JPH042437B2 - - Google Patents
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Description
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体に関し、さらに詳しくは
集光したレーザ光の熱作用により薄膜にピツトを
形成して記録する光記録媒体に関するものであ
る。 （従来の技術） レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する追記型光デイスクメモリは、記録密度が高
いことから大容量記録装置として優れた特徴を有
している。このような追記型光デイスクメモリの
記録媒体としては、低融点金属であるビスマス、
テルルが使用されている（特公昭46−40479、特
公昭57−45676、特公昭59−41875、特公昭54−
15483、特公昭59−35356）。 （発明が解決しようとする問題点） しかし、ビスマス、テルルは耐候性が悪いため
実用に供することはできなかつた。 本発明の目的は、耐候性がよく、かつ高感度で
信号品質の良好な光記録媒体に用いる光記録材料
を提供することにある。 （問題を解決するための手段） 本発明の光記録材料は光記録媒体の記録層に用
いる光記録材料であつて、主成分のテルルに加え
て、コバルト酸化物を体積％で10％から50％含有
してなることを特徴とする。 （作用） 本発明による記録膜は主成分のテルルに加えて
体積％で10％から50％のコバルト酸化物を不可欠
な構成要素として含んでいる。テルルは低融点の
半金属のために高い記録感度を有している。しか
し、酸化しやすいために長期保存性に欠け問題で
あり実用に供することはできなかつた。さらに、
材料の結晶性に起因して表面性がやや悪いので未
記録ノイズが充分小さな値にならないという問題
もあつた。本発明者らはテルルに体積％で10％か
ら50％のコバルト酸化物を含有させることによ
り、高感度を維持したまま耐候性が著しく向上し
加えて表面性が良好になることを見出し、本発明
に到つたものである。 記録層の膜厚は100〜600〓程度が記録感度及び
信号品質の点で望ましく、とくに200〜500〓が望
ましい。記録層はテルルとコバルト酸化物のみの
混合物でも充分に優れた光記録媒体特性と耐候性
を有するが、更り耐候性を向上させたり、反射率
を所定の値に調整するためには第３物質等を含有
させてもよい。第３物質としては、炭素、アルミ
ニウム、シリコン、チタン、クロム、鉄、コバル
ト、ニツケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウ
ム、セレン、ジルコニウム、ニオブ、モリブデ
ン、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、ス
ズ、アンチモン、タンタル、タングステン、白
金、金、鉛、ビスマスのうちの１以上が望まし
い。これらは体積％で10〜15％以下で効果を示す
ものが多いが、物質によつてはこれらより多く含
ませることもある。コバルト酸化物としては
CoO、Co2O3、Co3O4があるが、耐候性の観点か
らはCo3O4が最も望ましい。 基板としては種々のものを使用できるが、一般
には合成樹脂、ガラス、磁器、アルミニウム合金
が望ましい。合成樹脂としては、ポリメチルメタ
クリレート等のアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、エポキ
シ樹脂、塩化ビニルがある。基板にはその上に断
熱層やスムージング層を設けてよい。基板の形状
は円板状、シート状、テープ状とすることができ
る。 記録層への情報の記録は、記録層にピツトを形
成することによりなされる。円板状の基板を用い
るデイスク媒体では、ピツトは同心円状又はスパ
イラル状の多数のトラツクに形成するように記録
される。多数のトラツクを一定間隔で精度よく記
録するには、通常基板上に光の案内溝が設けられ
る。ビーム径程度の溝に光が入射すると光が回折
される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折
光強度の空間分布が異なり、これを検出してビー
ムを溝の中心に入射させるようにサーボ系を構成
できる。通常溝の幅は0.3〜1.2μｍ、その深さは
使用する記録再生レーザ波長の1/12〜1/14の範囲
に設定される。 実施例 １ 以下、本発明の実施例について説明する。内径
15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカ
ーボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に
入れ、２×10-5Torr以下に排気した。蒸発源と
しては抵抗加熱用ボート（モリブデン製）にTe
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼにCo3O4を入れ
た。水晶振動子式膜厚モニターを用いて、それぞ
れの蒸着物質の蒸着速度を制御しながら共蒸着す
ることにより、デイスク基板上に記録層を形成し
た。Teの蒸着速度は毎分約60〓とし、Co3O4蒸
着速度は毎分約17〓として、Co3O4の体積率が22
％の組成の約275〓厚の膜を記録層とした。この
光記録媒体のフラツト部の光学特性を波長8300〓
の平行光で測定したところ、基板入射反射率は22
％、吸収率は約57％であつた。波長8300〓の
AlGaAs半導体レーザを光学系を用いて収光し、
基板を通して記録層に照射し、ピツトを記録層に
形成した。媒体線速度5.65ｍ／sec、記録レーザ
パワー10ｍＷにおいてレーザ照射時間100nsecで
記録が可能であつた。記録されたピツトをレーザ
パワー0.4ｍＷで再生したところ、105ｍＶの良好
な品質の信号を得た。次に、この光記録媒体を70
℃80％の高温高湿度の環境に200時間保存した後
に上記の特性を調べたところ、ほとんど変化はな
く、本光記録材料が高い耐候性を有していること
がわかつた。 実施例 ２ 実施例１と同様にして、第１表のような光記録
媒体を作製した。第１表には基板入射反射率、記
録再生結果、耐候性試験結果をあわせて示す。反
射率はCo3O4の含有率が増大するにしたがつて低
下する傾向となる。記録再生の信号品質は、
Co3O4を添加することにより少し良好となるが、
60％以上の添加では感度不足となり悪くなる。高
温高湿度条件下での保存性は、Co3O4の含有率が
５％以下ではTeの性質がでて悪い。したがつて、
Co3O4の体積含有率は10％から50％が実用可能な
組成範囲であることがわかる。
ことのできる光記録媒体に関し、さらに詳しくは
集光したレーザ光の熱作用により薄膜にピツトを
形成して記録する光記録媒体に関するものであ
る。 （従来の技術） レーザ光によつて情報を媒体に記録し、かつ再
生する追記型光デイスクメモリは、記録密度が高
いことから大容量記録装置として優れた特徴を有
している。このような追記型光デイスクメモリの
記録媒体としては、低融点金属であるビスマス、
テルルが使用されている（特公昭46−40479、特
公昭57−45676、特公昭59−41875、特公昭54−
15483、特公昭59−35356）。 （発明が解決しようとする問題点） しかし、ビスマス、テルルは耐候性が悪いため
実用に供することはできなかつた。 本発明の目的は、耐候性がよく、かつ高感度で
信号品質の良好な光記録媒体に用いる光記録材料
を提供することにある。 （問題を解決するための手段） 本発明の光記録材料は光記録媒体の記録層に用
いる光記録材料であつて、主成分のテルルに加え
て、コバルト酸化物を体積％で10％から50％含有
してなることを特徴とする。 （作用） 本発明による記録膜は主成分のテルルに加えて
体積％で10％から50％のコバルト酸化物を不可欠
な構成要素として含んでいる。テルルは低融点の
半金属のために高い記録感度を有している。しか
し、酸化しやすいために長期保存性に欠け問題で
あり実用に供することはできなかつた。さらに、
材料の結晶性に起因して表面性がやや悪いので未
記録ノイズが充分小さな値にならないという問題
もあつた。本発明者らはテルルに体積％で10％か
ら50％のコバルト酸化物を含有させることによ
り、高感度を維持したまま耐候性が著しく向上し
加えて表面性が良好になることを見出し、本発明
に到つたものである。 記録層の膜厚は100〜600〓程度が記録感度及び
信号品質の点で望ましく、とくに200〜500〓が望
ましい。記録層はテルルとコバルト酸化物のみの
混合物でも充分に優れた光記録媒体特性と耐候性
を有するが、更り耐候性を向上させたり、反射率
を所定の値に調整するためには第３物質等を含有
させてもよい。第３物質としては、炭素、アルミ
ニウム、シリコン、チタン、クロム、鉄、コバル
ト、ニツケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウ
ム、セレン、ジルコニウム、ニオブ、モリブデ
ン、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、ス
ズ、アンチモン、タンタル、タングステン、白
金、金、鉛、ビスマスのうちの１以上が望まし
い。これらは体積％で10〜15％以下で効果を示す
ものが多いが、物質によつてはこれらより多く含
ませることもある。コバルト酸化物としては
CoO、Co2O3、Co3O4があるが、耐候性の観点か
らはCo3O4が最も望ましい。 基板としては種々のものを使用できるが、一般
には合成樹脂、ガラス、磁器、アルミニウム合金
が望ましい。合成樹脂としては、ポリメチルメタ
クリレート等のアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリエーテルイミド、ポリサルホン、エポキ
シ樹脂、塩化ビニルがある。基板にはその上に断
熱層やスムージング層を設けてよい。基板の形状
は円板状、シート状、テープ状とすることができ
る。 記録層への情報の記録は、記録層にピツトを形
成することによりなされる。円板状の基板を用い
るデイスク媒体では、ピツトは同心円状又はスパ
イラル状の多数のトラツクに形成するように記録
される。多数のトラツクを一定間隔で精度よく記
録するには、通常基板上に光の案内溝が設けられ
る。ビーム径程度の溝に光が入射すると光が回折
される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折
光強度の空間分布が異なり、これを検出してビー
ムを溝の中心に入射させるようにサーボ系を構成
できる。通常溝の幅は0.3〜1.2μｍ、その深さは
使用する記録再生レーザ波長の1/12〜1/14の範囲
に設定される。 実施例 １ 以下、本発明の実施例について説明する。内径
15mm、外径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカ
ーボネート樹脂デイスク基板を真空蒸着装置内に
入れ、２×10-5Torr以下に排気した。蒸発源と
しては抵抗加熱用ボート（モリブデン製）にTe
を入れ、電子ビーム加熱用るつぼにCo3O4を入れ
た。水晶振動子式膜厚モニターを用いて、それぞ
れの蒸着物質の蒸着速度を制御しながら共蒸着す
ることにより、デイスク基板上に記録層を形成し
た。Teの蒸着速度は毎分約60〓とし、Co3O4蒸
着速度は毎分約17〓として、Co3O4の体積率が22
％の組成の約275〓厚の膜を記録層とした。この
光記録媒体のフラツト部の光学特性を波長8300〓
の平行光で測定したところ、基板入射反射率は22
％、吸収率は約57％であつた。波長8300〓の
AlGaAs半導体レーザを光学系を用いて収光し、
基板を通して記録層に照射し、ピツトを記録層に
形成した。媒体線速度5.65ｍ／sec、記録レーザ
パワー10ｍＷにおいてレーザ照射時間100nsecで
記録が可能であつた。記録されたピツトをレーザ
パワー0.4ｍＷで再生したところ、105ｍＶの良好
な品質の信号を得た。次に、この光記録媒体を70
℃80％の高温高湿度の環境に200時間保存した後
に上記の特性を調べたところ、ほとんど変化はな
く、本光記録材料が高い耐候性を有していること
がわかつた。 実施例 ２ 実施例１と同様にして、第１表のような光記録
媒体を作製した。第１表には基板入射反射率、記
録再生結果、耐候性試験結果をあわせて示す。反
射率はCo3O4の含有率が増大するにしたがつて低
下する傾向となる。記録再生の信号品質は、
Co3O4を添加することにより少し良好となるが、
60％以上の添加では感度不足となり悪くなる。高
温高湿度条件下での保存性は、Co3O4の含有率が
５％以下ではTeの性質がでて悪い。したがつて、
Co3O4の体積含有率は10％から50％が実用可能な
組成範囲であることがわかる。
【表】
実施例 ３
抵抗加熱用ボートにTeを入れ、もう一つの抵
抗加熱用ボートにSeを入れ、電子ビーム加熱用
るつぼにCo3O4を入れ、体積率でそれぞれ71％、
９％、20％となるように共蒸着してデイスク基板
上に375〓厚の記録層を形成した。実施例１と同
様にして記録再生したところ良好な記録ができ
た。次に、70℃80％の環境に200時間保存した後、
上記の特性を調べたがほとんど変化がなく、耐候
性が良好であることが確認された。 （発明の効果） 上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性が高くかつ高感度で信号品質の良好な光記
録材料が得られる。
抗加熱用ボートにSeを入れ、電子ビーム加熱用
るつぼにCo3O4を入れ、体積率でそれぞれ71％、
９％、20％となるように共蒸着してデイスク基板
上に375〓厚の記録層を形成した。実施例１と同
様にして記録再生したところ良好な記録ができ
た。次に、70℃80％の環境に200時間保存した後、
上記の特性を調べたがほとんど変化がなく、耐候
性が良好であることが確認された。 （発明の効果） 上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性が高くかつ高感度で信号品質の良好な光記
録材料が得られる。
Claims (1)
- １ 光記録媒体の記録層に用いる光記録材料にお
いて、主成分のテルルに加えて、Co3O4のコバル
ト酸化物を体積％で10％から50％含有してなるこ
とを特徴とする光記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267719A JPS62127287A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267719A JPS62127287A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光記録材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62127287A JPS62127287A (ja) | 1987-06-09 |
| JPH042437B2 true JPH042437B2 (ja) | 1992-01-17 |
Family
ID=17448606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267719A Granted JPS62127287A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 光記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62127287A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2687900B2 (ja) * | 1993-12-27 | 1997-12-08 | 日本電気株式会社 | 情報記録媒体 |
| JP2001084643A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 光ディスク媒体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727788A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS5741997A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS5885945A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録用部材 |
-
1985
- 1985-11-27 JP JP60267719A patent/JPS62127287A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727788A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS5741997A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Information recording member |
| JPS5885945A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録用部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62127287A (ja) | 1987-06-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |