JPS60125943A - 光学的記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

光学的記録媒体及びその製造方法

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JPS60125943A
JPS60125943A JP58233578A JP23357883A JPS60125943A JP S60125943 A JPS60125943 A JP S60125943A JP 58233578 A JP58233578 A JP 58233578A JP 23357883 A JP23357883 A JP 23357883A JP S60125943 A JPS60125943 A JP S60125943A
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Noburo Yasuda
安田　修朗
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明はレーザ光を用いて情報の記録および読み取りを
行う光学的情報記録媒体およびその製造力・法に係り、
特に高感度性と長期安定性とをあわせもった信頼性の高
い記録媒体膜及びその製造方法に関する。
〔従来技術とその問題点〕
基板上に形成された記録膜に情報に対応したパルス変調
レーザビームを照射し、局部的な加熱によって膜の光学
的定数、即ち反射率、透過率、吸収係数を変化させるこ
と、あるいは膜を融解、蒸発させて孔部を形成させるこ
とによって情報を記録させる試みは以前から行なわれて
いる。
このような光学的情報記録媒体に対する要求はより小さ
なレーザ光強度で記録可能、つまり高感度であり、ま−
た書き込んだ情報が時間と共に消滅することがない、つ
まり信頼性が高いことである。
従来、この種の記録媒体としてはＡＡ！、Ａｕ等の金属
薄膜、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ等の半金属膵、５ｏ−Ｔｅ−Ａ
ｓ等のカルコゲナイド系非晶質ガラス等が考えられてい
るが、金属薄膜はいずれも感度が低（、半金属膜、カル
コゲナイド系ガラス膜は感度あるｌ／）は信頼性に問題
がある。これらに対し特願昭５６−１０７０３６号では
メタン系炭化水素ガスで半金属Ｔｅをスパッタ蒸着する
ことによって上記要求をかなり満足するＴｅ−Ｃ膜を得
ているが、さらなる信頼性の向上、長寿命性がされる様
になってきた。
また上記膜と類似するものとしては、有機物薄膜に金属
あるいは半金属を拡散せしめた膜が提案（特願昭５６−
１８０６８２号）されているが、拡散時の熱ｌこ耐えつ
る有機物薄膜を使用すると感度が低下し、また金属ある
いは半金属と有機物とが反応していないため、膜質が不
安定になる場合がある。さらに゛製造上も、有機物薄膜
の形成、金属薄膜の形成および後者の前者への拡散とい
った工程か必要で、工程数も多い。工程数を減少させる
ためにはＴｅ−Ｃ膜の製法と同様に有機モノマーで金属
あるいは半金属膜・−ゲットをスパッター蒸着すること
が考えられるが、この場合にはターゲット表面のよごれ
が問題となる。
〔発明の目的〕
本発明の目的はレーザ照射により情報を記録させる光学
的記録媒体膜において、上記従来技術の欠点、要求を解
決し、高感度かつ信頼性の高い長寿命な媒体膜およびそ
の製造方法を提供するにある。
〔発明の概要〕
本発明の光学的記録媒体膜は基板上に形成されたＡｇ、
ＡＩ、Ｒｄ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｎ等の安定な金属あ
るいはこれとＴｅ、Ｂｉ、Ｓｅ等の半金属の１種以上を
含んだ有機放電重合膜であることを特徴とするものであ
る。
また本発明による光学的記録媒体膜の製造方法はメタン
系炭化水素ガス、あるいはこれと不活性ガスとの混合ガ
ス中で金属あるいはこれと半金属とを同時に蒸発させ、
これらの混合ガス中で放電させることによって、上記金
属および半金属を含む有機放電重合膜を形成する工程を
含むことを特徴とするものである。
〔発明の実施例〕
以下本発明を実施例に基づき１図面を参照し・て説明す
る。
第１図は本発明の記録媒体膜を製作するのに必要な膜形
成装置の概略図である。真空装置（１）をあらかじめ排
気ポンプ（図示していない）で高真空に排気したのちバ
ルブ（２１７ｊｒ：開きメタン系炭化水素ガスを収納し
た容器（３）からそのガスを流して真空圧にして１０−
１〜１０−’Ｔｏｒｒ台にする。真空装置内にはあらか
じめ金属および半金属を蒸発させる２個のるつぼ（４１
、（５１、電極コイル（６）、基板（７）が配置され、
１端が接地された電極コイル（６）には屯源（８）によ
り１３．５６　ＭＨｚ　の高周波電流が通電される。
電極コイルのす端を開放にした高電圧印加型では電極あ
るいは容器内壁からスパッタされた物質がＩＩ側に混入
するため、電極は一端を接地した低電圧、大電流タイプ
のものが望ましい。またメタン系炭化水素ガスを希釈し
、かつ膜形成速度を上げるためバルブ（９）を有する不
活性ガスを収納した容器α０を備えても良い。メタン系
炭化水素ガスあるいはこれを不活性ガスとの混合ガスの
圧力は１〜１ｏ→Ｔｏｒｒが好ましい。ガス圧がＩ　Ｔ
ｏｒｒ　以上では蒸発した金属あるいは半金属分子が基
板に到達しにく（、また放電が電極コイルの内部にのみ
局在して基板上に蒸発物質を含んだ膜を一様に形成しに
くい。またガス圧がＩ　Ｘ　１０−’　”Ｉ’ｏ、ｒｒ
　以下では放電が起こしにくい。特に好ましい圧力はｌ
Ｘｌ０’−”〜Ｉ　Ｘ　１０＝”Ｔｏｒｒ　で、この範
囲では放１は安定して電極近傍に１様に広がり、するっ
ぽ“からの蒸発物質も十分に基板に到達し、形成された
膜中での蒸発物質の粒径は１０ｎｍ以下である。
メタン系炭化水素ガスをメタンガス、金属原子をＡＩＩ
、半金属原子をＴｅとして放電を起こさせるとメタンガ
スが解離して−Ｈ基、−ＣＨ，基。
−Ｈ，基、−ＣＨ，基等が生成し、これらが蒸発したＡ
ＩＩあるいはＴｅ原子と衝突してＡｌ−Ｈ。
Ａｌ−ＣＨ，、Ａｇ＝ＣＨ，、Ｔｅ−Ｈ，Ｔｅ−Ｃｌ４
．。
Ｔｅ−ＣＨ，等のアルキル金属が反応生成し、基板上に
堆積する。但し、′るっぽ′から蒸発したＡＩあるいは
Ｔｅ原子はすべてアルキル金属になるのではなく、原子
のまま堆積する量もかなりある。
またメタンガスの放電によって生成した一ＣＨ。
基、−ＣＨ，基は互いに、あるいは基板と衝突して有機
重合体を形成する。こうして基板上ｌこはＡ、Ｆ原子、
Ｔｅ原子、アルキルＡ３アルキルＴｅが混在した有機放
電重合膜が形成されてい（。以下で（まこれを有機金属
放電重合膜と呼ぶ。
この製造方法による有機金属放電重合膜中の金属あるい
は半金属原子の比率はガスの圧力、放電電力するつぼ“
からの蒸発速度によって任意に設定できる。またゝるつ
は“を加熱することによって金（屯あるいは半金属原子
を蒸発させているため、スパッター法による方法のよう
に金属あるいは半金属の種類を限定されることな（、任
意の種類の蒸発種を選ぶことがでへる。
以下ではＡｇの蒸発速度を２人／　ｓ　ｅ　ｃ　＊　Ｔ
　ｅの蒸発速度を０．２　Ａ　／　ｓｅｃ、メタンガス
の圧力５ｍ’Ｉ’ｏｒｒ、量流１０　ｃｃ／　ｍｉｎ　
、放電電力１００Ｗの東件で得られた膜を例に説明する
。
アクリル円板基板上に約５Ｑｎｍ厚のＡＮ−Ｔｅ有機金
属放電重合膜を形成し、この基板を回転させ乍ら光デイ
スクメモリとしての評価を行った。
牛導体レーザ（波長０．８μＩｎ）のビームを１μｍφ
に絞りこみ、上記の膜ｌこパルス状りこ照射し、そこで
の反射光量をビーム強度を変え乍ら測定したところ、膜
面３ｍＷのレーザ光の時、反射光量が変化した。
記録された時の膜の状態を第２図に示す。基板（１１）
上に形成されたＡＰ−Ｔｅ有機金属放電重合膜（１２）
にレーザビームを照射するとレーザ照射された部分（■
３）では膜に含まれていた有機物、Ｔｅ原子が蒸発して
へ９膜に変化し、膜厚も減少する。
その後レーザビームのパワーを１／１０以下に下げ反射
強度を出力としてとると（１３）の部分では反射光量が
増大する。この反射光量の差を２値記録の出力として測
定すると５５ｄＢ以上のＳ／Ｎ比がとれることが判明し
た。
情報が記録された個所はＡｌ９．あるいはＴｅを微量含
んだＡｌ１ＦＬとなる。基板内、または基板表面の酸素
等により、ＡＮ膜の表面は直ちに酸化されるが、この自
然酸化膜は数ｎｍと極めて薄（、一旦形成されればそれ
以上は酸化されないという特性を持ち、極めて安定であ
る。従って記録後の安定性は極めて筒く、記録の長期保
存には最適である。
記録媒体かＴｅ等の半金属を含まず、Ａｙのみを含んだ
ＡＦ有機金属放電重合膜の場合にはレーザ光の吸収計が
Ｔｅを含んだものに比べ少ないため、感度はＡ　Ｉ　−
Ｔ　ｅ有機金属放電重合膜よりやや低下し、記録に４ｍ
Ｗ必要とするが記録後の安定性はＡ、９−Ｔｅ有機金属
放電重合膜と同程度以上であった。
以上、安定な金属としてはＡｌ、半金属としてはＴｅを
例にとり上げて説明したが、安定な金属としては例えば
Ｒａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｎ＠ＡＡＩ等でもよ（、半
金属としては例えばＢｉ、Ｓｅ、Ａｓ等でもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の記録媒体膜を作成するための装置の概
略図、第２図は本発明の記録媒体膜に情報を記録させた
場合の断面図である。 １″・−・真空装置、２・−・パルプ、３・・・メタン
氷炭ｆヒ水素ガスを収容した容器、４・・・るつは、５
・・・るつは、６・−電極、７・・・基板、８・・・高
周波電源、９・・・バルブ、１０・・・不活性ガス収容
容器、１１・・・基板。 １２　・−Ａ９−Ｔｅ有機金属放ｔｉ合膜、１３−Ａｇ
膜。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）記録層がＡｙ、ＡＪ、Ｒｄ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｕ’
    、Ｉｎ等区 と安定な金属、あるいはこれ−Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ等の半
    金属のうちの１種以上を含んだ有機放電重合膜であるこ
    とを特徴とする光学的Ｗ厘記録媒体。
  2. （２）メタン系炭化水素ガス、あるいはこれと不活性カ
    スとの混合ガス中でＡＩｉ、ＡＪ　、　Ｒｄ　、　Ｎｂ
    　、Ｔａ。 Ａｕ、Ｉｎ等の安定な金属、あるいはこれらとＴｅ。 Ｂｉ、８ｅ等の半金属のうちの１種以上を蒸発させ、こ
    れらの混合ガス中で放電させることにより、所定基板上
    に記録層を形成させることを特徴とする光学的情報記録
    媒体の製造方法。
  3. （３）放電はす方が接地されたコイルｆｔ種に低電圧。 大電流の高周波電流を流すことによって起こされること
    を特徴とする特許請求の範囲第４項記載の光学的情報記
    録媒体の製造方法。
JP58233578A 1983-12-13 1983-12-13 光学的記録媒体及びその製造方法 Granted JPS60125943A (ja)

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JPH0522590B2 JPH0522590B2 (ja) 1993-03-30

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0333205A2 (en) * 1988-03-18 1989-09-20 Kuraray Co., Ltd. Optical recording medium
EP0405450A2 (en) * 1989-06-30 1991-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Data recording medium and method of manufacturing the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0333205A2 (en) * 1988-03-18 1989-09-20 Kuraray Co., Ltd. Optical recording medium
EP0405450A2 (en) * 1989-06-30 1991-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Data recording medium and method of manufacturing the same

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