JPH0567348A - 情報記録用媒体 - Google Patents
情報記録用媒体Info
- Publication number
- JPH0567348A JPH0567348A JP3227821A JP22782191A JPH0567348A JP H0567348 A JPH0567348 A JP H0567348A JP 3227821 A JP3227821 A JP 3227821A JP 22782191 A JP22782191 A JP 22782191A JP H0567348 A JPH0567348 A JP H0567348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- information recording
- information
- thin film
- mark length
- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ピットエッジ記録方式でレーザ光照射により情
報の記録・再生を行う場合の記録密度向上をはかる。 【構成】情報記録用媒体に形成されるマーク長の記録パ
ワー依存性を０.２μｍ／ｍＷ以下とする。この媒体は
追記型，書き換え可能型の何れでも良く、情報の記録
は、原子配列変化を生じさせることにより光学定数を変
化させる方式、孔形成等により凹状に変形させる方式、
及び、垂直磁化膜の磁化の向きを変える方式等の何れで
も良い。
報の記録・再生を行う場合の記録密度向上をはかる。 【構成】情報記録用媒体に形成されるマーク長の記録パ
ワー依存性を０.２μｍ／ｍＷ以下とする。この媒体は
追記型，書き換え可能型の何れでも良く、情報の記録
は、原子配列変化を生じさせることにより光学定数を変
化させる方式、孔形成等により凹状に変形させる方式、
及び、垂直磁化膜の磁化の向きを変える方式等の何れで
も良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光等の記録用エネ
ルギビームによって、映像や音声などのアナログ信号を
ＦＭ変調したものや、電子計算機のデータ，ファクシミ
リ信号，ディジタルオーディオ信号，ディジタルビデオ
信号などのディジタル情報を、リアルタイムで記録する
ことが可能な情報記録用媒体に関する。
ルギビームによって、映像や音声などのアナログ信号を
ＦＭ変調したものや、電子計算機のデータ，ファクシミ
リ信号，ディジタルオーディオ信号，ディジタルビデオ
信号などのディジタル情報を、リアルタイムで記録する
ことが可能な情報記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光等のエネルギビームを情報記録
用媒体に照射することにより情報の記録を行なう方式に
は、孔形成による凹状の記録，バブル形成による凸状の
記録，等の情報記録用薄膜を変形させる方式，情報記録
用薄膜構成原子の原子配列変化を生じさせることにより
光学定数を変化させる方式，垂直磁化膜の磁化の向きを
反転する方式等がある。レーザ光等のエネルギビームを
照射して情報を記録する情報記録用媒体では、従来、形
成された記録マークの中心に情報の“１”,“０"を対応
させる“ピットポジション方式”を採用していた。近年
では、記録容量の大容量化の要請が強まったため、記録
マークの両端に情報の“１”，“０”を対応させ、記録
容量が“ピットポジション方式”の約１.５ 倍になる、
特開昭62−8370号公報、及び特開昭63−53722 号公報に
開示の“ピットエッジ方式”を採用する検討がなされて
いる。
用媒体に照射することにより情報の記録を行なう方式に
は、孔形成による凹状の記録，バブル形成による凸状の
記録，等の情報記録用薄膜を変形させる方式，情報記録
用薄膜構成原子の原子配列変化を生じさせることにより
光学定数を変化させる方式，垂直磁化膜の磁化の向きを
反転する方式等がある。レーザ光等のエネルギビームを
照射して情報を記録する情報記録用媒体では、従来、形
成された記録マークの中心に情報の“１”,“０"を対応
させる“ピットポジション方式”を採用していた。近年
では、記録容量の大容量化の要請が強まったため、記録
マークの両端に情報の“１”，“０”を対応させ、記録
容量が“ピットポジション方式”の約１.５ 倍になる、
特開昭62−8370号公報、及び特開昭63−53722 号公報に
開示の“ピットエッジ方式”を採用する検討がなされて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ピットエッジ方式
で記録・再生を行なう場合、記録密度を高めるために
は、記録マークのエッジ位置のジッタが小さいことが重
要な条件である。この記録マークのエッジ位置のジッタ
は以下に示す三つの条件で決まる。
で記録・再生を行なう場合、記録密度を高めるために
は、記録マークのエッジ位置のジッタが小さいことが重
要な条件である。この記録マークのエッジ位置のジッタ
は以下に示す三つの条件で決まる。
【０００４】(１) 同一パワー，同一パルス幅で記録し
た時、記録マークのエッジ位置の揺らぎ。
た時、記録マークのエッジ位置の揺らぎ。
【０００５】(２) 同一パワーで記録した時、記録パル
ス幅と記録マーク長との線形性。
ス幅と記録マーク長との線形性。
【０００６】(３) 同一パルス幅で記録した時、記録マ
ーク長の記録パワー依存性。
ーク長の記録パワー依存性。
【０００７】（１）に関しては、記録マークのエッジ位
置の揺らぎが小さいほど、（２）に関しては、記録パル
ス幅と記録マーク長との線形性が良いほど、（３）に関
しては、記録マーク長の記録パワー依存性が小さいほ
ど、ジッタが小さく、記録密度を高めることができる。
置の揺らぎが小さいほど、（２）に関しては、記録パル
ス幅と記録マーク長との線形性が良いほど、（３）に関
しては、記録マーク長の記録パワー依存性が小さいほ
ど、ジッタが小さく、記録密度を高めることができる。
【０００８】上記の三つの条件の内、（１）と（２）に
関しては従来から検討がなされてきた。しかし、（３）
に関してはこれまで十分な検討がなされていないため、
“ピットエッジ方式”を採用し、さらに記録密度を高め
ようとする際に、記録マーク長の記録パワーの依存性が
大きいことが障害となる。
関しては従来から検討がなされてきた。しかし、（３）
に関してはこれまで十分な検討がなされていないため、
“ピットエッジ方式”を採用し、さらに記録密度を高め
ようとする際に、記録マーク長の記録パワーの依存性が
大きいことが障害となる。
【０００９】本発明の目的は、記録マーク長の記録パワ
ー依存性を小さくし、高密度記録に適した情報記録用媒
体を提供することにある。
ー依存性を小さくし、高密度記録に適した情報記録用媒
体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明、基板上に直接もしくは無機物及び有機物
のうちの少なくとも一者からなる保護膜を介して形成さ
れた記録用エネルギビームの照射を受けて情報が記録さ
れる情報記録用薄膜をもつ情報記録用媒体において、形
成されたマーク長の記録パワー依存性が０.２μｍ／ｍ
Ｗ 以下であることとする。
めに、本発明、基板上に直接もしくは無機物及び有機物
のうちの少なくとも一者からなる保護膜を介して形成さ
れた記録用エネルギビームの照射を受けて情報が記録さ
れる情報記録用薄膜をもつ情報記録用媒体において、形
成されたマーク長の記録パワー依存性が０.２μｍ／ｍ
Ｗ 以下であることとする。
【００１１】この情報記録用媒体は一度のみ記録が可能
な追記型、何度でも記録、消去が可能な可逆型の何れで
も良い。さらに、情報の記録を行なう方法は、孔形成に
よる凹状の記録，バブル形成による凸状の記録等の情報
記録用薄膜を変形させる方法，情報記録用薄膜構成原子
の原子配列変化を生じさせることにより光学定数を変化
させる方法，垂直磁気情報記録用薄膜の磁化の向きを変
える方法等のうちいずれでも良い。
な追記型、何度でも記録、消去が可能な可逆型の何れで
も良い。さらに、情報の記録を行なう方法は、孔形成に
よる凹状の記録，バブル形成による凸状の記録等の情報
記録用薄膜を変形させる方法，情報記録用薄膜構成原子
の原子配列変化を生じさせることにより光学定数を変化
させる方法，垂直磁気情報記録用薄膜の磁化の向きを変
える方法等のうちいずれでも良い。
【００１２】形成されたマーク長の記録パワー依存性は
０.１５μｍ／ｍＷ 以下であることがより好ましく、
０.０８μｍ／ｍＷ以下であることがさらに好ましく，
０.０４μｍ／ｍＷ以下であることが特に好ましい。
０.１５μｍ／ｍＷ 以下であることがより好ましく、
０.０８μｍ／ｍＷ以下であることがさらに好ましく，
０.０４μｍ／ｍＷ以下であることが特に好ましい。
【００１３】どの様な変調方式で、記録方式で記録する
としても、一ビット当たりの長さ（ビットピッチ，１
Ｔ）を短くする程、記録容量を大きくすることができ
る。一方、記録する時の最小ロジック長（２−７変調で
は３Ｔ／２，１−７変調では４Ｔ／３）は、安定に記録
できる最小記録マ−ク長と形成されたマーク長の記録パ
ワー依存性で決定される。ここで、最小ロジック長をＬ
lg（μｍ），最小記録マーク長をＬmk（μｍ），マーク
長のパワー依存性をη（μｍ／ｍＷ）記録パワーをＰwr
（ｍＷ），記録時のパワー変動をδfl（％）、とする
と、記録時のパワー変動距離Ｌpf（μｍ）、および、最
小ロジック長Ｌlgを達成するために許容される変動距離
Ｌlf（μｍ）は次式で表わされる。
としても、一ビット当たりの長さ（ビットピッチ，１
Ｔ）を短くする程、記録容量を大きくすることができ
る。一方、記録する時の最小ロジック長（２−７変調で
は３Ｔ／２，１−７変調では４Ｔ／３）は、安定に記録
できる最小記録マ−ク長と形成されたマーク長の記録パ
ワー依存性で決定される。ここで、最小ロジック長をＬ
lg（μｍ），最小記録マーク長をＬmk（μｍ），マーク
長のパワー依存性をη（μｍ／ｍＷ）記録パワーをＰwr
（ｍＷ），記録時のパワー変動をδfl（％）、とする
と、記録時のパワー変動距離Ｌpf（μｍ）、および、最
小ロジック長Ｌlgを達成するために許容される変動距離
Ｌlf（μｍ）は次式で表わされる。
【００１４】
【数１】Ｌpf＝ηＰwrδfl／１００
【００１５】
【数２】Ｌlf＝２（Ｌlg−Ｌmk） また、最小ロジック長Ｌlgを達成するためには、記録パ
ワー変動距離Ｌpfが許容変動距離Ｌlf以下でなければな
らない。即ち、
ワー変動距離Ｌpfが許容変動距離Ｌlf以下でなければな
らない。即ち、
【００１６】
【数３】Ｌpf≦Ｌlf である。これより、
【００１７】
【数４】Ｌlg≧Ｌmk＋ηＰwrδfl／２００ となる。これは記録可能な最小ロジック長Ｌlgが（Ｌmk
＋ηＰwrδfl／２００）となることを意味する。
＋ηＰwrδfl／２００）となることを意味する。
【００１８】従って、例えば、２−７変調方式で記録す
る場合、安定最小記録マーク長を０.７５μｍ ，記録パ
ワーを７ｍＷ，記録時のパワー変動を３０％とすると、
形成されたマーク長の記録パワー依存性が０.３μｍ／
ｍＷ の情報記録用媒体では、記録可能な最小ビットピ
ッチが０.７μｍ と長くなってしまうため記録容量を大
きくすることができない。そこで、マーク長の記録パワ
ー依存性が０.２μｍ／ｍＷの情報記録用媒体を用いる
ことにより、ビットピッチが０.６３μｍ と記録密度を
１１％高めることができ、さらに、０.１５μｍ／ｍＷ
の時にはビットピッチが０.６μｍと１７％，０.０８μ
ｍ／ｍＷの時にはビットピッチが0.55μｍと２７％，
０.０４μｍ／ｍＷの時にはビットピッチが０.５３μｍ
と３２％などと、マーク長の記録パワー依存性が小さい
ほど記録密度を高めることができる。
る場合、安定最小記録マーク長を０.７５μｍ ，記録パ
ワーを７ｍＷ，記録時のパワー変動を３０％とすると、
形成されたマーク長の記録パワー依存性が０.３μｍ／
ｍＷ の情報記録用媒体では、記録可能な最小ビットピ
ッチが０.７μｍ と長くなってしまうため記録容量を大
きくすることができない。そこで、マーク長の記録パワ
ー依存性が０.２μｍ／ｍＷの情報記録用媒体を用いる
ことにより、ビットピッチが０.６３μｍ と記録密度を
１１％高めることができ、さらに、０.１５μｍ／ｍＷ
の時にはビットピッチが０.６μｍと１７％，０.０８μ
ｍ／ｍＷの時にはビットピッチが0.55μｍと２７％，
０.０４μｍ／ｍＷの時にはビットピッチが０.５３μｍ
と３２％などと、マーク長の記録パワー依存性が小さい
ほど記録密度を高めることができる。
【００１９】また、２−７変調方式で、記録パワーを７
ｍＷ，記録時のパワー変動を３０％と、上記と同一条件
とし、安定最小記録マーク長が０.５μｍと高密度に記
録した場合には、形成されたマーク長の記録パワー依存
性が０.３μｍ／ｍＷ の時にはビットピッチは０.５３
μｍ であるのに対し、０.２μｍ／ｍＷの時には0.47μ
ｍと１３％記録容量を高めることができる。
ｍＷ，記録時のパワー変動を３０％と、上記と同一条件
とし、安定最小記録マーク長が０.５μｍと高密度に記
録した場合には、形成されたマーク長の記録パワー依存
性が０.３μｍ／ｍＷ の時にはビットピッチは０.５３
μｍ であるのに対し、０.２μｍ／ｍＷの時には0.47μ
ｍと１３％記録容量を高めることができる。
【００２０】さらに、０.１５μｍ／ｍＷの時にはビッ
トピッチは０.４３μｍと２３％、０.０８μｍ／ｍＷの
時にはビットピッチは０.３９μｍと３６％、０.０４μ
ｍ／ｍＷの時にはビットピッチが０.３６μｍと４７％
と、マーク長の記録パワー依存性が小さいほど記録密度
を高めることができる。
トピッチは０.４３μｍと２３％、０.０８μｍ／ｍＷの
時にはビットピッチは０.３９μｍと３６％、０.０４μ
ｍ／ｍＷの時にはビットピッチが０.３６μｍと４７％
と、マーク長の記録パワー依存性が小さいほど記録密度
を高めることができる。
【００２１】このように、形成されたマーク長の記録パ
ワー依存性が小さいほどビットピッチが短くなるので記
録密度を高め、記録容量を大きくすることができる。ま
た、その時の安定最小記録マーク長が短いほど、すなわ
ち、高密度化する程その大容量化の効果は大きい。
ワー依存性が小さいほどビットピッチが短くなるので記
録密度を高め、記録容量を大きくすることができる。ま
た、その時の安定最小記録マーク長が短いほど、すなわ
ち、高密度化する程その大容量化の効果は大きい。
【００２２】本発明の情報記録用媒体はディスク状とし
てばかりでなく、テープ状，カード状等の他の形態でも
使用可能である。
てばかりでなく、テープ状，カード状等の他の形態でも
使用可能である。
【００２３】
【作用】本発明の情報記録用媒体、すなわち、記録用エ
ネルギビームの照射により形成されたマーク長の記録パ
ワー依存性が０.２μｍ／ｍＷ 以下となる情報記録用媒
体を用いることにより、ピットエッジ方式で記録・再生
を行なう場合、さらに高密度記録が可能となる。
ネルギビームの照射により形成されたマーク長の記録パ
ワー依存性が０.２μｍ／ｍＷ 以下となる情報記録用媒
体を用いることにより、ピットエッジ方式で記録・再生
を行なう場合、さらに高密度記録が可能となる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
る。
る。
【００２５】〈実施例１〉直径１３０mm, 厚さ１.１mm
のディスク状化学強化ガラス板の表面にフォトポリメリ
ゼーション法（２Ｐ法）によって、１.５μｍピッチの
トラッキング用の案内溝と、一周を１７セクタに分割し
各セクタの始まりで溝と溝の中間の山の部分に凹凸ピッ
トの形でトラックアドレスやセクタアドレスなどのプリ
ピット（この部分をヘッダ部と呼ぶ）とをもつ紫外線硬
化樹脂層を形成したレプリカ基板を作製した。
のディスク状化学強化ガラス板の表面にフォトポリメリ
ゼーション法（２Ｐ法）によって、１.５μｍピッチの
トラッキング用の案内溝と、一周を１７セクタに分割し
各セクタの始まりで溝と溝の中間の山の部分に凹凸ピッ
トの形でトラックアドレスやセクタアドレスなどのプリ
ピット（この部分をヘッダ部と呼ぶ）とをもつ紫外線硬
化樹脂層を形成したレプリカ基板を作製した。
【００２６】このレプリカ基板１上に膜厚の均一性、再
現性のよいスパッタリング装置を用いて、ＺｎＳの下部
保護層２を約１１０ｎｍの厚さに形成した。次に、同一
スパッタリング装置内でＧｅ14Ｓｂ29Ｔｅ52Ｓｅ5の組
成の情報記録用薄膜３を形成した。さらに続いて、同一
スパッタ装置内でＺｎＳの上部保護層４を約５０ｎｍの
膜厚に形成した。さらに、この上に同一スパッタリング
装置内でＡｕの反射層５を約５０ｎｍの膜厚に形成し
た。同様にしてもう一枚の同様なレプリカ基板１´上
に、ＺｎＳ下部保護層２´，Ｇｅ14Ｓｂ29Ｔｅ52Ｓｅ5
情報記録用薄膜３´，ＺｎＳ上部保護４´，Ａｕ反射層
５´を、順次、形成した。
現性のよいスパッタリング装置を用いて、ＺｎＳの下部
保護層２を約１１０ｎｍの厚さに形成した。次に、同一
スパッタリング装置内でＧｅ14Ｓｂ29Ｔｅ52Ｓｅ5の組
成の情報記録用薄膜３を形成した。さらに続いて、同一
スパッタ装置内でＺｎＳの上部保護層４を約５０ｎｍの
膜厚に形成した。さらに、この上に同一スパッタリング
装置内でＡｕの反射層５を約５０ｎｍの膜厚に形成し
た。同様にしてもう一枚の同様なレプリカ基板１´上
に、ＺｎＳ下部保護層２´，Ｇｅ14Ｓｂ29Ｔｅ52Ｓｅ5
情報記録用薄膜３´，ＺｎＳ上部保護４´，Ａｕ反射層
５´を、順次、形成した。
【００２７】このようにして得た二枚のディスクを層５
及び５´側を内側にして接着剤層６によって貼り合わせ
を行った。このディスクの構造断面図を図１に示す。こ
こでは、情報記録用薄膜３の膜厚のみを変化させ、他の
構成は全く同じディスクを作製した。ここで作製したデ
ィスクはレーザ光照射によって情報記録用薄膜構成原子
の原子配列変化を生じさせることにより、光学定数を変
化させ反射率の違いを利用して読み出しを行なうもので
ある。ここでの原子配列変化は結晶，非晶質間の相変化
である。
及び５´側を内側にして接着剤層６によって貼り合わせ
を行った。このディスクの構造断面図を図１に示す。こ
こでは、情報記録用薄膜３の膜厚のみを変化させ、他の
構成は全く同じディスクを作製した。ここで作製したデ
ィスクはレーザ光照射によって情報記録用薄膜構成原子
の原子配列変化を生じさせることにより、光学定数を変
化させ反射率の違いを利用して読み出しを行なうもので
ある。ここでの原子配列変化は結晶，非晶質間の相変化
である。
【００２８】このディスクを１８００ｒｐｍで回転さ
せ、半導体レーザ光(波長７８０ｎｍ)を記録が行われな
いパワーレベル（１ｍＷ）に保って、記録ヘッド中のレ
ンズ(ＮＡ＝０.５５）で集光して基板を通して一方の情
報記録用薄膜に照射し、反射光を検出することによっ
て、トラッキング用の溝と溝の中間に光スポットの中心
が常に一致するようにヘッドを駆動した。溝と溝の中間
を記録トラックとすることによって溝から発生するノイ
ズの影響を避けることができる。このようにトラッキン
グを行いながら、さらに情報記録用薄膜上に焦点が来る
ように自動焦点合わせをして、記録・再生を行う。記録
を行う部分を通り過ぎれば、レーザパワーを１ｍＷに下
げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた。なお、
記録中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続され
る。
せ、半導体レーザ光(波長７８０ｎｍ)を記録が行われな
いパワーレベル（１ｍＷ）に保って、記録ヘッド中のレ
ンズ(ＮＡ＝０.５５）で集光して基板を通して一方の情
報記録用薄膜に照射し、反射光を検出することによっ
て、トラッキング用の溝と溝の中間に光スポットの中心
が常に一致するようにヘッドを駆動した。溝と溝の中間
を記録トラックとすることによって溝から発生するノイ
ズの影響を避けることができる。このようにトラッキン
グを行いながら、さらに情報記録用薄膜上に焦点が来る
ように自動焦点合わせをして、記録・再生を行う。記録
を行う部分を通り過ぎれば、レーザパワーを１ｍＷに下
げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた。なお、
記録中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続され
る。
【００２９】このディスクで情報記録用薄膜の製膜直後
は、薄膜構成元素がまだ十分に反応しておらず、さら
に、非晶質状態でもある。本ディスクを追記型として用
いる場合には、ここに記録用レーザ光を照射して結晶化
記録を行なうか、または、予めＡｒレーザ光照射、また
は、フラッシュアニール等で情報記録用薄膜を加熱し、
各元素を十分反応、結晶化させた後、パワー密度の高い
記録用レーザ光を照射して非晶質化記録を行なう。
は、薄膜構成元素がまだ十分に反応しておらず、さら
に、非晶質状態でもある。本ディスクを追記型として用
いる場合には、ここに記録用レーザ光を照射して結晶化
記録を行なうか、または、予めＡｒレーザ光照射、また
は、フラッシュアニール等で情報記録用薄膜を加熱し、
各元素を十分反応、結晶化させた後、パワー密度の高い
記録用レーザ光を照射して非晶質化記録を行なう。
【００３０】ここで、結晶化記録するのに適当なレーザ
パワーの範囲は、結晶化が起こる温度より高く、非晶質
化が起こる温度より低くなる範囲である。また、非晶質
化記録するのに適当なレーザパワーの範囲は、結晶化す
る温度より高く、強い変形を生じたり穴があく温度より
も低い範囲である。
パワーの範囲は、結晶化が起こる温度より高く、非晶質
化が起こる温度より低くなる範囲である。また、非晶質
化記録するのに適当なレーザパワーの範囲は、結晶化す
る温度より高く、強い変形を生じたり穴があく温度より
も低い範囲である。
【００３１】また、本ディスクを書き換え可能型として
用いるには、予めＡｒレーザ照射またはフラッシュアニ
ール等で情報記録用薄膜を加熱し、各元素を十分反応，
結晶化させた後、結晶化するのに適当なレーザパワーと
非晶質化するのに適当なレーザパワーとの間で変調した
記録用レーザ光を照射してオーバーライトを行なう。上
記構成の相変化型ディスクにおける情報記録用薄膜の膜
厚を変えたディスクについて、線速度８ｍ／ｓ(回転数
１８００ｒｐｍ，半径４２.５mm）として記録周波数４
ＭＨｚで２５０ｎｓの記録パルスを照射した時のマーク
長の記録パワー依存性を調べた。ここで、マークの端は
再生信号の二次微分信号の０クロス点で検出した。この
二次微分信号の０クロス点から求めたマーク長は透過型
電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察から測定したマーク長と良く
一致する。マーク長の記録パワー依存性が一定となった
ところでの値を次に示す。
用いるには、予めＡｒレーザ照射またはフラッシュアニ
ール等で情報記録用薄膜を加熱し、各元素を十分反応，
結晶化させた後、結晶化するのに適当なレーザパワーと
非晶質化するのに適当なレーザパワーとの間で変調した
記録用レーザ光を照射してオーバーライトを行なう。上
記構成の相変化型ディスクにおける情報記録用薄膜の膜
厚を変えたディスクについて、線速度８ｍ／ｓ(回転数
１８００ｒｐｍ，半径４２.５mm）として記録周波数４
ＭＨｚで２５０ｎｓの記録パルスを照射した時のマーク
長の記録パワー依存性を調べた。ここで、マークの端は
再生信号の二次微分信号の０クロス点で検出した。この
二次微分信号の０クロス点から求めたマーク長は透過型
電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察から測定したマーク長と良く
一致する。マーク長の記録パワー依存性が一定となった
ところでの値を次に示す。
【００３２】 情報記録用薄膜の膜厚 マーク長の記録パワー依存性 ５ ｎｍ ０.３２ μｍ／ｍＷ １０ ｎｍ ０.２５ μｍ／ｍＷ ２０ ｎｍ ０.１９ μｍ／ｍＷ ３０ ｎｍ ０.１５ μｍ／ｍＷ ４０ ｎｍ ０.１２ μｍ／ｍＷ ６０ ｎｍ ０.１０ μｍ／ｍＷ ８０ ｎｍ ０.０８ μｍ／ｍＷ １００ ｎｍ ０.０７ μｍ／ｍＷ １５０ ｎｍ ０.０５５ μｍ／ｍＷ ２００ ｎｍ ０.０５ μｍ／ｍＷ ２５０ ｎｍ ０.０４５ μｍ／ｍＷ ３００ ｎｍ ０.０４ μｍ／ｍＷ ４００ ｎｍ ０.０４ μｍ／ｍＷ ５００ ｎｍ ０.０４ μｍ／ｍＷ 基板は、実施例で用いた化学強化ガラス円板の他に、射
出成形で作製したポリカーボネート，アクリル樹脂等の
プラスチック円板を用いても同様な結果が得られた。
出成形で作製したポリカーボネート，アクリル樹脂等の
プラスチック円板を用いても同様な結果が得られた。
【００３３】情報記録用薄膜組成は上述のＧｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ−Ｓｅ系の他に、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系，Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ−Ｍ（Ｍは金属元素）系，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系，
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系，Ｉｎ−Ｓｅ系，Ｉｎ−Ｓｅ−Ｍ
（Ｍは金属元素）系，Ｇａ−Ｓｂ系，Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ
系，Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ系等を用いても、同様な結
果が得られる。
Ｔｅ−Ｓｅ系の他に、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系，Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ−Ｍ（Ｍは金属元素）系，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系，
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系，Ｉｎ−Ｓｅ系，Ｉｎ−Ｓｅ−Ｍ
（Ｍは金属元素）系，Ｇａ−Ｓｂ系，Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ
系，Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ系等を用いても、同様な結
果が得られる。
【００３４】情報記録用薄膜として、上記の結晶，非晶
質間相変化を利用したものの他に、結晶，結晶間相変化
を利用したＩｎ−Ｓｂ系等を用いても、同様な結果が得
られる。
質間相変化を利用したものの他に、結晶，結晶間相変化
を利用したＩｎ−Ｓｂ系等を用いても、同様な結果が得
られる。
【００３５】〈実施例２〉直径１３０mm，厚さ１.１mm
のディスク状化学強化ガラス板の表面にフォトポリメリ
ゼーション法（２Ｐ法）によって、１.５μｍ ピッチの
トラッキング用の案内溝とアドレスを示すプリピットを
もつ有機物下地膜および紫外線硬化樹脂層を形成しレプ
リカ基板を作製した。有機物下地膜は、２Ｐ法の前に、
Ｎｉスタンパ上に予めニトロセルロースの酢酸ｎ−ブチ
ル溶液を回転塗布し、乾燥した上に紫外線硬化樹脂を滴
下する方法で形成した。次に、レプリカ基板７上にＳｎ
補助層８を通電加熱蒸着法で形成し、その上にＰｂ5Ｔ
ｅ80Ｓｅ15 の組成の情報記録用薄膜９を通電加熱蒸着
法で形成した。このディスクの構造断面図を図２に示
す。ここでは補助層８と情報記録用薄膜９の膜厚を変化
させた。ここで作製したディスクはレーザ光照射によっ
て情報記録用薄膜に孔を形成することによって反射率を
変化させて読み出しを行なうものである。
のディスク状化学強化ガラス板の表面にフォトポリメリ
ゼーション法（２Ｐ法）によって、１.５μｍ ピッチの
トラッキング用の案内溝とアドレスを示すプリピットを
もつ有機物下地膜および紫外線硬化樹脂層を形成しレプ
リカ基板を作製した。有機物下地膜は、２Ｐ法の前に、
Ｎｉスタンパ上に予めニトロセルロースの酢酸ｎ−ブチ
ル溶液を回転塗布し、乾燥した上に紫外線硬化樹脂を滴
下する方法で形成した。次に、レプリカ基板７上にＳｎ
補助層８を通電加熱蒸着法で形成し、その上にＰｂ5Ｔ
ｅ80Ｓｅ15 の組成の情報記録用薄膜９を通電加熱蒸着
法で形成した。このディスクの構造断面図を図２に示
す。ここでは補助層８と情報記録用薄膜９の膜厚を変化
させた。ここで作製したディスクはレーザ光照射によっ
て情報記録用薄膜に孔を形成することによって反射率を
変化させて読み出しを行なうものである。
【００３６】孔開け型ディスクにおける補助層及び情報
記録用薄膜の膜厚を変えたディスクについて、実施例−
１と同じ記録・再生装置を用い、線速度８ｍ／ｓ（回転
数１８００ｒｐｍ,半径４２．５mm)として記録周波数４
ＭＨｚで２５０ｎｓの記録パルスを照射した時のマーク
長の記録パワー依存性を調べた。ここで、マークの端は
再生信号の二次微分信号の０クロス点で検出した。この
二次微分信号の０クロス点から求めたマーク長は走査型
電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察から測定したマーク長と良く
一致する。マーク長の記録パワー依存性が一定となった
ところでの値を次に示す。
記録用薄膜の膜厚を変えたディスクについて、実施例−
１と同じ記録・再生装置を用い、線速度８ｍ／ｓ（回転
数１８００ｒｐｍ,半径４２．５mm)として記録周波数４
ＭＨｚで２５０ｎｓの記録パルスを照射した時のマーク
長の記録パワー依存性を調べた。ここで、マークの端は
再生信号の二次微分信号の０クロス点で検出した。この
二次微分信号の０クロス点から求めたマーク長は走査型
電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察から測定したマーク長と良く
一致する。マーク長の記録パワー依存性が一定となった
ところでの値を次に示す。
【００３７】 補助層の膜厚 情報記録用薄膜の膜厚 マーク長の記録パワー依存性 ０ｎｍ ５ｎｍ ０.３５ μｍ／ｍＷ ０ｎｍ １０ｎｍ ０.２６ μｍ／ｍＷ ０ｎｍ ２０ｎｍ ０.１９ μｍ／ｍＷ ０ｎｍ ３０ｎｍ ０.１５ μｍ／ｍＷ ０ｎｍ ４０ｎｍ ０.１２ μｍ／ｍＷ １０ｎｍ ３０ｎｍ ０.１０ μｍ／ｍＷ ２０ｎｍ ３０ｎｍ ０.０８ μｍ／ｍＷ ３０ｎｍ ３０ｎｍ ０.０６ μｍ／ｍＷ ５０ｎｍ ３０ｎｍ ０.０５ μｍ／ｍＷ ８０ｎｍ ３０ｎｍ ０.０４５ μｍ／ｍＷ １２０ｎｍ ３０ｎｍ ０.０４ μｍ／ｍＷ 基板として、この実施例で用いた化学強化ガラス円板の
他に、射出成型で作製したポリカーボネート，アクリル
樹脂等のプラスチック円板を用いても同様な結果が得ら
れた。
他に、射出成型で作製したポリカーボネート，アクリル
樹脂等のプラスチック円板を用いても同様な結果が得ら
れた。
【００３８】補助層として、Ｓｎの他にＳｅ，Ｓ，Ｐ
ｂ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｚｎ等の低融点元素、Ｓｂ2Ｓｅ3，Ｂ
ｉ2Ｓｅ3，ＳｎＳｅ2 等のカルコゲナイドを用いても、
同様な結果が得られた。
ｂ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｚｎ等の低融点元素、Ｓｂ2Ｓｅ3，Ｂ
ｉ2Ｓｅ3，ＳｎＳｅ2 等のカルコゲナイドを用いても、
同様な結果が得られた。
【００３９】情報記録用薄膜として、Ｐｂ−Ｔｅ−Ｓｅ
系の他にＴｅ−Ｃ系，Ｔｅ−Ｓｂ系，Ｔｅ−Ｏ系、等の
他のカルコゲナイドを用いても、同様な結果が得られ
た。さらに、情報記録用薄膜として、シアニン色素，ナ
フタロシアニン色素，ナフトキノン色素，アズレニウム
色素等の有機物を用いても、同様な結果が得られた。
系の他にＴｅ−Ｃ系，Ｔｅ−Ｓｂ系，Ｔｅ−Ｏ系、等の
他のカルコゲナイドを用いても、同様な結果が得られ
た。さらに、情報記録用薄膜として、シアニン色素，ナ
フタロシアニン色素，ナフトキノン色素，アズレニウム
色素等の有機物を用いても、同様な結果が得られた。
【００４０】〈実施例３〉直径１３０mm，厚さ１.１mm
のディスク状化学強化ガラス板の表面にフォトポリメリ
ゼーション法（２Ｐ法）によって、１.５μｍ ピッチの
トラッキング用の案内溝とアドレスを示すプリピットと
をもつ紫外線硬化樹脂層を形成し、レプリカ基板を作製
した。レプリカ基板１０上に、膜厚の均一性、再現性の
良いスパッタリング装置を用いて、まず、エンハンス層
である窒化シリコン層１１を８５ｎｍの厚さに形成し
た。次に、同一スパッタリング装置中でＴｂ25Ｆｅ65Ｃ
ｏ10の組成の情報記録用薄膜１２を３５ｎｍの厚さに形
成した。さらに、この上に上部保護層である窒化シリコ
ン層１３を２５ｎｍの厚さに形成し、続いて、Ａｌ−Ｔ
ｉ合金反射層１４を６０ｎｍの厚さに形成した。同様に
してもう一枚の同様なレプリカ基板１０′上に窒化シリ
コンエンハンス層１１′，Ｔｂ25Ｆｅ65Ｃｏ10情報記録
用薄膜１２′，窒化シリコン上部保護層１３′，Ａｌ−
Ｔｉ合金反射層１４′を、順次、形成した。このように
して得た二枚のディスクを層１４及び１４´側を内側に
して接着剤層１５によって貼り合わせを行った。
のディスク状化学強化ガラス板の表面にフォトポリメリ
ゼーション法（２Ｐ法）によって、１.５μｍ ピッチの
トラッキング用の案内溝とアドレスを示すプリピットと
をもつ紫外線硬化樹脂層を形成し、レプリカ基板を作製
した。レプリカ基板１０上に、膜厚の均一性、再現性の
良いスパッタリング装置を用いて、まず、エンハンス層
である窒化シリコン層１１を８５ｎｍの厚さに形成し
た。次に、同一スパッタリング装置中でＴｂ25Ｆｅ65Ｃ
ｏ10の組成の情報記録用薄膜１２を３５ｎｍの厚さに形
成した。さらに、この上に上部保護層である窒化シリコ
ン層１３を２５ｎｍの厚さに形成し、続いて、Ａｌ−Ｔ
ｉ合金反射層１４を６０ｎｍの厚さに形成した。同様に
してもう一枚の同様なレプリカ基板１０′上に窒化シリ
コンエンハンス層１１′，Ｔｂ25Ｆｅ65Ｃｏ10情報記録
用薄膜１２′，窒化シリコン上部保護層１３′，Ａｌ−
Ｔｉ合金反射層１４′を、順次、形成した。このように
して得た二枚のディスクを層１４及び１４´側を内側に
して接着剤層１５によって貼り合わせを行った。
【００４１】このディスクの構造断面図を図３に示す。
ここでは、情報記録用薄膜１２の膜厚のみを変化させ、
他の構成は全く同じディスクを作製した。ここで作製し
たディスクはレーザ光の照射によって垂直磁気情報記録
用薄膜の磁化の向きを反転させ、反射した偏光の偏光面
の回転方向の違いを利用して読み出しを行なうものであ
る。
ここでは、情報記録用薄膜１２の膜厚のみを変化させ、
他の構成は全く同じディスクを作製した。ここで作製し
たディスクはレーザ光の照射によって垂直磁気情報記録
用薄膜の磁化の向きを反転させ、反射した偏光の偏光面
の回転方向の違いを利用して読み出しを行なうものであ
る。
【００４２】光磁気ディスクにおける情報記録用薄膜の
膜厚を変えたディスクについて、線速度８ｍ／ｓ (回転
数１８００ｒｐｍ，半径４２.５mm) として記録周波数
４ＭＨｚで２５０ｎｓの記録パルスを照射した時のマー
ク長の記録パワー依存性を調べた。ここで、マークの端
は再生信号の二次微分信号の０クロス点で検出した。こ
の二次微分信号の０クロス点から求めたマーク長は偏光
顕微鏡観察から測定したマーク長と良く一致する。マー
ク長の記録パワー依存性が一定となったところでの値を
次に示す。
膜厚を変えたディスクについて、線速度８ｍ／ｓ (回転
数１８００ｒｐｍ，半径４２.５mm) として記録周波数
４ＭＨｚで２５０ｎｓの記録パルスを照射した時のマー
ク長の記録パワー依存性を調べた。ここで、マークの端
は再生信号の二次微分信号の０クロス点で検出した。こ
の二次微分信号の０クロス点から求めたマーク長は偏光
顕微鏡観察から測定したマーク長と良く一致する。マー
ク長の記録パワー依存性が一定となったところでの値を
次に示す。
【００４３】 情報記録用薄膜の膜厚 マーク長の記録パワー依存性 ５ ｎｍ ０.３０ μｍ／ｍＷ １０ ｎｍ ０.２４ μｍ／ｍＷ １５ ｎｍ ０.１９ μｍ／ｍＷ ２０ ｎｍ ０.１５ μｍ／ｍＷ ２５ ｎｍ ０.１２ μｍ／ｍＷ ３０ ｎｍ ０.０９ μｍ／ｍＷ ３５ ｎｍ ０.０６ μｍ／ｍＷ ４０ ｎｍ ０.０５ μｍ／ｍＷ ５０ ｎｍ ０.０５ μｍ／ｍＷ ６０ ｎｍ ０.０４５ μｍ／ｍＷ ８０ ｎｍ ０.０４５ μｍ／ｍＷ １００ ｎｍ ０.０４ μｍ／ｍＷ １５０ ｎｍ ０.０４ μｍ／ｍＷ ２００ ｎｍ ０.０４ μｍ／ｍＷ 基板は、実施例で用いた化学強化ガラス円板の他に、射
出成型で作製したポリカーボネート，アクリル樹脂等の
プラスチック円板を用いても同様な結果が得られた。
出成型で作製したポリカーボネート，アクリル樹脂等の
プラスチック円板を用いても同様な結果が得られた。
【００４４】
【発明の効果】本発明による情報記録用媒体を用いれ
ば、記録マーク長のパワー依存性を小さくすることがで
きるため、ピットエッジ方式で記録・再生を行なう場
合、従来に比べてさらに高密度化が可能となる。
ば、記録マーク長のパワー依存性を小さくすることがで
きるため、ピットエッジ方式で記録・再生を行なう場
合、従来に比べてさらに高密度化が可能となる。
【図１】本発明の一実施例における情報記録用媒体の断
面図。
面図。
【図２】本発明の第二の実施例における情報記録用媒体
の断面図。
の断面図。
【図３】本発明の第三の実施例における情報記録用媒体
の断面図。
の断面図。
１，１′…レプリカ基板、２，２′…下部保護層、３，
３′…情報記録用薄膜、４，４′…上部保護層、５，
５′…反射層、６…接着剤層。
３′…情報記録用薄膜、４，４′…上部保護層、５，
５′…反射層、６…接着剤層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 武志 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 堀籠 信吉 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に直接もしくは無機物および／また
は有機物からなる保護膜を介して形成された記録用エネ
ルギビームの照射を受けて情報が記録される情報記録用
薄膜をもつ情報記録用媒体において、形成されたマーク
長の記録パワー依存性が0.2μｍ／ｍＷ以下であること
を特徴とする情報記録用媒体。 - 【請求項２】請求項１において、前記記録用エネルギビ
ームの照射を受けて形成された記録マークの両端に情報
を持たせる情報記録用媒体。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記情報記録
用薄膜が前記記録用エネルギビームの照射を受けて原子
配列変化を生じる情報記録用薄膜である情報記録用媒
体。 - 【請求項４】請求項１または２において、前記情報記録
用薄膜が前記記録用エネルギビームの照射を受けて凹部
または孔部が形成される情報記録用薄膜である情報記録
用媒体。 - 【請求項５】請求項１または２において、前記情報記録
用薄膜が前記記録用エネルギビームの照射を受けて垂直
磁化膜の磁化の向きが反転する情報記録用薄膜である情
報記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227821A JPH0567348A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 情報記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227821A JPH0567348A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 情報記録用媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567348A true JPH0567348A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16866907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227821A Withdrawn JPH0567348A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567348A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8223620B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
| US8233375B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP3227821A patent/JPH0567348A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8233375B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8355304B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8400903B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8446807B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8462606B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-06-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducing device for optical information recording medium, control method and control program for the reproducing device, and medium with the control program recorded therein |
| US8223620B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
| US8379505B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
| US8570850B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-10-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
| US8705333B2 (en) | 2007-08-30 | 2014-04-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Super-resolution optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, optical recording medium reproduction device, and control method |
| US8867328B2 (en) | 2007-08-30 | 2014-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording medium on which information is recorded using train of prepits, and method for reproducing optical recording medium |
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