JP3071243B2 - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光記録媒体およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3071243B2 JP3071243B2 JP3119474A JP11947491A JP3071243B2 JP 3071243 B2 JP3071243 B2 JP 3071243B2 JP 3119474 A JP3119474 A JP 3119474A JP 11947491 A JP11947491 A JP 11947491A JP 3071243 B2 JP3071243 B2 JP 3071243B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- recording medium
- optical recording
- medium according
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体およびその製
造方法に関し、特にコンパクトディスク規格に対応する
再生が可能な光記録媒体およびその製造方法に関する。
造方法に関し、特にコンパクトディスク規格に対応する
再生が可能な光記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】大容量情報記録媒体として、光記録ディ
スク等の光記録媒体が注目されている。光記録媒体とし
ては、相変化型光記録媒体や光磁気記録媒体等の書き換
え可能タイプ、あるいはピット形成型光記録媒体等の追
記タイプなどがある。
スク等の光記録媒体が注目されている。光記録媒体とし
ては、相変化型光記録媒体や光磁気記録媒体等の書き換
え可能タイプ、あるいはピット形成型光記録媒体等の追
記タイプなどがある。
【０００３】近年、コンパクトディスク（以下、ＣＤと
略称する）規格に対応して追記ないし記録を行なうこと
のできる光記録ディスクが提案されている（日経エレク
トロニクス１９８９年１月２３日号，Ｎｏ．４６５，Ｐ
１０７、社団法人近畿化学協会機能性色素部会，１９８
９年３月３日，大阪科学技術センター、SPIE vol 1078Op
tical Data Storage Topical Meeting, 80 1989等）。
この光記録ディスクは、透明樹脂基板上に、色素層、Ａ
ｕ反射層および保護膜をこの順に設層して形成される。
すなわち、反射層を色素層に密着して設けるものであ
る。
略称する）規格に対応して追記ないし記録を行なうこと
のできる光記録ディスクが提案されている（日経エレク
トロニクス１９８９年１月２３日号，Ｎｏ．４６５，Ｐ
１０７、社団法人近畿化学協会機能性色素部会，１９８
９年３月３日，大阪科学技術センター、SPIE vol 1078Op
tical Data Storage Topical Meeting, 80 1989等）。
この光記録ディスクは、透明樹脂基板上に、色素層、Ａ
ｕ反射層および保護膜をこの順に設層して形成される。
すなわち、反射層を色素層に密着して設けるものであ
る。
【０００４】しかし、この光記録ディスクは有機色素を
用いているため耐候性、特に耐光性が低く、例えば太陽
光中の紫外線などにより色素が劣化してしまう。このた
め、記録前であっても記録後であっても、長期にわたっ
て信頼性の高い保存を行なうことが難しい。
用いているため耐候性、特に耐光性が低く、例えば太陽
光中の紫外線などにより色素が劣化してしまう。このた
め、記録前であっても記録後であっても、長期にわたっ
て信頼性の高い保存を行なうことが難しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情からなされたものであり、ＣＤ規格に対応する再生
が可能で、しかも耐光性の高い光記録媒体およびその製
造方法を提供することを目的とする。
事情からなされたものであり、ＣＤ規格に対応する再生
が可能で、しかも耐光性の高い光記録媒体およびその製
造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（１８）の本発明によって達成される。 （１） 基板表面に、記録薄膜、誘電体薄膜および反射
薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、加熱により分解
してガスを放出する無機化合物として酸化銀または窒化
鉄を含有することを特徴とする光記録媒体。 （２） 前記無機化合物のガスを放出する温度が３００
℃以下である上記（１）に記載の光記録媒体。 （３） 前記ガスが酸素または窒素である上記（１）ま
たは（２）に記載の光記録媒体。 （４） 前記誘電体薄膜が酸化ケイ素を含有する上記
（１）ないし（３）のいずれかに記載の光記録媒体。 （５） 前記記録薄膜の厚さが６００〜１５００A であ
り、前記誘電体薄膜の厚さが５００〜４０００A である
上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の光記録媒
体。 （６） 前記基板と前記記録薄膜との間に、低融点薄膜
を有する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の光
記録媒体。 （７） 前記低融点薄膜の厚さが１０〜２００A である
上記（６）に記載の光記録媒体。 （８） 前記低融点薄膜が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、
Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄまたは
Ｉから構成される上記（６）または（７）に記載の光記
録媒体。 （９） 前記反射薄膜の厚さが３００〜１５００A であ
る上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の光記録媒
体。 （１０） 前記反射薄膜がＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔまた
はＣｕから構成される上記（１）ないし（９）のいずれ
かに記載の光記録媒体。 （１１） 基板の記録光照射部表面に凹部が存在する上
記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の光記録媒
体。 （１２） 波長３００〜９００nmにおける反射率が、未
記録部で７０％以上であり、記録部で５０％以下である
上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の光記録媒
体。 （１３） 上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載
の光記録媒体を製造する方法であって、前記記録薄膜が
反応性スパッタ法により形成されることを特徴とする光
記録媒体の製造方法。 （１４） 前記記録薄膜が、酸素ガスを含有する雰囲気
中においてＡｇをターゲットとして反応性スパッタによ
り形成される上記（１３）に記載の光記録媒体の製造方
法。 （１５） 前記反応性スパッタに際して、全てのガスの
合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％とする上
記（１４）に記載の光記録媒体の製造方法。 （１６） 前記記録薄膜が、窒素ガスを含有する雰囲気
中においてＦｅをターゲットとして反応性スパッタによ
り形成される上記（１３）に記載の光記録媒体の製造方
法。 （１７） 前記反応性スパッタに際して、全てのガスの
合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０％とする上
記（１６）に記載の光記録媒体の製造方法。 （１８） 前記反応性スパッタ時の圧力が３×１０-1〜
１．０Paである上記（１４）ないし（１７）のいずれか
に記載の光記録媒体の製造方法。
（１）〜（１８）の本発明によって達成される。 （１） 基板表面に、記録薄膜、誘電体薄膜および反射
薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、加熱により分解
してガスを放出する無機化合物として酸化銀または窒化
鉄を含有することを特徴とする光記録媒体。 （２） 前記無機化合物のガスを放出する温度が３００
℃以下である上記（１）に記載の光記録媒体。 （３） 前記ガスが酸素または窒素である上記（１）ま
たは（２）に記載の光記録媒体。 （４） 前記誘電体薄膜が酸化ケイ素を含有する上記
（１）ないし（３）のいずれかに記載の光記録媒体。 （５） 前記記録薄膜の厚さが６００〜１５００A であ
り、前記誘電体薄膜の厚さが５００〜４０００A である
上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の光記録媒
体。 （６） 前記基板と前記記録薄膜との間に、低融点薄膜
を有する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の光
記録媒体。 （７） 前記低融点薄膜の厚さが１０〜２００A である
上記（６）に記載の光記録媒体。 （８） 前記低融点薄膜が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、
Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄまたは
Ｉから構成される上記（６）または（７）に記載の光記
録媒体。 （９） 前記反射薄膜の厚さが３００〜１５００A であ
る上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の光記録媒
体。 （１０） 前記反射薄膜がＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔまた
はＣｕから構成される上記（１）ないし（９）のいずれ
かに記載の光記録媒体。 （１１） 基板の記録光照射部表面に凹部が存在する上
記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の光記録媒
体。 （１２） 波長３００〜９００nmにおける反射率が、未
記録部で７０％以上であり、記録部で５０％以下である
上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の光記録媒
体。 （１３） 上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載
の光記録媒体を製造する方法であって、前記記録薄膜が
反応性スパッタ法により形成されることを特徴とする光
記録媒体の製造方法。 （１４） 前記記録薄膜が、酸素ガスを含有する雰囲気
中においてＡｇをターゲットとして反応性スパッタによ
り形成される上記（１３）に記載の光記録媒体の製造方
法。 （１５） 前記反応性スパッタに際して、全てのガスの
合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％とする上
記（１４）に記載の光記録媒体の製造方法。 （１６） 前記記録薄膜が、窒素ガスを含有する雰囲気
中においてＦｅをターゲットとして反応性スパッタによ
り形成される上記（１３）に記載の光記録媒体の製造方
法。 （１７） 前記反応性スパッタに際して、全てのガスの
合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０％とする上
記（１６）に記載の光記録媒体の製造方法。 （１８） 前記反応性スパッタ時の圧力が３×１０-1〜
１．０Paである上記（１４）ないし（１７）のいずれか
に記載の光記録媒体の製造方法。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【作用】図１に示されるように、本発明の光記録媒体１
は、基板２の表面に記録薄膜３、誘電体薄膜４および反
射薄膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられ
ている。
は、基板２の表面に記録薄膜３、誘電体薄膜４および反
射薄膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられ
ている。
【００２７】記録時には、基板２の裏面側から基板２を
通して記録レーザー光が照射され、記録薄膜３が加熱さ
れる。記録薄膜は、加熱により分解してガスを放出する
無機化合物として酸化銀または窒化鉄を含有するので、
記録レーザー光照射により記録薄膜３からガスが放出さ
れる。記録薄膜３が酸化銀を含有する場合、酸化銀は１
６０℃程度でＡｇとＯ2 とに分解する。また、記録薄膜
３が窒化鉄を含有する場合、２００℃程度で窒化鉄から
窒素が放出される。そして、図１および図２に示される
ように、発生したガスにより記録薄膜３中に空隙３１が
形成される。また、記録薄膜３近傍の樹脂製基板２は加
熱されて軟化しているため、発生したガスの圧力により
記録薄膜３との界面に凹部２１が形成される。
通して記録レーザー光が照射され、記録薄膜３が加熱さ
れる。記録薄膜は、加熱により分解してガスを放出する
無機化合物として酸化銀または窒化鉄を含有するので、
記録レーザー光照射により記録薄膜３からガスが放出さ
れる。記録薄膜３が酸化銀を含有する場合、酸化銀は１
６０℃程度でＡｇとＯ2 とに分解する。また、記録薄膜
３が窒化鉄を含有する場合、２００℃程度で窒化鉄から
窒素が放出される。そして、図１および図２に示される
ように、発生したガスにより記録薄膜３中に空隙３１が
形成される。また、記録薄膜３近傍の樹脂製基板２は加
熱されて軟化しているため、発生したガスの圧力により
記録薄膜３との界面に凹部２１が形成される。
【００２８】これらの空隙や凹部などが生じることによ
り、記録レーザー光照射部の光学定数や光路長等の光学
的条件が変化し、反射率が低下する。また、凹部の底部
は粗面化しているため、これによっても反射率が低下す
る。
り、記録レーザー光照射部の光学定数や光路長等の光学
的条件が変化し、反射率が低下する。また、凹部の底部
は粗面化しているため、これによっても反射率が低下す
る。
【００２９】このようにして生じる光反射率の変化は不
可逆的であるので、追記型の光記録媒体として使用する
ことができる。そして、ＣＤに対して用いられている７
８０nm近傍の光の反射率は、レーザー光照射前で７０％
以上あり、照射後には５０％程度以下、特に、記録薄膜
に用いる無機化合物を選択することにより２０％程度以
下まで低下するので、ＣＤ規格対応の追記型光記録ディ
スクとしての使用が可能である。
可逆的であるので、追記型の光記録媒体として使用する
ことができる。そして、ＣＤに対して用いられている７
８０nm近傍の光の反射率は、レーザー光照射前で７０％
以上あり、照射後には５０％程度以下、特に、記録薄膜
に用いる無機化合物を選択することにより２０％程度以
下まで低下するので、ＣＤ規格対応の追記型光記録ディ
スクとしての使用が可能である。
【００３０】また、誘電体薄膜等の厚さを調整すること
により、３００〜９００nm程度の波長範囲においてこの
ような反射率変化が得られるので、短波長記録が可能で
あり、より高い記録密度とすることが可能である。
により、３００〜９００nm程度の波長範囲においてこの
ような反射率変化が得られるので、短波長記録が可能で
あり、より高い記録密度とすることが可能である。
【００３１】また、図２に示されるように、本発明の光
記録媒体１において、基板２と記録薄膜３との間に低融
点薄膜７を設けた場合、低融点薄膜７が吸熱作用を示す
ため、記録感度が向上する。このため、例えば３Ｔ信号
などの短い信号の記録が低パワーのレーザー光で良好に
行なえる。
記録媒体１において、基板２と記録薄膜３との間に低融
点薄膜７を設けた場合、低融点薄膜７が吸熱作用を示す
ため、記録感度が向上する。このため、例えば３Ｔ信号
などの短い信号の記録が低パワーのレーザー光で良好に
行なえる。
【００３２】なお、特公昭６３−５６９２０号公報に
は、「Ａｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系の化合物で構成することを
特徴とする光学記録材料」が開示されている。この光学
記録材料は、光照射により黒化し加熱により褪色すると
いうＡｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系化合物の性質を利用したもの
であり、酸化銀を含有する記録薄膜と酸化ケイ素を含有
する誘電体薄膜とを積層するという本発明の光記録媒体
の構成とは異なる。また、その作用も本発明とは全く異
なるものである。そして、同公報の記載によれば、初期
反射率が４０％未満で、光照射後の反射率低下は８％に
過ぎず、ＣＤ規格対応の光記録媒体として用いることは
不可能である。
は、「Ａｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系の化合物で構成することを
特徴とする光学記録材料」が開示されている。この光学
記録材料は、光照射により黒化し加熱により褪色すると
いうＡｇ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系化合物の性質を利用したもの
であり、酸化銀を含有する記録薄膜と酸化ケイ素を含有
する誘電体薄膜とを積層するという本発明の光記録媒体
の構成とは異なる。また、その作用も本発明とは全く異
なるものである。そして、同公報の記載によれば、初期
反射率が４０％未満で、光照射後の反射率低下は８％に
過ぎず、ＣＤ規格対応の光記録媒体として用いることは
不可能である。
【００３３】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００３４】図１に本発明の光記録媒体の好適実施例を
示す。
示す。
【００３５】同図に示されるように、光記録媒体１は、
基板２の表面に記録薄膜３、誘電体薄膜４および反射薄
膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられてい
る。
基板２の表面に記録薄膜３、誘電体薄膜４および反射薄
膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられてい
る。
【００３６】［基板２］光記録媒体１では、基板２を通
して記録薄膜３に記録光および再生光が照射されるの
で、基板２はこれらの光に対して実質的に透明である必
要がある。また、基板２は、記録薄膜３から発生するガ
スの圧力により凹部が形成される必要があるので、基板
２の材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アクリ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオ
レフィン樹脂等の各種樹脂を用いればよい。
して記録薄膜３に記録光および再生光が照射されるの
で、基板２はこれらの光に対して実質的に透明である必
要がある。また、基板２は、記録薄膜３から発生するガ
スの圧力により凹部が形成される必要があるので、基板
２の材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アクリ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオ
レフィン樹脂等の各種樹脂を用いればよい。
【００３７】基板２の形状および寸法は特に限定されな
いが、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、
０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。
いが、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、
０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。
【００３８】基板２の表面には、トラッキング用やアド
レス用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要
に応じて設けられる。例えば、図示例の光記録媒体には
グルーブが設けられており、記録光はグルーブ内に照射
される。
レス用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要
に応じて設けられる。例えば、図示例の光記録媒体には
グルーブが設けられており、記録光はグルーブ内に照射
される。
【００３９】［記録薄膜３］記録薄膜３は、加熱により
分解してガスを放出する無機化合物を含有する。無機化
合物がガスを放出する温度は、３００℃以下であること
が好ましい。また、放出されるガスの種類に特に制限は
ないが、常温付近でガスとして安定に存在すること、無
毒性であることなどから、前記ガスは酸素または窒素で
あることが好ましい。
分解してガスを放出する無機化合物を含有する。無機化
合物がガスを放出する温度は、３００℃以下であること
が好ましい。また、放出されるガスの種類に特に制限は
ないが、常温付近でガスとして安定に存在すること、無
毒性であることなどから、前記ガスは酸素または窒素で
あることが好ましい。
【００４０】このようなことから、酸素ガスや窒素ガス
を発生する無機化合物としては、酸化銀または窒化鉄を
用いる。酸化銀を用いる場合、記録薄膜３中の酸素の含
有比率は、５〜５０原子％、特に１０〜３０原子％であ
ることが好ましい。また、窒化鉄を用いる場合、記録薄
膜３中の窒素の含有比率は、５〜５０原子％、特に１０
〜３０原子％であることが好ましい。記録薄膜３は、酸
化銀だけ、あるいは窒化鉄だけから構成されることが好
ましいが、他にＳｎ、Ｚｎ等の元素が合計で１０原子％
程度以下含有されていてもよい。
を発生する無機化合物としては、酸化銀または窒化鉄を
用いる。酸化銀を用いる場合、記録薄膜３中の酸素の含
有比率は、５〜５０原子％、特に１０〜３０原子％であ
ることが好ましい。また、窒化鉄を用いる場合、記録薄
膜３中の窒素の含有比率は、５〜５０原子％、特に１０
〜３０原子％であることが好ましい。記録薄膜３は、酸
化銀だけ、あるいは窒化鉄だけから構成されることが好
ましいが、他にＳｎ、Ｚｎ等の元素が合計で１０原子％
程度以下含有されていてもよい。
【００４１】記録薄膜の厚さは、６００〜１５００A 、
特に７００〜１２００A であることが好ましい。厚さが
前記範囲未満であると記録が困難となり、前記範囲を超
えると記録薄膜での光吸収のために反射率が不十分とな
る。
特に７００〜１２００A であることが好ましい。厚さが
前記範囲未満であると記録が困難となり、前記範囲を超
えると記録薄膜での光吸収のために反射率が不十分とな
る。
【００４２】記録薄膜３は、スパッタ法や蒸着法などの
気相成長法により形成されることが好ましく、特に、酸
素ガスや窒素ガス等を反応性ガスとして用いる反応性ス
パッタ法により形成されることが好ましい。
気相成長法により形成されることが好ましく、特に、酸
素ガスや窒素ガス等を反応性ガスとして用いる反応性ス
パッタ法により形成されることが好ましい。
【００４３】酸化銀からなる記録薄膜を形成する場合、
酸素ガスを含有する雰囲気中において、Ａｇをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。酸素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、酸素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜７０％とすること
が好ましい。酸素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の酸素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。
酸素ガスを含有する雰囲気中において、Ａｇをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。酸素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、酸素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜７０％とすること
が好ましい。酸素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の酸素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。
【００４４】窒化鉄からなる記録薄膜を形成する場合、
窒素ガスを含有する雰囲気中において、Ｆｅをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。窒素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、窒素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜２０％とすること
が好ましい。窒素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の窒素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。
窒素ガスを含有する雰囲気中において、Ｆｅをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。窒素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、窒素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜２０％とすること
が好ましい。窒素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の窒素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。
【００４５】酸化銀形成の際および窒化鉄形成の際の反
応性スパッタ時の圧力は、好ましくは３×１０-1〜１．
０Pa、より好ましくは５×１０-1〜９×１０-1Pa、特に
好ましくは５×１０-1〜８×１０-1Paである。
応性スパッタ時の圧力は、好ましくは３×１０-1〜１．
０Pa、より好ましくは５×１０-1〜９×１０-1Pa、特に
好ましくは５×１０-1〜８×１０-1Paである。
【００４６】なお、反応性スパッタにはＤＣスパッタ法
を用いてもよいが、高周波スパッタ法を用いることが好
ましい。
を用いてもよいが、高周波スパッタ法を用いることが好
ましい。
【００４７】［誘電体薄膜４］誘電体薄膜４は、各種誘
電体から構成される。用いる誘電体は特に限定されない
が、記録薄膜３が酸化銀を含有する場合は、誘電体薄膜
４を酸化ケイ素から構成すれば記録感度が向上する。な
お、酸化ケイ素としては、通常、ＳｉＯ2 で表わされる
組成を有するものを用いることが好ましい。また、記録
薄膜３が窒化鉄を含有する場合は、誘電体薄膜４を、通
常Ｓｉ3 Ｎ4 で表わされる窒化ケイ素から構成すれば記
録感度が向上する。
電体から構成される。用いる誘電体は特に限定されない
が、記録薄膜３が酸化銀を含有する場合は、誘電体薄膜
４を酸化ケイ素から構成すれば記録感度が向上する。な
お、酸化ケイ素としては、通常、ＳｉＯ2 で表わされる
組成を有するものを用いることが好ましい。また、記録
薄膜３が窒化鉄を含有する場合は、誘電体薄膜４を、通
常Ｓｉ3 Ｎ4 で表わされる窒化ケイ素から構成すれば記
録感度が向上する。
【００４８】なお、誘電体としては、この他、透明な各
種セラミクスや各種ガラスなどを用いてもよく、例え
ば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、
Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるい
はＹを含有するSiAlON等を好ましく用いることができ
る。
種セラミクスや各種ガラスなどを用いてもよく、例え
ば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、
Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるい
はＹを含有するSiAlON等を好ましく用いることができ
る。
【００４９】誘電体薄膜４の厚さは、用いる誘電体の屈
折率等に応じて適宜設定すればよく、例えば誘電体とし
てＳｉＯ2 を用いる場合、好ましくは５００〜４０００
A 、より好ましくは１８００〜３５００A 、さらに好ま
しくは２５００〜３３００Aである。また、屈折率がＳ
ｉＯ2とは異なる誘電体を用いる場合の好ましい厚さ
は、その誘電体の屈折率でＳｉＯ2 の屈折率を除した値
を上記したＳｉＯ2 の好ましい厚さ範囲に乗じて求めれ
ばよい。誘電体薄膜４の厚さが好ましい範囲を外れる
と、十分な反射率およびその変化を得ることが困難とな
る。
折率等に応じて適宜設定すればよく、例えば誘電体とし
てＳｉＯ2 を用いる場合、好ましくは５００〜４０００
A 、より好ましくは１８００〜３５００A 、さらに好ま
しくは２５００〜３３００Aである。また、屈折率がＳ
ｉＯ2とは異なる誘電体を用いる場合の好ましい厚さ
は、その誘電体の屈折率でＳｉＯ2 の屈折率を除した値
を上記したＳｉＯ2 の好ましい厚さ範囲に乗じて求めれ
ばよい。誘電体薄膜４の厚さが好ましい範囲を外れる
と、十分な反射率およびその変化を得ることが困難とな
る。
【００５０】誘電体薄膜４は、スパッタ法や蒸着法等の
気相成長法により形成されることが好ましい。
気相成長法により形成されることが好ましい。
【００５１】［反射薄膜５］反射薄膜５は、高反射率の
金属や合金から構成されることが好ましく、例えば、Ａ
ｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等から適宜選択すればよ
い。
金属や合金から構成されることが好ましく、例えば、Ａ
ｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等から適宜選択すればよ
い。
【００５２】反射薄膜５の厚さは、３００〜１５００A
とすることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十
分な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても
反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。
とすることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十
分な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても
反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。
【００５３】反射薄膜５は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成されることが好ましい。
相成長法により形成されることが好ましい。
【００５４】［保護膜６］保護膜６は、耐擦傷性や耐食
性の向上のために設けられるものであり、種々の有機系
の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線
硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射
線により硬化させた物質から構成されることが好まし
い。
性の向上のために設けられるものであり、種々の有機系
の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線
硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射
線により硬化させた物質から構成されることが好まし
い。
【００５５】保護膜６の厚さは、通常、０．１〜１００
μm 程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプレ
ーコート、ディッピング等、通常の方法により形成すれ
ばよい。
μm 程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプレ
ーコート、ディッピング等、通常の方法により形成すれ
ばよい。
【００５６】［低融点薄膜７］図２に、本発明の光記録
媒体の他の実施例を示す。
媒体の他の実施例を示す。
【００５７】図２において、光記録媒体１は、基板２と
記録薄膜３との間に低融点薄膜７を有する。
記録薄膜３との間に低融点薄膜７を有する。
【００５８】低融点薄膜７は、記録感度向上のために設
けられるものであり、融点２００〜８００℃程度の物質
から構成されることが好ましい。このような物質として
は、例えば、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓ
ｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄ、Ｉ等や、これらの合
金、化合物等が挙げられ、適宜選択して用いればよい。
けられるものであり、融点２００〜８００℃程度の物質
から構成されることが好ましい。このような物質として
は、例えば、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓ
ｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄ、Ｉ等や、これらの合
金、化合物等が挙げられ、適宜選択して用いればよい。
【００５９】また、低融点の樹脂で低融点薄膜７を構成
してもよい。このような樹脂としては、例えば、ニトロ
セルロース、ポリイミド、フロオロカーボンなどが挙げ
られる。樹脂を用いる場合、低融点薄膜は蒸着法により
形成することが好ましいが、スピンコートにより形成す
ることもできる。
してもよい。このような樹脂としては、例えば、ニトロ
セルロース、ポリイミド、フロオロカーボンなどが挙げ
られる。樹脂を用いる場合、低融点薄膜は蒸着法により
形成することが好ましいが、スピンコートにより形成す
ることもできる。
【００６０】低融点薄膜７の厚さは、１０〜２００A 、
特に５０〜１００A とすることが好ましい。厚さが前記
範囲未満であると記録感度向上効果が不十分となり、前
記範囲を超えると光の吸収が多くなりすぎて十分な反射
率が得られにくくなる。
特に５０〜１００A とすることが好ましい。厚さが前記
範囲未満であると記録感度向上効果が不十分となり、前
記範囲を超えると光の吸収が多くなりすぎて十分な反射
率が得られにくくなる。
【００６１】低融点薄膜７は、スパッタ法や蒸着法等の
気相成長法により形成されることが好ましい。
気相成長法により形成されることが好ましい。
【００６２】なお、低融点薄膜７上に記録薄膜３が形成
されると、低融点薄膜７は記録薄膜３中に拡散すること
がある。
されると、低融点薄膜７は記録薄膜３中に拡散すること
がある。
【００６３】［反射率変化作用］ 図１に示される構成の光記録媒体１の基板２の裏面側か
ら記録レーザー光を照射すると、基板２を透過した記録
レーザー光は記録薄膜３を加熱する。記録薄膜３中の無
機化合物は加熱されて分解し、ガスを発生する。無機化
合物が酸化銀の場合、ＡｇとＯ2 とに分解され、Ｏ2 ガ
スが発生する。また、無機化合物が窒化鉄の場合、Ｆｅ
とＮ2 とに分解され、Ｎ2 ガスが発生する。そして、発
生したガスの圧力により記録薄膜３内には空隙３１が形
成される。
ら記録レーザー光を照射すると、基板２を透過した記録
レーザー光は記録薄膜３を加熱する。記録薄膜３中の無
機化合物は加熱されて分解し、ガスを発生する。無機化
合物が酸化銀の場合、ＡｇとＯ2 とに分解され、Ｏ2 ガ
スが発生する。また、無機化合物が窒化鉄の場合、Ｆｅ
とＮ2 とに分解され、Ｎ2 ガスが発生する。そして、発
生したガスの圧力により記録薄膜３内には空隙３１が形
成される。
【００６４】一方、記録薄膜３の温度上昇と共に記録薄
膜３近傍の基板２の温度も上昇し、基板２は軟化する。
そして、発生したガスの圧力により基板２表面に凹部２
１が形成される。なお、場合によっては、ガスの圧力に
より誘電体薄膜４側もへこむことがある。
膜３近傍の基板２の温度も上昇し、基板２は軟化する。
そして、発生したガスの圧力により基板２表面に凹部２
１が形成される。なお、場合によっては、ガスの圧力に
より誘電体薄膜４側もへこむことがある。
【００６５】また、図２のように低融点薄膜７を設けて
ある場合、記録レーザー光照射により低融点薄膜７が昇
温して融解し、これにより記録薄膜３および基板２の加
熱が促進されることになる。
ある場合、記録レーザー光照射により低融点薄膜７が昇
温して融解し、これにより記録薄膜３および基板２の加
熱が促進されることになる。
【００６６】記録レーザー光照射により形成された空隙
３１内では、屈折率ｎ（複素屈折率の実部）や消衰係数
ｋ（複素屈折率の虚部）等の光学定数が記録薄膜３内と
は異なり、また、凹部２１の存在により光路長も変わる
ので、多重反射条件が変化し、記録レーザー光照射部に
おいて反射率が著しく低下する。
３１内では、屈折率ｎ（複素屈折率の実部）や消衰係数
ｋ（複素屈折率の虚部）等の光学定数が記録薄膜３内と
は異なり、また、凹部２１の存在により光路長も変わる
ので、多重反射条件が変化し、記録レーザー光照射部に
おいて反射率が著しく低下する。
【００６７】凹部２１は、深さ５００〜１５００A 程
度、特に５００〜８００A 程度であり、走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）や走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）等によ
り寸法を測定することができる。また、凹部２１の底部
は粗面化している。このような粗面化は、無機化合物の
分解によりガスがバブル状に発生したことによるものと
考えられ、この粗面化も反射率の低下に寄与していると
考えられる。
度、特に５００〜８００A 程度であり、走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）や走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）等によ
り寸法を測定することができる。また、凹部２１の底部
は粗面化している。このような粗面化は、無機化合物の
分解によりガスがバブル状に発生したことによるものと
考えられ、この粗面化も反射率の低下に寄与していると
考えられる。
【００６８】［媒体構造］以上では、本発明をＣＤ規格
に対応する片面記録型の光記録媒体に適用する場合につ
いて説明したが、本発明は両面記録型の光記録媒体にも
適用可能である。
に対応する片面記録型の光記録媒体に適用する場合につ
いて説明したが、本発明は両面記録型の光記録媒体にも
適用可能である。
【００６９】両面記録型の光記録媒体に適用する場合、
一対の基板２、２を、記録薄膜３が内封されるように接
着する。
一対の基板２、２を、記録薄膜３が内封されるように接
着する。
【００７０】また、片面記録型であって、保護膜６上に
保護板を接着した構成とすることもできる。この場合の
保護板としては、通常、基板２と同質のものを用いれば
よいが、透明である必要はなく、その他の材質も用いる
ことができる。
保護板を接着した構成とすることもできる。この場合の
保護板としては、通常、基板２と同質のものを用いれば
よいが、透明である必要はなく、その他の材質も用いる
ことができる。
【００７１】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００７２】［実施例１］基板２の表面に、酸化銀から
構成される記録薄膜３、酸化ケイ素から構成される誘電
体薄膜４、反射薄膜５および紫外線硬化型樹脂の保護膜
６を形成し、図１に示される構成を有する光記録ディス
クサンプルNo. １を作製した。
構成される記録薄膜３、酸化ケイ素から構成される誘電
体薄膜４、反射薄膜５および紫外線硬化型樹脂の保護膜
６を形成し、図１に示される構成を有する光記録ディス
クサンプルNo. １を作製した。
【００７３】基板２には、射出成形によりグルーブを同
時形成した直径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポ
リカーボネート樹脂を用いた。
時形成した直径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポ
リカーボネート樹脂を用いた。
【００７４】記録薄膜３は、酸素ガスとＡｒガスを含む
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により８００A の厚
さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０-1Paと
し、酸素ガスの流量およびＡｒガスの流量はいずれも１
０SCCMとした。また、ターゲットにはＡｇを用い、スパ
ッタパワーは２００W とした。記録薄膜３の組成をオー
ジェ分光法により測定したところ、１０原子％の酸素を
含み、残部はＡｇであった。
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により８００A の厚
さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０-1Paと
し、酸素ガスの流量およびＡｒガスの流量はいずれも１
０SCCMとした。また、ターゲットにはＡｇを用い、スパ
ッタパワーは２００W とした。記録薄膜３の組成をオー
ジェ分光法により測定したところ、１０原子％の酸素を
含み、残部はＡｇであった。
【００７５】誘電体薄膜４は、ＳｉＯ2 をターゲットと
してスパッタ法により２７００A の厚さに形成した。
してスパッタ法により２７００A の厚さに形成した。
【００７６】反射薄膜５は、Ａｇをターゲットとしてス
パッタ法により１０００A の厚さに形成した。
パッタ法により１０００A の厚さに形成した。
【００７７】保護膜６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の厚さは５μm であった。
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の厚さは５μm であった。
【００７８】サンプルNo. １について、ＣＤ信号（３
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には８mWのレーザー光を照射し、再生
時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレー
ザー光の波長は、７８０nmとした。
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には８mWのレーザー光を照射し、再生
時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレー
ザー光の波長は、７８０nmとした。
【００７９】この結果、未記録部の反射率は７０％、記
録部の反射率は２０％であり、ＣＤ規格に対応する再生
が可能であった。
録部の反射率は２０％であり、ＣＤ規格に対応する再生
が可能であった。
【００８０】また、サンプルNo. １を切り出して酸処理
することにより、基板表面の反射薄膜、誘電体薄膜およ
び記録薄膜を溶解、剥離し、ＳＥＭにより観察したとこ
ろ、記録部の基板表面には深さ５００〜１０００A の凹
部が形成されており、この凹部の底部は、ガスがバブル
状に発生した結果とみられる粗面状態となっていた。
することにより、基板表面の反射薄膜、誘電体薄膜およ
び記録薄膜を溶解、剥離し、ＳＥＭにより観察したとこ
ろ、記録部の基板表面には深さ５００〜１０００A の凹
部が形成されており、この凹部の底部は、ガスがバブル
状に発生した結果とみられる粗面状態となっていた。
【００８１】［実施例２］記録薄膜３の厚さを９００A
、誘電体薄膜４の厚さを３２００A とし、その他は実
施例１のサンプルNo. １と同様にして光記録ディスクサ
ンプルNo. ２を作製した。
、誘電体薄膜４の厚さを３２００A とし、その他は実
施例１のサンプルNo. １と同様にして光記録ディスクサ
ンプルNo. ２を作製した。
【００８２】サンプルNo. ２について、実施例１と同様
な記録再生を行なったところ、未記録部の反射率は７８
％、記録部の反射率は８％であり、サンプルNo. １より
も高いモジュレーションが得られた。
な記録再生を行なったところ、未記録部の反射率は７８
％、記録部の反射率は８％であり、サンプルNo. １より
も高いモジュレーションが得られた。
【００８３】また、サンプルNo. ２においても、記録部
の基板表面にはサンプルNo. １と同様な凹部が形成され
ており、凹部の深さは５００〜８００A であった。
の基板表面にはサンプルNo. １と同様な凹部が形成され
ており、凹部の深さは５００〜８００A であった。
【００８４】［実施例３］基板２と記録薄膜３との間に
低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光記録デ
ィスクサンプルNo. ３を作製した。
低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光記録デ
ィスクサンプルNo. ３を作製した。
【００８５】低融点薄膜７は、ターゲットとしてＳｎを
用い、スパッタ法により５０A の厚さに形成した。
用い、スパッタ法により５０A の厚さに形成した。
【００８６】なお、低融点薄膜７以外の構成は実施例１
で作製したサンプルNo. １と同じとした。
で作製したサンプルNo. １と同じとした。
【００８７】サンプルNo. ３について、記録レーザー光
のパワーをサンプルNo. １よりも２mW低い６mWとし、再
生レーザー光のパワーを０．５mWとして記録および再生
を行なったところ、サンプルNo. １と同様にＣＤ規格に
対応する再生が可能であった。
のパワーをサンプルNo. １よりも２mW低い６mWとし、再
生レーザー光のパワーを０．５mWとして記録および再生
を行なったところ、サンプルNo. １と同様にＣＤ規格に
対応する再生が可能であった。
【００８８】また、サンプルNo. ３においても、記録部
の基板表面にはサンプルNo. １と同様な凹部が形成され
ていた。
の基板表面にはサンプルNo. １と同様な凹部が形成され
ていた。
【００８９】［実施例４］記録薄膜３を窒化鉄から構成
し、また、誘電体薄膜４を窒化ケイ素から構成し、その
他は実施例１のサンプルNo. １と同様にして光記録ディ
スクサンプルNo.４を作製した。
し、また、誘電体薄膜４を窒化ケイ素から構成し、その
他は実施例１のサンプルNo. １と同様にして光記録ディ
スクサンプルNo.４を作製した。
【００９０】記録薄膜３は、窒素ガスとＡｒガスを含む
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により８００A の厚
さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０-1Paと
し、窒素ガスの流量は１SCCMとし、Ａｒガスの流量は１
０SCCMとした。また、ターゲットにはＦｅを用い、スパ
ッタパワーは２００W とした。記録薄膜３の組成をオー
ジェ分光法により測定したところ、１０原子％の窒素を
含み、残部はＦｅであった。
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により８００A の厚
さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０-1Paと
し、窒素ガスの流量は１SCCMとし、Ａｒガスの流量は１
０SCCMとした。また、ターゲットにはＦｅを用い、スパ
ッタパワーは２００W とした。記録薄膜３の組成をオー
ジェ分光法により測定したところ、１０原子％の窒素を
含み、残部はＦｅであった。
【００９１】誘電体薄膜４は、Ｓｉ3 Ｎ4 をターゲット
としてスパッタ法により２３００Aの厚さに形成した。
としてスパッタ法により２３００Aの厚さに形成した。
【００９２】サンプルNo. ４について、ＣＤ信号（３
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には１０mWのレーザー光を照射し、再
生時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレ
ーザー光の波長は、７８０nmとした。
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には１０mWのレーザー光を照射し、再
生時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレ
ーザー光の波長は、７８０nmとした。
【００９３】この結果、未記録部の反射率は７０％、記
録部の反射率は２０％であり、ＣＤ規格に対応する再生
が可能であった。
録部の反射率は２０％であり、ＣＤ規格に対応する再生
が可能であった。
【００９４】また、サンプルNo. ４においても、記録部
の基板表面にはサンプルNo. １と同様な凹部が形成され
ていた。
の基板表面にはサンプルNo. １と同様な凹部が形成され
ていた。
【００９５】［実施例５］基板２と記録薄膜３との間に
低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光記録デ
ィスクサンプルNo. ５を作製した。
低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光記録デ
ィスクサンプルNo. ５を作製した。
【００９６】低融点薄膜７は、実施例３のサンプルNo.
３と同様にして形成し、その他の構成は実施例４のサン
プルNo. ４と同じとした。
３と同様にして形成し、その他の構成は実施例４のサン
プルNo. ４と同じとした。
【００９７】サンプルNo. ５について、記録レーザー光
のパワーをサンプルNo. ４よりも４mW低い６mWとし、再
生レーザー光のパワーを０．５mWとして記録および再生
を行なったところ、サンプルNo. ４と同様にＣＤ規格に
対応する再生が可能であった。
のパワーをサンプルNo. ４よりも４mW低い６mWとし、再
生レーザー光のパワーを０．５mWとして記録および再生
を行なったところ、サンプルNo. ４と同様にＣＤ規格に
対応する再生が可能であった。
【００９８】また、サンプルNo. ５においても、記録部
の基板表面にはサンプルNo. １と同様な凹部が形成され
ていた。
の基板表面にはサンプルNo. １と同様な凹部が形成され
ていた。
【００９９】［実施例６］反射薄膜３の組成を、Ａｌ、
Ａｕ、ＰｔまたはＣｕとし、その他は上記各実施例と同
様にして光記録ディスクサンプルを作製した。
Ａｕ、ＰｔまたはＣｕとし、その他は上記各実施例と同
様にして光記録ディスクサンプルを作製した。
【０１００】これらの各サンプルについて、上記各実施
例と同様な記録再生を行なったところ、上記各実施例と
ほぼ同様の結果が得られた。
例と同様な記録再生を行なったところ、上記各実施例と
ほぼ同様の結果が得られた。
【０１０１】
【発明の効果】本発明の光記録媒体は、未記録部におい
て７０％程度以上の反射率が得られ、また、記録部では
５０％程度以下、特に２０％程度以下まで反射率が低下
するので、ＣＤ規格に対応する追記型光記録ディスクと
しての使用が可能である。
て７０％程度以上の反射率が得られ、また、記録部では
５０％程度以下、特に２０％程度以下まで反射率が低下
するので、ＣＤ規格に対応する追記型光記録ディスクと
しての使用が可能である。
【０１０２】そして、本発明では有機色素等の耐光性の
低い物質を用いないので極めて耐光性が高く、記録前お
よび記録後のいずれにおいても長期にわたって信頼性の
高い保存が可能である。
低い物質を用いないので極めて耐光性が高く、記録前お
よび記録後のいずれにおいても長期にわたって信頼性の
高い保存が可能である。
【０１０３】また、本発明の光記録媒体は記録感度が高
く、例えば８mW以下の低パワーのレーザー光による記録
が可能であり、特に、基板と記録薄膜との間に低融点薄
膜を設ければ、６mW以下の低パワーで記録を行なうこと
ができる。
く、例えば８mW以下の低パワーのレーザー光による記録
が可能であり、特に、基板と記録薄膜との間に低融点薄
膜を設ければ、６mW以下の低パワーで記録を行なうこと
ができる。
【図１】本発明の光記録媒体の好適実施例を示す部分断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光記録媒体の好適実施例を示す部分断
面図である。
面図である。
１ 光記録媒体 ２ 基板 ２１ 凹部 ３ 記録薄膜 ３１ 空隙 ４ 誘電体薄膜 ５ 反射薄膜 ６ 保護膜 ７ 低融点薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−56826（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−229438（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−200331（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−117887（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−2066（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26
Claims (18)
- 【請求項１】 基板表面に、記録薄膜、誘電体薄膜およ
び反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、加熱によ
り分解してガスを放出する無機化合物として酸化銀また
は窒化鉄を含有することを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記無機化合物のガスを放出する温度が
３００℃以下である請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記ガスが酸素または窒素である請求項
１または２に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記誘電体薄膜が酸化ケイ素を含有する
請求項１ないし３のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記記録薄膜の厚さが６００〜１５００
A であり、前記誘電体薄膜の厚さが５００〜４０００A
である請求項１ないし４のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項６】 前記基板と前記記録薄膜との間に、低融
点薄膜を有する請求項１ないし５のいずれかに記載の光
記録媒体。 - 【請求項７】 前記低融点薄膜の厚さが１０〜２００A
である請求項６に記載の光記録媒体。 - 【請求項８】 前記低融点薄膜が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、
Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄ
またはＩから構成される請求項６または７に記載の光記
録媒体。 - 【請求項９】 前記反射薄膜の厚さが３００〜１５００
A である請求項１ないし８のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項１０】 前記反射薄膜がＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐ
ｔまたはＣｕから構成される請求項１ないし９のいずれ
かに記載の光記録媒体。 - 【請求項１１】 基板の記録光照射部表面に凹部が存在
する請求項１ないし１０のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項１２】 波長３００〜９００nmにおける反射率
が、未記録部で７０％以上であり、記録部で５０％以下
である請求項１ないし１１のいずれかに記載の光記録媒
体。 - 【請求項１３】 請求項１ないし１２のいずれかに記載
の光記録媒体を製造する方法であって、前記記録薄膜が
反応性スパッタ法により形成されることを特徴とする光
記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 前記記録薄膜が、酸素ガスを含有する
雰囲気中においてＡｇをターゲットとして反応性スパッ
タにより形成される請求項１３に記載の光記録媒体の製
造方法。 - 【請求項１５】 前記反応性スパッタに際して、全ての
ガスの合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％と
する請求項１４に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 前記記録薄膜が、窒素ガスを含有する
雰囲気中においてＦｅをターゲットとして反応性スパッ
タにより形成される請求項１３に記載の光記録媒体の製
造方法。 - 【請求項１７】 前記反応性スパッタに際して、全ての
ガスの合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０％と
する請求項１６に記載の光記録媒体の製造方法。 - 【請求項１８】 前記反応性スパッタ時の圧力が３×１
０-1〜１．０Paである請求項１４ないし１７のいずれか
に記載の光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119474A JP3071243B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-04-23 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US07/835,685 US5252370A (en) | 1991-04-23 | 1992-02-14 | Optical recording medium and method for making |
| EP92905014A EP0536406B1 (en) | 1991-04-23 | 1992-02-17 | Optical recording medium and its manufacturing |
| DE1992619051 DE69219051T2 (de) | 1991-04-23 | 1992-02-17 | Optisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu dessen herstellung |
| PCT/JP1992/000153 WO1992018978A1 (en) | 1991-04-23 | 1992-02-17 | Optical recording medium and its manufacturing |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-36823 | 1991-02-06 | ||
| JP3682391 | 1991-02-06 | ||
| JP3119474A JP3071243B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-04-23 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298389A JPH04298389A (ja) | 1992-10-22 |
| JP3071243B2 true JP3071243B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=26375925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119474A Expired - Fee Related JP3071243B2 (ja) | 1991-02-06 | 1991-04-23 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3071243B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1555666A4 (en) * | 2002-06-24 | 2007-11-07 | Tdk Corp | OPTICAL RECORDING / REPRODUCTION METHOD AND OPTICAL RECORDING MEDIUM |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000057988A (ko) * | 1999-02-13 | 2000-09-25 | 구자홍 | 광 기록 매체 |
| JP2005022196A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Tdk Corp | 光記録ディスク |
| JP2005044438A (ja) | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Tdk Corp | 光記録ディスク |
| WO2005018947A1 (ja) | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
| JP2005100600A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-04-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP2005161738A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光記録ディスクおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP3119474A patent/JP3071243B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1555666A4 (en) * | 2002-06-24 | 2007-11-07 | Tdk Corp | OPTICAL RECORDING / REPRODUCTION METHOD AND OPTICAL RECORDING MEDIUM |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04298389A (ja) | 1992-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0536406B1 (en) | Optical recording medium and its manufacturing | |
| JP3088168B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| US5458941A (en) | Optical recording medium exhibiting eutectic phase equilbria | |
| US5418030A (en) | Optical recording medium and method for making | |
| US5334433A (en) | Optical recording medium | |
| JPH0350341B2 (ja) | ||
| US7572496B2 (en) | Recording medium having high melting point recording layer, information recording method thereof, and information reproducing apparatus and method therefor | |
| JP3071243B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2987223B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4509431B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2000076701A (ja) | 記録層と反射層との間に中間層を有する光記録要素 | |
| JP2000285509A (ja) | 追記型光記録媒体 | |
| JP3157019B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2901433B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| US20020072010A1 (en) | Method of manufacturing dielectric layer for use in phase change type optical disk | |
| JP3429406B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2948899B2 (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
| JPH10208296A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08267925A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| US5725741A (en) | Method of forming recordable optical element using low absorption materials | |
| JPH05225603A (ja) | 短波長用相変化光ディスク媒体 | |
| JPS6356826A (ja) | 追記型光デイスク | |
| JPH03153389A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0757301A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH08258416A (ja) | 低吸収材料を用いる記録可能型光学素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000425 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080526 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |