記録領域の反射率よりも
高くなるので、この反射率の違いを用いて再生光を照射
することにより記録された情報を再生することができ
る。
う場合、基板１１側からレーザ光１４を照射する。基板
１１側から入射したレーザ光１４は、第１の記録膜１２
および第２の記録膜１３に到達すると、両記録膜を加熱
する。これにより、第１の記録膜１２が結晶化すると共
に、第１の記録膜１２と第２の記録膜１３との界面にお
いて双方の記録膜を構成する材料の原子が拡散して合金
化する。このようにして記録領域１５が形成される。こ
の記録領域１５の反射率は、未記録領域の反射率よりも
高くなるので、この反射率の違いを用いて再生光を照射
することにより記録された情報を再生することができ
る。
【００１６】本発明においては、図２に示すように、基
板１１上にＢｉＴｅ合金からなる第２の記録膜１３を形
成し、その上に上記ＧｅＳｂＴｅ合金からなる第１の記
録膜１２を形成してなる構成であってもよい。このよう
な構成では、記録領域１５の反射率が未記録領域の反射
率よりも低くなる。この場合でも、反射率の違いを用い
て再生光を照射することにより記録された情報を再生す
ることができる。
板１１上にＢｉＴｅ合金からなる第２の記録膜１３を形
成し、その上に上記ＧｅＳｂＴｅ合金からなる第１の記
録膜１２を形成してなる構成であってもよい。このよう
な構成では、記録領域１５の反射率が未記録領域の反射
率よりも低くなる。この場合でも、反射率の違いを用い
て再生光を照射することにより記録された情報を再生す
ることができる。
【００１７】また、本発明においては、図３に示すよう
に、基板１１上にＳｉ化合物、好ましくはＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2 等からなる保護膜１６を形成し、上記ＧｅＳｂＴｅ
合金からなる第１の記録膜１２を形成し、さらにその上
にＢｉＴｅ合金からなる第２の記録膜１３を形成し、再
び保護膜１６を形成してなる構成であってもよい。この
場合でも、上記と同様にして記録・再生を行うことがで
きる。
に、基板１１上にＳｉ化合物、好ましくはＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2 等からなる保護膜１６を形成し、上記ＧｅＳｂＴｅ
合金からなる第１の記録膜１２を形成し、さらにその上
にＢｉＴｅ合金からなる第２の記録膜１３を形成し、再
び保護膜１６を形成してなる構成であってもよい。この
場合でも、上記と同様にして記録・再生を行うことがで
きる。
【００１８】図４は本発明の相変化方式の情報記録媒体
の一実施例を示す断面図である。この情報記録媒体は、
基板１１上に少なくとも１．５原子％のＡｒを含むＧｅ
ＳｂＴｅ合金からなる記録膜１７を形成することにより
構成されている。記録膜１７は初期状態でアモルファス
相である。
の一実施例を示す断面図である。この情報記録媒体は、
基板１１上に少なくとも１．５原子％のＡｒを含むＧｅ
ＳｂＴｅ合金からなる記録膜１７を形成することにより
構成されている。記録膜１７は初期状態でアモルファス
相である。
【００１９】上記構成を有する情報記録媒体に記録を行
う場合、基板１１側からレーザ光１４を照射する。基板
１１側から入射したレーザ光１４は、記録膜１７に到達
すると、記録膜１７を加熱する。これにより、記録膜１
７が結晶化して相変化を起こして結晶相となる。このよ
うにして記録領域１８が形成される。この記録領域１８
の反射率は、未記録領域の反射率よりも高くなるので、
この反射率の違いを用いて再生光を照射することにより
記録された情報を再生することができる。なお、図４に
示す構成において、基板１１と記録膜１７との間および
記録膜１７上にＳｉ化合物等からなる保護膜１６を形成
してもよい。
う場合、基板１１側からレーザ光１４を照射する。基板
１１側から入射したレーザ光１４は、記録膜１７に到達
すると、記録膜１７を加熱する。これにより、記録膜１
７が結晶化して相変化を起こして結晶相となる。このよ
うにして記録領域１８が形成される。この記録領域１８
の反射率は、未記録領域の反射率よりも高くなるので、
この反射率の違いを用いて再生光を照射することにより
記録された情報を再生することができる。なお、図４に
示す構成において、基板１１と記録膜１７との間および
記録膜１７上にＳｉ化合物等からなる保護膜１６を形成
してもよい。
【００２０】次に、本発明の情報記録媒体の特性につい
て説明する。図５は記録膜を形成する際に用いられるＲ
Ｆマグネトロンスパッタリング装置を示す概略図であ
る。図中２０はチャンバを示す。チャンバ２０の下部に
は、排気管を介して排気装置２１が接続されている。ま
た、チャンバ２０の下部には、流量調節手段（図示せ
ず）に接続された流量調節バルブ２２を有するガス供給
管の一端が連結されており、その他端がＡｒガス源２３
に接続されている。チャンバ２０の頂部には、先端に基
板支持板が取り付けられた支柱２５が、基板支持板をチ
ャンバ２０内部に位置するようにして貫挿されている。
この基板支持板には、基板２４が吸引手段等により吸着
して設置されている。チャンバ２０内の底部には、Ｇｅ
ＳｂＴｅ合金ターゲット２６およびＢｉＴｅ合金ターゲ
ット２７が設置されている。
て説明する。図５は記録膜を形成する際に用いられるＲ
Ｆマグネトロンスパッタリング装置を示す概略図であ
る。図中２０はチャンバを示す。チャンバ２０の下部に
は、排気管を介して排気装置２１が接続されている。ま
た、チャンバ２０の下部には、流量調節手段（図示せ
ず）に接続された流量調節バルブ２２を有するガス供給
管の一端が連結されており、その他端がＡｒガス源２３
に接続されている。チャンバ２０の頂部には、先端に基
板支持板が取り付けられた支柱２５が、基板支持板をチ
ャンバ２０内部に位置するようにして貫挿されている。
この基板支持板には、基板２４が吸引手段等により吸着
して設置されている。チャンバ２０内の底部には、Ｇｅ
ＳｂＴｅ合金ターゲット２６およびＢｉＴｅ合金ターゲ
ット２７が設置されている。
【００２１】上記構成のＲＦマグネトロンスパッタリン
グ装置を用いて基板２４上に記録膜を形成する。まず、
排気装置２１により、チャンバ２０内を排気して内部圧
力を１０-5Ｐａオーダーにする。次いで、流量調節バル
ブ２２を開いて流量調節手段により流量を調節しながら
Ａｒガス源２３からＡｒガスをチャンバ２０内に導入す
る。このとき、排気装置２１の排気量およびＡｒガス流
量を調節することにより、チャンバ２０内のＡｒガス圧
力を１０-2〜１０-1Ｐａのオーダーに制御する。
グ装置を用いて基板２４上に記録膜を形成する。まず、
排気装置２１により、チャンバ２０内を排気して内部圧
力を１０-5Ｐａオーダーにする。次いで、流量調節バル
ブ２２を開いて流量調節手段により流量を調節しながら
Ａｒガス源２３からＡｒガスをチャンバ２０内に導入す
る。このとき、排気装置２１の排気量およびＡｒガス流
量を調節することにより、チャンバ２０内のＡｒガス圧
力を１０-2〜１０-1Ｐａのオーダーに制御する。
【００２２】次いで、支柱２５を回転させながら、Ｇｅ
ＳｂＴｅ合金ターゲット２６，２７に電力を印加してグ
ロー放電を起こさせる。これにより、基板２４上にＧｅ
ＳｂＴｅ膜が形成される。なお、記録膜を２層構造にす
る場合には、ＧｅＳｂＴｅ膜を続いてＢｉＴｅ合金ター
ゲット２７に電力を印加してスパッタリングを行う。こ
のとき、ターゲットの切り換えは、シャッター等により
行う。
ＳｂＴｅ合金ターゲット２６，２７に電力を印加してグ
ロー放電を起こさせる。これにより、基板２４上にＧｅ
ＳｂＴｅ膜が形成される。なお、記録膜を２層構造にす
る場合には、ＧｅＳｂＴｅ膜を続いてＢｉＴｅ合金ター
ゲット２７に電力を印加してスパッタリングを行う。こ
のとき、ターゲットの切り換えは、シャッター等により
行う。
【００２３】上述したようにして、ＧｅＳｂＴｅ記録膜
の熱的安定性を調べるために、成膜時のＡｒガス圧力を
種々変更して、厚さ約１０００オングストロームのＧｅ
ＳｂＴｅ記録膜だけを成膜した試料を作製した。なお、
ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットには、Ｇｅ21.6Ｓｂ24.5Ｔ
ｅ53.9を用い、基板には、ガラス基板、ポリカーボネー
ト基板を用いた。
の熱的安定性を調べるために、成膜時のＡｒガス圧力を
種々変更して、厚さ約１０００オングストロームのＧｅ
ＳｂＴｅ記録膜だけを成膜した試料を作製した。なお、
ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットには、Ｇｅ21.6Ｓｂ24.5Ｔ
ｅ53.9を用い、基板には、ガラス基板、ポリカーボネー
ト基板を用いた。
【００２４】ポリカーボネート基板上に作製した各試料
について、ラザフォード後方散乱（ＲＢＳ）分析を行
い、スペクトル中のＡｒピークのカウント数からＧｅＳ
ｂＴｅ記録膜中に含まれるＡｒ量を推定した。その結果
を図６に示す。図６から分かるように、成膜中のＡｒガ
ス圧力が大きくなるほど、ＧｅＳｂＴｅ記録膜中のＡｒ
量が減少する。
について、ラザフォード後方散乱（ＲＢＳ）分析を行
い、スペクトル中のＡｒピークのカウント数からＧｅＳ
ｂＴｅ記録膜中に含まれるＡｒ量を推定した。その結果
を図６に示す。図６から分かるように、成膜中のＡｒガ
ス圧力が大きくなるほど、ＧｅＳｂＴｅ記録膜中のＡｒ
量が減少する。
【００２５】次に、カバーガラス上に作製した各試料に
ついて、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定を行って結晶化温
度（以下、Ｔｘと省略する）を測定した。その結果を図
７に示す。なお、測定は、試料を１０mm角の大きさに切
り出し、昇温速度を１０Ｋ／min に設定して行った。図
７から分かるように、試料温度が上昇してくると、まず
ガラス転移による吸熱ピークが観測され、さらに温度を
上げるとＧｅＳｂＴｅ記録膜の結晶化による発熱ピーク
が観測される。この発熱ピーク温度をＧｅＳｂＴｅ記録
膜のＴｘとする。各試料のＴｘとＡｒガス圧力の関係を
図８に示す。図８から分かるように、Ａｒガス圧力が増
加するとＴｘが下がる。図６および図８の結果を考慮す
ると、ＧｅＳｂＴｅ記録膜中のＡｒ量とＴｘとの関係が
図９として表せる。図９から分かるように、ＧｅＳｂＴ
ｅ記録膜中のＡｒ量が増加するとＴｘは上昇する。
ついて、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定を行って結晶化温
度（以下、Ｔｘと省略する）を測定した。その結果を図
７に示す。なお、測定は、試料を１０mm角の大きさに切
り出し、昇温速度を１０Ｋ／min に設定して行った。図
７から分かるように、試料温度が上昇してくると、まず
ガラス転移による吸熱ピークが観測され、さらに温度を
上げるとＧｅＳｂＴｅ記録膜の結晶化による発熱ピーク
が観測される。この発熱ピーク温度をＧｅＳｂＴｅ記録
膜のＴｘとする。各試料のＴｘとＡｒガス圧力の関係を
図８に示す。図８から分かるように、Ａｒガス圧力が増
加するとＴｘが下がる。図６および図８の結果を考慮す
ると、ＧｅＳｂＴｅ記録膜中のＡｒ量とＴｘとの関係が
図９として表せる。図９から分かるように、ＧｅＳｂＴ
ｅ記録膜中のＡｒ量が増加するとＴｘは上昇する。
【００２６】上記と同様にして、成膜時のＡｒガス圧力
を種々変更することにより結晶化温度を種々変更して、
厚さ１mmのガラス基板上に厚さ約５００オングストロー
ムのＧｅＳｂＴｅ記録膜を成膜した試料を作製した。こ
の試料の初期の反射率を測定した。なお、反射率は、分
光光度計により測定した。
を種々変更することにより結晶化温度を種々変更して、
厚さ１mmのガラス基板上に厚さ約５００オングストロー
ムのＧｅＳｂＴｅ記録膜を成膜した試料を作製した。こ
の試料の初期の反射率を測定した。なお、反射率は、分
光光度計により測定した。
【００２７】この試料を１３０℃の恒温槽に入れ２４時
間放置し、恒温槽から取り出した試料の促進後の反射率
を再び測定した。この初期および促進後の反射率の結果
から反射率変化を求めた。その結果を下記表１に示す。
表中、反射率変化が５％以上であった場合をＹＥＳと
し、反射率変化が５％未満であった場合をＮＯとした。
間放置し、恒温槽から取り出した試料の促進後の反射率
を再び測定した。この初期および促進後の反射率の結果
から反射率変化を求めた。その結果を下記表１に示す。
表中、反射率変化が５％以上であった場合をＹＥＳと
し、反射率変化が５％未満であった場合をＮＯとした。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１から明らかなように、反射率変化が少
ない、すなわちアモルファス相が安定であるのは、試料
番号３および４である。この試料は、ＧｅＳｂＴｅ記録
膜のＴｘが１６０℃以上のものである。したがって、ア
モルファス相が安定であるためには、Ｔｘが１６０℃以
上であることが必要である。この考察と図９の結果か
ら、記録・再生において、アモルファス相が安定である
とされるＴｘ１６０℃以上になるには、ＧｅＳｂＴｅ記
録膜中のＡｒ量が少なくとも１．５原子％以上であるこ
とが必要であるといえる。
ない、すなわちアモルファス相が安定であるのは、試料
番号３および４である。この試料は、ＧｅＳｂＴｅ記録
膜のＴｘが１６０℃以上のものである。したがって、ア
モルファス相が安定であるためには、Ｔｘが１６０℃以
上であることが必要である。この考察と図９の結果か
ら、記録・再生において、アモルファス相が安定である
とされるＴｘ１６０℃以上になるには、ＧｅＳｂＴｅ記
録膜中のＡｒ量が少なくとも１．５原子％以上であるこ
とが必要であるといえる。
【００３０】上述した内容は、相変化方式の情報記録媒
体について説明しているが、合金か方式の情報記録媒体
についても同様の結果が得られた。次に、ポリカーボネ
ート基板上にＧｅＳｂＴｅ膜とＢｉａＴｅ膜を積層して
なる２層構造の記録膜を有する合金化方式の情報記録媒
体を作製した。この情報記録媒体に半導体レーザを用い
て矩形波信号の記録を行った。このときのＣＮ比の記録
パワー依存性を図１０に示す。図１０から分かるよう
に、本発明の記録媒体は、記録・再生に充分なＣＮ比と
パワーマージンを有する。なお、本実施例では、記録膜
の成膜にＲＦマグネトロンスパッタリングを採用してい
るが、ＤＣスパッタリングでも同様な効果が得られる。
体について説明しているが、合金か方式の情報記録媒体
についても同様の結果が得られた。次に、ポリカーボネ
ート基板上にＧｅＳｂＴｅ膜とＢｉａＴｅ膜を積層して
なる２層構造の記録膜を有する合金化方式の情報記録媒
体を作製した。この情報記録媒体に半導体レーザを用い
て矩形波信号の記録を行った。このときのＣＮ比の記録
パワー依存性を図１０に示す。図１０から分かるよう
に、本発明の記録媒体は、記録・再生に充分なＣＮ比と
パワーマージンを有する。なお、本実施例では、記録膜
の成膜にＲＦマグネトロンスパッタリングを採用してい
るが、ＤＣスパッタリングでも同様な効果が得られる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の情報記録媒体
は、基板上に少なくともＴｅを含む合金からなるアモル
ファス相の記録膜を有し、この記録膜が少なくとも１．
５原子％のＡｒを含むので、結晶化温度が高く、記録状
態を安定して維持できるものであり、記録再生に充分な
信頼性のあるものである。
は、基板上に少なくともＴｅを含む合金からなるアモル
ファス相の記録膜を有し、この記録膜が少なくとも１．
５原子％のＡｒを含むので、結晶化温度が高く、記録状
態を安定して維持できるものであり、記録再生に充分な
信頼性のあるものである。
【図１】本発明の合金化方式の情報記録媒体の一実施例
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】本発明の合金化方式の情報記録媒体の他の実施
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図３】本発明の合金化方式の情報記録媒体の他の実施
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図４】本発明の相変化方式の情報記録媒体の一実施例
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】記録膜を形成する際に用いられるＲＦマグネト
ロンスパッタリング装置を示す概略図。
ロンスパッタリング装置を示す概略図。
【図６】ＧｅＳｂＴｅ記録膜のラザフォード後方散乱分
析の結果を示すグラフ。
析の結果を示すグラフ。
【図７】ＧｅＳｂＴｅ記録膜の示差走査熱量測定の結果
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図８】ＧｅＳｂＴｅ記録膜の結晶か温度とＡｒガス圧
力との関係を示すグラフ。
力との関係を示すグラフ。
【図９】ＧｅＳｂＴｅ記録膜中のＡｒ量と結晶化温度と
の関係を示すグラフ。
の関係を示すグラフ。
【図１０】本発明の情報記録媒体のＣＮ比の記録パワー
依存性を示すグラフ。
依存性を示すグラフ。
【符号の説明】 １１，２４…基板、１２…第１の記録膜、１３…第２の
記録膜、１４…レーザ光、１５，１８…記録領域、１６
…保護膜、１７…記録膜、２０…チャンバ、２１…排気
装置、２２…流量調節バルブ、２３…Ａｒガス源、２５
…支柱、２６…ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲット、２７…Ｂ
ｉＴｅ合金ターゲット。
記録膜、１４…レーザ光、１５，１８…記録領域、１６
…保護膜、１７…記録膜、２０…チャンバ、２１…排気
装置、２２…流量調節バルブ、２３…Ａｒガス源、２５
…支柱、２６…ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲット、２７…Ｂ
ｉＴｅ合金ターゲット。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくともＴｅを含む合金から
なるアモルファス相の記録膜を有する情報記録媒体であ
って、前記記録膜が少なくとも１．５原子％のＡｒを含
むことを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項２】 基板上に形成されており、ＧｅＳｂＴｅ
合金からなるアモルファス相の第１の記録膜と、前記第
１の記録膜上に形成されたＢｉＴｅ合金からなる第２の
記録膜を具備し、前記記録膜が少なくとも１．５原子％
のＡｒを含み、前記第１および第２の記録膜に記録光を
照射することにより、前記第１および第２の記録膜の材
料が合金化して光学的特性を変化させて記録が行われる
ことを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項３】 基板上にＧｅＳｂＴｅ合金からなるアモ
ルファス相の記録膜を有し、前記記録膜が少なくとも
１．５原子％のＡｒを含み、前記記録膜に記録光を照射
することにより、前記記録膜の材料が相変化を起して光
学的特性を変化させて記録が行われることを特徴とする
情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236891A JPH0793805A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236891A JPH0793805A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793805A true JPH0793805A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17007307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236891A Pending JPH0793805A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793805A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030908A1 (fr) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Element d'enregistrement inscriptible une fois de donnees optiques |
| EP0936605A1 (en) * | 1998-02-10 | 1999-08-18 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP5236891A patent/JPH0793805A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030908A1 (fr) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Element d'enregistrement inscriptible une fois de donnees optiques |
| EP0936605A1 (en) * | 1998-02-10 | 1999-08-18 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
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