JP3157019B2

JP3157019B2 - 光記録媒体およびその製造方法

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Publication number: JP3157019B2
Application number: JP22102591A
Authority: JP
Inventors: 淳二富永
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1991-08-06
Filing date: 1991-08-06
Publication date: 2001-04-16
Anticipated expiration: 2016-04-16
Also published as: JPH0540959A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体およびその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】大容量情報記録媒体として、光記録ディ
スク等の光記録媒体が注目されている。光記録媒体とし
ては、相変化型光記録媒体や光磁気記録媒体等の書き換
え可能タイプ、あるいはピット形成型光記録媒体等の追
記タイプなどがある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、新規な構成
の追記タイプの光記録媒体およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（１１）の本発明によって達成される。（１）基板表面に、誘電体薄膜、記録薄膜および反射
薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、加熱により分解
して酸素または窒素ガスを放出する無機化合物として酸
化銀または窒化鉄を含有し、前記酸化銀中の酸素の含有
比率が５〜５０原子％であり、前記窒化鉄中の窒素の含
有比率が５〜５０原子％であることを特徴とする光記録
媒体。（２）前記誘電体薄膜が酸化ケイ素または窒化ケイ素
を含有する上記（１）に記載の光記録媒体。（３）前記反射薄膜が、形状記憶合金、Ａｌ、Ａｕ、
ＰｔまたはＣｕから構成される上記（１）または（２）
に記載の光記録媒体。（４）前記誘電体薄膜と前記記録薄膜との間に、低融
点薄膜を有する上記（１）ないし（３）のいずれかに記
載の光記録媒体。（５）前記低融点薄膜が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、
Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄまたは
Ｉから構成される上記（４）に記載の光記録媒体。（６）上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の光
記録媒体を製造する方法であって、前記記録薄膜が反応
性スパッタ法により形成されることを特徴とする光記録
媒体の製造方法。（７）前記記録薄膜が、酸素ガスを含有する雰囲気中
においてＡｇをターゲットとして反応性スパッタにより
形成される上記（６）に記載の光記録媒体の製造方法。（８）前記反応性スパッタに際して、全てのガスの合
計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％とする上記
（７）に記載の光記録媒体の製造方法。（９）前記記録薄膜が、窒素ガスを含有する雰囲気中
においてＦｅをターゲットとして反応性スパッタにより
形成される上記（６）に記載の光記録媒体の製造方法。（１０）前記反応性スパッタに際して、全てのガスの
合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０％とする上
記（９）に記載の光記録媒体の製造方法。（１１）前記反応性スパッタ時の圧力が３×１０^-1〜
１．０Paである上記（７）ないし（１０）のいずれかに
記載の光記録媒体の製造方法。

【０００５】

【０００６】

【０００７】

【０００８】

【０００９】

【００１０】

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【作用】本発明の光記録媒体１は、基板２の表面に誘電
体薄膜３、記録薄膜４および反射薄膜５を有し、反射薄
膜５上には保護膜６が設けられている。記録時には、基
板２の裏面側から基板２および誘電体薄膜３を通して記
録レーザー光が照射され、記録薄膜４が加熱される。記
録薄膜４は、加熱により分解してガスを放出する無機化
合物として、酸素の含有比率が５〜５０原子％の酸化銀
または窒素の含有比率が５〜５０原子％の窒化鉄を含有
するので、記録レーザー光照射により記録薄膜４からガ
スが放出される。記録薄膜４が酸化銀を含有する場合、
酸化銀は１６０℃程度でＡｇとＯ₂ とに分解する。ま
た、記録薄膜４が窒化鉄を含有する場合、２００℃程度
で窒化鉄から窒素が放出される。そして、図１および図
２に示されるように、発生したガスにより記録薄膜４中
に空隙４１が形成され、また、発生したガスの圧力によ
り反射薄膜５に凹部５１が形成される。これらの空隙や
凹部などが生じることにより、記録レーザー光照射部の
光学定数や光路長等の光学的条件が変化し、反射率が低
下する。また、凹部５１の光反射面は粗面化しているた
め、これによっても反射率が低下する。

【００２２】このようにして生じる光反射率の変化は不
可逆的であり、また、７８０nm近傍の光の反射率は、レ
ーザー光照射前で５０％程度以上あり、照射後には１０
％程度以下まで低下するので、追記型光記録ディスクと
しての使用が可能である。

【００２３】また、誘電体薄膜等の厚さを調整すること
により、３００〜９００nm程度の波長範囲においてこの
ような反射率変化が得られるので、短波長記録が可能で
あり、より高い記録密度とすることが可能である。な
お、誘電体薄膜３は、ガスバリアとしての作用を有し、
本発明の光記録媒体の信頼性を高めるはたらきを有す
る。

【００２４】また、図２に示されるように、本発明の光
記録媒体１において、誘電体薄膜３と記録薄膜４との間
に低融点薄膜７を設けた場合、低融点薄膜７が吸熱作用
を示すため、記録感度が向上する。このため、例えば３
Ｔ信号などの短い信号の記録が低パワーのレーザー光で
良好に行なえる。

【００２５】なお、特公昭６３−５６９２０号公報に
は、「Ａｇ₂ Ｏ−ＳｉＯ₂ 系の化合物で構成することを
特徴とする光学記録材料」が開示されている。この光学
記録材料は、光照射により黒化し加熱により褪色すると
いうＡｇ₂ Ｏ−ＳｉＯ₂ 系化合物の性質を利用したもの
であり、酸化ケイ素を含有する誘電体薄膜と酸化銀を含
有する記録薄膜とを積層するという本発明の光記録媒体
の構成とは異なる。また、その作用も本発明とは全く異
なるものである。そして、同公報の記載によれば、初期
反射率が４０％未満で、光照射後の反射率低下は８％に
過ぎず、光記録媒体として使用することは困難である。

【００２６】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２７】図１に本発明の光記録媒体の好適実施例を
示す。同図に示されるように、光記録媒体１は、基板２
の表面に誘電体薄膜３、記録薄膜４および反射薄膜５を
有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられている。

【００２８】［基板２］光記録媒体１では、基板２を通
して記録薄膜４に記録光および再生光が照射されるの
で、基板２はこれらの光に対して実質的に透明である材
質、例えば、樹脂やガラスなどから構成される。これら
のうち、取り扱いが容易で安価であることから、基板２
の材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン樹脂等の各種樹脂を用いればよい。

【００２９】基板２の形状および寸法は特に限定されな
いが、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、
０．５〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度である。
基板２の表面には、トラッキング用やアドレス用等のた
めに、グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設け
られる。例えば、図示例の光記録媒体にはグルーブが設
けられており、記録光はグルーブ内に照射される。

【００３０】［誘電体薄膜３］誘電体薄膜３は、各種誘
電体から構成される。用いる誘電体は特に限定されない
が、記録薄膜４が酸化銀を含有する場合は、誘電体薄膜
３を酸化ケイ素から構成すれば記録感度が向上する。な
お、酸化ケイ素としては、通常、ＳｉＯ₂ で表わされる
組成を有するものを用いることが好ましい。また、記録
薄膜４が窒化鉄を含有する場合は、誘電体薄膜３を、通
常Ｓｉ₃ Ｎ₄ で表わされる窒化ケイ素から構成すれば記
録感度が向上する。

【００３１】なお、誘電体としては、この他、透明な各
種セラミクスや各種ガラスなどを用いてもよく、例え
ば、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、
Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるい
はＹを含有するSiAlON等を好ましく用いることができ
る。

【００３２】誘電体薄膜３の厚さは、用いる誘電体の屈
折率等に応じて適宜設定すればよく、例えば誘電体とし
てＳｉＯ₂ を用いる場合、１０００〜２０００A とする
ことが好ましい。また、屈折率がＳｉＯ₂ とは異なる誘
電体を用いる場合の好ましい厚さは、その誘電体の屈折
率でＳｉＯ₂ の屈折率を除した値を上記したＳｉＯ₂の
好ましい厚さ範囲に乗じて求めればよい。誘電体薄膜３
の厚さが好ましい範囲を外れると、十分な反射率および
その変化を得ることが困難となる。

【００３３】誘電体薄膜３は、記録感度向上効果の他、
ガスバリアとしての作用を有し、特に基板２がポリカー
ボネート樹脂などの樹脂製である場合、基板２側からの
水蒸気や酸素などの侵入を防止し、これらによる記録薄
膜４の劣化を防ぐ。

【００３４】誘電体薄膜３は、スパッタ法や蒸着法等の
気相成長法により形成されることが好ましい。

【００３５】［記録薄膜４］記録薄膜４は、加熱により
分解してガスを放出する無機化合物を含有する。前記無
機化合物がガスを放出する温度は、３００℃以下である
ことが好ましい。また、放出されるガスの種類に特に制
限はないが、常温付近でガスとして安定に存在するこ
と、無毒性であることなどから、前記ガスは酸素または
窒素であることが好ましい。

【００３６】このようなことから、酸素ガスや窒素ガス
を発生する無機化合物として、酸化銀または窒化鉄を用
いる。酸化銀を用いる場合、記録薄膜４中の酸素の含有
比率は、５〜５０原子％であり、特に１０〜３０原子％
であることが好ましい。また、窒化鉄を用いる場合、記
録薄膜４中の窒素の含有比率は、５〜５０原子％であ
り、特に１０〜３０原子％であることが好ましい。記録
薄膜４は、酸化銀だけ、あるいは窒化鉄だけから構成さ
れることが好ましいが、他にＳｎ、Ｚｎ等の元素が合計
で１０原子％程度以下含有されていてもよい。

【００３７】記録薄膜の厚さは、５００〜１０００A と
することが好ましい。厚さが前記範囲未満であると記録
が困難となり、前記範囲を超えると記録薄膜中における
光吸収のために反射率が不十分となる。

【００３８】記録薄膜４は、スパッタ法や蒸着法などの
気相成長法により形成されることが好ましく、特に、酸
素ガスや窒素ガス等を反応性ガスとして用いる反応性ス
パッタ法により形成されることが好ましい。

【００３９】酸化銀からなる記録薄膜を形成する場合、
酸素ガスを含有する雰囲気中において、Ａｇをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。酸素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、酸素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜７０％とすること
が好ましい。酸素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の酸素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。

【００４０】窒化鉄からなる記録薄膜を形成する場合、
窒素ガスを含有する雰囲気中において、Ｆｅをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。窒素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、窒素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜２０％とすること
が好ましい。窒素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の窒素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。

【００４１】酸化銀形成の際および窒化鉄形成の際の反
応性スパッタ時の圧力は、好ましくは３×１０^-1〜１．
０Pa、より好ましくは５×１０^-1〜９×１０^-1Pa、特に
好ましくは５×１０^-1〜８×１０^-1Paである。

【００４２】なお、反応性スパッタにはＤＣスパッタ法
を用いてもよいが、高周波スパッタ法を用いることが好
ましい。

【００４３】［反射薄膜５］反射薄膜５は、金属ないし
合金から構成されることが好ましいが、高い記録感度を
得るためには、反射薄膜５を形状記憶合金から構成する
ことが好ましい。形状記憶合金の反射薄膜は記録光照射
により変形しやすいため、凹部５１の形成が容易であ
る。用いる形状記憶合金の組成に特に制限はないが、製
造が比較的容易であることから、Ｎｉ−Ｔｉ系合金また
は銅系形状記憶合金を用いることが好ましい。銅系形状
記憶合金としては、特にＣｕ−Ｚｎ−Ａｌ系合金が好ま
しい。これらの形状記憶合金の組成や特性などについて
は、例えば日本伸銅協会発行（1988.5）の「銅および銅
合金の基礎と工業技術」に記載されている。

【００４４】ただし、反射薄膜５を、Ａｌ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｃｕ等の高反射率金属から構成してもよい。

【００４５】反射薄膜５の厚さは、３００〜１５００A
とすることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると十
分な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えても
反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。

【００４６】反射薄膜５は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成されることが好ましい。

【００４７】［保護膜６］保護膜６は、耐擦傷性や耐食
性の向上のために設けられるものであり、種々の有機系
の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線
硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射
線により硬化させた物質から構成されることが好まし
い。

【００４８】保護膜６の厚さは、通常、０．１〜１００
μm 程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプレ
ーコート、ディッピング等、通常の方法により形成すれ
ばよい。

【００４９】［低融点薄膜７］図２に、本発明の光記録
媒体の他の実施例を示す。図２において、光記録媒体１
は、誘電体薄膜３と記録薄膜４との間に低融点薄膜７を
有する。

【００５０】低融点薄膜７は、記録感度向上のために設
けられるものであり、融点２００〜８００℃程度の物質
から構成されることが好ましい。このような物質として
は、例えば、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓ
ｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄ、Ｉ等や、これらの合
金、化合物等が挙げられ、適宜選択して用いればよい。

【００５１】また、低融点の樹脂で低融点薄膜７を構成
してもよい。このような樹脂としては、例えば、ニトロ
セルロース、ポリイミド、フルオロカーボンなどが挙げ
られる。樹脂を用いる場合、低融点薄膜は蒸着法により
形成することが好ましいが、スピンコートにより形成す
ることもできる。

【００５２】低融点薄膜７の厚さは、１０〜２００A 、
特に５０〜１００A とすることが好ましい。厚さが前記
範囲未満であると記録感度向上効果が不十分となり、前
記範囲を超えると光の吸収が多くなりすぎて十分な反射
率が得られにくくなる。

【００５３】低融点薄膜７は、スパッタ法や蒸着法等の
気相成長法により形成されることが好ましい。

【００５４】なお、低融点薄膜７上に記録薄膜４を形成
する際に、低融点薄膜７は記録薄膜４中に拡散すること
がある。

【００５５】［反射率変化作用］図１に示される構成の光記録媒体１の基板２の裏面側か
ら記録レーザー光を照射すると、基板２および誘電体薄
膜３を透過した記録レーザー光は記録薄膜４を加熱す
る。記録薄膜４中の無機化合物は加熱されて分解し、ガ
スを発生する。無機化合物が酸化銀の場合、ＡｇとＯ₂
とに分解され、Ｏ₂ ガスが発生する。また、無機化合物
が窒化鉄の場合、ＦｅとＮ₂ とに分解され、Ｎ₂ ガスが
発生する。そして、発生したガスの圧力により記録薄膜
４内には空隙４１が形成される。

【００５６】一方、発生したガスにより反射薄膜５も圧
力を受け、反射薄膜５には凹部５１が形成される。反射
薄膜５が形状記憶合金から構成されている場合に記録感
度が高くなる、すなわち低パワーのレーザー光で書き込
み可能となるのは、形状記憶合金の反射薄膜を用いる
と、凹部５１の形成が容易となるためである。

【００５７】また、図２のように低融点薄膜７を設けて
ある場合、記録レーザー光照射により低融点薄膜７が昇
温して融解し、これにより記録薄膜４の加熱が促進され
ることになる。

【００５８】記録レーザー光照射により形成された空隙
４１内では、屈折率ｎ（複素屈折率の実部）や消衰係数
ｋ（複素屈折率の虚部）等の光学定数が記録薄膜４内と
は異なり、また、凹部５１の存在により光路長も変わる
ので、多重反射条件が変化し、記録レーザー光照射部に
おいて反射率が著しく低下する。

【００５９】凹部５１の深さは、反射率変化の様子から
３００〜５００A 程度と推定される。また、凹部５１の
光反射面は粗面化している。このような粗面化は、無機
化合物の分解によりガスがバブル状に発生したことによ
るものと考えられ、この粗面化も反射率の低下に寄与し
ていると考えられる。粗面化の様子は、走査型トンネル
顕微鏡（ＳＴＭ）等により確認することができる。

【００６０】［媒体構造］以上では、本発明を片面記録
型の光記録媒体に適用する場合について説明したが、本
発明は両面記録型の光記録媒体にも適用可能である。両
面記録型の光記録媒体に適用する場合、一対の基板２、
２を、記録薄膜４が内封されるように接着する。

【００６１】また、片面記録型であって、保護膜６上に
保護板を接着した構成とすることもできる。この場合の
保護板としては、通常、基板２と同質のものを用いれば
よいが、透明である必要はなく、その他の材質も用いる
ことができる。

【００６２】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００６３】［実施例１］基板２の表面に、酸化ケイ素
から構成される誘電体薄膜３、酸化銀から構成される記
録薄膜４、反射薄膜５および紫外線硬化型樹脂の保護膜
６を形成し、図１に示される構成を有する光記録ディス
クサンプルNo. １を作製した。

【００６４】基板２には、射出成形によりグルーブを同
時形成した直径１３３mm、厚さ１．２mmのディスク状ポ
リカーボネート樹脂を用いた。

【００６５】誘電体薄膜３は、ＳｉＯ₂ をターゲットと
してスパッタ法により１０００A の厚さに形成した。

【００６６】記録薄膜４は、酸素ガスとＡｒガスを含む
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により６００A の厚
さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０^-1Paと
し、酸素ガスの流量およびＡｒガスの流量はいずれも１
０SCCMとした。また、ターゲットにはＡｇを用い、スパ
ッタパワーは２００W とした。記録薄膜４の組成をオー
ジェ分光法により測定したところ、１０原子％の酸素を
含み、残部はＡｇであった。

【００６７】反射薄膜５は、Ｃｕ−Ｚｎ−Ａｌ合金をタ
ーゲットとしてスパッタ法により１０００A の厚さに形
成した。

【００６８】保護膜６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の厚さは５μm であった。

【００６９】サンプルNo. １について、ＣＤ信号（３
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には８mWのレーザー光を照射し、再生
時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレー
ザー光の波長は、７８０nmとした。

【００７０】この結果、未記録部の反射率は５０％、記
録部の反射率は１０％であり、光記録ディスクとしての
使用が可能であった。

【００７１】また、サンプルNo. １を６０℃、８０％Ｒ
Ｈで１０００時間保存して、耐久保存性の試験を行なっ
た。この結果、エラー率は殆ど増加しなかった。

【００７２】［実施例２］反射薄膜を１０００A 厚のＡ
ｌとし、記録薄膜の厚さを８００A とした他は実施例１
のサンプルNo. １と同様にして、光記録ディスクサンプ
ルNo. ２を作製した。

【００７３】サンプルNo. ２について、実施例１と同様
な記録再生を行なったところ、未記録部の反射率は５５
％、記録部の反射率は１５％であり、光記録ディスクと
しての使用が可能であった。また、Ａｌに替えてＡｕ、
ＰｔまたはＣｕを用いた場合でも、ほぼ同様な結果が得
られた。

【００７４】［実施例３］誘電体薄膜３と記録薄膜４と
の間に低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光
記録ディスクサンプルNo. ３を作製した。

【００７５】低融点薄膜７は、ターゲットとしてＳｎを
用い、スパッタ法により５０A の厚さに形成した。

【００７６】なお、低融点薄膜７以外の構成は実施例１
で作製したサンプルNo. １と同じとした。

【００７７】サンプルNo. ３について、記録レーザー光
のパワーをサンプルNo. １よりも２mW低い６mWとし、再
生レーザー光のパワーを０．５mWとして記録および再生
を行なったところ、サンプルNo. １と同様な反射率変化
が得られた。

【００７８】［実施例４］記録薄膜４を窒化鉄から構成
し、また、誘電体薄膜３を窒化ケイ素から構成し、その
他は実施例１のサンプルNo. １と同様にして光記録ディ
スクサンプルNo.４を作製した。

【００７９】記録薄膜４は、窒素ガスとＡｒガスを含む
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により８００A の厚
さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０^-1Paと
し、窒素ガスの流量は１SCCMとし、Ａｒガスの流量は１
０SCCMとした。また、ターゲットにはＦｅを用い、スパ
ッタパワーは２００W とした。記録薄膜４の組成をオー
ジェ分光法により測定したところ、１０原子％の窒素を
含み、残部はＦｅであった。

【００８０】誘電体薄膜３は、Ｓｉ₃ Ｎ₄ をターゲット
としてスパッタ法により１０００Aの厚さに形成した。

【００８１】サンプルNo. ４について、ＣＤ信号（３
Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には１２mWのレーザー光を照射し、再
生時には０．５mWのレーザー光を照射した。これらのレ
ーザー光の波長は、７８０nmとした。

【００８２】この結果、未記録部の反射率は５８％、記
録部の反射率は２０％であり、光記録ディスクとしての
使用が可能であった。

【００８３】また、サンプルNo. １と同様に耐久保存性
試験を行なったところ、サンプルNo. １と同様な結果が
得られた。

【００８４】［実施例５］誘電体薄膜３と記録薄膜４と
の間に低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光
記録ディスクサンプルNo. ５を作製した。

【００８５】低融点薄膜７は、実施例３のサンプルNo.
３と同様にして形成し、その他の構成は実施例４のサン
プルNo. ４と同じとした。

【００８６】サンプルNo. ５について、記録レーザー光
のパワーをサンプルNo. ４よりも４mW低い８mWとし、再
生レーザー光のパワーを０．５mWとして記録および再生
を行なったところ、サンプルNo. ４と同様な反射率変化
が得られた。

【００８７】

【発明の効果】本発明の光記録媒体は、追記型光記録デ
ィスクとしての使用が可能である。本発明では、記録薄
膜材料として無機材料を用いるので極めて耐光性が高
く、また、基板と記録薄膜との間に誘電体薄膜を設ける
ので、基板側からの水蒸気や酸素の侵入を防止でき、記
録前および記録後のいずれにおいても長期にわたって信
頼性の高い保存が可能である。

【００８８】また、反射薄膜材料として形状記憶合金を
用いた場合、高い記録感度が得られ、例えば８mW以下の
低パワーのレーザー光による記録が可能である。特に、
誘電体薄膜と記録薄膜との間に低融点薄膜を設ければ、
６mW以下の低パワーで記録を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の好適実施例を示す部分断
面図である。

【図２】本発明の光記録媒体の好適実施例を示す部分断
面図である。

【符号の説明】

１光記録媒体２基板３誘電体薄膜４記録薄膜４１空隙５反射薄膜５１凹部６保護膜７低融点薄膜

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板表面に、誘電体薄膜、記録薄膜およ
び反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、加熱によ
り分解して酸素または窒素ガスを放出する無機化合物と
して酸化銀または窒化鉄を含有し、前記酸化銀中の酸素の含有比率が５〜５０原子％であ
り、前記窒化鉄中の窒素の含有比率が５〜５０原子％である
ことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】前記誘電体薄膜が酸化ケイ素または窒化
ケイ素を含有する請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】前記反射薄膜が、形状記憶合金、Ａｌ、
Ａｕ、ＰｔまたはＣｕから構成される請求項１または２
に記載の光記録媒体。
【請求項４】前記誘電体薄膜と前記記録薄膜との間
に、低融点薄膜を有する請求項１ないし３のいずれかに
記載の光記録媒体。
【請求項５】前記低融点薄膜が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、
Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄ
またはＩから構成される請求項４に記載の光記録媒体。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の光
記録媒体を製造する方法であって、前記記録薄膜が反応
性スパッタ法により形成されることを特徴とする光記録
媒体の製造方法。
【請求項７】前記記録薄膜が、酸素ガスを含有する雰
囲気中においてＡｇをターゲットとして反応性スパッタ
により形成される請求項６に記載の光記録媒体の製造方
法。
【請求項８】前記反応性スパッタに際して、全てのガ
スの合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％とす
る請求項７に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項９】前記記録薄膜が、窒素ガスを含有する雰
囲気中においてＦｅをターゲットとして反応性スパッタ
により形成される請求項６に記載の光記録媒体の製造方
法。
【請求項１０】前記反応性スパッタに際して、全ての
ガスの合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０％と
する請求項９に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１１】前記反応性スパッタ時の圧力が３×１
０^-1〜１．０Paである請求項７ないし１０のいずれかに
記載の光記録媒体の製造方法。