JPS61134294A - 情報の記録・消去方法 - Google Patents
情報の記録・消去方法Info
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- JPS61134294A JPS61134294A JP59255301A JP25530184A JPS61134294A JP S61134294 A JPS61134294 A JP S61134294A JP 59255301 A JP59255301 A JP 59255301A JP 25530184 A JP25530184 A JP 25530184A JP S61134294 A JPS61134294 A JP S61134294A
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- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
° 〔発明の利用分野〕
本発明は新規な情報記録再生装置用記録媒体に係り、特
に光・熱エネルギーが与えられることにより合金の結晶
構造の変化にともなう分光反射率変化を利用した情報記
録再生装置に使用するディスクに関する。
に光・熱エネルギーが与えられることにより合金の結晶
構造の変化にともなう分光反射率変化を利用した情報記
録再生装置に使用するディスクに関する。
近年、情報記録の高密度化、デジタル化が進むにつれて
種々の情報記録再生方式の開発が進められている。特に
レーザの光エネルギーを情報の記録、消去、再生に利用
した光ディスクは工業レアメタルＡ８０ 、１９８３
（光ディスクと材料）に記載されている二うに磁気ディ
スクに比べ、高い記録密度が可能であり、今後の情報記
録の有力な方式である。このうち、レーザによる再生装
置はコンパクト・ディスク（ＣＤ）として実用化されて
いる。一方、記録可能な方式には追記型と書き換え可能
型の大きく２つに分けられる。前者は１回の書き込みの
みが可能であ夛５消去はできない。
種々の情報記録再生方式の開発が進められている。特に
レーザの光エネルギーを情報の記録、消去、再生に利用
した光ディスクは工業レアメタルＡ８０ 、１９８３
（光ディスクと材料）に記載されている二うに磁気ディ
スクに比べ、高い記録密度が可能であり、今後の情報記
録の有力な方式である。このうち、レーザによる再生装
置はコンパクト・ディスク（ＣＤ）として実用化されて
いる。一方、記録可能な方式には追記型と書き換え可能
型の大きく２つに分けられる。前者は１回の書き込みの
みが可能であ夛５消去はできない。
後者はくシ返しの記録、消去が可能な方式である。
追記型の記録方法はレーザ光により記録部分の媒体を破
壊あるいは成形して凹凸をつけ、再生にはこの凹凸部分
でのレーザ光の干渉による光反射量の変化を利用する。
壊あるいは成形して凹凸をつけ、再生にはこの凹凸部分
でのレーザ光の干渉による光反射量の変化を利用する。
この記録媒体にはＴｅやその合金を利用して、その溶解
、昇華による凹凸の成形が一般的に知られている。この
種の媒体では毒性など若干の問題を含んでいる。書き換
え可能型の記録媒体としては光磁気材料が主流である。
、昇華による凹凸の成形が一般的に知られている。この
種の媒体では毒性など若干の問題を含んでいる。書き換
え可能型の記録媒体としては光磁気材料が主流である。
この方法は光エネルギーを利用してキュリ一点あるいは
補償点温度付近で媒体の局部的な磁気異方性を反転させ
記録し、その部分での偏光入射光の磁気ファラデー効果
及び磁気カー効果による偏光面の回転量にて再生する。
補償点温度付近で媒体の局部的な磁気異方性を反転させ
記録し、その部分での偏光入射光の磁気ファラデー効果
及び磁気カー効果による偏光面の回転量にて再生する。
この方法は書き換え可能型の最も有望なものとして数年
後の実用化を目指し精力的な研究開発が進められている
。しかし、現在のところ偏光面の回転量の大きな材料が
なく多層膜化などの種々の工夫をしても８／Ｎ、Ｃ／Ｎ
などの出力レベルが小さいという大きな問題がある。そ
の他の書き換え可能型方式として記録媒体の非晶質と結
晶質の可逆的相変化による反射率変化を利用したものが
ある。例えばＮａｔｉｏｎａｌ’ｌ’ｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ ＶｏＬ ２９４５（１９８３）に記載
ＴｅＯｘに少量のＧｅおよびＳｎを添加した合金がある
。
後の実用化を目指し精力的な研究開発が進められている
。しかし、現在のところ偏光面の回転量の大きな材料が
なく多層膜化などの種々の工夫をしても８／Ｎ、Ｃ／Ｎ
などの出力レベルが小さいという大きな問題がある。そ
の他の書き換え可能型方式として記録媒体の非晶質と結
晶質の可逆的相変化による反射率変化を利用したものが
ある。例えばＮａｔｉｏｎａｌ’ｌ’ｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ ＶｏＬ ２９４５（１９８３）に記載
ＴｅＯｘに少量のＧｅおよびＳｎを添加した合金がある
。
しかし、この方式は非晶貧相の結晶化温が低く、常温に
おける相の不安定さがディスクの信頼性に結びつく大き
な問題点である。
おける相の不安定さがディスクの信頼性に結びつく大き
な問題点である。
一方、色調変化を珊瑚した合金として、特開昭５７−１
４０８４５がある。この合金は（１２〜１５）ｗｔ％Ａ
ｔ −（１〜５ ） ｗ ｔ％Ｎｉ−残Ｃｕよりなる合
金でマルテンサイト変態温度を境にして、赤から黄金色
に可逆的に変化することを利用したものである。マルテ
ンサイト変態は温度を低下にともなって必然的に生ずる
変態のため、マルテンサイト変態温度以上に保持した状
態で得られる色調はマルテンサイト変調温度以下にもっ
てくることはできない。また逆にマルテンサイト変態温
度以下で得られる色調のものをマルテンサイト変態温度
以上にすると、変態をおこして別の色調に変化してしま
う。したがって、マルテンサイト変態の上下でおこる２
つの色調は同一温度で同時に得ることはできない。した
がってこの原理では記録材料として適用することはでき
ない。
４０８４５がある。この合金は（１２〜１５）ｗｔ％Ａ
ｔ −（１〜５ ） ｗ ｔ％Ｎｉ−残Ｃｕよりなる合
金でマルテンサイト変態温度を境にして、赤から黄金色
に可逆的に変化することを利用したものである。マルテ
ンサイト変態は温度を低下にともなって必然的に生ずる
変態のため、マルテンサイト変態温度以上に保持した状
態で得られる色調はマルテンサイト変調温度以下にもっ
てくることはできない。また逆にマルテンサイト変態温
度以下で得られる色調のものをマルテンサイト変態温度
以上にすると、変態をおこして別の色調に変化してしま
う。したがって、マルテンサイト変態の上下でおこる２
つの色調は同一温度で同時に得ることはできない。した
がってこの原理では記録材料として適用することはでき
ない。
本発明の目的は、エネルギー入射効率の高い記録層を備
えた情報記録媒体を提供するにある。
えた情報記録媒体を提供するにある。
（発明の要点）
本発明は、光エネルギーの入射による加熱によって情報
を記録する記録層を有する情報記録媒体において、前記
記録層の光エネルギー入射側に該入射光エネルギーの干
渉層及び吸収層の少なくとも一方が設けられていること
を特徴とする情報記録媒体にある。
を記録する記録層を有する情報記録媒体において、前記
記録層の光エネルギー入射側に該入射光エネルギーの干
渉層及び吸収層の少なくとも一方が設けられていること
を特徴とする情報記録媒体にある。
何らかの手段により、情報記録媒体からの反射エネルギ
ーを少なくできれば、記録層に入力する熱量が増加し、
記録層の温度が急速に上昇し、高速書込が可能となると
ともに、より少ない入射エネルギーで書込み又は消去が
可能となるため、情報記録再生媒体の書込み感度又は消
去感度が高くなる。
ーを少なくできれば、記録層に入力する熱量が増加し、
記録層の温度が急速に上昇し、高速書込が可能となると
ともに、より少ない入射エネルギーで書込み又は消去が
可能となるため、情報記録再生媒体の書込み感度又は消
去感度が高くなる。
（吸収層、干渉層）
第２図山）に示す如く、記録層１の入射エネルギー側に
入射エネルギーを吸収する物質からなる吸収層３を設け
ると、入射エネルギーの多くの部分が、吸収層３におい
て吸収されて熱エネルギーに変化し、吸収層３の温度が
急激に上昇する。その結果、吸収層３から記録層１へ多
くの熱エネルギーが熱伝導によシ伝達され、記録層１の
温度も、吸収層３のない場合に比較して、急速にかつ高
温度まで上昇する。この吸収層３の厚さとしては情報記
録再生媒体の表面反射率（反射エネルギー／入射エネル
ギーの比）が、５％〜８０％となるような厚さが望まし
い。反射率が５％未満になると、反射光の強度が小さく
なるため、記録部分と未記録部分の反射光強度を比較し
て記録信号全読取る記録信号再生時の信号対雑音比（８
／Ｎ比）が劣下してしまい不利である。また反射率が、
８０％を越えると入射エネルギーの多くが、吸収層３に
おいて熱エネルギーに変わることなく反射されてしまう
ため、吸収層３の温度が上がらなくなる。
入射エネルギーを吸収する物質からなる吸収層３を設け
ると、入射エネルギーの多くの部分が、吸収層３におい
て吸収されて熱エネルギーに変化し、吸収層３の温度が
急激に上昇する。その結果、吸収層３から記録層１へ多
くの熱エネルギーが熱伝導によシ伝達され、記録層１の
温度も、吸収層３のない場合に比較して、急速にかつ高
温度まで上昇する。この吸収層３の厚さとしては情報記
録再生媒体の表面反射率（反射エネルギー／入射エネル
ギーの比）が、５％〜８０％となるような厚さが望まし
い。反射率が５％未満になると、反射光の強度が小さく
なるため、記録部分と未記録部分の反射光強度を比較し
て記録信号全読取る記録信号再生時の信号対雑音比（８
／Ｎ比）が劣下してしまい不利である。また反射率が、
８０％を越えると入射エネルギーの多くが、吸収層３に
おいて熱エネルギーに変わることなく反射されてしまう
ため、吸収層３の温度が上がらなくなる。
その結果、記録層１への熱エネルギーの伝達がほとんど
なくなシ、情報記録再生媒体の書込感度又は消去感度の
増加は期待できない。吸収層として電磁波（例えば、レ
ーザ光・光）を熱エネルギーに変換するものである。
なくなシ、情報記録再生媒体の書込感度又は消去感度の
増加は期待できない。吸収層として電磁波（例えば、レ
ーザ光・光）を熱エネルギーに変換するものである。
情報記録再生媒体の表面反射率を低減する手段として、
入射エネルギーの干渉効果を利用する方法がある。
入射エネルギーの干渉効果を利用する方法がある。
酸化タンタル、アルミナ等の５０′Ｘ以上のエネルギー
透過性の膜とするのが好ましい。その厚さは５０〜５０
０ｎｍが好ましく、無色が好ましい。
透過性の膜とするのが好ましい。その厚さは５０〜５０
０ｎｍが好ましく、無色が好ましい。
たとえば、第２図（ａ）のように記録層１のエネルギー
入射側に適当な厚さの無色透明な干渉層２を設けると、
入射エネルギーの何割かは、この干渉層２の表面で反射
される。残りの入射エネルギーは、干渉層２の内部まで
入シ込み、記録層１まで到達する。この到達し次入射エ
ネルギーの何割かは記録層１の表面で反射されて、干渉
層２を逆に通過して干渉層２０表面に到達する。この時
、入射エネルギーが電磁波のように波動性を有している
と前記の干渉層２の表面での反射エネルギーの波と、記
録層１の表面で反射してきたエネルギーの波が干渉を起
こす。前記２つのエネルギーの波の位相がエネルギーの
波の波長の半分だけずれているとエネルギー波の山と谷
の部分が相殺し合って、エネルギー波の振幅が、減少す
る。このことは、実質的に情報記録再生媒体の表面から
反射して返ってくるエネルギーが減少することを意味す
る。すなわち、干渉層２の厚さを適切な値にすれば、エ
ネルギー反射率を下げることができる。この場合、干渉
層２部分での光の吸収はきわめて少ないから、入射エネ
ルギーから反射エネルギーを差し引いた残シのエネルギ
ーは全て記録層１で吸収され、記録層１の温度は干渉層
２がない場合に比較して、より急速に高温度にまで上昇
する。
入射側に適当な厚さの無色透明な干渉層２を設けると、
入射エネルギーの何割かは、この干渉層２の表面で反射
される。残りの入射エネルギーは、干渉層２の内部まで
入シ込み、記録層１まで到達する。この到達し次入射エ
ネルギーの何割かは記録層１の表面で反射されて、干渉
層２を逆に通過して干渉層２０表面に到達する。この時
、入射エネルギーが電磁波のように波動性を有している
と前記の干渉層２の表面での反射エネルギーの波と、記
録層１の表面で反射してきたエネルギーの波が干渉を起
こす。前記２つのエネルギーの波の位相がエネルギーの
波の波長の半分だけずれているとエネルギー波の山と谷
の部分が相殺し合って、エネルギー波の振幅が、減少す
る。このことは、実質的に情報記録再生媒体の表面から
反射して返ってくるエネルギーが減少することを意味す
る。すなわち、干渉層２の厚さを適切な値にすれば、エ
ネルギー反射率を下げることができる。この場合、干渉
層２部分での光の吸収はきわめて少ないから、入射エネ
ルギーから反射エネルギーを差し引いた残シのエネルギ
ーは全て記録層１で吸収され、記録層１の温度は干渉層
２がない場合に比較して、より急速に高温度にまで上昇
する。
前記の最適な干渉層の厚さは、干渉の理論によって導か
れる次式によって定めることができる。
れる次式によって定めることができる。
λ
ｄ＝−（２ｍ＋１） ・・・・・・（１
）ｎＩ （ｍ＝ｏ、１，２．３・・・） ここで、 ｄ：干渉層の厚さ、 ｎＩ ：干渉層の屈折率 λ：エネルギー波の波長 又、干渉膜の屈折率の最適な値ｎ 、／は干渉の理論か
ら同様に導かれ次式で表わされる。
）ｎＩ （ｍ＝ｏ、１，２．３・・・） ここで、 ｄ：干渉層の厚さ、 ｎＩ ：干渉層の屈折率 λ：エネルギー波の波長 又、干渉膜の屈折率の最適な値ｎ 、／は干渉の理論か
ら同様に導かれ次式で表わされる。
ｎ１′＝ｆ耳 ゛ ・・・・・・・・・・・・
（２）ここで、 ｎ２ ：記録層１の屈折率 前記した反射率を低減させる層は、入射エネルギー吸収
層又は干渉層として、単独の機能を有するものであった
が、１つの層に、干渉層としての機能と、吸収層として
の機能を同時に持たせることも可能である。
（２）ここで、 ｎ２ ：記録層１の屈折率 前記した反射率を低減させる層は、入射エネルギー吸収
層又は干渉層として、単独の機能を有するものであった
が、１つの層に、干渉層としての機能と、吸収層として
の機能を同時に持たせることも可能である。
吸収層としては酸化チタン、酸化クロム、酸化鋼、四三
酸化鉄等の薄膜を使用することができ、半透過性が好ま
しい。特に、着色されたもので、黒体となっているもの
が好ましく、光に対して１０〜３０％のエネルギー吸収
性を有し、５０Ｘ以下の透過性を有するものが好ましい
。厚さは５Ｑｎｍ以下、より好ましくは３０〜５Ｑｎｍ
である。
酸化鉄等の薄膜を使用することができ、半透過性が好ま
しい。特に、着色されたもので、黒体となっているもの
が好ましく、光に対して１０〜３０％のエネルギー吸収
性を有し、５０Ｘ以下の透過性を有するものが好ましい
。厚さは５Ｑｎｍ以下、より好ましくは３０〜５Ｑｎｍ
である。
吸収層として着色を有するものを用いるときは情報の記
録側と反対側より再生するのがよい。
録側と反対側より再生するのがよい。
このような干渉・吸収層２′を第２図（Ｃ）の様に記録
層１のエネルギー入射側に形成すれば、記録層１への熱
エネルギーの入力は増大し、情報記録再生媒体の記録感
度を向上させることができる。
層１のエネルギー入射側に形成すれば、記録層１への熱
エネルギーの入力は増大し、情報記録再生媒体の記録感
度を向上させることができる。
これまで、述べてきた反射防止膜は全て一層構造であっ
たが、第２図（ｄ）の様に吸収層３と干渉層２′ｔ−そ
れぞれ別の層を用いる２層構造にすることも可ｆＩピで
ある。
たが、第２図（ｄ）の様に吸収層３と干渉層２′ｔ−そ
れぞれ別の層を用いる２層構造にすることも可ｆＩピで
ある。
これまで、記録層１の前面に反射防止層を形成し、実質
的に記録層１に入力する熱エネルギーを増加させること
により、記録層１の温度を急速にかつ、高温度まで上昇
させ得ることを述べてきたが、さらに記録層の温度を増
加させ得る手段がある。それは、第３図（ａ）のように
記録層１を囲むように熱絶縁層５を形成する方法である
。一般に記録層は薄い之めそれ自体では機械的強度が低
いから第３図（Ｃ）のように金属板、ガラス板、プラス
チック板等の支持層７の上に形成することが多い。
的に記録層１に入力する熱エネルギーを増加させること
により、記録層１の温度を急速にかつ、高温度まで上昇
させ得ることを述べてきたが、さらに記録層の温度を増
加させ得る手段がある。それは、第３図（ａ）のように
記録層１を囲むように熱絶縁層５を形成する方法である
。一般に記録層は薄い之めそれ自体では機械的強度が低
いから第３図（Ｃ）のように金属板、ガラス板、プラス
チック板等の支持層７の上に形成することが多い。
このような構造の場合、記録層から支持層へ熱エネルギ
ーが流れて、支持層７が記録層１の冷却体として働く。
ーが流れて、支持層７が記録層１の冷却体として働く。
そのため、記録層１の温度が上がりにくくなる。この熱
エネルギーの流失を防止するためには、記録層と支持層
の間に熱絶縁層５を設けることが効果がある。又、熱エ
ネルギーは記録層から前記とは逆方向の支持層の反対側
にも流れるから、この流失も防止すれば、より効果があ
る。
エネルギーの流失を防止するためには、記録層と支持層
の間に熱絶縁層５を設けることが効果がある。又、熱エ
ネルギーは記録層から前記とは逆方向の支持層の反対側
にも流れるから、この流失も防止すれば、より効果があ
る。
記録層の上面に干渉層がある場合には、干渉層と記録層
を囲むように熱絶縁層を設ける。熱吸収層が記録層の上
面（エネルギー入射ｇ１４）にある場合には、熱吸収層
からの熱エネルギーの流失を防止するため、第３図（ａ
）のように熱吸収層３のエネルギー入射側に熱絶縁層５
を設けることが効果がある。
を囲むように熱絶縁層を設ける。熱吸収層が記録層の上
面（エネルギー入射ｇ１４）にある場合には、熱吸収層
からの熱エネルギーの流失を防止するため、第３図（ａ
）のように熱吸収層３のエネルギー入射側に熱絶縁層５
を設けることが効果がある。
熱絶縁層は熱をしやへいするためのもので、５ｉＣｈガ
ラス、アルミナ等の酸化物が好ましい。
ラス、アルミナ等の酸化物が好ましい。
ところで、前記の記録層を支持する支持層は、エネルギ
ー入射側と反対側にあると考えたが、逆にエネルギー入
射側に支持層（基板）を設けることも可能である。この
ような構造の場合には、支持層は入射エネルギーを透過
する無色透明な膜、例えば、ガラス板やプラスチック板
を用いる。ところでこのように記録層とエネルギー入射
面の間に、透明層を設けることは別の効果がある。すな
わち、情報記録媒体は外気にさらされるため、空気中の
ちりが付着したり、入間の指紋が付着することが多い。
ー入射側と反対側にあると考えたが、逆にエネルギー入
射側に支持層（基板）を設けることも可能である。この
ような構造の場合には、支持層は入射エネルギーを透過
する無色透明な膜、例えば、ガラス板やプラスチック板
を用いる。ところでこのように記録層とエネルギー入射
面の間に、透明層を設けることは別の効果がある。すな
わち、情報記録媒体は外気にさらされるため、空気中の
ちりが付着したり、入間の指紋が付着することが多い。
このような状態で、記録したデータを再生すると雑音が
多くなり、８／Ｎ比が低下してしまう。しかし、第１図
（ｅ）のように０．５〜２．０１程度の透明層４が記録
層の上面にあると、ちりや、指紋は（記録層１から離れ
た）透明層４の表面に付着する。情報記録再生媒体上の
記録データを再生する装置は、顕微鏡と同様な光学系を
持ち、記録層の微小領域を観察し、記録層１の場所によ
る反射率の変化を観察して、記録データを再生する。こ
の時、光学系の焦点を記録層１に結ぶと、透明層４の表
面のちシや、指紋は焦点深度の範囲外になるため、ボケ
た像となり、再生信号に悪影響を与えず、Ｓ／Ｎ比の低
下もない。
多くなり、８／Ｎ比が低下してしまう。しかし、第１図
（ｅ）のように０．５〜２．０１程度の透明層４が記録
層の上面にあると、ちりや、指紋は（記録層１から離れ
た）透明層４の表面に付着する。情報記録再生媒体上の
記録データを再生する装置は、顕微鏡と同様な光学系を
持ち、記録層の微小領域を観察し、記録層１の場所によ
る反射率の変化を観察して、記録データを再生する。こ
の時、光学系の焦点を記録層１に結ぶと、透明層４の表
面のちシや、指紋は焦点深度の範囲外になるため、ボケ
た像となり、再生信号に悪影響を与えず、Ｓ／Ｎ比の低
下もない。
上記のように支持層が、記録層のエネルギー入射側にあ
る場合には、記録層の下面（エネルギー入射面と反対側
）に熱絶縁層を設け、空気中への熱流失を防止する。又
、干渉層又は吸収層として熱絶縁性の高い物質を用いれ
ば、膜構成を簡易化できる。
る場合には、記録層の下面（エネルギー入射面と反対側
）に熱絶縁層を設け、空気中への熱流失を防止する。又
、干渉層又は吸収層として熱絶縁性の高い物質を用いれ
ば、膜構成を簡易化できる。
基板には、ガラス、セラミックス、ポリメチルメタアク
リレート、ポリスチレン、ポリカーボネート等のプラス
チック等が使用される。これらの基板は無色透明である
のが好ましい。
リレート、ポリスチレン、ポリカーボネート等のプラス
チック等が使用される。これらの基板は無色透明である
のが好ましい。
保護層６は記録層１の外部機器との接触によって生ずる
きすの形成を保護、記録層１上に付着するほこりから保
護するもので、８ＩＣｈガラス、アルミナ等の酸化物が
使用される。その厚さは数十ｎｍ〜２１が好ましい。
きすの形成を保護、記録層１上に付着するほこりから保
護するもので、８ＩＣｈガラス、アルミナ等の酸化物が
使用される。その厚さは数十ｎｍ〜２１が好ましい。
本発明の情報記録媒体は干渉層及び吸収層が設けられた
側にエネルギーを入射して記録再生又は消去することが
でき、更に再生を干渉層及び吸収層を設けた側とは反対
側から行うことができる。
側にエネルギーを入射して記録再生又は消去することが
でき、更に再生を干渉層及び吸収層を設けた側とは反対
側から行うことができる。
この反対側での再生に当っては基板を前述の無色透明な
ものとすればよい。記録側と反対側での再生に当って光
を使用する場合は記録層に対して無色透明な基板、保護
膜等の膜で光透過性の高いものを選ぶべきである。
ものとすればよい。記録側と反対側での再生に当って光
を使用する場合は記録層に対して無色透明な基板、保護
膜等の膜で光透過性の高いものを選ぶべきである。
（記録層）
本発明の記録層は、固体状態で室温より高い第１の温度
（高温）及び第１の温度より低い温度（低温）状態で異
なった結晶構造を有し、前記高温からの急冷によって室
温で平衡相である結晶構造と異なる結晶構造を有する金
属又は合金が好ましい。
（高温）及び第１の温度より低い温度（低温）状態で異
なった結晶構造を有し、前記高温からの急冷によって室
温で平衡相である結晶構造と異なる結晶構造を有する金
属又は合金が好ましい。
本発明に係る合金は高温の固相状態からの急冷によシ同
一温度で少なくとも２種の分光反射率を有し、可逆的に
分光反射率を変えることのできるものである。すなわち
、本発明に係る合金は固相状態で少なくとも２つの温度
領域で結晶構造の異なった相を有し、それらの内、高温
相を急冷した状態と非急冷の標準状態の低温相状態とで
分光反射率が異なり、高温相温度領域での加熱急冷と低
温相温度領域での加熱冷却により分光反射率が可逆的に
変化するものである。
一温度で少なくとも２種の分光反射率を有し、可逆的に
分光反射率を変えることのできるものである。すなわち
、本発明に係る合金は固相状態で少なくとも２つの温度
領域で結晶構造の異なった相を有し、それらの内、高温
相を急冷した状態と非急冷の標準状態の低温相状態とで
分光反射率が異なり、高温相温度領域での加熱急冷と低
温相温度領域での加熱冷却により分光反射率が可逆的に
変化するものである。
本発明の可逆的反射率の変化についてその原理を第４図
を用いて説明する。図はＸ−Ｙ二元系合金の状態図で６
’ｌα固溶体とβ、ｒ金属間化合物が存在する。Ａ組成
の合金を例にとると、この合金は固相状態において、β
単相、（β＋γ）相及び（α＋γ）相がある。結晶構造
はα、β、ｒのそれぞれ単相状態で異なり、これら単独
及び混合相においてそれぞれ光学的性質、たとえば分光
反射率は異なる。このような合金はＴｌ＠度、一般的に
室温であるが、（α＋γ）相が安定である。
を用いて説明する。図はＸ−Ｙ二元系合金の状態図で６
’ｌα固溶体とβ、ｒ金属間化合物が存在する。Ａ組成
の合金を例にとると、この合金は固相状態において、β
単相、（β＋γ）相及び（α＋γ）相がある。結晶構造
はα、β、ｒのそれぞれ単相状態で異なり、これら単独
及び混合相においてそれぞれ光学的性質、たとえば分光
反射率は異なる。このような合金はＴｌ＠度、一般的に
室温であるが、（α＋γ）相が安定である。
これをＴ４温度まで加熱急冷するとβ相がＴ１＠度まで
急冷する。この状態は（α＋γ）相とは異なるため、分
光反射率も異なってくる。この急冷β相合金をＴ、温度
以下のＴｚ温度まで加熱冷却するとβ相は（α＋γ）相
に変態し、分光反射率は最初の状態に戻る。このような
２つの加熱冷却処理を繰返すことにより、分光反射率を
可逆的に変化させることが可能である。
急冷する。この状態は（α＋γ）相とは異なるため、分
光反射率も異なってくる。この急冷β相合金をＴ、温度
以下のＴｚ温度まで加熱冷却するとβ相は（α＋γ）相
に変態し、分光反射率は最初の状態に戻る。このような
２つの加熱冷却処理を繰返すことにより、分光反射率を
可逆的に変化させることが可能である。
本発明の記録層の合金例は次の通りである。
銀を主成分とし、亜鉛３０〜４６ｗｔ％、アルミニウム
６〜ｌ Ｑｗｔ％の１種を含む合金、銅を主成分とし、
アルミニウム１０〜２０ｗｔ％、インジウム２０〜４０
ｗ ｔ％、錫１６〜３５ｗｔ％の１種を含む合金、金
を主成分とし、アルミニウムＺ５〜５ｗｔ％を含む合金
、又はこれらの合金に少量の■、Ｉｂ、Ｈｂ、■ｂ、ｙ
ｂ、ｙｂ。
６〜ｌ Ｑｗｔ％の１種を含む合金、銅を主成分とし、
アルミニウム１０〜２０ｗｔ％、インジウム２０〜４０
ｗ ｔ％、錫１６〜３５ｗｔ％の１種を含む合金、金
を主成分とし、アルミニウムＺ５〜５ｗｔ％を含む合金
、又はこれらの合金に少量の■、Ｉｂ、Ｈｂ、■ｂ、ｙ
ｂ、ｙｂ。
Ｖｌ ａ＋■ａ族元素の１種以上を含むことができる。
その含有量は好ましくは１０ｗｔ％以下である。
記録密度として、２０メガピット／需２以上となるよう
な微小面積での情報の製作には０．０１〜０．２μｍの
膜厚とするのがよい。記録層として気相あるいは液相か
ら直接急冷固化させて所定の形状にすることが有効であ
る。これらの方法にはＰＶＤ法（蒸着、スパッタリング
法等） 、ＣＶＤ法、溶湯を高速回転する高熱伝導性を
有する部材からなる、特に金属ロール円周面上に注湯し
て急冷凝固させる溶湯急冷法、電気メッキ、化学メッキ
法等がある。粉末状の材料を利用する場合、基板上に塗
布して基板上に接着することが効果的である。塗布する
場合、粉末を加熱しても反応などを起こさないバインダ
ーがよい。また、加熱による材料の酸化等を防止するた
め、材料表面、基板上に形成し九膜あるいは塗布層表面
をコーティングすることも有効である。
な微小面積での情報の製作には０．０１〜０．２μｍの
膜厚とするのがよい。記録層として気相あるいは液相か
ら直接急冷固化させて所定の形状にすることが有効であ
る。これらの方法にはＰＶＤ法（蒸着、スパッタリング
法等） 、ＣＶＤ法、溶湯を高速回転する高熱伝導性を
有する部材からなる、特に金属ロール円周面上に注湯し
て急冷凝固させる溶湯急冷法、電気メッキ、化学メッキ
法等がある。粉末状の材料を利用する場合、基板上に塗
布して基板上に接着することが効果的である。塗布する
場合、粉末を加熱しても反応などを起こさないバインダ
ーがよい。また、加熱による材料の酸化等を防止するた
め、材料表面、基板上に形成し九膜あるいは塗布層表面
をコーティングすることも有効である。
粉末は、溶湯を気体又は液体の冷媒とともに噴霧させて
水中に投入させて急冷するガイアトマイズ法によって形
成させることが好ましい。その粒径は０゜ＩＷ以下が好
ましく、特に粒径１μｍ以下の超微粉が好ましい。
水中に投入させて急冷するガイアトマイズ法によって形
成させることが好ましい。その粒径は０゜ＩＷ以下が好
ましく、特に粒径１μｍ以下の超微粉が好ましい。
膜は前述の如く蒸着、スパッタリング、ＣｖＤ電気メッ
キ、化学メッキ等によって形成できる。
キ、化学メッキ等によって形成できる。
特に、０．１μｍ以下の膜厚を形成するにはスパッタリ
ングが好ましい。スパッタリングは目標の合金組成のコ
ントロールが容易にできる。
ングが好ましい。スパッタリングは目標の合金組成のコ
ントロールが容易にできる。
（用途）
本発明の情報記録媒体は、加熱急冷によって部分的又は
全体に結晶構造の変化による電磁波の分光反射率、電気
抵抗率、屈折率、偏光率、透過率等の物理的又は電気的
特性を変化させ、これらの特性の変化を利用して記録、
表示、センサー等の素子に使用することができる。
全体に結晶構造の変化による電磁波の分光反射率、電気
抵抗率、屈折率、偏光率、透過率等の物理的又は電気的
特性を変化させ、これらの特性の変化を利用して記録、
表示、センサー等の素子に使用することができる。
情報等の記録の手段として、電圧及び電流の形での電気
エネルギー、電磁波（可視光、輻射熱、赤外線、紫外線
、写真用閃光ランプの光、電子ビーム、陽子線、アルゴ
ンレーザ、半導体レーザ等のレーザ光線、熱等）を用い
ることができ、特にその照射による分光反射率の変化を
利用した光ディスクに利用するのが好ましい。光ディス
クには、ディジタルオーディオディスク（ＤＡＤ又はコ
ンパクトディスク）、ビデオディスク、メモリーディス
クなどがあり、これらに使用可能である。本発明の記録
媒体は再生専用凰、追加記録型、書換聾ディスク装置に
それぞれ使用でき、特に書換型の記録及び再生の原理の
例は次の通シである。先ず、記録媒体を局部的に加熱し
該加熱後の急冷によって高温度領域での結晶構造を低温
度領域で保持させて所定の情報を記録し、又は高温相を
ベースとして、局部的に加熱して高温相中に局部的に低
温相によって記録し、記録部分に光を照射して加熱部分
と非加熱部分の光学的特性の差を検出して情報を再生す
ることができる。更に情報として記録された部分を記録
時の加熱温度よシ低い温度又は高い温度で加熱し記録さ
れた情報を消去することができる。光はレーザ光線が好
ましく、特に短波長レーザが好ましい。本発明の加熱部
分と非加熱部分との反射率が５０Ｑｎｍ又は８００ｎｍ
付近の波長において最も大きいので、このような波長を
有するレーザ光を再生に用いるのが好ましい。記録、再
生には同じレーザ源が用いられ、消去に記録のものより
エネルギー密度を小さくした他のレーザ光を照射するの
が好ましい。
エネルギー、電磁波（可視光、輻射熱、赤外線、紫外線
、写真用閃光ランプの光、電子ビーム、陽子線、アルゴ
ンレーザ、半導体レーザ等のレーザ光線、熱等）を用い
ることができ、特にその照射による分光反射率の変化を
利用した光ディスクに利用するのが好ましい。光ディス
クには、ディジタルオーディオディスク（ＤＡＤ又はコ
ンパクトディスク）、ビデオディスク、メモリーディス
クなどがあり、これらに使用可能である。本発明の記録
媒体は再生専用凰、追加記録型、書換聾ディスク装置に
それぞれ使用でき、特に書換型の記録及び再生の原理の
例は次の通シである。先ず、記録媒体を局部的に加熱し
該加熱後の急冷によって高温度領域での結晶構造を低温
度領域で保持させて所定の情報を記録し、又は高温相を
ベースとして、局部的に加熱して高温相中に局部的に低
温相によって記録し、記録部分に光を照射して加熱部分
と非加熱部分の光学的特性の差を検出して情報を再生す
ることができる。更に情報として記録された部分を記録
時の加熱温度よシ低い温度又は高い温度で加熱し記録さ
れた情報を消去することができる。光はレーザ光線が好
ましく、特に短波長レーザが好ましい。本発明の加熱部
分と非加熱部分との反射率が５０Ｑｎｍ又は８００ｎｍ
付近の波長において最も大きいので、このような波長を
有するレーザ光を再生に用いるのが好ましい。記録、再
生には同じレーザ源が用いられ、消去に記録のものより
エネルギー密度を小さくした他のレーザ光を照射するの
が好ましい。
また、本発明の記録媒体を用いたディスクは情的に変え
ることができるので塗料を使用せずに文字、図形、記号
等を記録することができ、それらの表示は目視によって
識別することができる。また、これらの情報は消去する
ことができ、記録と消去の〈υ返し使用のほか、永久保
存も可能である。 ディスフ゛レイ未２！ｌてイ吏吊で
・ｙう。
ることができるので塗料を使用せずに文字、図形、記号
等を記録することができ、それらの表示は目視によって
識別することができる。また、これらの情報は消去する
ことができ、記録と消去の〈υ返し使用のほか、永久保
存も可能である。 ディスフ゛レイ未２！ｌてイ吏吊で
・ｙう。
（実施例１）
Ａｇ−４０重量％Ｚｎ合金ｔ” Ｎ ２ ガス雰囲気で
カーボンボート中で溶解し、約１００ｗφ×１０ｔのス
パッタ蒸着用のターゲットを作製した。このターゲット
を用い、第５図の（ａ）のような膜構成の記録媒体を作
製したち２５ｍ＋φｘ１．２ｔのガラス基板１０の上に
、スパッタ出力１４０〜２００Ｗ。
カーボンボート中で溶解し、約１００ｗφ×１０ｔのス
パッタ蒸着用のターゲットを作製した。このターゲット
を用い、第５図の（ａ）のような膜構成の記録媒体を作
製したち２５ｍ＋φｘ１．２ｔのガラス基板１０の上に
、スパッタ出力１４０〜２００Ｗ。
基板加熱温度２００Ｃの条件で、Ａｇ−４０重量％Ｚ
ｎ［８’ｅ約１００ ｎ ｍスパッタ蒸着した。容器内
は１０−？Ｔｏｒｒ程度まで真空排気後、Ａｒガスｔ
５〜３０ ｍＴｏｒｒ導入し、ＤＣマグネト０７凰スパ
ッタ法を用いた。更にこの合金膜の上に、レーザ光の干
渉層９として厚さ約５ＱＱｎｍをＴ ａ ２０ ｓをス
パッタ蒸着し九。このＴａ２０５スノくツタ蒸着には約
５％の０２を導入し、ＲＦ型スノくツタ法を用いた。
ｎ［８’ｅ約１００ ｎ ｍスパッタ蒸着した。容器内
は１０−？Ｔｏｒｒ程度まで真空排気後、Ａｒガスｔ
５〜３０ ｍＴｏｒｒ導入し、ＤＣマグネト０７凰スパ
ッタ法を用いた。更にこの合金膜の上に、レーザ光の干
渉層９として厚さ約５ＱＱｎｍをＴ ａ ２０ ｓをス
パッタ蒸着し九。このＴａ２０５スノくツタ蒸着には約
５％の０２を導入し、ＲＦ型スノくツタ法を用いた。
以上のようにして作製した２５間φの記録媒体の表面は
銀白色を呈した。この記録媒体を電気炉中で約３５０Ｃ
に加熱し、これを急冷（水冷）したところ、合金膜は銀
白色かるピンク色に変化することが分かった。これはＡ
ｇ−４０重量％７．ｎのβ相が急冷によってβ′相に相
変化している之めである。更にこの急冷された記録媒体
を、電気炉中で約２０００に加熱し、それを除冷（空冷
）したところ、ピンク色からもとの銀白色に変化し、こ
れはβ′から 相に変化しているためである。
銀白色を呈した。この記録媒体を電気炉中で約３５０Ｃ
に加熱し、これを急冷（水冷）したところ、合金膜は銀
白色かるピンク色に変化することが分かった。これはＡ
ｇ−４０重量％７．ｎのβ相が急冷によってβ′相に相
変化している之めである。更にこの急冷された記録媒体
を、電気炉中で約２０００に加熱し、それを除冷（空冷
）したところ、ピンク色からもとの銀白色に変化し、こ
れはβ′から 相に変化しているためである。
ちなみ【レーザ光による記録、消去特性もこのことと対
応する。例えば、Ａｒレーザのパワーを１０〜５０ｍＷ
、 ビーム径ｔ−１〜５μの条件で記録媒体上に照射し
た場合が記録状態である。この時記録部は銀白色からピ
ンク色【変化する。更に、この記録部を５０〜１００ｍ
Ｗのパワーで、ディフォーカスしパワー密度の低いビー
ムを照射したところ、ピンク色からもとの銀白色に戻シ
、消去が確認された。このように記録媒体の記録、消去
の特性評価方法としては、レーザ光を用いることの他に
、簡易的に上記のような熱処理による方法も有効である
。
応する。例えば、Ａｒレーザのパワーを１０〜５０ｍＷ
、 ビーム径ｔ−１〜５μの条件で記録媒体上に照射し
た場合が記録状態である。この時記録部は銀白色からピ
ンク色【変化する。更に、この記録部を５０〜１００ｍ
Ｗのパワーで、ディフォーカスしパワー密度の低いビー
ムを照射したところ、ピンク色からもとの銀白色に戻シ
、消去が確認された。このように記録媒体の記録、消去
の特性評価方法としては、レーザ光を用いることの他に
、簡易的に上記のような熱処理による方法も有効である
。
第１１図の（ａ）、 （ｂ）は、上記のような熱処理方
法により作製した記録媒体の分光反射特性を示す。
法により作製した記録媒体の分光反射特性を示す。
第１１図Ｏ（ｂ）が第５図１７） （ａ）の干渉膜９
（Ｔａ２０５１５ＱＱｎｍ厚さ）を付加した膜構成にお
ける分光反射特性であυ、著しい干渉が生じていること
が分かる。第１１図の（ａ）はガラス基板１０の上にＡ
ｇ−４０重量％Ｚｎ合金膜８のみをスパッタ蒸着したも
ので記録部、未１己録部とも反射率が高い。
（Ｔａ２０５１５ＱＱｎｍ厚さ）を付加した膜構成にお
ける分光反射特性であυ、著しい干渉が生じていること
が分かる。第１１図の（ａ）はガラス基板１０の上にＡ
ｇ−４０重量％Ｚｎ合金膜８のみをスパッタ蒸着したも
ので記録部、未１己録部とも反射率が高い。
これに対し、０））図は干渉の谷を利用しているが、Ａ
ｒｖ−ザ（λムｒ＝４８８ｎｍ）及び半導体レーザ（λ
ｃ＝８３０ｎｍ）の各波長のところで著しく反射率が下
がっていることが分かる。すなわち、（ａ）図の干渉層
なしの場合に比べて、レーザ光の投入エネルギーが記録
媒体中に効率良く吸収され、少ないパワーで記録、消去
が達成されることを意味する。なお、ここでは、干渉層
９を高屈折率のＴａ２０５とし、５００ｎｍとしている
。同様Ｋ、このような光の干渉を用いた他の例を第５図
の（ｂ）〜（ｄ）に示す。干渉層９としては屈折率が大
で、透過性のあるものが望ましい。（ｂ）はＡｔ２０３
を干渉層とした場合であシ、膜厚を干渉条件に合わせれ
ば同様に反射率が下がる。（Ｃ）及び（ｄ）は記録合金
膜をＣｕ−１４重量％Ａｔ−４重量％Ｎｉ１２に置き換
えた場合であシ、第１２図の（ａ）は干渉膜９なし、Φ
）は干渉膜（ＴａｚＯｓ 、５００ｎｍ厚さ）を付加し
た膜構成における分光反射特性を示す。この場合も第１
０図のＡｇ−４０重量％Ｚｎ合金膜８と同様に、Ａｒレ
ーザ及び半導体レーザの各波長のところで反射率が著し
く下がっていることが実施例１と同様に、第６図の（ａ
）はガラス基板１０の上にスパッタ蒸着によりＡｇ−４
０重量％Ｚｎ合金膜８（膜厚１０１００ｎを設け、更に
その上にＣｒ−０Ｘ（クロム酸化物）１３を真空蒸着法
により５〜１０ｎｍ設けた。このＣｒ−０ｘは前記した
ように、反射率の高い金属情報記録層上に熱吸収層とし
て付加したものである。上述した結晶−結晶の相変化合
金膜においては、それ自身が高い反射率を有するため、
レーザ光の入熱効率が悪い。これをカバーするために記
録層上にＣｒ・０ｘ１３を設けているのである。第１３
図は、熱吸収層がある場合と、ない場合との分光反射特
性を比較したものである。この図から分かるように約３
００〜１１０００ｎの波長域において、熱吸収層付きの
膜構成のものが反射率が下がることが分かる。更に、第
６図の（ｂ）は記録層をＣｕ−１４重量％Ａｔ−４重量
％Ｎｉとし、同様にＣｒ・ＯＸを付加したものである。
ｒｖ−ザ（λムｒ＝４８８ｎｍ）及び半導体レーザ（λ
ｃ＝８３０ｎｍ）の各波長のところで著しく反射率が下
がっていることが分かる。すなわち、（ａ）図の干渉層
なしの場合に比べて、レーザ光の投入エネルギーが記録
媒体中に効率良く吸収され、少ないパワーで記録、消去
が達成されることを意味する。なお、ここでは、干渉層
９を高屈折率のＴａ２０５とし、５００ｎｍとしている
。同様Ｋ、このような光の干渉を用いた他の例を第５図
の（ｂ）〜（ｄ）に示す。干渉層９としては屈折率が大
で、透過性のあるものが望ましい。（ｂ）はＡｔ２０３
を干渉層とした場合であシ、膜厚を干渉条件に合わせれ
ば同様に反射率が下がる。（Ｃ）及び（ｄ）は記録合金
膜をＣｕ−１４重量％Ａｔ−４重量％Ｎｉ１２に置き換
えた場合であシ、第１２図の（ａ）は干渉膜９なし、Φ
）は干渉膜（ＴａｚＯｓ 、５００ｎｍ厚さ）を付加し
た膜構成における分光反射特性を示す。この場合も第１
０図のＡｇ−４０重量％Ｚｎ合金膜８と同様に、Ａｒレ
ーザ及び半導体レーザの各波長のところで反射率が著し
く下がっていることが実施例１と同様に、第６図の（ａ
）はガラス基板１０の上にスパッタ蒸着によりＡｇ−４
０重量％Ｚｎ合金膜８（膜厚１０１００ｎを設け、更に
その上にＣｒ−０Ｘ（クロム酸化物）１３を真空蒸着法
により５〜１０ｎｍ設けた。このＣｒ−０ｘは前記した
ように、反射率の高い金属情報記録層上に熱吸収層とし
て付加したものである。上述した結晶−結晶の相変化合
金膜においては、それ自身が高い反射率を有するため、
レーザ光の入熱効率が悪い。これをカバーするために記
録層上にＣｒ・０ｘ１３を設けているのである。第１３
図は、熱吸収層がある場合と、ない場合との分光反射特
性を比較したものである。この図から分かるように約３
００〜１１０００ｎの波長域において、熱吸収層付きの
膜構成のものが反射率が下がることが分かる。更に、第
６図の（ｂ）は記録層をＣｕ−１４重量％Ａｔ−４重量
％Ｎｉとし、同様にＣｒ・ＯＸを付加したものである。
この場合もやは９反射率を下げる効果があることが分か
った。又、（Ｃ）、 （ｄ）は熱吸収層１３を他にＣｕ
２Ｏ１４やＦｅ５Ｏｎ １５に置き換えた場合であるが
、同じように反射率を下げる効果がみられる。
った。又、（Ｃ）、 （ｄ）は熱吸収層１３を他にＣｕ
２Ｏ１４やＦｅ５Ｏｎ １５に置き換えた場合であるが
、同じように反射率を下げる効果がみられる。
（実施例３）
実施例１と同様に第７図は、ガラス基板１０の上にスパ
ッタ蒸着によりＡｇ−４０重置火７．ｎ合金膜８を約１
１００ｎ設け、更にその上にＣｒ−０Ｘを１０〜２Ｑｎ
ｍ真空蒸着法により設けた。このＣｒ・ＯＸは第１３図
に示した熱吸収層という性質を持たせる他に、更に厚さ
を増させて、同時に干渉による反射率の低下も狙ったも
のである。このＣｒ −Ｑｘは透過性を有するとともに
屈折率が大きいため、わずかの膜厚で大きな干渉効果が
得られた。第１４図は熱吸収及び干渉の両効果を狙った
上記膜構成の場合と、記録層８のみの場合との分光反射
特性を示す。この図から分かるように、５００〜１１０
００ｎの波長領域において干渉効果により反射率が著し
く下がると同時に、吸収効果もみられ、全体の反射率が
下がっていることが分かシ。この点では、ＴａｚＯａと
同様にＣ，ｒ−Ｑｘも反射率を下げ、レーザ光の入熱効
率を増大させるのに適したものであシ、第７図のような
膜構成は非常に実用的なものであると言える。
ッタ蒸着によりＡｇ−４０重置火７．ｎ合金膜８を約１
１００ｎ設け、更にその上にＣｒ−０Ｘを１０〜２Ｑｎ
ｍ真空蒸着法により設けた。このＣｒ・ＯＸは第１３図
に示した熱吸収層という性質を持たせる他に、更に厚さ
を増させて、同時に干渉による反射率の低下も狙ったも
のである。このＣｒ −Ｑｘは透過性を有するとともに
屈折率が大きいため、わずかの膜厚で大きな干渉効果が
得られた。第１４図は熱吸収及び干渉の両効果を狙った
上記膜構成の場合と、記録層８のみの場合との分光反射
特性を示す。この図から分かるように、５００〜１１０
００ｎの波長領域において干渉効果により反射率が著し
く下がると同時に、吸収効果もみられ、全体の反射率が
下がっていることが分かシ。この点では、ＴａｚＯａと
同様にＣ，ｒ−Ｑｘも反射率を下げ、レーザ光の入熱効
率を増大させるのに適したものであシ、第７図のような
膜構成は非常に実用的なものであると言える。
（実施例４）
実施例１と同様に、第８図はガラス基板２０の上にスパ
ッタ蒸着によりＡｇ−４０重量％７．ｎ合金膜８を約１
１００ｎ設け、更にその上にＣｒ−Ｑｘ１３ｔ−約５ｎ
ｍ真空蒸着法により設け、更に又、高速スパッタ蒸着を
用いて、その上に５０μｍの５ｉＣｈｌＯを設けた。こ
の場合、Ｃｒ・ＯＸは実施例２の熱吸収層に相当するも
のであるが、部厚ぐ膜付けした８１０＞は透明保護層で
あり、記録媒体の保護の効果以外に、ある程度の大きさ
を有するＶ−ザ光が記録膜上で急速にしぼられるため、
再生時において、ある寸法以下のゴミ、ホコリなどによ
るＳＮ低下を防ぐ効果を有する。この透明保護層の別の
構成としては、（ｂ）図に示すように、記録膜８及び干
渉層９の上に、更にガラス基板１０を接着する方法もあ
る。すなわち、ガラス基板１０（厚さｉ、 ２１ＥＩ＋
）自体が上記透明保護層として８Ｎ比低下を防ぐ効果
を発揮することができる。
ッタ蒸着によりＡｇ−４０重量％７．ｎ合金膜８を約１
１００ｎ設け、更にその上にＣｒ−Ｑｘ１３ｔ−約５ｎ
ｍ真空蒸着法により設け、更に又、高速スパッタ蒸着を
用いて、その上に５０μｍの５ｉＣｈｌＯを設けた。こ
の場合、Ｃｒ・ＯＸは実施例２の熱吸収層に相当するも
のであるが、部厚ぐ膜付けした８１０＞は透明保護層で
あり、記録媒体の保護の効果以外に、ある程度の大きさ
を有するＶ−ザ光が記録膜上で急速にしぼられるため、
再生時において、ある寸法以下のゴミ、ホコリなどによ
るＳＮ低下を防ぐ効果を有する。この透明保護層の別の
構成としては、（ｂ）図に示すように、記録膜８及び干
渉層９の上に、更にガラス基板１０を接着する方法もあ
る。すなわち、ガラス基板１０（厚さｉ、 ２１ＥＩ＋
）自体が上記透明保護層として８Ｎ比低下を防ぐ効果
を発揮することができる。
（実施例５）
実施例１と同様に、第９図の（ａ）はガラス基板１０の
上にスパッタ蒸着によりＡｇ−４０重量％Ｚｎ合金膜８
を約１１００ｎ設け、その上に熱吸収層のＣｒ・０ｘ１
３を５ｎｍ真空蒸着し、更にその上に干渉層のＴａｚＯ
ｓＱをスパッタ蒸着にて約５００ｎｍ設けたものである
。この膜構成によれば、干渉効果ｋ Ｔ ａ ２０ ｓ
に分担させ、次に熱吸収効果をＣｒ・Ｏｘに分担させる
ことによって、記録層８にレーザ光の投入エネルギーを
効率良く伝えることが可能である。（ｂ）図は、同様に
、熱吸収層をＣｕｚ０１４とし、更に干渉層をＡｔｚＯ
ｓ １１としたもので、やはシ、互いに熱吸収と干渉効
果を分担し、レーザ光による入熱効率を上げるのに役立
つ膜構成であるう （実施例６） 実施例１と同様に、第１０図はＰＭＭＡ１７基板上にス
パッタ蒸着により５ｉＯｚｌＯを約１１００ｎ設け、そ
の上にＡｇ−４０重量％Ｚｎ８ｔｌ−約１１００ｎ設け
、更にその上に熱吸収層のＣｒ・０Ｘ１３を約５ｎｍ設
け、この上にもう一度５ｉ（ｈｌ。
上にスパッタ蒸着によりＡｇ−４０重量％Ｚｎ合金膜８
を約１１００ｎ設け、その上に熱吸収層のＣｒ・０ｘ１
３を５ｎｍ真空蒸着し、更にその上に干渉層のＴａｚＯ
ｓＱをスパッタ蒸着にて約５００ｎｍ設けたものである
。この膜構成によれば、干渉効果ｋ Ｔ ａ ２０ ｓ
に分担させ、次に熱吸収効果をＣｒ・Ｏｘに分担させる
ことによって、記録層８にレーザ光の投入エネルギーを
効率良く伝えることが可能である。（ｂ）図は、同様に
、熱吸収層をＣｕｚ０１４とし、更に干渉層をＡｔｚＯ
ｓ １１としたもので、やはシ、互いに熱吸収と干渉効
果を分担し、レーザ光による入熱効率を上げるのに役立
つ膜構成であるう （実施例６） 実施例１と同様に、第１０図はＰＭＭＡ１７基板上にス
パッタ蒸着により５ｉＯｚｌＯを約１１００ｎ設け、そ
の上にＡｇ−４０重量％Ｚｎ８ｔｌ−約１１００ｎ設け
、更にその上に熱吸収層のＣｒ・０Ｘ１３を約５ｎｍ設
け、この上にもう一度５ｉ（ｈｌ。
を約１１００ｎ設ける。すなわち、記録層と熱吸収層を
熱絶縁効果の高い５ｉ０２１０によってサンドインチし
た膜構成である。この８ｉ０ｚｌｏは熱吸収層及び記録
層内で発熱したエネルギーを分散させないで、相変化に
寄与する入熱分布をせまく、効率良くしようとするもの
である。
熱絶縁効果の高い５ｉ０２１０によってサンドインチし
た膜構成である。この８ｉ０ｚｌｏは熱吸収層及び記録
層内で発熱したエネルギーを分散させないで、相変化に
寄与する入熱分布をせまく、効率良くしようとするもの
である。
（実施例７）
第１図は本発明の情報記録媒体の部分断面構成図である
。本実施例は前述の実施例で記載した方法と同様に製造
される。シリカガラス基板７に対してトラッキング用溝
１９がエツチング等によって形成され、その上に実施例
１と同様にＡｇ−３５重量％Ｚｎ合金が約ｌＱＱｎｍの
厚さに設けられ、その上にＴａ２０５からなる干渉層９
が約５００ ｎ ｍの厚さに設けられ、次いでＰＭＭＡ
の透明層４が設けられている。本衷施例によれば、レン
ズ２０によってフォーカスされたレーザ光１８による光
エネルギーを干渉層２によって有効に記録層１に与える
ことができるので小さいエネルギーで情報の記録、再生
、消去が可能となる。
。本実施例は前述の実施例で記載した方法と同様に製造
される。シリカガラス基板７に対してトラッキング用溝
１９がエツチング等によって形成され、その上に実施例
１と同様にＡｇ−３５重量％Ｚｎ合金が約ｌＱＱｎｍの
厚さに設けられ、その上にＴａ２０５からなる干渉層９
が約５００ ｎ ｍの厚さに設けられ、次いでＰＭＭＡ
の透明層４が設けられている。本衷施例によれば、レン
ズ２０によってフォーカスされたレーザ光１８による光
エネルギーを干渉層２によって有効に記録層１に与える
ことができるので小さいエネルギーで情報の記録、再生
、消去が可能となる。
本発明によれば、特に結晶−結晶間の相変化による分光
反射率差を利用した光デイスク記録媒体としてエネルギ
ーの利用効率の高い膜構成が得られる効果がある。
反射率差を利用した光デイスク記録媒体としてエネルギ
ーの利用効率の高い膜構成が得られる効果がある。
第１図は本発明の情報記録媒体の部分断面斜視図、第２
図及び第３図は本発明の情報記録媒体の断面構成図、第
４図は本発明の記録層に係る二元合金系の平衡状態図、
第５図〜第１０図は本発明の実施例に示した情報記録媒
体の断面構成図、第１１図〜第１４図は分光反射率特性
を示す線図である。 １・・・記録層、２・・・干渉層、２′・・・干渉及び
吸込層、３・・・熱吸収層、４・・・透明層、５・・・
熱絶縁層、６・・・保護層、７・・・媒体支持層、８・
・・Ａｇ ４０Ｚｎ。 ９−Ｔａ２’ｓ ％ １０−８ｉＯｚ 、１１−Ａｌ
ｔｏｓ、１２・ Ｃｕ−１５％Ａｔ−４％Ｎｉ合金、１
３ ・・・Ｃｒ −Ｏｘ、 １４−Ｃｕ２Ｏ，１５−Ｆ
ｅ３Ｏ４，１６−Ｔａ２０５−ｘ 、 １７・”ＰＭＭ
Ａ、 １８−レーザ光、１９・・・トラッキング用溝
、２０・・・レンズ。 １３ 図 に）６ｂ） （Ｃ） （４） 第４図 弔 ５Ｉ２Ｉｌ （ＣＬ）（ｂ） ＜ｃ） ＜ｄ＞ 第６ 図 （α）（ｂ） 算ｑ 図 尊−８図 （ｂ） 第９ 口 （幻 （ｂ） ■１１ 図 （ａ） （ｂ） 波長（外電） 茎！２０ （α） （ｂ） 弧長（７ｔ７ｔ） ￥１３ Ｃ 算７４図 波長（ｎ夙つ
図及び第３図は本発明の情報記録媒体の断面構成図、第
４図は本発明の記録層に係る二元合金系の平衡状態図、
第５図〜第１０図は本発明の実施例に示した情報記録媒
体の断面構成図、第１１図〜第１４図は分光反射率特性
を示す線図である。 １・・・記録層、２・・・干渉層、２′・・・干渉及び
吸込層、３・・・熱吸収層、４・・・透明層、５・・・
熱絶縁層、６・・・保護層、７・・・媒体支持層、８・
・・Ａｇ ４０Ｚｎ。 ９−Ｔａ２’ｓ ％ １０−８ｉＯｚ 、１１−Ａｌ
ｔｏｓ、１２・ Ｃｕ−１５％Ａｔ−４％Ｎｉ合金、１
３ ・・・Ｃｒ −Ｏｘ、 １４−Ｃｕ２Ｏ，１５−Ｆ
ｅ３Ｏ４，１６−Ｔａ２０５−ｘ 、 １７・”ＰＭＭ
Ａ、 １８−レーザ光、１９・・・トラッキング用溝
、２０・・・レンズ。 １３ 図 に）６ｂ） （Ｃ） （４） 第４図 弔 ５Ｉ２Ｉｌ （ＣＬ）（ｂ） ＜ｃ） ＜ｄ＞ 第６ 図 （α）（ｂ） 算ｑ 図 尊−８図 （ｂ） 第９ 口 （幻 （ｂ） ■１１ 図 （ａ） （ｂ） 波長（外電） 茎！２０ （α） （ｂ） 弧長（７ｔ７ｔ） ￥１３ Ｃ 算７４図 波長（ｎ夙つ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、エネルギーの入射による加熱によつて情報を記録す
る記録層を有するものにおいて、前記記録層のエネルギ
ー入射側に該入射エネルギーの干渉層及び吸収層の少な
くとも一方が設けられていることを特徴とする情報記録
媒体。 ２、前記記録層は高温の固体状態からの急冷により室温
での平衡相と異なる結晶構造を形成する金属又は合金か
らなる特許請求の範囲第１項に記載の情報記録媒体。 ３、前記記録層上に熱吸収層及び干渉層の順に設けられ
ている特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の情報記
録媒体。 ４、前記干渉層は酸化タンタル、酸化クロム、酸化チタ
ン、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムから選ばれる特許
請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の情報記録
媒体。 ５、前記吸収層は酸化クロム、酸化銅及び四三酸化鉄か
ら選ばれる特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに
記載の情報記録媒体。 ６、前記干渉層及び吸収層の少なくとも一方が前記記録
層の支持体である特許請求の範囲第１項〜第５項のいず
れかに記載の情報記録媒体。 ７、基体上に、エネルギーの入射による加熱によつて情
報を記録する記録層を有するものにおいて、前記記録層
のエネルギー入射側に該入射エネルギーの干渉層及び吸
収層の少なくとも一方が設けられていることを特徴とす
る情報記録媒体。 ８、前記基体は円盤又はテープである特許請求の範囲第
７項に記載の情報記録媒体。 ９、前記基板にはトラッキング用溝が設けられている特
許請求の範囲第８項に記載の情報記録媒体。 １０、エネルギーの入射による加熱によつて情報を記録
する記録層を有するものにおいて、前記記録層のエネル
ギー入射側に該入射エネルギーの干渉層及び吸収層の少
なくとも一方が設けられ、前記干渉層及び吸収層の前記
エネルギー入射側及び前記記録層のエネルギー入射側の
反対側の少なくとも一方に熱絶縁層が設けられているこ
とを特徴とする情報記録媒体。 １１、前記記録層のエネルギー入射側に熱吸収層、干渉
層及び熱絶縁層が順次設けられている特許請求の範囲第
１０項に記載の情報記録媒体。 １２、高温の固体状態からの急冷によつて室温での平衡
相と異なる結晶構造を形成する金属又は合金からなる情
報記録層であつて、少なくとも記録された情報を再生す
る側の記録層上に光透過性で外気をしや断する保護層が
設けられていることを特徴とする情報記録媒体。 １３、前記記録層は薄膜であつて円盤又はテープ状の基
板上に設けられている特許請求の範囲第１２項に記載の
情報記録媒体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59255301A JPS61134294A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 情報の記録・消去方法 |
| US06/801,950 US4651172A (en) | 1984-11-29 | 1985-11-26 | Information recording medium |
| CA000496335A CA1238489A (en) | 1984-11-29 | 1985-11-27 | Information recording medium |
| EP85308665A EP0186329B1 (en) | 1984-11-29 | 1985-11-28 | Information recording medium |
| DE8585308665T DE3583599D1 (de) | 1984-11-29 | 1985-11-28 | Informationsaufzeichnungsmedium. |
| KR1019850008929A KR920001263B1 (ko) | 1984-11-29 | 1985-11-29 | 정보의 기록 · 소거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59255301A JPS61134294A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 情報の記録・消去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134294A true JPS61134294A (ja) | 1986-06-21 |
| JPH0448113B2 JPH0448113B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=17276871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59255301A Granted JPS61134294A (ja) | 1984-11-29 | 1984-12-03 | 情報の記録・消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134294A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240171A (en) * | 1987-05-21 | 1993-08-31 | Lanxide Technology Company, Lp | Method for surface bonding of ceramic bodies |
| WO2004057593A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Writable optical record carrier |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118558A (en) * | 1974-08-06 | 1976-02-14 | Canon Kk | Reezaabiimuno kirokubaitaino seizohoho |
| JPS5174632A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-28 | Canon Kk | |
| JPS5177325A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS51134633A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-22 | Canon Inc | Recording medium |
| JPS56124136A (en) * | 1980-02-01 | 1981-09-29 | Thomson Csf | Reversible memory structure |
| JPS57111839A (en) * | 1980-05-14 | 1982-07-12 | Rca Corp | Reversible information recording body and method of reversibly recording and erasing information to said recording body |
-
1984
- 1984-12-03 JP JP59255301A patent/JPS61134294A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118558A (en) * | 1974-08-06 | 1976-02-14 | Canon Kk | Reezaabiimuno kirokubaitaino seizohoho |
| JPS5174632A (ja) * | 1974-12-24 | 1976-06-28 | Canon Kk | |
| JPS5177325A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS51134633A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-22 | Canon Inc | Recording medium |
| JPS56124136A (en) * | 1980-02-01 | 1981-09-29 | Thomson Csf | Reversible memory structure |
| JPS57111839A (en) * | 1980-05-14 | 1982-07-12 | Rca Corp | Reversible information recording body and method of reversibly recording and erasing information to said recording body |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240171A (en) * | 1987-05-21 | 1993-08-31 | Lanxide Technology Company, Lp | Method for surface bonding of ceramic bodies |
| WO2004057593A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Writable optical record carrier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0448113B2 (ja) | 1992-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |