JPS58100250A - 情報記録用材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はヒートモード記録に適した情報記録用材料に関
するもので、さらに詳しくは３、透明な基板側からレー
ザー光を照射した場合でも安定性の優れた記録が可能な
情報記録用材料に関するものである。

従来、レーザー光線などの高密１度エネルギーをスポッ
トに集光させて記録媒体に照射し、媒体の一部を融解さ
せるか、あるいは蒸発させることにより、これを変形又
は除去して記録を行う方法は、いわゆるヒートモード記
録法として知られている。

このようなヒートモード記録法に使用される記録材料と
しては、無機系材料や有機系材料があり、これらにレー
ザー光を照射して、孔を形成させるか、あるいは材料に
部分的な化学変化を起させることによって記録がなされ
る。

しかし、材料に部分的な化学変化を起させる方式は、感
度が不十分で、変化した部分と変化しない部分とのコン
トラスト比が小さいために高いＳ／Ｎ比を得ることが困
難であり、また記録後の安定性を欠く等の欠点暑有し実
用上満足しつるものとはいえない。他方、材料に孔を形
成させる方式には、基板の上に設けた記録層の一部を蒸
発させるものと、安定層に挟まれた記録層の一部を蒸発
させずに除去するものの２種がある。前者は、感度、Ｅ
ｌ／Ｎ比はかなり良いが、記録層表記が空気中に露出し
ているので水分や酸化性雰囲気に接触する環境下で安定
性を欠（という欠点がある。

また、後者は、安定性は良いが、感度やＳ／Ｎ比に難点
があり、まだ十分に満足しうるものとけいえない。

不発明者らは、このような従来のヒートモード記録用材
料のもつ欠点馨克服するために種々研究を重ね、金属記
録層と金属化合物安定化層を担持した記録材料において
、透明基板と金属記録層との間に金属化合物と金属との
混合層を設けることによって、透明な基板の側からレー
ザー光を照射した場合に、感度低下や開孔部のエツジの
乱れを防ぐことを見出し、先に提案した〔特願昭５５−
１１００５４号〕。しかし、透明基板と金属記録層との
間に前記混合層を設けた場合、金属記録層の上に設けた
金属化合物安定化層の熱変形により、形成した孔内での
反射むらや、個々の孔の反射率のばらつき、すなわちビ
ットむらを生じやすいということがわ力・つだ。この孔
内反射むら及びピットむら現象は、レーザー記録パワー
を太き（した場合に、特に顕著に現われ、これに加えて
、記録層の一部を融解除去して孔を形成する方法では、
記　′録パワーが大きくなると共に孔径が増大するとい
う現象も生じ、これらの結果、記録マージンが狭いとい
う欠点を有することもわかった。

本発明者らは、上記知見に基いて、従来知られたヒート
モード記録用材料の諸欠陥を克服すべく、特に金属化合
物安定化層について研究した結果、従来金属記録層の変
質防止のために設けた該安定化層の膜厚が特定の範囲の
場合に極めて効果的に上記欠陥が克服でき、高いＳ／Ｎ
比と拡大された記録マージンを有する優れた記録用材料
を提供しうろことを見出し、本発明に到達した。

すなわち、本発明は、透明基板上に金属記録層と金属化
合物安定化層が順次積層され、該金属記録層と前記透明
基板との間に金属化合物と金属との混合層を少なくとも
設けた記録材料において、該金属化合物安定層ヲ１００
〜２００ｘの膜厚に形成させたことを特徴とする情報記
録用材料を提供するものである。

本発明の記録用材料は、透明基板上に金属記録層と金属
化合物安定化層が順次積層形成され、該金属記録層と上
記透明基板との間に金属化合物と金属との混合層を設け
た基本構造を有する情報記録用材料の改善に係り、その
基本的な構造は第１図に示すように、透明基板１の上に
金属化合物と金属との混合層５、金属記録層２、及び金
属化合物安定化層３を順次設けた断面構造であるが、第
２図に示すように、透明基板１の上に金属化合物と金属
との混合層５、金属酸化物安定化層４、金属記録層２、
及び金属化合物安定化層３を順次設けた構造、あるいは
第３図に示すように透明基板１の上に、金属酸化物安定
化層４、金属化合物と金属との混合層５金属記録層２、
及び金属化合物安定化層３を順次設けた構造などにする
こともできる。透明基板１と金属記録層２との間に介在
させる金属化合物と金属との混合層５と、必要に応じて
挿入される金属酸化物安定化層４との位置関係について
は特に制限されるものではない。

本発明の情報記録用材料には、さらに所望に応じ、安定
性の向上、物体との接触による損傷防止、汚染防止のだ
めの保護層を前記した構造の最上層として設けることも
できる。

本発明材料において、前記の金属記録層の上面にある金
属化合物安定化層は、金属記録層の変質を防止するため
のものである。

この金属化合物安定化層の形成に用いられる金属化合物
としては、Ａ入　Ｇｅ％Ｚｒ、　　Ｓｉ、　　Ｔｉ、　
　Ｃｅ。

Ｔａ、Ｌａ、　　Ｏｒ、　　ＹＳＤｙ、　　Ｂｒ、　　
Ｇｃｌ、　　Ｈｆ、　　Ｓｍ、　　Ｂｉ。

Ｐｂ、　　Ｚｎ、　　Ｌｉ、　　Ｍ＆　　Ｓｂ、　　Ｐ
ｒ、Ｎｄ、　（７）酸化物、窒化物又はフッ化物などを
あげることができる。この層の構成を異種金属化合物に
よる二層構造とすることが、情報記録として形成される
金属記録層の孔の形状を整えその安定性をはかるうえで
好ましい。

金属化合物安定化層を形成する方法としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンブレーティング法、プラ
ズマ蒸着法などの薄膜形成技術を適用することができる
。また、異なる単一金属からなるターゲットの複数個や
、２種以上の金属を含むターゲットを用い、空気、酸素
、酸素−アルゴンなどの気体による反応性スパッタリン
グによっても形成することができる。

本発明の材料において、金属記録層の上側に形成させる
上記金属化合物安定化表層は、前記したように、金属記
録層の変質を防止する目的で設けられたものであって、
経済性も考慮されて比較的薄い膜厚に形成されるのが通
常概念であった。しかし、本発明者らは、このような概
念にもかつ・わらず、この安定化層の膜厚とヒートモー
ド記録の技術的効果との関係について検討したところ、
意外にも極めて密接かつ重大な技術上の関係を有するこ
とを見出した。

本発明の記録用材料においては、金属化合物の安定化層
’ｔ’！、　１０’Ｏ〜２０ＯＡ、好ましクハ１２０〜
１８゜Ａの範囲の膜厚に形成される。膜厚がこの範囲を
逸脱するときは、安定した高いＳ／Ｎ比及び高感度のも
のが得られないので、本発明の目的を達成することがで
きない。

基板と金属記録層との間に前記混合層を設けた記録材料
において、前記したよう々孔内反射むらやピットむら及
び孔径増大の生じゃすい原因は必ずしも明確ではないが
、混合層によりレーザー光の光吸収率が高まり、レーザ
ーパワーのわずかな増加によっても金属記録層の温度が
急激に上昇するために、金属記録層内での熱伝導により
、レーザー光の照射された部分の周囲も溶融状態になっ
て孔径が拡大し、また、金属化合物安定化層への熱伝導
により、この金属化合物安定化層も急激に温度上昇して
熱変形７受けやすくなるために、孔形成時における溶融
金属の分散に伴うエツジの盛り上りによる応力などによ
って容易（Ｃ変形し、孔内反射むらやピットむらを生じ
るものと考えられる。

このような不都合な現象は、金属化合物安定化層ヲ１０
０〜２００Ａにすることによって極めて効果的に解消す
ることができるが、このような孔形状を乱すことな（、
孔内反射むらやピットむら及び孔径増大を抑制できるの
は次のような理由によるものと考えられる。すなわち、
金属化合物安定化層の膜厚が１０ＯＡ以上の場合には、
金属記録層内で発生した熱のうち、レーザー光の照射さ
れた部分を融解するのに必要な熱量以外の余分な熱量の
金属化合物安定化層への逸散によって孔径増大が−９−
＾へ一 抑えられ、また、金属化合物安定化層内での熱伝導によ
り、逸散した熱量による金属化合物安定化層の温度上昇
が、レーザー光の照射された部分の膜厚方向の全域に及
ばず、金属記録層と接するごく表層部分しか高温になら
ないために、熱変形を起こさず、孔内反射むらやピット
むらを生じない。

−万、金属化合物安定化層の膜厚が、１００　Ａ以下の
場合は、記録パワーが比較的小さい時でも、孔内反射む
らやピットむらン生じゃすく、そのため低Ｓ／Ｎ比にな
ると共に、孔径の増大が著しく、また長期安定性の面で
も、感度低下やＳ／Ｎ比低下が生じる。他方、金属化合
物安定化層の膜厚が２０ＯＡ以上の場合には、孔内反射
むら、ピットむら、及び孔径の増大を抑制できるが、こ
の安定化層への熱の逸散が大きいために、低感度かっＩ
ＯＷγ特性となり、この熱の逸散が融解後に起る表面張
力による開孔過程に望１しくない影響を与えて孔形状が
乱れてきて、低Ｓ／Ｎ比になると共に、クラックも生じ
やすくなるものと推定される。

本発明の記録用材料において、支持体としての１０− 役割化果している基板は、透明であることが必要である
。一般に、物質の透明性は入射光線の波長ないし振動数
によって相違することが知られているが、本発明材料に
情報を記録する場合には、半導体レーザーやアルゴンガ
スレーザー、キセノンフラッシュランプ、その他可視領
域あるいは近赤外領域に発振波長をもつ各種のレーザー
やランプなど光波特性を異なえる多種類の光源を用いる
ことができる。しかし、特定の光源の使用乞所望する場
合には、その光源がもつ光波特性に適した透明性を有す
る材質のものを基板とすることが、より感度の向上をは
かるうえで好ましい。そして、透明性については、入射
光の約９０係以上の透過率を示すことン一応の目安とす
ることができる。

上記の光源のいずれに対しても、十分な透過率をもつ基
板としては、ガラスなどの無機材料又はポリエステル、
ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート
などのポリマー、あるいはこれらの変性ポリマー、コポ
リマー、ブレンド物などの有機材料から成るフィルム又
はシートをあげることができる。ビデオディスクなどの
ように基板自体の表面平滑性が信号のＳ／Ｎ比に大きな
影響を与える場合には、別の基板上に上記の材料乞スピ
ンコードなどで均一に塗布した基板を用いることが好ま
しい。

特に好ましく用いられる基板としては、ポリエステル又
はポリメチルメタクリレートかう成るフィルム及びシー
Ｉｆ’あげることができる。

本発明材料において、使用される金属化合物と金属とで
形成される混合層は、前記の基板と、金属記録層との間
にあることが必要である。この混合層が金属記録層の外
にあると、記録用光源の光線に対する感度が、光線を混
合層側から入射させた場合乞基準として、基板側力・ら
入射させた場合、約１７２以下に低下するため、基板側
から光線を入射させて、十分な感度で情報を記録するこ
とができない。また、その場合に形成される孔の形状に
、特にそのエツジに乱れを生じやすい。前記のように基
板と金属記録層との間に混合層を介在させる１１− と、情報記録用の光線を基板側又はその反対側のいずれ
の側より照射しても、良好な感度で記録することができ
る。ただし、この混合層は、金属記録層の直下層として
設ける必要はなく、その間に金属酸化物安定化層などを
設けてもよい。！、た、混合層は、基板の直上層として
設ける必要もな（、この間に金属酸化物安定化層などを
挟挿してもよい。

この混合層の形成に用いられる金属としては、金属化合
物と混合膜をつくるものであればどのようなものでもよ
いが、好ましいものとしては、Ａｌ、　　Ｓ′３．、Ｓ
ｃ、　　Ｔｉ、　　Ｖ、　　Ｍｎ、　　Ｆｅ、　　Ｃｏ
、　　Ｎｉ、　　Ｏｕ。

Ｚｎ、　、Ｇａ、　　Ｇｅ５Ａｓ、　　Ｓｒ、　　Ｙ、
　　Ｚｒ、　　Ｎｂ、　　Ｔｃ、　　Ｒｕ。

Ｒ飄　Ｐ虫　Ａ龜　■八　Ｓｍ　Ｓｍ　Ｌζ　Ｈｆ、　
　ＴζＲｅ、　　■ｒ、　　Ｔｌ、　　Ｐｂ、　　Ｂｉ
、　　ＤＫ　　Ｅｒ、　　Ｇｄ、　　Ｎ（１゜Ｐｒ、　
、Ｓへ１Ｍｏ、Ａｕ、　　Ｓｅ、　　Ｔｅ　Ｙあげるこ
とができる。これらは単独で用いてもよいし、また２種
以上混合して用いてもよい。

他方、金属化合物としては、金属と混合膜？形成するも
のであればどのようなものでもよいが、−］２− 好ましいものとしては、ＢｅＸＢ％　　Ｍ＆　　Ａ＼　
Ｓ共Ｏａ、　　Ｓｃ、　　Ｔｉ、　　ス　Ｏｒ、　　Ｍ
ｎ、　　Ｆｅ、　　Ｃｏ、　　Ｎｉ、　　Ｏｕ。

Ｚｎ、　　Ｇａ、　　Ｇｅ、　　Ａｓ、　　Ｓｒ、　　
Ｙ、　　Ｚｒ、　　Ｎｂ、Ｔｃ、　　Ｒｕ。

Ｒ坂　Ｐ（１，Ａｇ、　　Ｉｎ、　　Ｓｎ、　　Ｓｂ、
、Ｂａ、　　Ｌａ、　　Ｈｆ。

Ｔａ、　　Ｒａ、　　Ｉｒ、　　ＴＩ、　　ＰＱ　　Ｂ
ｉ、　　Ｄｙ、　　Ｅｒ、　　Ｇｄ。

Ｎ（１，Ｐｒ、　　Ｓｍなどの金属の酸化物又はフッ化
物乞あげることができる。より好ましい金属化合物は、
Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ５、ＧｅＯ２，５ｉ０
２、Ｂｉ２Ｏ３、Ａｓ　２０５．５ｂ２０３、Ｔａ、、
０３、Ｓｍ２０Ｂ、Ｙ２Ｏ３などであり、特にガラス形
成酸化物例えばＳ　：ｉ　０２、ＧｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３
などは、非品性で網目構造をとるので遮断性に優れ、金
属記録層の酸化劣化を防ぎ、安定化に有効である。これ
らの金属化合物は単独で用いてもよいし、また２種以上
組み合わせて用いることもできる。

本発明材料において、混合層は誘電媒質としての金属化
合物中に、金属を照射光の波長よりもその径が小さい微
粒子として分散する構造をしていることが好ましい。こ
のような構造は、微粒子として分散する金属と支持体と
しての金属化合物との組合せを、分散金属の酸化物又は
フッ化物の生成自由エネルギーが支持体金属化合物の生
成自由エネルギーよりも大きくなるようにすると、比較
的容易に得ることができる。

混合層の形成は、金属と金属化合物とをそれぞれ別個の
蒸着用ボートあるいはエレクトロンビーム蒸着るつぼに
置き、混合蒸着又は混合スパッタリングさせることによ
り行うことができる。また、金属と金属化合物との混合
ペレット？用いて抵抗加熱方式、エレクトロンビーム蒸
着方式、イオンブレーティング方式など公知の薄膜形成
方式によっても行うことができる。これらのうち、真空
蒸着方式が簡便にこの目的乞達成できるので有利であり
、ＩＱ　　Ｔｏｒｒ以下の高真空条件下において、安定
な混合層を得ることができる。

この混合層の厚さは、５０〜１００ＯＡ、好ましくは１
００〜８００Ａの範囲であり、混合層中の金属微粒子の
全体積は混合層全体の１０〜８０係、好１しくは２０〜
６０４の範囲である。この範囲を逸脱すると、連続発振
出力１０’ｍＷ以下で、その発振波長が近赤外領域の波
長である半導体レーザーを照射光源として利用すること
ができなくなる。

不発明材料において、混合層の上層部にある金属記録層
？構成する金属としては、記録材料としてすでに知られ
ている全ての金属を用いることができるが、１八　Ｓｍ
　Ｂｉ、　　Ｚ八　Ｓ気　Ｐｔ）、　　ＭみＡｕ、　　
Ｇｅ、　　Ｇａ、　　ＴＩ、　　Ｃｃｌ、　　Ａｓ、　
　Ｒｈ、　　Ｍｎ、　　ＡＩ、　　Ｓｅ。

Ｔｅ、などが好ましく用いられる。そのなかでも、Ｉｎ
％　Ｓｎ、　　Ｂｉ、　　Ｐｂ、ｓｂなどは低毒性、か
つ低融点であるから記録感度が高く特に好ましい。ｉ！
た、このような金属を、共晶を生じ融点が低下するよう
な組合せで、２種以上組み合せて用いてもよい。

本発明において、金属記録層は、単一層であっても、複
数層であってもよい。特に２種以上の金属を組み合せて
用いる場合には、２種以上の金属の合金からなる単一層
であっても、数種類の単一金属層が積層された複数層で
あってもよく、また合金層と単一金属層が積層された複
数層であってもよい。記録された情報の孔形状を特に乱
れのないものとするためには、数種類の単−金属層乞積
層したものが好ましい。

金属記録層には、本発明の目的２損わない限り、用いた
金属の酸化物、特に低級酸化物乞少量含んでいてもよい
。

この金属記録層は、真空蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティング、電気めっき、無電解めっき、プラズマ
蒸着などの薄膜形成技術によって形成しうる。

これらの金属記録層の形成方法のうち、真空蒸着法が簡
単でかつ再現性がよいので好ましいが、金属記録層の高
温高湿下での安定性及び感度の点から、高真空下、特に
１．０　　Ｔｏｒｒ以下での蒸着が好ましい。

金属記録層の膜厚は、用途に応じて決められるが好まし
い。

本発明材料において基板と混合層との間あるいは混合層
と金属記録層との間に、任意に設けられる金属酸化物安
定化層を形成するために用いられる金属酸化物としては
、Ｂｅ、　　Ｂ、　　Ｍｇ、　　Ａｌ、Ｓｉ。

−１７−Ａ、、、、。

Ｇａ、　　Ｓｃ、　　’ｒｉ、　　■、　Ｏｒ、　　Ｍ
ｎ、　　Ｆａ、　　Ｃｏｏ、　Ｎｉ、　　Ｏｕ。

Ｚｎ、　　Ｌｉ、　　Ｇａ、　　Ｇｅ、’　　Ａｓ、　
Ｓｒ、　　ｙ、　　Ｚｒ、　　ＮＱ　　Ｔ（。

Ｒｕ、　　Ｒｈ、　　Ｐｄ、　　’Ａｇ、　　Ｉｎ、　
　Ｓｎ、　　Ｆ３’３　　Ｂａ、　　Ｌａ、　　Ｈｆ。

Ｔａ、　　Ｒｅ、　　工ｒＳＴｌ、　　Ｐｂ、　　Ｂｉ
、　　Ｄｙ、　　Ｋｒ、　　Ｇｄ。

Ｎｃｌ、　　Ｐｒ、　　Ｓｍなどの金属の酸化物、特に
Ｅｔｉ、Ａ１、Ｇｅ、　　Ｓｂ、　　Ｚｒ、　　Ｔａ、
　　Ｂｉ、　　Ｐｂ、　　Ｚｎ、　　Ｌｉ、　　Ｍｇ。

Ｔｉ、　Ｌａ、　　Ｃｅ、　　Ｙ、　　Ｄｙ、　　Ｅｒ
、　　Ｇｄ、　　Ｈｆ、　　Ｓ爪Ｃｒ。

Ｎｄ、　　Ｐｒなどの金属の酸化物が好ましく用いられ
る。

特に好ましい金属酸化物としては、Ｓ　ｉＯ２、ＡＩ　
ＯＧｅｍ２．５ｂ２０３、Ｚ　ｒ　Ｏ２、Ｔａ２Ｏ３、
Ｂ　ｉ２０３、　３− Ｐｂ　Ｏ，Ｚｎ　ＯｌＬ　ｉＯ，Ｍｇ　Ｏ，Ｔ　ｉ　Ｏ
２、Ｌａ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｅ
ｒ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＨｆＯ２、Ｓｍ２Ｏ３をあげる
ことができる。　　　　　　　　゛金属酸化物安定化層
は、これらの金属酸化物の２種類以上ビ用いて、異種金
属酸化物の２層構造にすることが情報記録として形成さ
れる孔の形状を整え、その安定性を図るうえで好ましい
。

また、この層の形成には金属化合物安定化層の形成方法
と同様の方法を使用することができる。

１８− 薄膜の形成方法、例えば高真空下での電子ビーム蒸着に
おいて、低級酸化物、例えばＧｅ０１〜２が金属酸化物
安定化層に含まれる場合があるが、本発明の目的を妨げ
ない範囲において差し支えなしゝ。

このような低級酸化物の生成を防止するには、酸素、空
気、酸素−アルゴンなどの気体をリークして低真空下で
蒸着するなどの方法がある。

金属酸化物安定化層の膜厚は、用いる化合物の種類にも
よるが、厚過ぎるとクラックを生じたりするので、１．
ＯＡ　〜１００ＯＯＡ　、特に２０Ａ〜３０ｏＡノ範囲
が好ましい。

本発明材料は、その最上層部に保護層を有していてもよ
い。

この保護層は、機械的損傷の防止に役立つばかりでなく
、記録安定性の向上にも役立つものであり、一般に有機
高分子化合物を主体とした層で形成される。用いられる
有機高分子化合物としては、例えばポリ塩化ビニリデン
、塩化ビニリデンとアクリロニトリルとの共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリビニルシンナメート、
ポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリスチレン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリウレタン、ポリビニルブチ
ラール、フッ素ゴム、ポリアミド、ポリエステル、エポ
キシ樹脂、酢酸セルロースなどのポリマー、これらの変
成ポリマー、コポリマーなどをあげることができ、これ
らは単独で又は混合物として用いられる。

％に、ポリエステル、フッ素ゴム、酢？ｆｆビニルービ
ニルブチラール−ビニルアルコールの三元コポリマーが
好ましく用いられる。

このような有機高分子化合物にシリコーンオイル、゛帯
電防止剤、架橋剤などを添加することは、膜強度、帯電
防止性能の改良の点で好筐しい。

保護膜層として、このような有機高分子化合物乞主体と
する層を２層以上重ねて用いてもよい。

保護膜層は、有機高分子化合物乞主体とする成分を適当
な溶媒に溶解して塗布する力・、あるいは薄いフィルム
としてラミネートするなどの方法により形成され、膜厚
は０．１〜１０μが適当である。

本発明の記録用材料は、安定性にすぐれ、高感度である
ばかりでなく、記録された情報の孔形状に乱れがな（、
Ｓ／Ｎ比が高く、かつ微細なパターンを記録用光線を基
板側又はその反対側のいずれの側より入射させても形成
できるので、これ乞マスクとして用い、ホトレジストヲ
感光させてビデオディスクのレプリカ用マスター板馨作
成することも可能である。

本発明の記録用材料に情報を記録する方法としては、レ
ーザー光線をスポット、あるいは連続的に照射する方法
及び適当なコントラストを有するマスク２通して、高強
度のレーザー光線又はキセノンフラッシュランプの短パ
ルス光線などで照射して画像を形成する方法などがあげ
られる。

上記のマスクとしては、クロムマスク、ドライシルバー
フィルム、ジアゾフィルムナトが用いられる。

次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。なお
、実施例中、充てん率とは混合層（全体を１とする）中
で金属微粒子の占める体積の割合乞意味する。

実施例１ キャスト法によって作成した表面平滑性のよい厚さ」、
１圓のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）の透明板
に直径３０Ｃｒｎのディスクに加工し、真空蒸着機槽内
にセットする。

ディスクは、装置の中央において回転できるようになっ
ている。装置内には、回転の中心軸を中心として３個の
加熱蒸着ボートと５個のるつぼをもつ電子ビーム装置を
備えている。この３個の加熱ボートにそれぞれＳｂ、　
　Ｂｉ、　　Ｃｒｙ入れ、電子ビーム蒸着装置の２個の
るつぼには、それぞれＧｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３を入れた。

装置内を２　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒの真空度とした後、
基板回転速度’（！’　１．２０　ｒｐｍとし、凍ずＧ
ｅＯ２とＯｒと馨同時蒸着方式により、一様な混合層乞
形成するように蒸着させ、膜厚１５０Ｘ、充てん率０．
４の混合層を形成させた。次いで、Ｓｍ２Ｏ３順序で蒸
着させ、最後に安定化層としてＳｍ２０３ｉ１５０Ａ、
　　２０ＯＡ、　　２５ＯＡ、　　３００Ａ、　　５０
０Ａ、１０００Ｘの異なる膜厚のサンプルを作製した。

膜厚のモニターは水晶振動子法で行い、順次自動的にプ
ログラムされた順序でコントロール２行なった。すべて
の蒸着は短時間ですべて終了した。

このようにして作成した記録用材料の評価な行うために
、ディスク’ａ’　４５Ｏｒｐｍの速度で回転させ、発
振波長８４０ｎｍの半導体レーザーの光ｙＰＭＭＡ基板
越しに記録面上にレンズでビーム径１μｍｉで集光させ
て、レーザー出力パワーの記録表面での強度を１２ボま
で変化させながら、５００　ｎ５ｅｃのパルス幅に変調
したレーザー光で記録を行った。

レーザー光の照射された部分には、長円形の孔が開孔し
た。また、ｌ　ＭＨ２の基準信号について、再生信号の
Ｃ／Ｎ比をスペクトルアナライザーで測定した。

前記のようにして作成した各サンプルの記録しきい値乞
第４図の白丸実線で示した。グラフからＢｉ　Ｏ上に形
成したＳｍ２０３の膜厚が５０〜２００Ａの範囲では大
きな変化はないが、２００Ａ以上になると記録しきい値
が膜厚の増加と共に急激に大きくなり、低感度となる。

壕だ、これらのサンプルについて、レーザー記録パワー
を変化させた場合の各サンプルのＯ／Ｎ比乞第５図に示
した。グラフかられかるように、Ｂｉの上に形成したＳ
ｍ２Ｏ３の各サンプルはすべて記録パワーの広い範囲に
わたって、他のサンプルより高い最高のＯ／　Ｎ比で一
足であり、その値はいずれも４８ｄＢであった。

特にＳｍ２０３が１５ＯＡのサンプルでは、６．５ｍＷ
以上でＯ／　Ｎ比が一定であり、１２ｍＷまで低下しな
かった。これら３つのサンプルのレーザー光の照射され
た部分には、だ円形の孔ができ、孔内反射むらやピット
むらは生じなかった。また、これらのサンプルにおいて
、Ｃ／Ｎ比が一定である記録パワーの領域では、孔周辺
のエツジ部に乱れがなく、孔の径もほとんど一定だった
。

これに対し、Ｅ１ｍ２０３の膜厚が５ＯＡ及び８０Ａの
サンプルでは、記録パワーの増加によるＯ　／　Ｎ比の
低下が著しく、Ｃ／Ｎ比が４５ｄＢ以上となる２３− 記録パワーの範囲は、それぞれ１ｍＷ、及び２ｍＷと狭
かった。これらのサンプルは、記録パワー力それぞれ６
ｍＷ、及び７　、５ｍＷ以上になると孔内反射むら及び
ピットむらを生じ、孔径も急激に太き（なり、１．２ｍ
Ｗ付近では同一トラック上の隣りあった孔同志が接して
いた。また、Ｓｍ２Ｏ３の膜厚がＣ／Ｎ比が最大となる
記録パワーが太き（、かつＣ／Ｎ比が一定となる記録パ
ワーの範囲も狭い。

！、た、Ｓｍ２Ｏ３が５０ＯＡのサンプルに形成された
孔周辺のエツジ部は大きく乱れていた。

実施例２ 蒸着機槽内の３個の加熱ボートに、それぞれＢｉ。

Ｓ久　Ａｕを、電子ビーム蒸着装置の３個のるつぼにそ
れぞれＭｇＯＸＳｍ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ５’ｇ入れ、実施
例１と同様に、ＰＭＭＡのディスク上に２　Ｘ　１０　
　Ｔｏｒｒの真空度において蒸着させた。蒸着順序とし
ては、まずＭｇＯとＡｕとを共蒸着方式により膜厚２０
０　Ａ　。

充てん率０．３となるように混合層を形成させ、次いで
ＩＩＩＩＭ、ｂｍ２（Ｊ３Ｙ１００　Ａ、　　Ｅｉｉ３
００　Ａ、　　Ｓｎ　乞−２４＝ ｉｏｏ　Ｘの厚さに蒸着形成させ、最後にＡＡ２０ｘＹ
蒸着させた。このＡｌ２Ｏ５安定化層の膜厚７変えて、
５ｏＸ、ｓｏＸ、１００Ｘ、１５０Ｘ、２００　Ｘ、　
２５０　Ｎ、プル乞作成した。

以上の９種のサンプルを、実施例１と全く同様の評価方
法で記録評価を行った。

各サンプルの記録しきい値は第４図の黒丸・破線で示し
た。このグラフｆＪ）らＳｎの上に形成したＡｌ２Ｏ５
の膜厚が５０〜２００Ａの範囲では大きな変化はないが
、２ｏｏｍ以上になると記録しきい値が膜厚の増大と共
に急激に大きくなり、低感度となることがわかるととも
に、実施例１の場合と全く同じ傾向を有することが認め
られる。

これらのサンプルについて、レーザー記録パワーを変化
させた場合のＣ／Ｎ比は第６図に示すとおりであった。

ＩＥｔｎＯ上に形成したＡｌ２Ｏ３の膜厚がはそれぞれ
、７　ｍＷ、　　７．５ｍＷ、　　３ｍＷ以上でＣ／Ｎ
比が一定であり、共に１２ｍＷｔで低下しなかつた。Ｃ
／Ｎ比の最高値はそれぞれのサンプルにおいて、４１ｄ
Ｂ、　　４５　ｄＢ、及び４２ｄＢで、Ａｌ２Ｏ３の膜
厚が１５ＯＡのものが最大であった。

これら３種のサンプルでは孔内反射むら及びビットむら
はなく、孔周辺のエツジ部の乱れは極めて少なかった。

また、Ｃ／Ｎ比が一定である記録パワーの領域において
、孔の径は殆んど一定だった。

これに対し、Ａｌ２Ｏ３の膜厚が５ＯＡ、及び８０Ａの
サンプルでは、記録パワーがそれぞれ８．５ｍＷ及び１
０　ｍＷ以上で孔内反射むらを生じ、孔径が順次急激に
大きくなった。また、Ａｌ２Ｏ３が５０ＯＡのサンプル
では、形成された孔周辺のエツジ部が大きく乱れていた
。

実施例３ 蒸着機槽内の２個の加熱ボートに、それぞれＢｉ。

Ｃｒｙ、電子ビーム蒸着装置の２個のるつぼにそれぞし
ＺｒＯ２、ＡＩ、、０３ｉ入れ、実施例１と同様に、Ｐ
ＭＭＡのディスク上に２　Ｘ　１０Ｔｏｒｒ　の真空度
において蒸着させた。蒸着順序としては、まずＺｒＯ２
とＯｒと２共蒸着方式により膜厚２０ＯＡ。

充てん率０．３となるように混合層を形成させ、そ形成
させた。

比較例として、Ａｌ２Ｏ３安定化層ンそれぞれ８０Ａ及
び２５０　Ａの厚さに蒸着形成させたサンプル乞作成し
た。

以上の３サンプルを、実施例１と全く同様の評価方法で
記録評価２行った。

ンブルの記録しきい値は、それぞれ４．８ｍＷ、５．３
ｍＷ％　　６．５　ｍＷであツｆｃ、。

これらのサンプルについて、レーザー記録パワー暑変化
させた場合のＣ／Ｎ比を第７図に示した。

ＢｉＯ上に形成したＡｌ２Ｏ５の膜厚が１５ＯＡのサン
プルでは、孔内反射むら、ビットむらは発生せず、孔周
辺のエツジ部に乱れも少な（、孔径もほとんど一定であ
った。

これに対し、Ａｌ２Ｏ３の膜厚が８ＯＡのサンプルでは
、記録パワーが９　ｍＷ以上で孔内反射むらｔ２７− 生じ、孔径も急激に太き（なった。また、Ａｌ２Ｏ３の
膜厚が２５ＯＡのサンプルでは、記録パワーが１、１　
ｍＷ　Ｙ越えると孔周辺のエツジ部の乱れが大きくなっ
た。

実施例４ 蒸着機槽内の２個の加熱ボートにそれぞれＢζＡｇｅ、
また電子ビーム蒸着装置の２個のるつぼにそれぞれＡｌ
２Ｏ３、Ｇｅｍ２’ａ’入れ、実施例１と同様に、ＰＭ
ＭＡのディスク上に２　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒの真空度
において蒸着させた。蒸着順序としては、まずＡｌ２Ｏ
５”ｉ　１００　Ａの厚さに蒸着形成させ、次にＧｅＯ
２とＡｇとの混合層を膜厚３００　Ａ　、充てん率０．
３となるように共蒸着させた。さらにＢｉｖ　３５０Ａ
の厚さに蒸着形成させ、最後にＧｅＯ２乞それぞれ８０
　Ａ、　１００Ａ、　１５０Ａ、　　２００Ａ、　２５
０Ａの異なった膜厚に蒸着形成させた５種のサンプルを
作成した。

これらの５サンプルを、実施例１と全く同様の評価方法
で記録評価を行った。

各サンプルの記録しきい値は、ＧｅＯ２の膜厚の薄２８
− い万から順に、それぞれ４．８ｍＷ、　５．０ｍＷ、　
５．５ｍＷ、　５．７ｍＷ、　５．５ｍＷであった。

これらのサンプルについて、レーザー記録パワーを変化
させた場合のＣ／Ｎ比の変化を第８図に示した。

Ｂｉの上に形成し７’（Ｇｅ０２の膜厚が１００Ａ、　
１５０びビットむらは発生せず、孔径もほとんど一定だ
った。

これに対して、ＧｅＯ２が８０Ａのサンプルは、９　ｍ
Ｗ　以上で孔内反射むら乞生じ、孔径も急激に大きくな
った。また、ＧｅＯ２が２５ＯＡのサンプルでは、１０
　ｍ”ａ’越えると、孔周辺のエツジ部の乱れが太き（
なった。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図は不発明記録材のそれぞれ異
った構造例を示す断面図である。図中、１は基板、２は
金属記録層、３は金属化合物安定化層、４は金属酸化物
安定化層、５は金属化合物と金属との混合層である。 第４図は、実施例１及び２における、金属記録層の上に
設けたＳｍ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の膜厚と記録しきい値
との関係７示すグラフ、第５図、第６図、第７図及び第
８図はそれぞれ実施例１１実施例２、実施例３及び実施
例４における、レーザー記録パワーとＣＺＮ比の関係を
示すグラフである。 特許出願人　　旭化成工業株式会社 代理人　阿　形　　明 ３１− 第　Ｓ　図 第２図 第　３　図 第・１図 膜厚（ス） 第５図 レーザ′−パワー（市Ｗ） 第（５図 レーサーパワー（笥Ｗ） 第７図 レーサ“°−パフー（嘱Ｗ） 第８図 レーず＝ハ０７−（常Ｗン 手続補正書 １、事ｆ１の表示 昭和５６年特許願第１９９５８７号 ２発明の名称 情報記録用材料 ３　補正をする者 事件との関係特許出願人 住　所大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番６号エ　、　
（００３）旭化成工業株式会社代表者　宮　　崎　　　
　輝 ４代　理　人 〒１０４東京都中央区銀座６丁目４番５号土屋ビル５階
８、補正の内容 （１）明細書第８ページ第１行目「安定化表層」を「安
定化層」に訂正します。 （２）同第１０ページ下から３〜２行目「と共に、クラ
ックも生じやすくなる」を削除します。 （３）同第１３ページ第１２行目の「Ｍｎ　ｊＯ前に「
ａｒ、」を加入します。 （４）同第２８ページ第１Ｏ行目の「１５０久、２５０
’ｊ＋　ノＡｌ２Ｏ，１ｃｒ）膜厚が８ｏλＪ　ｋ　ｒ
　Ａｌ２Ｏ３の膜厚が！３１ＪＡ、１）（ＪＡ、Ｚｂｌ
ＪＡのＪＶ（−ＢＪ止し１丁。 ３１３−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　透明基板上に、金属記録層と金属化合物安定化層が
   順次積層され、該金属記録層と前記透明一基板との間に
   金属化合物と金属との混合層を少なくとも設けた記録材
   料において、該金属化合物安定化層ヲ１００〜２００Ａ
   の膜厚に形成させたことを特徴とする情報記録用材料。 ２　金属化合物安定化層を形成する金属化合物が、ＡＩ
   、　　Ｇｅ、　　Ｚｒ、　　Ｓｉ、　　Ｔｉ、　　Ｏｅ
   、　　Ｔａ、　　Ｌａ、　Ｏｒ、　　Ｙ。 Ｄｙ、　　ＴＬｒ、　　Ｇｄ、　　Ｈｆ、　　Ｓｍ、　
   Ｂｉ、Ｐｈ、　　Ｚｎ、　Ｌｉ、　　Ｍｇ。 Ｓｂ、　　Ｐｒ、及びＮｄの金属の酸化物、窒化物又は
   フッ化物からなる群より選ばれた少なくとも１種である
   特許請求の範囲第１項記載の情報記録用材料。 ３　混合層を形成する金属化合物が、Ｂｅ、　Ｂ。 Ｍｇ、　　ｌ、　　Ｓｉ、　　Ｏａ、　　Ｅｔｃ、　　
   Ｔｉ、　　Ｖ、　　Ｏｒ、　　Ｍｎ、　　Ｆｅ。 Ｃ０１Ｎｉ、　　（：ｕ、　　Ｚｎ、　　Ｇａ、　　Ｇ
   ｅ、　　Ａｓ、　　Ｓｒ、Ｙ、　　Ｚｒ。 Ｎｂ、　　Ｔｃ、　　Ｒｕ、　　Ｒｈ、　　Ｐ（１，Ａ
   ＆　　工ｎ、　Ｓｎ、　　Ｓｂ、　　Ｂａ。 Ｌａ、　　Ｈｆ、　　Ｔａ、　　Ｒｅ、　　工ｒ、　　
   Ｔ’ｌ、　　Ｐｂ、　　Ｂｉ、　　Ｄｙ。 Ｂｒ、　　Ｇｃｌ、　　Ｎａ：、Ｐｒ、及びＳｍの金属
   の酸化物及びフッ化物からなる群より選ばれた少くとも
   １種である特許請求の範囲第１項記載の情報記録用材料
   。 ４　混合層を形成する金属が、Ａ＼　Ｓｉ、Ｓｍ　Ｔｉ
   。 ′ＶＸＯｒ、　　Ｍｎ、　　Ｆｅ、　　Ｃ！ｏ、Ｎｉ、
   　’Ｏｕ、　　Ｚｎ、　　Ｇａ、　　Ｇｅ。 Ａｓ、　Ｓｒ、　　Ｙ、　　Ｚｒ、　　Ｎｂ、　　Ｔｃ
   、　　Ｒｕ、　　Ｒｈ、　　Ｐｄ、Ａｇ。 Ｉｎ、　　Ｓｎ、　　Ｓｂ、　　Ｌａ、　　Ｈｆ、　　
   Ｔａ、　　Ｒｅ、　　工ｒ、　　Ｔｌ、　　Ｐｂ。 Ｂｉ、　　Ｄｙ、　　Ｆｉｒ、　　Ｇｄ、　　Ｎｄ、　
   　Ｐｒ、　　Ｅ３ｍ、　　Ｍｏ、Ａｕ、　　Ｓｅ。 及びＴｅからなる群より選ばれた少くとも１種である特
   許請求の範囲第１項記載の情報記録用材料。