JP2000285509A - 追記型光記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＤＶＤ−ＲＯＭと等容量の記録密度をもつ、
無機系の記録材料を用いた光記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板１上の半透明層上の光干渉層３、該
光干渉層上の記録層４を少なくとも有し、かつ、該記録
層が金属または半金属あるいはこれらの合金から成る第
１記録層１０４とＧｅから成る第２記録層１０５とを有
することを特徴とする追記型光記録媒体である。第１記
録層の材質は、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，
Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ等で、化合物や合金を含
む。半透明層は、Ａｌ薄膜、Ａｕ薄膜、Ｓｉ薄膜などで
ある。光干渉層は、ＺｎＳ・ＳｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｍｇ
Ｆ、ＳｉＮ、ＩｎＯ、ＺｎＯ等公知の誘導体である。
無機系の記録材料を用いた光記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板１上の半透明層上の光干渉層３、該
光干渉層上の記録層４を少なくとも有し、かつ、該記録
層が金属または半金属あるいはこれらの合金から成る第
１記録層１０４とＧｅから成る第２記録層１０５とを有
することを特徴とする追記型光記録媒体である。第１記
録層の材質は、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，
Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ等で、化合物や合金を含
む。半透明層は、Ａｌ薄膜、Ａｕ薄膜、Ｓｉ薄膜などで
ある。光干渉層は、ＺｎＳ・ＳｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｍｇ
Ｆ、ＳｉＮ、ＩｎＯ、ＺｎＯ等公知の誘導体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザービームな
どの照射により記録再生が可能な追記型光記録媒体に関
する。
どの照射により記録再生が可能な追記型光記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射による記録可能な
光記録媒体としてＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型光記
録媒体などがある。これらの相変化光記録媒体はＣＤ−
ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭと再生互換性があり、小
規模の配布メディアや保存用の媒体として使用されてい
る。
光記録媒体としてＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ等の追記型光記
録媒体などがある。これらの相変化光記録媒体はＣＤ−
ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭと再生互換性があり、小
規模の配布メディアや保存用の媒体として使用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特に大容量メディアで
あるＤＶＤ−ＲＯＭと等容量の記録密度の実現が課題と
なっている。この幅広い普及を図る上で、高記録密度で
の記録パワーマージンの確保が特に重要な課題である。
この確保に関しては、相変化記録材料、合金化可能な２
層膜など無機系の記録材料が有利であるが、モジュレー
ションの不足、あるいはＤＶＤ−ＲＯＭなどＤＰＤ（Ｄ
ｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｐｈａｓｅ Ｄｅｔｅｃｔｉ
ｏｎ）を使用するドライブのトラッキング信号強度が不
足する等の問題があった。特に、特開平６−１７１２３
６に開示されるＡｌ−Ｇｅ2層膜では熱処理後の反射率
が上昇するが、ＲＯＭ互換を実現する上では、熱処理後
の反射率を低下させ、かつ、上記６０％以上のモジュレ
ーションを得ることがＡｌＧｅ2層膜を使用する光記録
媒体の課題となっていた。
あるＤＶＤ−ＲＯＭと等容量の記録密度の実現が課題と
なっている。この幅広い普及を図る上で、高記録密度で
の記録パワーマージンの確保が特に重要な課題である。
この確保に関しては、相変化記録材料、合金化可能な２
層膜など無機系の記録材料が有利であるが、モジュレー
ションの不足、あるいはＤＶＤ−ＲＯＭなどＤＰＤ（Ｄ
ｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｐｈａｓｅ Ｄｅｔｅｃｔｉ
ｏｎ）を使用するドライブのトラッキング信号強度が不
足する等の問題があった。特に、特開平６−１７１２３
６に開示されるＡｌ−Ｇｅ2層膜では熱処理後の反射率
が上昇するが、ＲＯＭ互換を実現する上では、熱処理後
の反射率を低下させ、かつ、上記６０％以上のモジュレ
ーションを得ることがＡｌＧｅ2層膜を使用する光記録
媒体の課題となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明による追記型光記
録媒体は、基板上の半透明層、この上の光干渉層、光干
渉層上の記録層を少なくとも有する。記録層は金属、半
金属あるいはこれらの合金から成る第１記録層と、第１
記録層と合金化可能なＧｅから成る第２記録層を有す
る。
録媒体は、基板上の半透明層、この上の光干渉層、光干
渉層上の記録層を少なくとも有する。記録層は金属、半
金属あるいはこれらの合金から成る第１記録層と、第１
記録層と合金化可能なＧｅから成る第２記録層を有す
る。
【０００５】第１記録層の材質は、Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ等
で、化合物や合金を含む。基板の材質はポリカーボネー
ト、ガラスなどの公知の透明体で、この上の半透明層
は、半透明Ａｌ薄膜、半透明Ａｕ薄膜、半透明Ｓｉ薄膜
など、吸収を有する材質で、所定の透過率、反射率を有
する半透明体である。相変化材料も半透明層として使用
可能である。光干渉層はＺｎＳ・ＳｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｍ
ｇＦ、Ｓｉ−Ｎ、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ等公知の誘電体で
ある。本発明の第２は、上記において、モジュレーショ
ンが６０％以上のものが該当する。
Ｃｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ等
で、化合物や合金を含む。基板の材質はポリカーボネー
ト、ガラスなどの公知の透明体で、この上の半透明層
は、半透明Ａｌ薄膜、半透明Ａｕ薄膜、半透明Ｓｉ薄膜
など、吸収を有する材質で、所定の透過率、反射率を有
する半透明体である。相変化材料も半透明層として使用
可能である。光干渉層はＺｎＳ・ＳｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｍ
ｇＦ、Ｓｉ−Ｎ、Ｉｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ等公知の誘電体で
ある。本発明の第２は、上記において、モジュレーショ
ンが６０％以上のものが該当する。
【０００６】請求項３に記載の追記型光記録媒体では、
第１記録層をＡｕ、Ｃｕ、Ａｇあるいはこれらの合金と
し、第１記録層の膜厚を３０ｎｍ以下とする。請求項４
に記載の追記型光記録媒体では、第１記録層をＡｌある
いはこれらの合金とし、この第１記録層の膜厚を２０ｎ
ｍ以下の範囲とする。
第１記録層をＡｕ、Ｃｕ、Ａｇあるいはこれらの合金と
し、第１記録層の膜厚を３０ｎｍ以下とする。請求項４
に記載の追記型光記録媒体では、第１記録層をＡｌある
いはこれらの合金とし、この第１記録層の膜厚を２０ｎ
ｍ以下の範囲とする。
【０００７】さらに、請求項５に記載の追記型光記録媒
体では、記録層の層構成が、読みとり光の入射面に近い
側に第１記録層が配置され、記録マーク部分の反射率が
低下する構成となっている。
体では、記録層の層構成が、読みとり光の入射面に近い
側に第１記録層が配置され、記録マーク部分の反射率が
低下する構成となっている。
【０００８】本発明の第６は、本発明の２、３、４また
は５において光干渉層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、記録波
長をλと表す表式において、これらが、 １．９≦ｎ≦２．５ ０．２５≦ｎｄ／λ≦０．３５ ６００ｎｍ≦λ≦６８０ｎｍ の範囲にあることを特徴とする。
は５において光干渉層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、記録波
長をλと表す表式において、これらが、 １．９≦ｎ≦２．５ ０．２５≦ｎｄ／λ≦０．３５ ６００ｎｍ≦λ≦６８０ｎｍ の範囲にあることを特徴とする。
【０００９】本発明の第７は、本発明の第２、３、４ま
たは５において光干渉層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、記録
波長をλと表す表式において、これらが、 １．４≦ｎ＜１．６ ０．３３≦ｎｄ／λ≦０．４１ ６００ｎｍ≦λ≦６８０ｎｍ の範囲にあることを特徴とする。
たは５において光干渉層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、記録
波長をλと表す表式において、これらが、 １．４≦ｎ＜１．６ ０．３３≦ｎｄ／λ≦０．４１ ６００ｎｍ≦λ≦６８０ｎｍ の範囲にあることを特徴とする。
【００１０】本発明の第８は、本発明の第２、３、４、
または５において光干渉層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、記
録波長をλと表す表式において、これらが、 １．６≦ｎ＜１．９ ０．３１≦ｎｄ／λ≦０．３７ ６００ｎｍ≦λ≦６８０ｎｍ の範囲にあることを特徴とする。
または５において光干渉層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、記
録波長をλと表す表式において、これらが、 １．６≦ｎ＜１．９ ０．３１≦ｎｄ／λ≦０．３７ ６００ｎｍ≦λ≦６８０ｎｍ の範囲にあることを特徴とする。
【００１１】本発明の第９は、本発明の第６において、
半透明層をＡｕまたはＡｇとし、該半透明層の膜厚を５
〜１６ｎｍの範囲とすることを特徴とする。本発明の第
１０は、本発明の第６において、半透明層をＡｌとし、
簸Ａｌの膜厚を１〜２ｎｍの範囲とすることを特徴とす
る追記型光記録媒体である。
半透明層をＡｕまたはＡｇとし、該半透明層の膜厚を５
〜１６ｎｍの範囲とすることを特徴とする。本発明の第
１０は、本発明の第６において、半透明層をＡｌとし、
簸Ａｌの膜厚を１〜２ｎｍの範囲とすることを特徴とす
る追記型光記録媒体である。
【００１２】
【作用】本発明では、記録層の前面に、光干渉層が存在
する。この光干渉層の作用は、モジュレーションと反射
率の制御にあるが、基板と光干渉層との間に半透明層を
介在させることにより上記作用が増加する。
する。この光干渉層の作用は、モジュレーションと反射
率の制御にあるが、基板と光干渉層との間に半透明層を
介在させることにより上記作用が増加する。
【００１３】好ましい光干渉層の膜厚と屈折率には、一
定の関係がある。また、光吸収層としては、屈折率の実
部が小さく、虚部が適度に大きいほど好ましいが、この
光吸収層の膜厚の好適な範囲は、光吸収層の光学定数に
強く依存する。
定の関係がある。また、光吸収層としては、屈折率の実
部が小さく、虚部が適度に大きいほど好ましいが、この
光吸収層の膜厚の好適な範囲は、光吸収層の光学定数に
強く依存する。
【００１４】第１記録層及び第２記録層の積層順番は任
意であるが、これにより、記録時の反射率変化が規定さ
れる。ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換をとるという観点から
は、記録マーク部分の反射率を低下させる必要があり、
これは、記録層の層構成が、読みとり光の入射面に近い
側に第１記録層が配置される場合に実現する。この場合
過度に第１記録層膜厚が大きい場合には、光吸収の低
下、あるいは熱拡散の増大による記録感度の悪化、ある
いは、ジッタの増加が問題になり、好ましい記録層膜厚
には上限がある。また、第１記録層及び第２記録層の膜
厚は、合金化前後の記録層による反射光の振幅及び位相
差に関連するパラメータでありモジュレーション等に影
響を与える。
意であるが、これにより、記録時の反射率変化が規定さ
れる。ＤＶＤ−ＲＯＭとの互換をとるという観点から
は、記録マーク部分の反射率を低下させる必要があり、
これは、記録層の層構成が、読みとり光の入射面に近い
側に第１記録層が配置される場合に実現する。この場合
過度に第１記録層膜厚が大きい場合には、光吸収の低
下、あるいは熱拡散の増大による記録感度の悪化、ある
いは、ジッタの増加が問題になり、好ましい記録層膜厚
には上限がある。また、第１記録層及び第２記録層の膜
厚は、合金化前後の記録層による反射光の振幅及び位相
差に関連するパラメータでありモジュレーション等に影
響を与える。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１に本発明に使用される追記型
光記録媒体の層構成を示す。ポリカーボネート基板１上
に光吸収層２、光干渉層３、第１記録層１０４及び第２
記録層１０５から成る記録層４、樹脂から成る環境保護
層５が順次堆積されている。光吸収層２はＡｕまたはＡ
ｌからなる。光干渉層３はＺｎＳ・ＳｉＯ2またはＳｉ
Ｏ2である。第１記録層１０４はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａ
ｌ等である。第２記録層１０５はＧｅから成る。この構
成では、記録後のマーク部の反射率は低下する。基板の
トラックピッチは０．７４μｍである。
光記録媒体の層構成を示す。ポリカーボネート基板１上
に光吸収層２、光干渉層３、第１記録層１０４及び第２
記録層１０５から成る記録層４、樹脂から成る環境保護
層５が順次堆積されている。光吸収層２はＡｕまたはＡ
ｌからなる。光干渉層３はＺｎＳ・ＳｉＯ2またはＳｉ
Ｏ2である。第１記録層１０４はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａ
ｌ等である。第２記録層１０５はＧｅから成る。この構
成では、記録後のマーク部の反射率は低下する。基板の
トラックピッチは０．７４μｍである。
【００１６】表１に、本構成の追記型光記録媒体の記録
波長６３５ｎｍ、記録線速７ｍ／ｓ、データビット長
０．２６７μｍ／ｂｉｔでの記録における反射率・モジ
ュレーションの第２記録層膜厚依存性を示す。表１で、
Ａｕから成る光吸収層２の膜厚は７ｎｍ、ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2から成る光干渉層３の膜厚は９５ｎｍ、Ａｌから成
る第１記録層１０４の膜厚は１０ｎｍ、記録再生波長は
６３５ｎｍである。第２記録層１０５の膜厚が５０ｎｍ
近傍、及び１００ｎｍ近傍で大きなモジュレーションが
得られる。Ｇｅは屈折率の実部が大きく、吸収係数が比
較的小さいため、Ｇｅそのものも干渉層として作用し、
反射率やモジュレーション、及び記録状態と未記録状態
の反射光の位相差に影響を与える。ジッタなどの改善の
ために、Ｇｅ層の上に付加的な放熱層、あるいは干渉層
を堆積しても良い。
波長６３５ｎｍ、記録線速７ｍ／ｓ、データビット長
０．２６７μｍ／ｂｉｔでの記録における反射率・モジ
ュレーションの第２記録層膜厚依存性を示す。表１で、
Ａｕから成る光吸収層２の膜厚は７ｎｍ、ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2から成る光干渉層３の膜厚は９５ｎｍ、Ａｌから成
る第１記録層１０４の膜厚は１０ｎｍ、記録再生波長は
６３５ｎｍである。第２記録層１０５の膜厚が５０ｎｍ
近傍、及び１００ｎｍ近傍で大きなモジュレーションが
得られる。Ｇｅは屈折率の実部が大きく、吸収係数が比
較的小さいため、Ｇｅそのものも干渉層として作用し、
反射率やモジュレーション、及び記録状態と未記録状態
の反射光の位相差に影響を与える。ジッタなどの改善の
ために、Ｇｅ層の上に付加的な放熱層、あるいは干渉層
を堆積しても良い。
【００１７】
【表１】
【００１８】表２に第１記録層１０４がＡｇの場合のモ
ジュレーション、反射率の第１記録層膜厚依存性を示
す。Ａｇ膜厚が３０ｎｍを上回る場合にはモジュレーシ
ョンは低下する。また、記録感度に関しては、熱伝導及
び記録層の光吸収率の関係でＡｇ膜厚が薄い場合の方が
好ましい。即ち、Ａｇ第１記録層の膜厚が厚い場合に
は、記録レーザービームの吸収が小さく、かつ、熱伝導
による熱拡散が大きく、加熱に多大なエネルギーを要す
る。この点からもＡｇ膜厚は３０ｎｍ以下が好ましい。
ジュレーション、反射率の第１記録層膜厚依存性を示
す。Ａｇ膜厚が３０ｎｍを上回る場合にはモジュレーシ
ョンは低下する。また、記録感度に関しては、熱伝導及
び記録層の光吸収率の関係でＡｇ膜厚が薄い場合の方が
好ましい。即ち、Ａｇ第１記録層の膜厚が厚い場合に
は、記録レーザービームの吸収が小さく、かつ、熱伝導
による熱拡散が大きく、加熱に多大なエネルギーを要す
る。この点からもＡｇ膜厚は３０ｎｍ以下が好ましい。
【００１９】
【表２】
【００２０】表３に、第１記録層がＡｌの場合のモジュ
レーション、反射率の第１記録層膜厚依存性を示す。Ａ
ｌはＡｇと比較して、吸収係数が大きく、モジュレーシ
ョンの極大を与える膜厚は約２０ｎｍである。上記と同
様に記録感度の観点からも、Ａｌ膜厚は２０ｎｍ以下が
好ましい。
レーション、反射率の第１記録層膜厚依存性を示す。Ａ
ｌはＡｇと比較して、吸収係数が大きく、モジュレーシ
ョンの極大を与える膜厚は約２０ｎｍである。上記と同
様に記録感度の観点からも、Ａｌ膜厚は２０ｎｍ以下が
好ましい。
【００２１】
【表３】
【００２２】表４に光干渉層を記録波長６３５ｎｍでの
屈折率が２．１７であるＺｎＳ・ＳｉＯ2薄膜とした場
合の反射率、モジュレーションを示す。第１記録層はＡ
ｌ：１０ｎｍで、第２記録層はＧｅ：３０ｎｍである。
光干渉層の膜厚８５ｎｍ付近にモジュレーションの極大
値があり、ｎｄ／λが０．２５〜０．３５の範囲でモジ
ュレーションは６０％以上となる。
屈折率が２．１７であるＺｎＳ・ＳｉＯ2薄膜とした場
合の反射率、モジュレーションを示す。第１記録層はＡ
ｌ：１０ｎｍで、第２記録層はＧｅ：３０ｎｍである。
光干渉層の膜厚８５ｎｍ付近にモジュレーションの極大
値があり、ｎｄ／λが０．２５〜０．３５の範囲でモジ
ュレーションは６０％以上となる。
【００２３】
【表４】
【００２４】表５に光干渉層を記録波長６３５ｎｍでの
屈折率が１．４５７であるＳｉＯ2薄膜とした場合の反
射率、モジュレーションを示す。光干渉層の膜厚１６０
ｎｍ付近にモジュレーションの極大値があり、ｎｄ／λ
が０．３３〜０．４１の範囲でモジュレーションは６０
％以上となる。
屈折率が１．４５７であるＳｉＯ2薄膜とした場合の反
射率、モジュレーションを示す。光干渉層の膜厚１６０
ｎｍ付近にモジュレーションの極大値があり、ｎｄ／λ
が０．３３〜０．４１の範囲でモジュレーションは６０
％以上となる。
【００２５】
【表５】
【００２６】表６に光干渉層を記録波長６３５ｎｍでの
屈折率が１．７６６であるＡｌ2Ｏ3薄膜とした場合の反
射率、モジュレーションを示す。光干渉層の膜厚１２０
ｎｍ付近にモジュレーションの極大値があり、ｎｄ／λ
が０．３１〜０．３７の範囲でモジュレーションは６０
％以上となる。
屈折率が１．７６６であるＡｌ2Ｏ3薄膜とした場合の反
射率、モジュレーションを示す。光干渉層の膜厚１２０
ｎｍ付近にモジュレーションの極大値があり、ｎｄ／λ
が０．３１〜０．３７の範囲でモジュレーションは６０
％以上となる。
【００２７】
【表６】
【００２８】表７に半透明層をＡｕとした場合の反射
率、モジュレーションの半透明層膜厚依存性を示す。記
録層は第１記録層がＡｌ：１０ｎｍ、第２記録層がＧ
ｅ：３０ｎｍである。Ａｕ膜厚５〜１５ｎｍでモジュレ
ーションは６０％を上回る。
率、モジュレーションの半透明層膜厚依存性を示す。記
録層は第１記録層がＡｌ：１０ｎｍ、第２記録層がＧ
ｅ：３０ｎｍである。Ａｕ膜厚５〜１５ｎｍでモジュレ
ーションは６０％を上回る。
【００２９】
【表７】
【００３０】表８に半透明層をＡｌとした場合の、反射
率、モジュレーションの半透明層膜厚依存性を示す。記
録層は、第１記録層がＡｌ：１０ｎｍ、第２記録層がＧ
ｅ：３０ｎｍである。Ａｌ膜厚１〜２ｎｍでモジュレー
ションは６０％を上回る。これ以外に、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅなどの相変化材料も半透明層として使
用可能であるが、この場合、半透明層は記録時の熱エネ
ルギーにより結晶化するので、光学定数が変化し、補助
的な記録層としての作用も有する。
率、モジュレーションの半透明層膜厚依存性を示す。記
録層は、第１記録層がＡｌ：１０ｎｍ、第２記録層がＧ
ｅ：３０ｎｍである。Ａｌ膜厚１〜２ｎｍでモジュレー
ションは６０％を上回る。これ以外に、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅ、ＧｅＳｂＴｅなどの相変化材料も半透明層として使
用可能であるが、この場合、半透明層は記録時の熱エネ
ルギーにより結晶化するので、光学定数が変化し、補助
的な記録層としての作用も有する。
【００３１】
【表８】
【００３２】以上のように本発明では、Ｇｅと合金化可
能な第１記録層を有する光記録媒体において、記録状態
の反射率が低下する層構成で、モジュレーション６０％
以上を得た。なお、本発明に使用される光記録媒体の層
横成は上記に限定されず、公知の光記録媒体の任意の靖
造が可能である。
能な第１記録層を有する光記録媒体において、記録状態
の反射率が低下する層構成で、モジュレーション６０％
以上を得た。なお、本発明に使用される光記録媒体の層
横成は上記に限定されず、公知の光記録媒体の任意の靖
造が可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明は上記のごとくなしたが故に以下
の効果が生じた。パワーマージンに優れる無機系追記型
光記録媒体のモジュレーションが向上し、ＤＶＤ−ＲＯ
Ｍ等の汎用ドライブで再生可能な追記型光記録媒体を得
た。
の効果が生じた。パワーマージンに優れる無機系追記型
光記録媒体のモジュレーションが向上し、ＤＶＤ−ＲＯ
Ｍ等の汎用ドライブで再生可能な追記型光記録媒体を得
た。
【図１】本発明の追記型光記録媒体の層構成を示す。
１ ポリカーボネート基板 ２ 光吸収層 ３ 光干渉層 ４ 記録層 ５ 環境保護層 １０４ 第１記録層 １０５ 第２記録層
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ａ (72)発明者 芝口 孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB03 JB17 JB35 JC20 LB01 LB07 LC06 MA02 MA03
Claims (10)
- 【請求項１】 基板上の半透明層、該半透明層上の光干
渉層、該光干渉層上の記録層を少なくとも有し、かつ、
該記録層が金属、または半金属、あるいはこれらの合金
から成る第１記録層とＧｅから成る第２記録層とを有す
ることを特徴とする追記型光記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１においてモジュレーションが６
０％以上であることを特徴とする追記型光記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１または２において第１記録層を
Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇあるいはこれらの合金とし、かつ、該
第１記録層の膜厚を３０ｎｍ以下の範囲とすることを特
徴とする追記型光記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１または２において第１記録層を
Ａｌあるいはこれらの合金とし、かつ、該第１記録層の
膜厚を２０ｎｍ以下とすることを特徴とする追記型光記
録媒体。 - 【請求項５】 請求項３または４において、記録層の層
構成が、読みとり光の入射面に近い側に第１記録層が配
置され、記録マーク部分の反射率が低下することを特徴
とする追記型光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項２、３、４、または５において光
干渉層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、記録波長をλと表す表
式において、これらが、 １．９≦ｎ≦２．５ ０．２５≦ｎｄ／λ≦０．３５ ６００ｎｍ≦λ≦６８０ｎｍ の範囲にあることを特徴とする追記型光記録媒体。 - 【請求項７】 請求項２、３、４または５において光干
渉層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、記録波長をλと表す表式
において、これらが、 １．４≦ｎ＜１．６ ０．３３≦ｎｄ／λ≦０・４１ ６００ｎｍ≦λ≦６８０ｎｍ の範囲にあることを特徴とする追記型光記録媒体。 - 【請求項８】 請求項２、３、４または５において光干
渉層の屈折率をｎ、膜厚をｄ、記録波長をλと表す表式
において、これらが、 １．６≦ｎ≦１．９ ０．３１≦ｎｄ／λ≦０．３７ ６００ｎｍ≦λ≦６８０ｎｍ の範囲にあることを特徴とする追記型光記録媒体。 - 【請求項９】 請求項６において、半透明層をＡｕまた
はＡｇとし、該半透明層の膜厚を５〜１５ｎｍの範囲と
することを特徴とする追記型光記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項６において、半透明層をＡｌと
し、該Ａｌの膜厚を１〜２ｎｍの範囲とすることを特徴
とする追記型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11095005A JP2000285509A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 追記型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11095005A JP2000285509A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 追記型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000285509A true JP2000285509A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14125821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11095005A Pending JP2000285509A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 追記型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000285509A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025924A1 (fr) * | 2001-09-13 | 2003-03-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| JP2003535422A (ja) * | 2000-05-30 | 2003-11-25 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 不可逆的光記録媒体 |
| EP1457977A1 (en) * | 2001-11-29 | 2004-09-15 | TDK Corporation | Method of regulating reflectance of worm type optical recording medium and worm type optical recording medium |
| WO2007005323A2 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-11 | Micron Electronics, Inc. | Gold-semiconductor phase change memory for archival data storage |
| WO2007045939A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Lanyo Technology Co., Ltd. | Generating optical contrast using thin layers |
| US7231649B2 (en) | 2002-05-31 | 2007-06-12 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for optically recording data in the same |
| US7321481B2 (en) | 2002-07-04 | 2008-01-22 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| US7573803B2 (en) | 2003-07-22 | 2009-08-11 | Tdk Corporation | Optical recording disc |
| US7651832B2 (en) * | 2004-03-18 | 2010-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording/reproducing method, and recording/reproducing device |
| US7781146B2 (en) | 2002-11-22 | 2010-08-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
-
1999
- 1999-04-01 JP JP11095005A patent/JP2000285509A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003535422A (ja) * | 2000-05-30 | 2003-11-25 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 不可逆的光記録媒体 |
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| US7231649B2 (en) | 2002-05-31 | 2007-06-12 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for optically recording data in the same |
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| US7541081B2 (en) | 2005-06-29 | 2009-06-02 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory for archival data storage |
| WO2007045939A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Lanyo Technology Co., Ltd. | Generating optical contrast using thin layers |
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