JPH11348423A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH11348423A JPH11348423A JP10157958A JP15795898A JPH11348423A JP H11348423 A JPH11348423 A JP H11348423A JP 10157958 A JP10157958 A JP 10157958A JP 15795898 A JP15795898 A JP 15795898A JP H11348423 A JPH11348423 A JP H11348423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- phase change
- recording layer
- recording medium
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度における信号特性、記録耐久性などに
おいて十分な特性を有する光記録媒体及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 この光記録媒体は、結晶状態と非結晶状
態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からなる
記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を生
じさせることにより情報信号が記録される光記録媒体で
あって、上記記録層は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃ及
びＯを含有する。
おいて十分な特性を有する光記録媒体及びその製造方法
を提供する。 【解決手段】 この光記録媒体は、結晶状態と非結晶状
態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からなる
記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を生
じさせることにより情報信号が記録される光記録媒体で
あって、上記記録層は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃ及
びＯを含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶状態と非結晶
状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からな
る記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を
生じさせることにより情報信号の記録及び／又は再生が
行われる光記録媒体及びその製造方法に関する。
状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料からな
る記録層を備え、光線を照射して上記記録層に相変化を
生じさせることにより情報信号の記録及び／又は再生が
行われる光記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、データ記録の分野において、光学
記録方式に関する研究が進められている。この光学記録
方式は、記録媒体と非接触で情報信号の記録、再生を行
うことができ、磁気記録方式に比べて一行以上も高い記
録密度を達成することができる。また、光学記録方式
は、再生専用型、追記型、書換可能型のそれぞれのメモ
リー形態に対応できる等の数々の利点を有する。このよ
うに、光記録方式は、安価な大容量ファイルの実現を可
能とする記録方式として、産業用から民生用まで幅広い
用途が考えられている。
記録方式に関する研究が進められている。この光学記録
方式は、記録媒体と非接触で情報信号の記録、再生を行
うことができ、磁気記録方式に比べて一行以上も高い記
録密度を達成することができる。また、光学記録方式
は、再生専用型、追記型、書換可能型のそれぞれのメモ
リー形態に対応できる等の数々の利点を有する。このよ
うに、光記録方式は、安価な大容量ファイルの実現を可
能とする記録方式として、産業用から民生用まで幅広い
用途が考えられている。
【０００３】上述したような光学記録方式のうち、書換
可能型のメモリー形態に対応したものとしては、光磁気
ディスクや、相変化型光ディスク等が挙げられる。光磁
気ディスクでは、磁性材料からなる記録層を部分的にキ
ュリー点または温度補償点以上に昇温させることによっ
て記録層の保磁力を小さくし、外部から記録磁界を印加
することによって記録層の磁化方向を変化させて情報信
号が記録され、また、磁気的に情報信号の読みだしが行
われる。一方、相変化型光ディスクでは、結晶状態と非
結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料か
らなる記録層を備え、レーザ光等の照射により記録層を
昇温させ、記録層に相変化を生じさせて情報が記録消去
され、また、光学的に情報信号の読み出しが行われる。
可能型のメモリー形態に対応したものとしては、光磁気
ディスクや、相変化型光ディスク等が挙げられる。光磁
気ディスクでは、磁性材料からなる記録層を部分的にキ
ュリー点または温度補償点以上に昇温させることによっ
て記録層の保磁力を小さくし、外部から記録磁界を印加
することによって記録層の磁化方向を変化させて情報信
号が記録され、また、磁気的に情報信号の読みだしが行
われる。一方、相変化型光ディスクでは、結晶状態と非
結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる相変化材料か
らなる記録層を備え、レーザ光等の照射により記録層を
昇温させ、記録層に相変化を生じさせて情報が記録消去
され、また、光学的に情報信号の読み出しが行われる。
【０００４】このような相変化型光ディスク等に用いら
れる相変化材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系合金材料、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系合金材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材
料、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金材料等のいわゆるカルコゲ
ン系合金材料が知られている。
れる相変化材料としては、Ｇｅ−Ｔｅ系合金材料、Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｂ系合金材料、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材
料、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金材料等のいわゆるカルコゲ
ン系合金材料が知られている。
【０００５】そして、特開昭62-3886号公報、特開昭63-
225934号公報、特開平3-80635号公報、特公平8-32482号
公報等では、相変化材料の高速結晶化特性等の向上を目
的としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比が特定さ
れている。また、特開平4-232779号公報、特開平6-1662
68号公報等では、記録層の耐久性向上を目的としてＡｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の組成比が特定されている。
225934号公報、特開平3-80635号公報、特公平8-32482号
公報等では、相変化材料の高速結晶化特性等の向上を目
的としてＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金材料の組成比が特定さ
れている。また、特開平4-232779号公報、特開平6-1662
68号公報等では、記録層の耐久性向上を目的としてＡｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の組成比が特定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような相変化型光ディスクにおいては、高線速度、高
密度における信号特性、記録耐久性などは、まだ十分な
レベルにあるとは言えず、さらなる特性向上が望まれて
いる。
たような相変化型光ディスクにおいては、高線速度、高
密度における信号特性、記録耐久性などは、まだ十分な
レベルにあるとは言えず、さらなる特性向上が望まれて
いる。
【０００７】本発明は、上述したような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、高線速度、高密度における
信号特性、記録耐久性などにおいて十分な特性を有する
光記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
みて提案されたものであり、高線速度、高密度における
信号特性、記録耐久性などにおいて十分な特性を有する
光記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号が記録
される光記録媒体であって、上記記録層は、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃ及びＯを含有することを特徴とする。
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号が記録
される光記録媒体であって、上記記録層は、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃ及びＯを含有することを特徴とする。
【０００９】上述したような本発明に係る光記録媒体で
は、相変化材料からなる記録層のジッター特性が向上
し、良好に情報の記録が行われる。
は、相変化材料からなる記録層のジッター特性が向上
し、良好に情報の記録が行われる。
【００１０】また、本発明の光記録媒体の製造方法は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号の記録
及び／又は消去が行われる記録媒体の製造方法であり、
上記記録層を、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを含有する相変
化材料をターゲットとし、ＣＯ2ガスとＡｒガスとの混
合ガスをスパッタガスとして用いたスパッタリングによ
って形成することを特徴とする。
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が可逆的に生じる
相変化材料からなる記録層を備え、光線を照射して上記
記録層に相変化を生じさせることにより情報信号の記録
及び／又は消去が行われる記録媒体の製造方法であり、
上記記録層を、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを含有する相変
化材料をターゲットとし、ＣＯ2ガスとＡｒガスとの混
合ガスをスパッタガスとして用いたスパッタリングによ
って形成することを特徴とする。
【００１１】上述したような本発明に係る光記録媒体の
製造方法では、相変化材料からなる記録層のジッター特
性を向上させて、高線速度においても良好に情報の記録
が行われる光記録媒体が得られる。
製造方法では、相変化材料からなる記録層のジッター特
性を向上させて、高線速度においても良好に情報の記録
が行われる光記録媒体が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１は、本発明に係る光記録媒体の一構成
例を模式的に示す断面図である。この光記録媒体は、相
変化型のディスク状光記録媒体（以下、光ディスクと称
する。）である。この光ディスク１は、基板２の一主面
２ａ上に、第１の誘電体層３と、記録層４と、第２の誘
電体層５と、熱拡散層６と、保護層７とが順次積層形成
されてなる。
例を模式的に示す断面図である。この光記録媒体は、相
変化型のディスク状光記録媒体（以下、光ディスクと称
する。）である。この光ディスク１は、基板２の一主面
２ａ上に、第１の誘電体層３と、記録層４と、第２の誘
電体層５と、熱拡散層６と、保護層７とが順次積層形成
されてなる。
【００１４】基板２は、ポリカーボネートやガラス等、
レーザ光を透過し得る材料からなる。
レーザ光を透過し得る材料からなる。
【００１５】第１の誘電体層３及び第２の誘電体層５は
少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好まし
く、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2等が挙げられる。この第１
の誘電体層３の厚さとしては６０ｎｍ〜１３０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍである。また、
第２の誘電体層５の厚さとしては１０ｎｍ〜３５ｎｍが
好ましく、具体的には、例えば２０ｎｍである。
少なくともＺｎＳを含有する材料よりなることが好まし
く、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2等が挙げられる。この第１
の誘電体層３の厚さとしては６０ｎｍ〜１３０ｎｍが好
ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍである。また、
第２の誘電体層５の厚さとしては１０ｎｍ〜３５ｎｍが
好ましく、具体的には、例えば２０ｎｍである。
【００１６】記録層４は、相変化材料としてＡｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ材料からなり、さらにＣ及びＯを含有す
る。このような記録層４は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを
含有する相変化材料をターゲットとし、ＣＯ2ガスとＡ
ｒガスとの混合ガスをスパッタガスとして用いたスパッ
タリングによって形成される。この記録層４の厚さとし
ては１５ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例え
ば３０ｎｍである。
−Ｓｂ−Ｔｅ材料からなり、さらにＣ及びＯを含有す
る。このような記録層４は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを
含有する相変化材料をターゲットとし、ＣＯ2ガスとＡ
ｒガスとの混合ガスをスパッタガスとして用いたスパッ
タリングによって形成される。この記録層４の厚さとし
ては１５ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例え
ば３０ｎｍである。
【００１７】さらに、記録層４は、相変化材料としてＡ
ｇαＩｎβＳｂγＴｅδを含有し、それぞれの組成比
α，β，γ及びδ（原子％）が、２≦α≦１５，δ／β
≦２．５，１．５≦γ／δ≦３なる関係を満たすことが
好ましい。相変化材料からなる記録層の組成を上述のよ
うにすることで、記録層４のジッター特性を向上させ、
光ディスク１の記録特性を高めることができる。
ｇαＩｎβＳｂγＴｅδを含有し、それぞれの組成比
α，β，γ及びδ（原子％）が、２≦α≦１５，δ／β
≦２．５，１．５≦γ／δ≦３なる関係を満たすことが
好ましい。相変化材料からなる記録層の組成を上述のよ
うにすることで、記録層４のジッター特性を向上させ、
光ディスク１の記録特性を高めることができる。
【００１８】熱拡散層６は、例えばアルミニウム等から
なる。この熱拡散層６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０
ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍであ
る。
なる。この熱拡散層６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０
ｎｍが好ましく、具体的には、例えば１２０ｎｍであ
る。
【００１９】保護層７は、例えば紫外線硬化型樹脂等か
らなる。
らなる。
【００２０】このような光ディスク１に対して情報の記
録を行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主
面２ｂからレーザ光等の記録光を部分的に照射して記録
層４の一部を所定の結晶相或いは非結晶相に相変化させ
ることにより記録を行う。上述したような相変化材料で
は、加熱温度によって異なるが、例えば急速加熱又は急
冷することにより非晶質状態となり、徐冷することによ
り結晶状態となる。このように、情報信号に応じて、記
録層４に結晶部分と非結晶部分とを形成することで情報
の記録が行われる。
録を行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主
面２ｂからレーザ光等の記録光を部分的に照射して記録
層４の一部を所定の結晶相或いは非結晶相に相変化させ
ることにより記録を行う。上述したような相変化材料で
は、加熱温度によって異なるが、例えば急速加熱又は急
冷することにより非晶質状態となり、徐冷することによ
り結晶状態となる。このように、情報信号に応じて、記
録層４に結晶部分と非結晶部分とを形成することで情報
の記録が行われる。
【００２１】また、この光ディスク１から情報の再生を
行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主面２
ｂ側から記録層４にレーザ光等の再生光を照射して記録
層４中の異なる結晶相或いは非結晶相間の反射率の差異
により、結晶相及び非結晶相に対応した情報の再生を行
う。なお、この再生光は、記録層４に相変化を起こさな
いようなものであることが必要である。
行う場合には、基板２の一主面２ａとは反対側の主面２
ｂ側から記録層４にレーザ光等の再生光を照射して記録
層４中の異なる結晶相或いは非結晶相間の反射率の差異
により、結晶相及び非結晶相に対応した情報の再生を行
う。なお、この再生光は、記録層４に相変化を起こさな
いようなものであることが必要である。
【００２２】以下、このような光ディスク１の製造方法
について説明する。
について説明する。
【００２３】まず、ポリカーボネートやガラス等、レー
ザ光を透過し得る材料からなる基板２を用意し、トラッ
キング用のグルーブをスパイラル状に形成する。
ザ光を透過し得る材料からなる基板２を用意し、トラッ
キング用のグルーブをスパイラル状に形成する。
【００２４】次に、基板２のグルーブが形成された面上
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等をスパッタリングにより被着さ
せて、第１の誘電体層３を形成する。この第１の誘電体
層３の厚さとしては６０ｎｍ〜１３０ｎｍが好ましく、
具体的には、例えば１２０ｎｍとする。
に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等をスパッタリングにより被着さ
せて、第１の誘電体層３を形成する。この第１の誘電体
層３の厚さとしては６０ｎｍ〜１３０ｎｍが好ましく、
具体的には、例えば１２０ｎｍとする。
【００２５】次に、第１の誘電体層３上に、相変化材料
としてＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅをスパッタリングにより
被着させて記録層４を形成する。この記録層４の厚さと
しては１５ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例
えば３０ｎｍである。
としてＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅをスパッタリングにより
被着させて記録層４を形成する。この記録層４の厚さと
しては１５ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例
えば３０ｎｍである。
【００２６】このとき、記録層をスパッタリングによっ
て形成する際に、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料をタ
ーゲットとして用い、当該ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系
材料の組成比α，β，γ及びδ（原子％）が、２≦α≦
１５，δ／β≦２．５，１．５≦γ／δ≦３なる関係を
満たすものであることが望ましい。ターゲットの組成を
上述のようにすることで、相変化材料からなる記録層４
の相変化速度を高めて、高線速度における光ディスク１
の記録特性を高めることができる。
て形成する際に、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料をタ
ーゲットとして用い、当該ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系
材料の組成比α，β，γ及びδ（原子％）が、２≦α≦
１５，δ／β≦２．５，１．５≦γ／δ≦３なる関係を
満たすものであることが望ましい。ターゲットの組成を
上述のようにすることで、相変化材料からなる記録層４
の相変化速度を高めて、高線速度における光ディスク１
の記録特性を高めることができる。
【００２７】また、スパッタガスとして、ＣＯ2ガスと
Ａｒガスとの混合ガスが用いられる。ＣＯ2ガスを含有
するスパッタガスを用いることで、記録層４中にＣ及び
Ｏが取り込まれる。このとき、スパッタガスに対するＣ
Ｏ2ガスの比｛ＣＯ2／（ＣＯ2＋Ａｒ）｝が、流量比で
１５％以内であることが望ましい。
Ａｒガスとの混合ガスが用いられる。ＣＯ2ガスを含有
するスパッタガスを用いることで、記録層４中にＣ及び
Ｏが取り込まれる。このとき、スパッタガスに対するＣ
Ｏ2ガスの比｛ＣＯ2／（ＣＯ2＋Ａｒ）｝が、流量比で
１５％以内であることが望ましい。
【００２８】次に、記録層４上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等
をスパッタリングにより被着させて、第２の誘電体層５
を形成する。この第２の誘電体層５の厚さとしては１０
ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例えば２０ｎ
ｍとする。
をスパッタリングにより被着させて、第２の誘電体層５
を形成する。この第２の誘電体層５の厚さとしては１０
ｎｍ〜３５ｎｍが好ましく、具体的には、例えば２０ｎ
ｍとする。
【００２９】次に、第２の誘電体層５上に、アルミニウ
ム等を被着させて熱拡散層６を形成する。この熱拡散層
６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましく、具
体的には、例えば１２０ｎｍとする。
ム等を被着させて熱拡散層６を形成する。この熱拡散層
６の厚さとしては６０ｎｍ〜１５０ｎｍが好ましく、具
体的には、例えば１２０ｎｍとする。
【００３０】最後に、熱拡散層６上に、紫外線硬化型樹
脂等をスピンコート法によって塗布することにより保護
層７を形成して、光ディスク１が得られる。
脂等をスピンコート法によって塗布することにより保護
層７を形成して、光ディスク１が得られる。
【００３１】以下、光ディスクの記録層を構成する材料
の組成、又は当該記録層をスパッタリングによって形成
する際のターゲット材料の組成について行った実験例に
ついて説明する。
の組成、又は当該記録層をスパッタリングによって形成
する際のターゲット材料の組成について行った実験例に
ついて説明する。
【００３２】〈実験例〉本実験例においては、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる記録層をスパッタリングにより
形成する際に使用されるターゲットのＡｇαＩｎβＳｂ
γＴｅδの組成比、及びスパッタガスに含有されるＣＯ
2ガスの割合をそれぞれ変化させて光ディスクを作製
し、それらの光ディスクについて評価を行った。
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる記録層をスパッタリングにより
形成する際に使用されるターゲットのＡｇαＩｎβＳｂ
γＴｅδの組成比、及びスパッタガスに含有されるＣＯ
2ガスの割合をそれぞれ変化させて光ディスクを作製
し、それらの光ディスクについて評価を行った。
【００３３】まず、一主面上にトラッキングの為のグル
ーブが０．８５μｍのピッチでスパイラル状に形成され
ている、ポリカーボネート製の基板を用意し、この基板
のグルーブが形成された面上に、スパッタリングにより
ＺｎＳ−ＳｉＯ2を１２０ｎｍの厚みに被着させて第１
の誘電体膜を形成した。
ーブが０．８５μｍのピッチでスパイラル状に形成され
ている、ポリカーボネート製の基板を用意し、この基板
のグルーブが形成された面上に、スパッタリングにより
ＺｎＳ−ＳｉＯ2を１２０ｎｍの厚みに被着させて第１
の誘電体膜を形成した。
【００３４】次に、この第１の誘電体膜の上に、Ａｇα
ＩｎβＳｂγＴｅδ系材料をターゲットとしたスパッタ
リングによりＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを３０ｎｍの厚み
に被着させて記録層を形成した。このとき、スパッタガ
スとして、ＣＯ2ガスとＡｒガスとが混合されてなる混
合ガスを用いた。ＣＯ2ガスを含有するスパッタガスを
用いることで、記録層中にＣ及びＯが取り込まれる。
ＩｎβＳｂγＴｅδ系材料をターゲットとしたスパッタ
リングによりＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを３０ｎｍの厚み
に被着させて記録層を形成した。このとき、スパッタガ
スとして、ＣＯ2ガスとＡｒガスとが混合されてなる混
合ガスを用いた。ＣＯ2ガスを含有するスパッタガスを
用いることで、記録層中にＣ及びＯが取り込まれる。
【００３５】次に、この記録層の上にスパッタリングに
よりＺｎＳ−ＳｉＯ2を２０ｎｍの厚みに被着させて第
２の誘電体層を形成した。
よりＺｎＳ−ＳｉＯ2を２０ｎｍの厚みに被着させて第
２の誘電体層を形成した。
【００３６】さらに、この第２の誘電体層の上にスパッ
タリングによりＡｌを１２０ｎｍの厚みに被着させて熱
拡散層を形成した。
タリングによりＡｌを１２０ｎｍの厚みに被着させて熱
拡散層を形成した。
【００３７】これら各層のスパッタリングは各材料ごと
に分かれたチャンバーを有するスパッタリング装置を用
いて行うこととし、スパッタリングの際には各チャンバ
ー内の真空度を５×１０-5Ｐａ以下とした後、Ａｒガス
を導入して所定の真空度とした。
に分かれたチャンバーを有するスパッタリング装置を用
いて行うこととし、スパッタリングの際には各チャンバ
ー内の真空度を５×１０-5Ｐａ以下とした後、Ａｒガス
を導入して所定の真空度とした。
【００３８】さらに、各層が形成された基板をスパッタ
リング装置から取り出し、上記熱拡散層上にスピンコー
ト法により紫外線硬化樹脂よりなる保護層を形成し、光
ディスクを完成した。
リング装置から取り出し、上記熱拡散層上にスピンコー
ト法により紫外線硬化樹脂よりなる保護層を形成し、光
ディスクを完成した。
【００３９】記録層を形成する際にターゲットとして用
いたＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料の組成、及びスパ
ッタガス中のＣＯ2の割合を、後掲する表１に示すよう
にそれぞれ変化させて、光ディスクを作製した。そし
て、それぞれの光ディスクを、サンプル１〜サンプル２
２とした。
いたＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料の組成、及びスパ
ッタガス中のＣＯ2の割合を、後掲する表１に示すよう
にそれぞれ変化させて、光ディスクを作製した。そし
て、それぞれの光ディスクを、サンプル１〜サンプル２
２とした。
【００４０】次に、これらの光ディスクを初期化した。
ここで言う初期化とは、この光ディスクの記録層を安定
な所定の結晶層にしておくことを示す。
ここで言う初期化とは、この光ディスクの記録層を安定
な所定の結晶層にしておくことを示す。
【００４１】そして、サンプル１〜サンプル２２の光デ
ィスクについて、ジッター値と記録パワーとの関係を評
価した。
ィスクについて、ジッター値と記録パワーとの関係を評
価した。
【００４２】評価を行うには、まず、これらの光ディス
クに対して相変化型光記録再生装置により、図２に示す
ような発光パターンを用いてランダムＥＦＭ信号をChan
nelClockを２７．７ＭＨｚとし、線速度を４．８ｍ／秒
として記録した。図２中、Ｐｃは、パワーが０．５ｍＷ
を示し、Ｐｌは、ジッター値が最良になるパワーとし
た。
クに対して相変化型光記録再生装置により、図２に示す
ような発光パターンを用いてランダムＥＦＭ信号をChan
nelClockを２７．７ＭＨｚとし、線速度を４．８ｍ／秒
として記録した。図２中、Ｐｃは、パワーが０．５ｍＷ
を示し、Ｐｌは、ジッター値が最良になるパワーとし
た。
【００４３】そして、十回のオーバーライト後のクロッ
クに対する各マークエッジの標準偏差をウインドウ幅で
規格化した値をジッター値とした。この条件では、ジッ
ター値１５％以下であればエラー訂正可能であるとされ
ていることから、ジッター値１５％以下となる記録パワ
ーを記録再生が可能な記録パワーとした。
クに対する各マークエッジの標準偏差をウインドウ幅で
規格化した値をジッター値とした。この条件では、ジッ
ター値１５％以下であればエラー訂正可能であるとされ
ていることから、ジッター値１５％以下となる記録パワ
ーを記録再生が可能な記録パワーとした。
【００４４】そして、ジッター値と記録パワーとの関係
を調べて評価した。評価は、ジッター値が１５％以下と
なるような記録パワーマージンを有する場合には「Ｏ
Ｋ」とし、ジッター値が１５％以下となる良好な記録パ
ワーマージンがなかった場合には「ＮＧ」とした。
を調べて評価した。評価は、ジッター値が１５％以下と
なるような記録パワーマージンを有する場合には「Ｏ
Ｋ」とし、ジッター値が１５％以下となる良好な記録パ
ワーマージンがなかった場合には「ＮＧ」とした。
【００４５】サンプル１〜サンプル２２の光ディスクを
作製する際のＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料の組成、
及びスパッタガス中のＣＯ2の割合、及びジッター値と
記録パワーとの関係についての評価結果を表１に示す。
作製する際のＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ系材料の組成、
及びスパッタガス中のＣＯ2の割合、及びジッター値と
記録パワーとの関係についての評価結果を表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】記録層をスパッタリングする際に用いたＡ
ｇαＩｎβＳｂγＴｅδターゲット材料において、δ／
βが２．５よりも大きいサンプル２１の光ディスク、及
びγ／δが３よりも大きいサンプル２２の光ディスクで
は、ジッター値と記録パワーとについての評価がＮＧと
されている。
ｇαＩｎβＳｂγＴｅδターゲット材料において、δ／
βが２．５よりも大きいサンプル２１の光ディスク、及
びγ／δが３よりも大きいサンプル２２の光ディスクで
は、ジッター値と記録パワーとについての評価がＮＧと
されている。
【００４８】また、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδターゲッ
ト材料が２≦α≦１５，δ／β≦２．５，１．５≦γ／
δ≦３なる関係を満たしていても、スパッタガスにＣＯ
2ガスが含まれていないか、又は、スパッタガスに対す
るＣＯ2ガスの割合｛ＣＯ2／（ＣＯ2＋Ａｒ）｝が流量
比で１５％よりも大きくされたサンプルの光ディスクの
ジッター値と記録パワーとについての評価はＮＧとされ
ている。
ト材料が２≦α≦１５，δ／β≦２．５，１．５≦γ／
δ≦３なる関係を満たしていても、スパッタガスにＣＯ
2ガスが含まれていないか、又は、スパッタガスに対す
るＣＯ2ガスの割合｛ＣＯ2／（ＣＯ2＋Ａｒ）｝が流量
比で１５％よりも大きくされたサンプルの光ディスクの
ジッター値と記録パワーとについての評価はＮＧとされ
ている。
【００４９】一方、記録層をスパッタリングによって形
成する際に、２≦α≦１５，δ／β≦２．５，１．５≦
γ／δ≦３なる関係を満たすＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ
ターゲット材料を用い、スパッタガスとしてＣＯ2ガス
とＡｒガスとの混合ガスを用い、当該スパッタガスに対
するＣＯ2ガスの割合｛ＣＯ2／（ＣＯ2＋Ａｒ）｝が流
量比で１５％以下とされたサンプルの光ディスクでは、
ジッター値と記録パワーとについての評価はＯＫとなっ
ている。
成する際に、２≦α≦１５，δ／β≦２．５，１．５≦
γ／δ≦３なる関係を満たすＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ
ターゲット材料を用い、スパッタガスとしてＣＯ2ガス
とＡｒガスとの混合ガスを用い、当該スパッタガスに対
するＣＯ2ガスの割合｛ＣＯ2／（ＣＯ2＋Ａｒ）｝が流
量比で１５％以下とされたサンプルの光ディスクでは、
ジッター値と記録パワーとについての評価はＯＫとなっ
ている。
【００５０】また、サンプル１２の光ディスクと、サン
プル１４の光ディスクについてジッター値のパワーマー
ジンを測定した結果を図３に示す。図３より、サンプル
１４の光ディスクでは、１５％以下になる記録パワーマ
ージンを有することがわかる。一方、サンプル１２の光
ディスクでは、ジッター値１５％以下になる記録パワー
マージンが無いことが示される。
プル１４の光ディスクについてジッター値のパワーマー
ジンを測定した結果を図３に示す。図３より、サンプル
１４の光ディスクでは、１５％以下になる記録パワーマ
ージンを有することがわかる。一方、サンプル１２の光
ディスクでは、ジッター値１５％以下になる記録パワー
マージンが無いことが示される。
【００５１】従って、記録層をスパッタリングによって
形成する際に、２≦α≦１５，δ／β≦２．５，１．５
≦γ／δ≦３なる関係を満たすＡｇαＩｎβＳｂγＴｅ
δターゲット材料を用い、スパッタガスとしてＣＯ2ガ
スとＡｒガスとの混合ガスを用い、当該スパッタガスに
対するＣＯ2ガスの割合｛ＣＯ2／（ＣＯ2＋Ａｒ）｝を
流量比で１５％以内とすることにより、良好なジッター
特性を有する光ディスクが得られることがわかった。
形成する際に、２≦α≦１５，δ／β≦２．５，１．５
≦γ／δ≦３なる関係を満たすＡｇαＩｎβＳｂγＴｅ
δターゲット材料を用い、スパッタガスとしてＣＯ2ガ
スとＡｒガスとの混合ガスを用い、当該スパッタガスに
対するＣＯ2ガスの割合｛ＣＯ2／（ＣＯ2＋Ａｒ）｝を
流量比で１５％以内とすることにより、良好なジッター
特性を有する光ディスクが得られることがわかった。
【００５２】
【発明の効果】本発明では、記録層を構成するＡｇαＩ
ｎβＳｂγＴｅδの組成比を規定することで、ジッター
特性を向上させ、良好に記録再生を行うことのできる光
記録媒体を実現することができる。
ｎβＳｂγＴｅδの組成比を規定することで、ジッター
特性を向上させ、良好に記録再生を行うことのできる光
記録媒体を実現することができる。
【００５３】また、本発明の光記録媒体の製造方法で
は、スパッタリングによって記録層を形成する際のター
ゲット材料ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの組成比を規定す
ることで、ジッター特性を向上させ、良好に記録再生を
行うことのできる光記録媒体を得ることができる。
は、スパッタリングによって記録層を形成する際のター
ゲット材料ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの組成比を規定す
ることで、ジッター特性を向上させ、良好に記録再生を
行うことのできる光記録媒体を得ることができる。
【図１】本発明に係る光ディスクの一構成例を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】光ディスクのジッター特性を評価するための記
録波形を示した図である。
録波形を示した図である。
【図３】記録パワーとジッター値との関係を示す図であ
る。
る。
１ 光ディスク、 ２ 基板、 ３ 第１の誘電体層、
４ 記録層、 ５第２の誘電体層、 ６ 熱拡散層、
７ 保護層
４ 記録層、 ５第２の誘電体層、 ６ 熱拡散層、
７ 保護層
Claims (5)
- 【請求項１】 結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる光記録媒体に
おいて、上記記録層は、相変化材料としてＡｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ，Ｃ及びＯを含有することを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項２】 上記記録層は、相変化材料としてＡｇα
ＩｎβＳｂγＴｅδを含有し、それぞれの組成比α，
β，γ及びδ（原子％）が、 ２≦α≦１５ δ／β≦２．５ １．５≦γ／δ≦３ なる関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の光記
録媒体。 - 【請求項３】 結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
可逆的に生じる相変化材料からなる記録層を備え、光線
を照射して上記記録層に相変化を生じさせることにより
情報信号の記録及び／又は消去が行われる記録媒体の製
造方法において、 上記記録層を、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを含有する相変
化材料をターゲットとし、ＣＯ2ガスとＡｒガスとの混
合ガスをスパッタガスとして用いたスパッタリングによ
って形成することを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 上記スパッタガスに対するＣＯ2ガスの
割合｛ＣＯ2／（ＣＯ2＋Ａｒ）｝を、流量比で１５％以
内とすることを特徴とする請求項３記載の光記録媒体の
製造方法。 - 【請求項５】 上記ターゲットは、ＡｇαＩｎβＳｂγ
Ｔｅδを含有し、それぞれの組成比α，β，γ及びδ
（原子％）が、 ２≦α≦１５ δ／β≦２．５ １．５≦γ／δ≦３ なる関係を満たすことを特徴とする請求項３記載の光記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157958A JPH11348423A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10157958A JPH11348423A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11348423A true JPH11348423A (ja) | 1999-12-21 |
Family
ID=15661183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10157958A Withdrawn JPH11348423A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 光記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11348423A (ja) |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP10157958A patent/JPH11348423A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08258418A (ja) | 情報記録用媒体 | |
| EP1406254B1 (en) | Optical recording medium | |
| JP2001511288A (ja) | 再書き込み可能な光学情報媒体 | |
| JP2005025910A (ja) | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 | |
| WO1999030908A1 (fr) | Element d'enregistrement inscriptible une fois de donnees optiques | |
| JPH09286175A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3810462B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JPH09286174A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3963781B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2001507645A (ja) | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の書換型光情報媒体 | |
| JP2000006524A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH11348422A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH11348423A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2000149325A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH08329521A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH04228126A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2004195742A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2000215509A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| KR0183833B1 (ko) | 상변화형 광디스크 | |
| JP3163790B2 (ja) | 光記録媒体及び光記録方法 | |
| JPH10289478A (ja) | 光学式情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2000298874A (ja) | 相変化型光ディスク及びその製造方法 | |
| JPH08249721A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3187637B2 (ja) | 光ディスク記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH11345438A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |