JPH04298389A

JPH04298389A - 光記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH04298389A
Application number: JP3119474A
Authority: JP
Inventors: Junji Tominaga; 淳二富永; Hideki Doi; 秀樹土肥
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1991-02-06
Filing date: 1991-04-23
Publication date: 1992-10-22
Anticipated expiration: 2015-07-31
Also published as: JP3071243B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光記録媒体およびその製
造方法に関し、特にコンパクトディスク規格に対応する
再生が可能な光記録媒体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】大容量情報記録媒体として、光記録ディ
スク等の光記録媒体が注目されている。光記録媒体とし
ては、相変化型光記録媒体や光磁気記録媒体等の書き換
え可能タイプ、あるいはピット形成型光記録媒体等の追
記タイプなどがある。

【０００３】近年、コンパクトディスク（以下、ＣＤと
略称する）規格に対応して追記ないし記録を行なうこと
のできる光記録ディスクが提案されている（日経エレク
トロニクス１９８９年１月２３日号，Ｎｏ．４６５，Ｐ
１０７、社団法人近畿化学協会機能性色素部会，１９８
９年３月３日，大阪科学技術センター、ＳＰＩＥ　ｖｏ
ｌ　１０７８Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄａｔａ　Ｓｔｏｒａｇ
ｅ　Ｔｏｐｉｃａｌ　Ｍｅｅｔｉｎｇ，　８０　１９８
９等）。この光記録ディスクは、透明樹脂基板上に、色素層、Ａ
ｕ反射層および保護膜をこの順に設層して形成される。すなわち、反射層を色素層に密着して設けるものである
。

【０００４】しかし、この光記録ディスクは有機色素を
用いているため耐候性、特に耐光性が低く、例えば太陽
光中の紫外線などにより色素が劣化してしまう。このた
め、記録前であっても記録後であっても、長期にわたっ
て信頼性の高い保存を行なうことが難しい。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情からなされたものであり、ＣＤ規格に対応する再生
が可能で、しかも耐光性の高い光記録媒体およびその製
造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】このような目的は下記（
１）〜（１９）の本発明によって達成される。

【０００７】（１）　　基板表面に、記録薄膜、誘電体
薄膜および反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、
加熱により分解してガスを放出する無機化合物を含有す
ることを特徴とする光記録媒体。

【０００８】（２）　　前記無機化合物のガスを放出す
る温度が３００℃以下である上記（１）に記載の光記録
媒体。

【０００９】（３）　　前記ガスが酸素または窒素であ
る上記（１）または（２）に記載の光記録媒体。

【００１０】（４）　　前記無機化合物が酸化銀または
窒化鉄である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載
の光記録媒体。

【００１１】（５）　　前記誘電体薄膜が酸化ケイ素を
含有する上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の光
記録媒体。

【００１２】（６）　　前記記録薄膜の厚さが６００〜
１５００Ａ　であり、前記誘電体薄膜の厚さが５００〜
４０００Ａ　である上記（１）ないし（５）のいずれか
に記載の光記録媒体。

【００１３】（７）　　前記基板と前記記録薄膜との間
に、低融点薄膜を有する上記（１）ないし（６）のいず
れかに記載の光記録媒体。

【００１４】（８）　　前記低融点薄膜の厚さが１０〜
２００Ａ　である上記（７）に記載の光記録媒体。

【００１５】（９）　　前記低融点薄膜が、Ｓｎ、Ｚｎ
、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、ＣｄまたはＩから構成される上記（７）または（８
）に記載の光記録媒体。

【００１６】（１０）　　前記反射薄膜の厚さが３００
〜１５００Ａ　である上記（１）ないし（９）のいずれ
かに記載の光記録媒体。

【００１７】（１１）　　前記反射薄膜がＡｇ、Ａｌ、
Ａｕ、ＰｔまたはＣｕから構成される上記（１）ないし
（１０）のいずれかに記載の光記録媒体。

【００１８】（１２）　　基板の記録光照射部表面に凹
部が存在する上記（１）ないし（１１）のいずれかに記
載の光記録媒体。

【００１９】（１３）　　波長３００〜９００ｎｍにお
ける反射率が、未記録部で７０％以上であり、記録部で
５０％以下である上記（１）ないし（１２）のいずれか
に記載の光記録媒体。

【００２０】（１４）　　上記（１）ないし（１３）の
いずれかに記載の光記録媒体を製造する方法であって、
前記記録薄膜が反応性スパッタ法により形成されること
を特徴とする光記録媒体の製造方法。

【００２１】（１５）　　前記記録薄膜が、酸素ガスを
含有する雰囲気中においてＡｇをターゲットとして反応
性スパッタにより形成される上記（１４）に記載の光記
録媒体の製造方法。

【００２２】（１６）　　前記反応性スパッタに際して
、全てのガスの合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜
７０％とする上記（１５）に記載の光記録媒体の製造方
法。

【００２３】（１７）　　前記記録薄膜が、窒素ガスを
含有する雰囲気中においてＦｅをターゲットとして反応
性スパッタにより形成される上記（１４）に記載の光記
録媒体の製造方法。

【００２４】（１８）　　前記反応性スパッタに際して
、全てのガスの合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜
２０％とする上記（１７）に記載の光記録媒体の製造方
法。

【００２５】（１９）　　前記反応性スパッタ時の圧力
が３×１０−１〜１．０Ｐａである上記（１５）ないし
（１８）のいずれかに記載の光記録媒体の製造方法。

【００２６】

【作用】図１に示されるように、本発明の光記録媒体１
は、基板２の表面に記録薄膜３、誘電体薄膜４および反
射薄膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられ
ている。

【００２７】記録時には、基板２の裏面側から基板２を
通して記録レーザー光が照射され、記録薄膜３が加熱さ
れる。記録薄膜は、加熱により分解してガスを放出する
無機化合物を含有するので、記録レーザー光照射により
記録薄膜３からガスが放出される。例えば、記録薄膜３
が酸化銀を含有する場合、酸化銀は１６０℃程度でＡｇ
とＯ２　とに分解する。また、例えば、記録薄膜３が窒
化鉄を含有する場合、２００℃程度で窒化鉄から窒素が
放出される。そして、図１および図２に示されるように
、発生したガスにより記録薄膜３中に空隙３１が形成さ
れる。また、記録薄膜３近傍の樹脂製基板２は加熱され
て軟化しているため、発生したガスの圧力により記録薄
膜３との界面に凹部２１が形成される。

【００２８】これらの空隙や凹部などが生じることによ
り、記録レーザー光照射部の光学定数や光路長等の光学
的条件が変化し、反射率が低下する。また、凹部の底部
は粗面化しているため、これによっても反射率が低下す
る。

【００２９】このようにして生じる光反射率の変化は不
可逆的であるので、追記型の光記録媒体として使用する
ことができる。そして、ＣＤに対して用いられている７
８０ｎｍ近傍の光の反射率は、レーザー光照射前で７０
％以上あり、照射後には５０％程度以下、特に、記録薄
膜に用いる無機化合物を選択することにより２０％程度
以下まで低下するので、ＣＤ規格対応の追記型光記録デ
ィスクとしての使用が可能である。

【００３０】また、誘電体薄膜等の厚さを調整すること
により、３００〜９００ｎｍ程度の波長範囲においてこ
のような反射率変化が得られるので、短波長記録が可能
であり、より高い記録密度とすることが可能である。

【００３１】また、図２に示されるように、本発明の光
記録媒体１において、基板２と記録薄膜３との間に低融
点薄膜７を設けた場合、低融点薄膜７が吸熱作用を示す
ため、記録感度が向上する。このため、例えば３Ｔ信号
などの短い信号の記録が低パワーのレーザー光で良好に
行なえる。

【００３２】なお、特公昭６３−５６９２０号公報には
、「Ａｇ２　Ｏ−ＳｉＯ２　系の化合物で構成すること
を特徴とする光学記録材料」が開示されている。この光
学記録材料は、光照射により黒化し加熱により褪色する
というＡｇ２　Ｏ−ＳｉＯ２　系化合物の性質を利用し
たものであり、酸化銀を含有する記録薄膜と酸化ケイ素
を含有する誘電体薄膜とを積層するという本発明の光記
録媒体の構成とは異なる。また、その作用も本発明とは
全く異なるものである。そして、同公報の記載によれば
、初期反射率が４０％未満で、光照射後の反射率低下は
８％に過ぎず、ＣＤ規格対応の光記録媒体として用いる
ことは不可能である。

【００３３】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００３４】図１に本発明の光記録媒体の好適実施例を
示す。

【００３５】同図に示されるように、光記録媒体１は、
基板２の表面に記録薄膜３、誘電体薄膜４および反射薄
膜５を有し、反射薄膜５上には保護膜６が設けられてい
る。

【００３６】［基板２］光記録媒体１では、基板２を通
して記録薄膜３に記録光および再生光が照射されるので
、基板２はこれらの光に対して実質的に透明である必要
がある。また、基板２は、記録薄膜３から発生するガス
の圧力により凹部が形成される必要があるので、基板２
の材質としては樹脂が好ましい。具体的には、アクリル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン樹脂等の各種樹脂を用いればよい。

【００３７】基板２の形状および寸法は特に限定されな
いが、通常、ディスク状であり、その厚さは、通常、０
．５〜３ｍｍ程度、直径は５０〜３６０ｍｍ程度である
。

【００３８】基板２の表面には、トラッキング用やアド
レス用等のために、グルーブ等の所定のパターンが必要
に応じて設けられる。例えば、図示例の光記録媒体には
グルーブが設けられており、記録光はグルーブ内に照射
される。

【００３９】［記録薄膜３］記録薄膜３は、加熱により
分解してガスを放出する無機化合物を含有する。無機化
合物がガスを放出する温度は、３００℃以下であること
が好ましい。また、放出されるガスの種類に特に制限は
ないが、常温付近でガスとして安定に存在すること、無
毒性であることなどから、前記ガスは酸素または窒素で
あることが好ましい。

【００４０】酸素ガスや窒素ガスを発生する無機化合物
としては、酸化銀または窒化鉄を用いることが好ましい
。酸化銀を用いる場合、記録薄膜３中の酸素の含有比率
は、５〜５０原子％、特に１０〜３０原子％であること
が好ましい。また、窒化鉄を用いる場合、記録薄膜３中
の窒素の含有比率は、５〜５０原子％、特に１０〜３０
原子％であることが好ましい。記録薄膜３は、酸化銀だ
け、あるいは窒化鉄だけから構成されることが好ましい
が、他にＳｎ、Ｚｎ等の元素が合計で１０原子％程度以
下含有されていてもよい。

【００４１】記録薄膜の厚さは、６００〜１５００Ａ　
、特に７００〜１２００Ａ　であることが好ましい。厚
さが前記範囲未満であると記録が困難となり、前記範囲
を超えると記録薄膜での光吸収のために反射率が不十分
となる。

【００４２】記録薄膜３は、スパッタ法や蒸着法などの
気相成長法により形成されることが好ましく、特に、酸
素ガスや窒素ガス等を反応性ガスとして用いる反応性ス
パッタ法により形成されることが好ましい。

【００４３】酸化銀からなる記録薄膜を形成する場合、
酸素ガスを含有する雰囲気中において、Ａｇをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。酸素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、酸素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜７０％とすること
が好ましい。酸素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の酸素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。

【００４４】窒化鉄からなる記録薄膜を形成する場合、
窒素ガスを含有する雰囲気中において、Ｆｅをターゲッ
トとして反応性スパッタを行なう。窒素ガスはＡｒ等の
不活性ガスと併用することが好ましく、窒素ガスの流量
は、全てのガスの合計流量中の１０〜２０％とすること
が好ましい。窒素ガス流量が前記範囲を外れると、記録
薄膜中の窒素量が不適当になり、十分な記録感度が得ら
れない。

【００４５】酸化銀形成の際および窒化鉄形成の際の反
応性スパッタ時の圧力は、好ましくは３×１０−１〜１
．０Ｐａ、より好ましくは５×１０−１〜９×１０−１
Ｐａ、特に好ましくは５×１０−１〜８×１０−１Ｐａ
である。

【００４６】なお、反応性スパッタにはＤＣスパッタ法
を用いてもよいが、高周波スパッタ法を用いることが好
ましい。

【００４７】［誘電体薄膜４］誘電体薄膜４は、各種誘
電体から構成される。用いる誘電体は特に限定されない
が、記録薄膜３が酸化銀を含有する場合は、誘電体薄膜
４を酸化ケイ素から構成すれば記録感度が向上する。な
お、酸化ケイ素としては、通常、ＳｉＯ２　で表わされ
る組成を有するものを用いることが好ましい。また、記
録薄膜３が窒化鉄を含有する場合は、誘電体薄膜４を、
通常Ｓｉ３　Ｎ４　で表わされる窒化ケイ素から構成す
れば記録感度が向上する。

【００４８】なお、誘電体としては、この他、透明な各
種セラミクスや各種ガラスなどを用いてもよく、例えば
、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂ＬａＳｉＯＮ
や、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂ＳｉＡｌＯ
Ｎ、あるいはＹを含有するＳｉＡｌＯＮ等を好ましく用
いることができる。

【００４９】誘電体薄膜４の厚さは、用いる誘電体の屈
折率等に応じて適宜設定すればよく、例えば誘電体とし
てＳｉＯ２　を用いる場合、好ましくは５００〜４００
０Ａ　、より好ましくは１８００〜３５００Ａ　、さら
に好ましくは２５００〜３３００Ａである。また、屈折
率がＳｉＯ２とは異なる誘電体を用いる場合の好ましい
厚さは、その誘電体の屈折率でＳｉＯ２　の屈折率を除
した値を上記したＳｉＯ２　の好ましい厚さ範囲に乗じ
て求めればよい。誘電体薄膜４の厚さが好ましい範囲を
外れると、十分な反射率およびその変化を得ることが困
難となる。

【００５０】誘電体薄膜４は、スパッタ法や蒸着法等の
気相成長法により形成されることが好ましい。

【００５１】［反射薄膜５］反射薄膜５は、高反射率の
金属や合金から構成されることが好ましく、例えば、Ａ
ｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ等から適宜選択すればよい
。

【００５２】反射薄膜５の厚さは、３００〜１５００Ａ
　とすることが好ましい。厚さが前記範囲未満であると
十分な反射率が得にくくなる。また、前記範囲を超えて
も反射率の向上は小さく、コスト的に不利になる。

【００５３】反射薄膜５は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成されることが好ましい。

【００５４】［保護膜６］保護膜６は、耐擦傷性や耐食
性の向上のために設けられるものであり、種々の有機系
の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線
硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射
線により硬化させた物質から構成されることが好ましい
。

【００５５】保護膜６の厚さは、通常、０．１〜１００
μｍ　程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプ
レーコート、ディッピング等、通常の方法により形成す
ればよい。

【００５６】［低融点薄膜７］図２に、本発明の光記録
媒体の他の実施例を示す。

【００５７】図２において、光記録媒体１は、基板２と
記録薄膜３との間に低融点薄膜７を有する。

【００５８】低融点薄膜７は、記録感度向上のために設
けられるものであり、融点２００〜８００℃程度の物質
から構成されることが好ましい。このような物質として
は、例えば、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓ
ｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃｄ、Ｉ等や、これらの合
金、化合物等が挙げられ、適宜選択して用いればよい。

【００５９】また、低融点の樹脂で低融点薄膜７を構成
してもよい。このような樹脂としては、例えば、ニトロ
セルロース、ポリイミド、フロオロカーボンなどが挙げ
られる。樹脂を用いる場合、低融点薄膜は蒸着法により
形成することが好ましいが、スピンコートにより形成す
ることもできる。

【００６０】低融点薄膜７の厚さは、１０〜２００Ａ　
、特に５０〜１００Ａ　とすることが好ましい。厚さが
前記範囲未満であると記録感度向上効果が不十分となり
、前記範囲を超えると光の吸収が多くなりすぎて十分な
反射率が得られにくくなる。

【００６１】低融点薄膜７は、スパッタ法や蒸着法等の
気相成長法により形成されることが好ましい。

【００６２】なお、低融点薄膜７上に記録薄膜３が形成
されると、低融点薄膜７は記録薄膜３中に拡散すること
がある。

【００６３】［反射率変化作用］図１に示される構成の
光記録媒体１の基板２の裏面側から記録レーザー光を照
射すると、基板２を透過した記録レーザー光は記録薄膜
３を加熱する。記録薄膜３中の無機化合物は加熱されて
分解し、ガスを発生する。例えば、無機化合物が酸化銀
の場合、ＡｇとＯ２　とに分解され、Ｏ２　ガスが発生
する。また、無機化合物が窒化鉄の場合、ＦｅとＮ２　
とに分解され、Ｎ２　ガスが発生する。そして、発生し
たガスの圧力により記録薄膜３内には空隙３１が形成さ
れる。

【００６４】一方、記録薄膜３の温度上昇と共に記録薄
膜３近傍の基板２の温度も上昇し、基板２は軟化する。そして、発生したガスの圧力により基板２表面に凹部２
１が形成される。なお、場合によっては、ガスの圧力に
より誘電体薄膜４側もへこむことがある。

【００６５】また、図２のように低融点薄膜７を設けて
ある場合、記録レーザー光照射により低融点薄膜７が昇
温して融解し、これにより記録薄膜３および基板２の加
熱が促進されることになる。

【００６６】記録レーザー光照射により形成された空隙
３１内では、屈折率ｎ（複素屈折率の実部）や消衰係数
ｋ（複素屈折率の虚部）等の光学定数が記録薄膜３内と
は異なり、また、凹部２１の存在により光路長も変わる
ので、多重反射条件が変化し、記録レーザー光照射部に
おいて反射率が著しく低下する。

【００６７】凹部２１は、深さ５００〜１５００Ａ　程
度、特に５００〜８００Ａ　程度であり、走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）や走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）等に
より寸法を測定することができる。また、凹部２１の底
部は粗面化している。このような粗面化は、無機化合物
の分解によりガスがバブル状に発生したことによるもの
と考えられ、この粗面化も反射率の低下に寄与している
と考えられる。

【００６８】［媒体構造］以上では、本発明をＣＤ規格
に対応する片面記録型の光記録媒体に適用する場合につ
いて説明したが、本発明は両面記録型の光記録媒体にも
適用可能である。

【００６９】両面記録型の光記録媒体に適用する場合、
一対の基板２、２を、記録薄膜３が内封されるように接
着する。

【００７０】また、片面記録型であって、保護膜６上に
保護板を接着した構成とすることもできる。この場合の
保護板としては、通常、基板２と同質のものを用いれば
よいが、透明である必要はなく、その他の材質も用いる
ことができる。

【００７１】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００７２】［実施例１］基板２の表面に、酸化銀から
構成される記録薄膜３、酸化ケイ素から構成される誘電
体薄膜４、反射薄膜５および紫外線硬化型樹脂の保護膜
６を形成し、図１に示される構成を有する光記録ディス
クサンプルＮｏ．　１を作製した。

【００７３】基板２には、射出成形によりグルーブを同
時形成した直径１３３ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのディスク
状ポリカーボネート樹脂を用いた。

【００７４】記録薄膜３は、酸素ガスとＡｒガスを含む
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により８００Ａ　の
厚さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０−１
Ｐａとし、酸素ガスの流量およびＡｒガスの流量はいず
れも１０ＳＣＣＭとした。また、ターゲットにはＡｇを
用い、スパッタパワーは２００Ｗ　とした。記録薄膜３
の組成をオージェ分光法により測定したところ、１０原
子％の酸素を含み、残部はＡｇであった。

【００７５】誘電体薄膜４は、ＳｉＯ２　をターゲット
としてスパッタ法により２７００Ａ　の厚さに形成した
。

【００７６】反射薄膜５は、Ａｇをターゲットとしてス
パッタ法により１０００Ａ　の厚さに形成した。

【００７７】保護膜６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコ
ート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成し
た。硬化後の厚さは５μｍ　であった。

【００７８】サンプルＮｏ．　１について、ＣＤ信号（
３Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には８ｍＷのレーザー光を照射し、再
生時には０．５ｍＷのレーザー光を照射した。これらの
レーザー光の波長は、７８０ｎｍとした。

【００７９】この結果、未記録部の反射率は７０％、記
録部の反射率は２０％であり、ＣＤ規格に対応する再生
が可能であった。

【００８０】また、サンプルＮｏ．　１を切り出して酸
処理することにより、基板表面の反射薄膜、誘電体薄膜
および記録薄膜を溶解、剥離し、ＳＥＭにより観察した
ところ、記録部の基板表面には深さ５００〜１０００Ａ
　の凹部が形成されており、この凹部の底部は、ガスが
バブル状に発生した結果とみられる粗面状態となってい
た。

【００８１】［実施例２］記録薄膜３の厚さを９００Ａ
　、誘電体薄膜４の厚さを３２００Ａ　とし、その他は
実施例１のサンプルＮｏ．　１と同様にして光記録ディ
スクサンプルＮｏ．　２を作製した。

【００８２】サンプルＮｏ．　２について、実施例１と
同様な記録再生を行なったところ、未記録部の反射率は
７８％、記録部の反射率は８％であり、サンプルＮｏ．
　１よりも高いモジュレーションが得られた。

【００８３】また、サンプルＮｏ．　２においても、記
録部の基板表面にはサンプルＮｏ．　１と同様な凹部が
形成されており、凹部の深さは５００〜８００Ａ　であ
った。

【００８４】［実施例３］基板２と記録薄膜３との間に
低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光記録デ
ィスクサンプルＮｏ．　３を作製した。

【００８５】低融点薄膜７は、ターゲットとしてＳｎを
用い、スパッタ法により５０Ａ　の厚さに形成した。

【００８６】なお、低融点薄膜７以外の構成は実施例１
で作製したサンプルＮｏ．　１と同じとした。

【００８７】サンプルＮｏ．　３について、記録レーザ
ー光のパワーをサンプルＮｏ．　１よりも２ｍＷ低い６
ｍＷとし、再生レーザー光のパワーを０．５ｍＷとして
記録および再生を行なったところ、サンプルＮｏ．　１
と同様にＣＤ規格に対応する再生が可能であった。

【００８８】また、サンプルＮｏ．　３においても、記
録部の基板表面にはサンプルＮｏ．　１と同様な凹部が
形成されていた。

【００８９】［実施例４］記録薄膜３を窒化鉄から構成
し、また、誘電体薄膜４を窒化ケイ素から構成し、その
他は実施例１のサンプルＮｏ．　１と同様にして光記録
ディスクサンプルＮｏ．４を作製した。

【００９０】記録薄膜３は、窒素ガスとＡｒガスを含む
雰囲気中で反応性高周波スパッタ法により８００Ａ　の
厚さに形成した。スパッタ時の圧力は５．５×１０−１
Ｐａとし、窒素ガスの流量は１ＳＣＣＭとし、Ａｒガス
の流量は１０ＳＣＣＭとした。また、ターゲットにはＦ
ｅを用い、スパッタパワーは２００Ｗ　とした。記録薄
膜３の組成をオージェ分光法により測定したところ、１
０原子％の窒素を含み、残部はＦｅであった。

【００９１】誘電体薄膜４は、Ｓｉ３　Ｎ４　をターゲ
ットとしてスパッタ法により２３００Ａの厚さに形成し
た。

【００９２】サンプルＮｏ．　４について、ＣＤ信号（
３Ｔ、５Ｔ、７Ｔ、９Ｔ、１１Ｔ）の記録再生を行なっ
た。なお、記録時には１０ｍＷのレーザー光を照射し、
再生時には０．５ｍＷのレーザー光を照射した。これら
のレーザー光の波長は、７８０ｎｍとした。

【００９３】この結果、未記録部の反射率は７０％、記
録部の反射率は２０％であり、ＣＤ規格に対応する再生
が可能であった。

【００９４】また、サンプルＮｏ．　４においても、記
録部の基板表面にはサンプルＮｏ．　１と同様な凹部が
形成されていた。

【００９５】［実施例５］基板２と記録薄膜３との間に
低融点薄膜７を設けて、図２に示される構成の光記録デ
ィスクサンプルＮｏ．　５を作製した。

【００９６】低融点薄膜７は、実施例３のサンプルＮｏ
．　３と同様にして形成し、その他の構成は実施例４の
サンプルＮｏ．　４と同じとした。

【００９７】サンプルＮｏ．　５について、記録レーザ
ー光のパワーをサンプルＮｏ．　４よりも４ｍＷ低い６
ｍＷとし、再生レーザー光のパワーを０．５ｍＷとして
記録および再生を行なったところ、サンプルＮｏ．　４
と同様にＣＤ規格に対応する再生が可能であった。

【００９８】また、サンプルＮｏ．　５においても、記
録部の基板表面にはサンプルＮｏ．　１と同様な凹部が
形成されていた。

【００９９】［実施例６］反射薄膜３の組成を、Ａｌ、
Ａｕ、ＰｔまたはＣｕとし、その他は上記各実施例と同
様にして光記録ディスクサンプルを作製した。

【０１００】これらの各サンプルについて、上記各実施
例と同様な記録再生を行なったところ、上記各実施例と
ほぼ同様の結果が得られた。

【０１０１】

【発明の効果】本発明の光記録媒体は、未記録部におい
て７０％程度以上の反射率が得られ、また、記録部では
５０％程度以下、特に２０％程度以下まで反射率が低下
するので、ＣＤ規格に対応する追記型光記録ディスクと
しての使用が可能である。

【０１０２】そして、本発明では有機色素等の耐光性の
低い物質を用いないので極めて耐光性が高く、記録前お
よび記録後のいずれにおいても長期にわたって信頼性の
高い保存が可能である。

【０１０３】また、本発明の光記録媒体は記録感度が高
く、例えば８ｍＷ以下の低パワーのレーザー光による記
録が可能であり、特に、基板と記録薄膜との間に低融点
薄膜を設ければ、６ｍＷ以下の低パワーで記録を行なう
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の好適実施例を示す部分断
面図である。

【図２】本発明の光記録媒体の好適実施例を示す部分断
面図である。

【符号の説明】

１　　光記録媒体２　　基板２１　　凹部３　　記録薄膜３１　　空隙４　　誘電体薄膜５　　反射薄膜６　　保護膜７　　低融点薄膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　基板表面に、記録薄膜、誘電体薄膜お
よび反射薄膜をこの順で有し、前記記録薄膜が、加熱に
より分解してガスを放出する無機化合物を含有すること
を特徴とする光記録媒体。
【請求項２】　　前記無機化合物のガスを放出する温度
が３００℃以下である請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】　　前記ガスが酸素または窒素である請求
項１または２に記載の光記録媒体。
【請求項４】　　前記無機化合物が酸化銀または窒化鉄
である請求項１ないし３のいずれかに記載の光記録媒体
。
【請求項５】　　前記誘電体薄膜が酸化ケイ素を含有す
る請求項１ないし４のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】　　前記記録薄膜の厚さが６００〜１５０
０Ａ　であり、前記誘電体薄膜の厚さが５００〜４００
０Ａ　である請求項１ないし５のいずれかに記載の光記
録媒体。
【請求項７】　　前記基板と前記記録薄膜との間に、低
融点薄膜を有する請求項１ないし６のいずれかに記載の
光記録媒体。
【請求項８】　　前記低融点薄膜の厚さが１０〜２００
Ａ　である請求項７に記載の光記録媒体。
【請求項９】　　前記低融点薄膜が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ
、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｃ
ｄまたはＩから構成される請求項７または８に記載の光
記録媒体。
【請求項１０】　　前記反射薄膜の厚さが３００〜１５
００Ａ　である請求項１ないし９のいずれかに記載の光
記録媒体。
【請求項１１】　　前記反射薄膜がＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、
ＰｔまたはＣｕから構成される請求項１ないし１０のい
ずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１２】　　基板の記録光照射部表面に凹部が存
在する請求項１ないし１１のいずれかに記載の光記録媒
体。
【請求項１３】　　波長３００〜９００ｎｍにおける反
射率が、未記録部で７０％以上であり、記録部で５０％
以下である請求項１ないし１２のいずれかに記載の光記
録媒体。
【請求項１４】　　請求項１ないし１３のいずれかに記
載の光記録媒体を製造する方法であって、前記記録薄膜
が反応性スパッタ法により形成されることを特徴とする
光記録媒体の製造方法。
【請求項１５】　　前記記録薄膜が、酸素ガスを含有す
る雰囲気中においてＡｇをターゲットとして反応性スパ
ッタにより形成される請求項１４に記載の光記録媒体の
製造方法。
【請求項１６】　　前記反応性スパッタに際して、全て
のガスの合計流量に対し酸素ガスの流量を１０〜７０％
とする請求項１５に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１７】　　前記記録薄膜が、窒素ガスを含有す
る雰囲気中においてＦｅをターゲットとして反応性スパ
ッタにより形成される請求項１４に記載の光記録媒体の
製造方法。
【請求項１８】　　前記反応性スパッタに際して、全て
のガスの合計流量に対し窒素ガスの流量を１０〜２０％
とする請求項１７に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１９】　　前記反応性スパッタ時の圧力が３×
１０−１〜１．０Ｐａである請求項１５ないし１８のい
ずれかに記載の光記録媒体の製造方法。