JPS5885945A - 情報記録用部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ヒートモード記録用として適した情報記録用
材料に関するものである。さらに詳しくいえば、本発明
は、透明な基板側からレーザー光を照射した場合でも安
定性の優れた記録が可能な情報記録用材料に関するもの
である。

従来、レーザー光線などの高密度エネルギーをスポット
に集光させて記録媒体に照射し、媒体の一部を融解させ
るか、あるいは蒸発させることにより、これを変形又は
除去して記録を行う方法は、いわゆるヒートモード記録
法として知られている。

そして、このヒートモード記録法は、薬品などの処理液
を必要としないドライタイプであること、リアルタイム
記録法であること、高速かつ高コントラストで大容量記
録が可能なこと及び情報の追加書き込みが可能なことな
ど多くの利点を有しているので、マイクロ画像、ＯＯＭ
、ビデオディスク、コンピューターメモリなど広い用途
を有している。

上記のヒートモード記録法を特にビデオデイメ゛り、コ
ンピューターメモリなどに用いる場合に、円形のガラス
や合成樹脂などの基板に記録材を形成し、ディスクを高
速回転させながらレーザー光を集光し、記録材に０．６
μｍ〜１．５μｍ程度の化合形成することによシ情報を
記録する。この孔の位置及び大きさは、パルス変調した
レーザー光の出力波形に依存し、レーザーに入力した情
報に対応する。記録材に記録した信号の読み出しは、高
速回転させ大記録材に記録しきい値を越えない程度弱い
出力のレーザー光を集光し、その反射光の変化を検出す
ることにより行うことができる。

上記の方法でヒートモード記録を行う材料として、多く
の材料が提案されてきたが、レー、ザー光に対する感度
、再生信号のＳ′／Ｎ比、及び安定性の点で満足できる
ものはなかった。

本発明の目的は、従来の情報記録材料におけるこれらの
欠点をなくし、記録特性に優れた材料を提供することで
ある。

本発明者らは、このような従来のヒートモード記録材料
の持つ欠点を克服するために種々の研究を重ねた結果、
金属記録層と、金属化合物と金属からなる混合層を積層
させることにより、孔形状を整えることによって得られ
るｓ　／　Ｎ比の向上とレーザー光に対する感度の大幅
な向上が得られることを見い出した。

”−特に、レーザー光を透明基板側から入射させて記録
を行う場合、透明基板と金属記録層との間に少なくとも
金属化合物と金属から成る混合層を設けた構造を有する
感材においては、ｓ　／　Ｎ比及び感度などの記録特性
が著しく向上することを、また、さらに金属記録層の上
層にも金属化合物と金属とから成る混合層を設けること
によって、開孔部と未開孔部の反射率差、すなわちコン
トラストを大きくし、よシいっそう高いｓ　／　Ｎ比が
実現することを見出した。

一方、さらに記録材料の安定性の向上、記録孔の孔形状
の整形及びレーザー光の出力が弱い場合に生じる開孔む
ら、すなわち等しいエネルギーのレーザー光を照射して
も開孔する部分と開孔しない部分とが存在する現象の防
止、また孔が開孔しはじめるときのレーザー光の膜面上
の強度（以下記録しきい値と称する）と実際にデーター
を記録のためには、基板と金属記録層との間に介在する
該混合層とこの金属記録層との間に、金属化合物・１１
１゜ から成る安定化層を設けることが有効であり、さらに異
種の金属酸化物を２層化することが有効であることを見
出した。

しかしながら、このような構造の感材においては、ある
程度の高温高湿中、例えば温度６（Ｉ’、相対湿度７０
％の恒温恒湿中に長時間放置してもその記録しきい値や
再生信号のｓ　／　Ｎ比などに変化は見られず、記録特
性については安定な特性を示すものの、例えば温度７０
Ｃ１相対湿度９０ｑｂの高温高湿の厳しい条件になると
、記録材料膜上にクラックやしわが発生するという欠点
があった。

本発明者らは、このクラ゛ツクやしわの発生原因につい
て究明を行った結果、亭層構造を有する前記構造の感材
においては、気温や湿度の変化時に生じる各層間の内部
応力がクラックやしわの発生原因であり、特に基板と金
属記録層との間に介在する金属化合物と金属から成る混
合層と、該混合層と前記金属記録層との間に開孔むらの
防止などの目的で設けた金属化合物から成る安定化層と
の間に発生する内部応力が、クラックやしわの最大発生
原因であることが分った。

本発明者らは、このようなりラックやしわの発生を防止
するために、さらに鋭意検討を進めた結果、揃記混合層
と金属記録層との間に介在させる金属化合物から成る安
定化層を、連続膜を形成しない程度に薄く形成すること
によって、クラックやしわの発生を防止できるばかりで
なく、該安定化層の重要な効果である開孔むらも防止で
き、かつ記録しきい値と実用記録値との差を小さくする
ことができること、また、高温高湿中における記録特性
についての安定性も、混合層を形成する金属化合物に安
定性の良い物質を用いれば実用上十分保持しうろことを
見出し、これらの知見に基づいて本発明を完成するに至
った。

すなわち、本発明は、基板上に金属記録層を設け、この
金属記録層と基板との間に金属化合物と金属の混合層を
少なくとも介在させた記録材料において、該混合層と前
記金属記録層との間に、平均厚さ３０λ以下の金属化合
物から成る薄膜層を設けたことを特徴とする情報記録用
部材を提供するものである。

本発明の情報記録用材料において、基板と金属記録層と
の間に介在させる金属化合物と金属から成る混合層と、
前記金属記録層との間に介在させる安定化層の膜厚は、
温度７０Ｃ１相対湿度９０係の条件において１０日間以
上クラックやしわを発生させないためには３０Ｘ以下で
あることが必要であり、特に２０Ｘ以下が好ましい。

この安定化層が連続膜を形成しない程度に薄い場合に、
クラックやしわの発生が防止できる理由は次のように考
えられる。

すなわち、気温や湿度が変化して前記混合層と該安定化
層との間に応力が発生しても、連続膜を形成しない程、
度の厚さに該安定化層を形成しているために、この安定
化層が容易に変形して発生した応力が緩和されるためで
ある。

本発明の情報記録用材料としては、第１図に示すように
、基板１の上に金属化合物と金属の混合層５を設け、そ
の上に第一安定化層４、金属記録層２を設けた構造、第
２図に示すように、前記第１図の構造の記録材料の最上
層に安定性の向上を図るために外界からの酸化性雰囲気
を抑える第二安定化層３を設けた構造、また第３図に示
すよう混合層５を設けた構造がある。第３図に示される
構造においては、基板側からのレーザー光の照射のみな
らず、上側からの記録にも有効である。また、この第３
図の構造においては、第二安定化層３は設けても設けな
くてもよく、もし第二安定化層３を設ける場合には、第
二安定化層３と該混合層５との位置関係については、と
もに金属記録層の上層にありさえすればよく、特に制限
されることはない。

第１図、第２図及び第３図に示される構造の中で、本発
明の目的を達成する上で最も好ましいものは、基板側か
ら記録する場合は第２図に示されるものであり、上側（
基板と反対側）から記録する場合は第３図に示されるも
のである。

本発明の情報記録用材料は、さらに所望に応じ安定性の
向上、物体との接触による損傷防止、汚染防止のだめの
保護層を有することもできる。この保護層は、前記した
構造の最上層として設けられる。

本発明の記録用材料において、支持体としての側からレ
ーザー光を照射する場合は、基板は透明であることが必
要である。

一般に、物質の透明性は入射光線の波長によって相違す
ることが知られているが、本発明材料に情報を記録する
場合には、半導体レーザーやアルゴンガスレーザー、Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザー、その他の可視領域あるいは近赤外領
域に発振波長をもつ各種のレーザーやキセノンフラッシ
ュランプなど光波特性を異にする多種類の光源を用いる
ことができる。

しかし、特定の光源の使用を所望する場合には、その光
源がもつ光波特性に適した透明性を有する材質のものを
基板とすることが、より感度の向上をはかるうえで好ま
しい。そして、透明性については、入射光の約９０％以
上の透過率を示すことを一応の目安とすることができる
。

上記の光源のいずれに対しても、十分な透過率をもつ基
板としては、ガラスなどの無機材料又はポリエステル、
ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレ／、ポリメチルメタクリレート
などのポリマー、あるいはこれらの変性ポリマー、コポ
リマー、ブレンド物などの有機材料から成るフィルム又
はシートをあげることができる。ビデオディスクなどの
ように基板自体の表面平滑性が信号のｓ　／　Ｎ比に大
きな影響を与える場合には、別の基板上に上記の材料を
スピンコードなどで均一に塗布した基板を用いることが
好ましい。

特に好ましく用いられる基板としては、ポリエステル又
はポリメチルメタクリレートから成るフィルム及びシー
トをあげることができる。

本発明の情報記録用材料において、金属化合物と金属と
で形成される混合層と金属記録層との間に形成される第
一安定化層は、金属化合物から成り、この金属化合物と
しては、例えばＢｅ　、　Ｂ　。

Ｍｇ　、　ＡＩ　、　Ｓｉ　、　Ｃ！ａ、、　Ｓｃ　、
　Ｔｉ　、　Ｖ　＋　Ｏｒ　＋Ｍｎ　、　Ｆｅ　、　Ｃ
ｏ　、　Ｎｉ　、　Ｃｕ、　Ｚｎ　、　Ｇａ　、　Ｇｅ
　。

Ａｓ　、　Ｓｒ　、　Ｙ　、　Ｚｒ　、　Ｎｂ　、　Ｔ
ｃ　、　Ｒｕ　、　Ｒｈ　。

Ｐａ　　、　Ａｇ　　、　Ｉｎ　、　Ｓｎ　、　Ｓｂ　
、　Ｂａ　、　Ｌａ　　、　Ｈｆ　　。

Ｔａ、　　Ｒｅ　　、　　工ｒ　　、　　ＴＩ　　、　
　Ｐｂ　　、　Ｂｉ　　、　Ｄｙ　　、　Ｅｒ、。

（）（１、ｌＮｄ　、　Ｐｒ　、　Ｓｍ　、　Ｏｅ　、
などの金属酸化物、窒化物、フッ化物などがあげられ、
好ましくはＳｉ　、　ＡＩ　、　Ｇｅ　、　Ｓｂ　、　
Ｚｒ　、　Ｔａ　、　Ｂｉ　、　Ｐｂ　。

Ｚｎ　、　Ｌｉ　、　Ｍｇ　、　Ｔｉ　、　Ｌａ　、　
Ｏｅ　、　Ｙ　、　Ｄｙ　。

Ｒｒ　、Ｇｄ　　、　Ｈｆ　、　ａｍ　、　Ｏｒ　、　
Ｎｄ　、　Ｐｒなどの金属の酸化物である。特に好まし
い金属酸化物としては、５ｉ０２　　＊　Ａ１ｚｏ３．
　ＧｅＯ２、８ｂ２０Ｂ　　。

ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３、Ｐ’ｂＯ、ＺｎＯ
、ＬｉＯ。

ＭｇＯ、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３、Ｃ！１３０２　　、　
Ｙ２Ｏ３。

Ｄｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３，、Ｇ（１２０３、ＨｆＯ２、
Ｓｍ２Ｏ３。

ｃｒ、ｏ３をあげることができる。

これらの金属酸化物は単独で用いてもよいし、また２種
以上組み合わせて用いてもよい。

また、金属化合物安定化層を形成する方法として、例え
ば真空蒸着法、スノくツタリング法、イオンブレーティ
ング法、プラズマ蒸着法など通常用いられている薄膜形
成技術を適用することができる。さらに、単一金属から
成るターゲットの複数個や２種以上の金属を含むターゲ
ットを用い、空気、酸素、酸素−アルゴンなどの気体に
よる反応性スパッタリングによっても形成することがで
きる。

この金属酸化物を形成する場合、例えば高真空下での電
子ビーム蒸着においては低級酸化物、例えばＧｅ０１〜
２が含まれる場合があるが、本発明の目的を妨げない範
囲において差し支えない。

本発明材料において、使用される金属化合物と金属とで
形成される混合層の金属としては、金属化合物と混合膜
をつくるものであればどの′ようなものでもよいが、好
ましいものとしては、Ａｌ　、　８ｉＳｃ　、　Ｔｉ　
、　Ｖ　、　Ｏｒ　、　Ｍｎ　、　Ｆｅ　、　Ｃｏ　ｔ
　Ｎｉ　。

Ｃｕ　、　Ｚｎ　、　Ｇａ　、　Ｇｅ　、　Ａｓ　、　
Ｓｒ　、　Ｙ　、　Ｚｒ　。

Ｎｂ　、　ＴＱ　、　Ｒｕ　、　Ｒｈ　、　Ｐｄ　、’
　Ａｇ　、Ｉｎ　、　Ｓｎ　　。

Ｓｂ　、　Ｌａ　、　Ｈｆ　、　Ｔａ　、　Ｒｅ　、工
ｒ　、　ＴＩ　、　Ｐｂ　。

Ｂｉ　、　Ｄｙ　、　Ｅｒ　、　Ｇａ　、　Ｎｄ　、　
Ｐｒ　、　Ｓｍ　、　Ｍｏ　＋Ａｕ　、　Ｓｅ　’、’
　Ｗ　２．　ｐｔ　、　Ｔｅ　　をあげることができる
。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上混合し
て用いてもよい。

他方、金属化合物としては、金属と混合膜を形成するも
のであればどのようなものでもよいが、好ましいものと
しては、Ｂｅ　、　Ｂ　、　Ｍｇ、　ＡＩ　。

Ｓｉ　、　Ｃａ　ｒ　Ｓｃ　、　Ｔｉ　、　Ｖ　、　’
Ｏｒ　、　Ｍｉｌ、　Ｆ！ｅ　＊Ｃｏ　、　Ｎｉ　、　
Ｃｕ　、　Ｚｎ　、　Ｇａ　、　Ｇｏ’　　ｒ　Ａｓ　
、　Ｓｒ　＋Ｙ　、’　Ｚｒ　、　ｌｔｂ　＊　Ｔｃ　
、　Ｒｕ　、　Ｒｈ　、　Ｐａ　、　Ａｇ＊Ｉｎ、Ｓｎ
、Ｓｂ、Ｂａ’、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ’、Ｒｅ。

■ｒ　、　ＴＩ　、　Ｐｂ　、　Ｂｉ　、　Ｃｅ　、　
Ｍｏ　、　Ｔｅ　、　Ｗ　。

Ｄｙ　、　Ｅｒ　、　Ｇｄ　、　Ｎｄ　、　Ｐｒ　、　
Ｓｍの酸化物又はフッ化物をあげる゛ことができる。よ
シ好ましい金属化合物は、Ａｌ２Ｏ３＋　ＺｒＯ２１Ｃ
ｒＯ３１ＧｅＯ２ａＳｉ０２　＊　Ｂｉ２Ｏ３＋　ＡＳ
２０３　、５ｎ０２　ｙ　５ｂ２ｏ３゜Ｔａ２Ｏ３、Ｓ
ｍ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３などであシ、特にガラス形成酸化物
例えば５ｉ０２　、　’（）ｅ０２　、　Ａｌ２Ｏ３な
どは、非品性で網目構造をと、るので遮断性に優れ、金
属記録層の酸化劣化を防ぎ、安定化に有効である。

これらの金属化合物は単独で用いてもよいいまだ２種以
上組み合わせて用いてもよイ。

混合層の形成は、金属と金属化合物とをそれぞれ別個の
蒸着用ボートあるいはエレクトロンビーム蒸着るつぼに
置き、共蒸着させるか交互に蒸着させることによシ行わ
れ、また、金属と金属化合物との混合ベレットを用いて
抵抗加熱方式、エレクトロンビーム蒸着方式、イオンブ
レーティング方式など公知の薄膜形成方式によっても行
うことができる。これらのうち、真空蒸着方式が簡便に
この目的を達成できるので有利であ’）　ｓ　１Ｏ−５
ＴＯｒｒ以下の高真空下において、安定な混合層を得る
ことができる。

この混合層の厚さは、５０〜１００ＯＡ、好ましくは１
００〜８００　Ａの範囲であシ、混合層中に金属微粒子
の占める平均的な体積率すなわち充てん率は混合層全体
の１０〜８０％、好ましくは２０〜６０％の範囲である
。

混合層の構造としては、基板と平行な面内すなわち、レ
ーザー光に対する場所による特性むらを生じさせないた
めには、基板と平行な面内における充てん率は一様とす
る必要がある。基板と垂直方向に対しては、充てん率を
不均質にすることが好ましく、局部的な充てん率を０〜
１００％の間のいかなる値としてもよい。その場合にお
いても混合層全体としての平均の充てん率は上記の値の
範囲内に納めることが好ましい。特に好ましい構造は、
金属化合物と連続層を形成しない程度の膜厚の金属層と
の多層構造であり、金属層を金属化合物層で夾着した３
層構造の混合層である。

本発明材料において、混合層の上層部にある金属記録層
を構成する金属としては、記録材料としてすでに知られ
ている全ての金属を用いることができるが、感度、ｓ　
／　Ｎ比の点で優れた金属としては、Ｂｉ　、　Ｓｂ　
、　Ｓｎ　、　Ｚｎ　、■ｎ　、　Ｐｂ　、　Ｍｇ　。

Ａｕ　、　Ｇｅ、　Ｇａ　、　Ｔｌ　、　Ｃｄ　、　Ａ
ｓ　、　Ｒｈ　、　Ｍｎ　。

Ａｌ　、　Ｓｅ　、　Ｔｅなどが好ましく用いられるう
その中でも、ＳｂまたはＳｎを添加したＢｉ金合金感度
が高く、高いＳ　／　Ｎ比を持つため特に好ましい。

本発明において、金属記録層は、単一層であっても、複
数層であってもよい。特に２種以上の金属を組み合せて
用いる場合には、２種以上の金属の合金から成る単一層
であっても、数種類の革−金属層が積層された複数層で
あっても、合金層と単一金属層が積層された複数層であ
ってもよい。

記録された情報の孔形状を特に乱れのないものとするた
めには、数種類の単一金属層を積層したものが好ましい
０ 金属記録層には、本発明の目的を損わない限り、用いた
金属の酸化物、特に低級酸化物を少量含んでいてもよい
。

この金属記録層は、真空蒸着、スノ（ツタリング、イオ
ンブレーティング、電気めっき、無電解めっき、プラズ
マ蒸着などの薄膜形成技術によって形成しうる。

これらの金属記録層の形成方法のうち、真空蒸着法が簡
単でかつ再現性がよいので好ましいが、金属記録層の高
温高湿下での安定性及び感度の点から、高真空下、特に
１０　＝　Ｔｏｒｒ以下での蒸着が好ましい。

本発明材料において、前記金属記録層の上層に金属化合
物安定化層を、金属記録層の経時的変質を防止する目的
で使用することがさらに好ましく、該金属化合物安定化
層は、金属化合物と金属との混合層で代用することもで
きる。

この金属記録層の上層に設けられる安定化層としては、
例えば、Ｂｅ　、　Ｂ　、　Ｍｇ　、　ＡＩ　、　Ｓｉ
　＋　Ｃａ　ＩＳｃ　、　Ｔｉ　、　Ｖ　、　Ｏｒ　、
　Ｍｎ　、　Ｆｅ　＊　Ｃｏ　、　Ｎｉ　、　Ｃｕ。

Ｚｎ　、　Ｇａ　、　Ｇｅ、　Ａｓ　、　Ｓｒ　、　Ｙ
　＋　Ｚｒ　、　Ｎｂ、　Ｔｃ。

Ｒｕ　、　Ｒｈ　、　Ｐｄ　、　Ａｇ、工ｎ　、　Ｓｎ
　、　Ｓｂ　、　Ｂａ　、　Ｌａ。

Ｈｆ　、　Ｔａ　、　Ｒｅ　、　Ｉｒ　、　ＴＩ　、　
Ｐｂ、　Ｂｉ　＋　Ｄｙ　＋　Ｅｒ。

Ｇｄ　、　Ｎｄ　、　Ｐｒ　、　Ｓｍなどの金属の酸化
物、窒化物、フッ化物、特にＳｉ　ｒ　Ａｌ　、　Ｇｅ
、　Ｓｂ　、　Ｚｒ　、　Ｔａ。

Ｂｉ　、　Ｐｂ、　Ｚｎ　、　Ｌｉ　、　Ｍｇ　ｔ　Ｔ
ｉ　、　Ｌａ　＋　Ｃｅ　ｔ　Ｙ　。

Ｄｙ　、　Ｅｒ　、　Ｇｄ　、’　Ｈｆ　、　Ｓｍ　、
　Ｏｒ　、　Ｎｄ　、　Ｐｒなど°の金属の酸化物が好
ましく用いられるＯ特に好ましい金属酸化物としては、
Ｓ１０□。

Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ２、５ｔ）２０３　、　ＺｒＯ２、
Ｔａ２０Ｂ　、　Ｂｉ２０Ｂ　。

ＰｂＯ、ＺｎＯ、ＬｉＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、Ｌａ２０
Ｂ　、　ＣｅＯ２゜Ｙ２Ｏ３ｒ　Ｄ７２０Ｂ　　＋　Ｅ
ｒ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＨｆＯ２＊　Ｓｍ２Ｏ３）Ｃｒ
　２０３をあげることができる。

金属化合物安定化層は、これらの金属化合物の２種類以
上を用いて、異種金属化合物の２層構造にすることが情
報記録として形成される孔の形状を整え、その安定性を
図るうえで好ましい。

金属化金集安定化層を形成する方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、プラ
ズマ蒸着法などの薄膜形成技術を適用することができる
。また、異なる単一金属からなるターゲットの複数個や
、２種以上の金属を含むターゲットを用い、空気、酸素
、酸素−アルゴンなどの気体による反応性スパッタリン
グによっても形成することができる。

金属化合物安定化層の膜厚は、用いる化合物の種類にも
よるが、厚過ぎるとクラックを生じたり記録開孔時に、
混合層の一金属記録層への影響が減少したシするので、
１０〜１００００λ特に２０〜３００大の範囲が好まし
い。

本発明材料は、その最上層部に透明な材質からなる保護
層を有していてもよい。

透明保護層は、有機高分子化合物を主体とした層で形成
され、用いられる有機高分子化合物としては、例えばポ
リ塩化ビニリデン、塩化ビニリデンとアクリロニトリル
との共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリビニ
ルシンナメート、ポリインプレン、ポリブタジェン、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン
駕ポリビニルブチラール、フッ素ゴム、ポリアミド、ポ
リエステル、エポキシ樹脂、酢酸セルロースなどのポリ
マー、これらの変性ポリマー、コポリマーなどをあげる
ことができ、これらは単独で又は混合物として用いられ
る。

特に、ポリエステル、フッ素ゴム、ポリ酢酸ビニルーホ
リビニルプチラールーポリビニルアルコールの三元コポ
リマーが好ましく用いられる。

−このような有機高分子化合物にシリコーンオイル、帯
電防止剤、架橋剤などを添加することは、膜強度、帯電
防止性能の改良の点で好ましい。

透明保護膜層として、このような有機高分子化合物を主
体とする層を２層以上重ねて用いてもよい。

透明保護膜層は、有機高分子化合物を主体とする成分を
適当な溶媒に溶解して塗布するか、あるいは薄いフィル
ムとしてラミネートするなどの方法によ多形成され、膜
厚は０．１〜１０μが適当である。

本発明の記録用材料は、低毒性で安定性にすぐれ、高感
度であるばかシでなく、記録された情報の孔形状に乱れ
がなく、Ｓ／Ｎ比が高く、かつ微細なパターンを記録用
光線を基板側又はその反対側のいずれの側より入射させ
ても形成できるのでこれをマスクとして用い、ホトレジ
ストを感光させてビデオディスクのレプリカ用マスター
板を作成することも可能で−ある。

次に実施例によ勺本発明をさらに詳細に説明する。なお
、実施例中、充てん率とは、混合層（全、体を１とする
）中で金属微粒子の占める体積の割合を意味する。

実施例１ キャスト法によって作成した表面平滑性のよい厚さ１．
１鴫のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ　）の板を
直径３０Ｉｙｎのディスクに加工し、真空蒸着機槽内に
セットする。

ディスクは、装置の中央において回転できるようになっ
ている。装置内には、回転の中心軸を中心として３個の
加熱蒸着ボートと５個のるつぼをもつ電子ピース装置を
備えている。

電子ビーム蒸着装置の２個のルツボにＧｅＯ２とＳｍ２
Ｏ３を入れ、３個の加熱ポートにＯｒ　、　Ｓｂ　、Ｂ
ｉを入れた。蒸着機装置内を３　Ｘ　１Ｏ−２Ｔｏｒｒ
の真空度としたのち、基板回転速１２０ｒｐｍとし、ま
ずＧｅＯ２とＯｒとを同時蒸着方式によシ、一様な混合
層を形成するように蒸着させ、膜厚１５０Ａ、充てん率
０．４の混合層を形成させた。

次に、第一安定化層として、Ｓｍ２０３を２ＯＡ、金゛
属記録層として、Ｓｂを５０Ａ′、Ｂｉを２２０Ａ％第
二安定化層として％’　Ｓｍ２Ｏ３を６ＯＡ順次積層し
たサンプルＡを作成した。

比較例として、第一安定化層のＳｍ２Ｏ３を１００Ａと
した他は、サンプルＡと同構造のサンプルＢを作成した
。

膜厚のモニターは水晶振動子法で行い、順次自動的にプ
ログラムされた順序でコントロールを行゛い、蒸着は２
分以内にすべて終了する。基板の意図的加熱は行ってお
らず、蒸着による基板温度の上昇もほとんどなかった。

このようにして作成した記録用材料の評価を′行うため
に、発振波長８４０　ｎｍの半導体レーザーの光を厚さ
１．２調のＰＭＭＡ基板越しに記録面上にレンズでビー
ム径１μｍまで集光させ、ディスクを４５０　ｒｐｍの
速度で回転させながら、ディーティー比１対１の５００
ｎｓｅｃのパルス幅に変調したレーザー光で記録を行っ
た。レーザー光の照射された部分には、長円形の孔がで
き、その短径はほぼ１μｍであり、孔周辺のエツジ部に
も乱れがなく、良好な開孔状態を示した。

サンプルＡの記録しきい値は、その記録膜面上の強度に
して４ｍＷであシ、実用記録値は５ｍＷであった。実用
記録値で記録した信号の再生信号をスペクトルアナライ
ザーで観察したところそのＣ／Ｎ比として、４６　　が
得られた。また記録しきい値近傍で記録した場合につい
ても、開孔むらは認められなかった。

サンプルＢの記録しきい値は、サンプルＡの場合と同様
に４ｍＷであり、実用記録値についても５ｍＷであった
。一方ｃ／Ｎ比はサンプルＡよりも、やや良く４７　　
が得られた。また、開孔むらはサンプルＡと同様にまっ
たく認められなかった０上記のサンプルＡ１サンプルＢ
を、７０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿槽に入れ、同時
に加速処理を行ったところ、サンプルＡは１０日間経過
後もクラック及びしわの発生もなく、記録しきい値、実
用記録値、Ｃ／Ｎ比などの記録特性の変化も少なく、は
ぼ安定な特性を示したが、サンプルＢは６−日でクラッ
クが発生した。

実施例２ 蒸着機槽内の３個の加熱ボートに、それぞれＯｒ　、　
Ｂｉ　、　Ｓｎを、電子ビーム蒸着装置の２個のルツボ
にＬａ２Ｏ３を入れ、実施例１と同様にＰＭＭＡディス
ク上に３　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度において蒸着
を行った。

混合槽として膜厚２００Ａ％平均充てん率０．３の金属
酸化物による金属の夾着構造とするため、まず％　Ａｌ
２Ｏ３を１０ＯＡ蒸着し、次にＯｒを６０Ａ１さらに再
びＡｌ２Ｏ，を４ＯＡ蒸着した。次に第一安定化層とし
て、　　Ｌａ２０ｇを１０Ａ１金属記録層としてＢ１を
２００　Ａ％ｓ、ｂを５０Ａ１第二安定化層として再び
Ｌａ　２０　Ｂを５ＯＡ順次積層したサンプルＣを作成
した。

比較例として、第一安定化層のＬａ　２０３を６ＯＡと
した他は、サンプルＣと同構造のサンプルＤを作成した
。

次に、サンプルＣ１サンプルＤを実施例１に示した方法
と同様な方法で記録再生評価を行った。

サンプルＣの記録しきい値はｓ　　４．５ｍＷであり、
実用記録値は５．７ｍＷであった。その再生信号のＣ／
Ｎ比としては４６　　が得られた。

一方、サンプルＤの記録しきい値は、サンプルＣと同様
に４ｍＷ、であり、また、実用記録値も５．７　ｍＷで
あった。また得られたＣ／Ｎ比も同様に４６１Ｂであっ
た。またサンプルＣと、サンプルＤともに記録しきい値
近傍でも、開孔むらはまったく認められなかった。

上記のサンプルＣ１サンプルＤを、実施例１と同様に、
７０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿槽に入れ、同時に加
速処理を行ったところ、サンプルＣは１０日間経過後も
クラック及びしわは発生せず、記録しきい値、Ｃ／に比
等の記録特性の変化もほとんどなくて安定な特性を示し
たが、サンプルＤは５日でクラックが発生した。

実施例３ 蒸着機槽内の３個の加熱ボートに、それぞれＮｉ、Ｂｉ
とＳｎを５０％ずつ含む合金、ｓｂを入れ、電子ビーム
蒸着装置の３個のルツボにｓ　　５ｉ０２　ｖＹ２０３
．Ａｌ２Ｏ３を入れた。次に実施例１と同様にＰＭＭ’
Ａのディスク上に３　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度に
おいて蒸着を行った。

混合層として膜厚１８０Ａ、平均光てん率０．４となる
ように、蒸着初期はＮ１に比べ５１０２の蒸着速度を速
めに、蒸着の終了近くには逆にＮｉの蒸着速度を速めに
蒸着を行い、充てん率の分布差を基板と垂直方向につけ
た。次に、第一安定化層としてＹ２Ｏ３を５Ａｓ金属記
録層としてＢ１とＳｎ　の合金層を２５０Ａ％　　Ｓｂ
を５０Ａ１第二安定化層としてＡｌ２Ｏ３を１００Ａ順
次積層しサンプルＥを作成した。

金属記録層のＢ１の含有量は、初期の目標値よりも、Ｂ
ｉとＳｎの蒸気圧の差のため多回の蒸着量となった。

次に、比較例として、第一安定化層のＹ２Ｏ３の膜厚を
５ＯＡとした他は、サンプルＥと同構造のサンプルＦを
作成した。

サンプルＡ１サンプルＦを実施例１に示しだ方法と同様
な方法で記録再生評価を行った。

サンプルＥの記録しきい値は、４．０ｍＷであり、実用
記録直は４．８ｍＷであった。その再生信号の０／Ｎ比
としては、４７（ＩＢが得られた。

一方一サンプルＦの記録しきい値及び実用記録値は、サ
ンプルＥと同様に、それぞれ４．０’、４．８ｍＷであ
った。また得られたＣ／Ｎ比も同様に４７ｄＢであった
。記録しきい値近傍での開孔むらは、サンプルＥ１サン
プルＦともに、まったく認められなかった。

上記のサンプルＥ１サンプルＦを、実施例１と同様に、
７０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿槽に入れ、同時に加
速処理を行ったところ、サンプルＥは１０日間経過後も
クラック及びしわは発生せず、記録しきい値、実用記録
値Ｃ／Ｎ比などの記録特性の変化もほとんど認められな
かった。

一方、サンプルＦは、８日でクラック及びしわが発生し
た。

実施例４ 蒸着機槽内の３個の加熱ポートに、それぞれＮｉ　、　
Ｂｉ　、　Ｓｂを入れ、電子ビーム蒸着装置の２個のル
ツボに、ＧｅＯ２とＨｆＯ□を入れた。次に実施例１と
同様に、ＰＭＭＡのディスク上に３　Ｘ　１０　’Ｔｏ
ｒｒの真空度において蒸着を行った。

混合層として膜厚１４０Ａ％充てん率０．５となるよう
に、ＧｅＯ２とＮ１を同時に蒸着を行い一様な膜を形成
した。次に第一安定化層としてＨｆＯ２を１５Ａ１金属
記録層としてｓｂを７ＯＡ％　Ｂｉを２３０Ａ％最後に
再びＧｅＯ２とＮ１の混合層を、膜厚１４０Ａ％充てん
率０．２となるように同時蒸着により形成し１サンプル
Ｇを作成した。

次に、比較例として第一安定化層のＨｆＯ２の膜厚を８
ＯＡとした他は、サンプルＧと同構造のサンプルＨを作
成した。

サンプルＧ、Ｈを実施例１に示した方法と同様な方法で
記録再生評価を行った。

サンプルＧの記録しきい値はｓ４．３ｍＷであり、実用
記録値は５．３　ｍＷであった。また、その再生信号の
Ｃ／Ｎ比としては４７ｄＢが得られた。

一方、サンプルＨの一記録しきい値、及び実用記録値は
、サンプルＧと同様に、それぞれｓ　４　、３ｍＷ　％
５．３ｍＷであシ、また得られたＣ／Ｎ比も同様に４７
４Ｂであった。記録しきい値近傍における開孔むらは、
サンプルＧ、サンプルＨともに認められなかった。

上記のサンプルＧ１サンプルＨを、実施例１と同様に、
７０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿槽に入れ、同時に加
速処理を行ったところ、サンプルＧは１０日間経過後も
クラック及びしわは発生せず、また、記録しきい値、実
用記録値、Ｃ／Ｎ比、などの記録特性の変化も小さかっ
た〇 一方、サンプルＨは、４日でクラックが発生した。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明の情報記録
用材料の構造を示す断面図であって、図中符号１は基板
、２は金属記録層、３は第二安定層、４は第−安定層及
び５は金属化合物と金属との混合層である。 特許出願人　　旭化成工業株式会社 代理人　阿　形　　明 第１図 第２図 第３図 手続補正書 昭和留年１　月７　日 昭和５６年特許願第１８４２２６号 ２Ｓｌ明の名称 情報ｍｅ録用部材 ：３．　Ｍｉ正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番６号代表者　
宮　　崎　　　　　輝 ４、代　理　人 〒１０４東京都中央区銀座６丁目４番５号土屋ビル５階
８、補正の内容 ｒｌ）　　明細書第１０ページ下から４行目「Ｂ、」の
次に「Ｌｉ、Ｊを加入します。 （２）同第１５ページ第１２行−の「ＭｎＪを削除しま
す。 （３）同第１７ページ第８行目「Ｂ、」の次に「Ｌｉ、
」を加入します。 （４］　　同ページ第１３行目「ｓｍＪの次にｒ、Ｃｅ
Ｊを加入します。 （５）同第２２ページ第１２〜１３行目の「ディーティ
ー比」を「デユーティ−比」に訂正します。 （０同第２３ページ最下行の「Ｓｎ」を「Ｓｂ」に訂正
します。 （７）同第２５ページ第１行目「４ｍｗＪをｒ４．５ｍ
ｗ」に訂正します。 ２３５

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　基板上に金層記録層を設け、この金属記録層と基板
   との間に金属化合物と金属の混合層を少なくとも介在さ
   せた記録材料において、該混合層と前記金属記録層との
   間に、平均厚さ３０八以下の金属“化合物から成る薄膜
   層を設けたことを特徴とする情報記録用部材。