JP2005022196A - 光記録ディスク - Google Patents

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Abstract

【課題】記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号のＣ／Ｎ比および再生耐久性を向上させることができる光記録ディスクを提供する。
【解決手段】基板２と、反射層３と、第三の誘電体層４と、光吸収層５と、第二の誘電体層６と、白金酸化物を主成分として含む分解反応層７と、第一の誘電体層８と、光透過層９とを備え、光透過層９を介して、レーザ光２０が照射されたときに、分解反応層７に主成分として含まれている白金属酸化物が白金と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、白金の微粒子が空洞内に析出することによって、分解反応層７に記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする光記録ディスク。
【選択図】 図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録ディスクに関するものであり、さらに詳細には、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号のＣ／Ｎ比および再生耐久性を向上させることができる光記録ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録ディスクが広く利用されているが、近年においては、より大容量で、かつ、高いデータ転送レートを有する光記録ディスクの開発が盛んに行われている。
【０００３】
こうした光記録ディスクにおいては、データの記録・再生に用いるレーザ光の波長λを小さくするとともに、対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、レーザ光のビームスポット径を小さく絞ることにより、光記録ディスクの記録容量の増大が図られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
光記録ディスクにおいては、光記録ディスクに記録された記録マークの長さ、および、隣り合う記録マーク間の長さ、すなわち、記録マークが形成されていない領域（以下、「ブランク領域」という。）の長さが解像限界未満になると、光記録ディスクからデータを再生することが不可能になる。
【０００５】
解像限界は、レーザ光の波長λと、レーザ光を集束するための対物レンズの開口数ＮＡによって決定され、記録マークとブランク領域との繰り返しの周波数、すなわち、空間周波数が２ＮＡ／λ以上の場合に、記録マークおよびブランク領域に記録されたデータの読み取りが不可能になる。
【０００６】
したがって、読み取り可能な空間周波数に対応する記録マークおよびブランクの長さは、それぞれ、λ／４ＮＡ以上となり、波長λのレーザ光を、開口数ＮＡの対物レンズによって、光記録ディスクの表面に集光させるときは、λ／４ＮＡの長さの記録マークおよびブランク領域が、読み取ることができる最短の記録マークおよびブランク領域となる。
【０００７】
このように、データを再生する場合には、データの再生が可能な解像限界が存在し、再生することができる記録マークの長さおよびブランク領域の長さに制限がある。したがって、解像限界未満の長さの記録マークおよびブランク領域を形成して、データを記録しても、記録されたデータを再生することができないので、光記録ディスクに、データを記録するときに形成可能な記録マークの長さおよびブランク領域の長さが必然的に制限されるから、通常は、解像限界未満になるような長さの記録マークおよびブランク領域を形成して、光記録ディスクにデータを記録することがない。
【０００８】
したがって、光記録ディスクの記録容量を増大させるためには、データの再生に用いるレーザ光の波長λを短くし、あるいは、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることによって、解像限界を小さくし、より短い記録マークとブランク領域よりなるデータを再生することができるようにすることが要求される。
【０００９】
しかしながら、データの再生に用いるレーザ光の波長λを短くし、あるいは、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることには限界があり、したがって、解像限界を小さくすることによって、光記録ディスクの記録容量を増大させることには限界があった。
【００１０】
また、何らかの方法で、光記録ディスクの記録容量を増大させる場合にも、本来の再生特性が低下しないように、光記録ディスクに記録されたデータを再生したときに、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることができ、光記録ディスクに記録されたデータを、繰り返し、再生しても、記録されたデータが劣化せず、光記録ディスクが高い再生耐久性を有していることが必要である。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号のＣ／Ｎ比および再生耐久性を向上させることができる光記録ディスクを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のかかる目的は、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光が、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、集光されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクであって、少なくとも、基板と、前記基板上に設けられ、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する反射層と、前記反射層上に設けられ、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有する第二の誘電体層と、前記第二の誘電体層上に設けられ、２ｎｍないし８０ｎｍの厚さを有し、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層と、前記分解反応層上に設けられる第一の誘電体層と、前記第一の誘電体層上に設けられ、１０μｍないし２００μｍの厚さを有する光透過層とを備え、前記光透過層を介して、前記レーザ光が照射されたときに、前記分解反応層に主成分として含まれている前記貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、前記貴金属の微粒子が前記空洞内に析出することによって、前記分解反応層に記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする光記録ディスクによって達成される。
【００１３】
本発明者の研究によれば、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層を備えた光記録ディスクに、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光透過層を介して、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光を集光すると、分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、分解反応層内に空洞が形成されるとともに、貴金属の微粒子が空洞内に析出し、分解反応層に記録マークが形成されて、データが記録され、こうして、データが光記録ディスクに記録された場合には、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときにも、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズを用いて、光透過層を介して、光記録ディスクに集光することによって、データが再生可能であることが見出されている。
【００１４】
分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、分解反応層内に空洞が形成されるとともに、貴金属の微粒子が空洞内に析出し、分解反応層に記録マークが形成されて、データが記録された場合に、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データを再生することができるという理由は必ずしも明らかではないが、空洞内に析出した貴金属の微粒子に、再生用のレーザ光が照射されることにより、近接場光が発生し、解像限界がなくなったためか、あるいは、空洞内に析出した貴金属の微粒子と照射されたレーザ光との相互作用によって、解像限界が小さくなったためではないかと推測される。
【００１５】
さらに、本発明においては、基板上に、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する反射層が形成されており、本発明者の研究によれば、基板上に、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する反射層が形成されている場合には、分解反応層に記録マークが形成された光記録ディスクの再生耐久性および再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることができることが見出されている。
【００１６】
すなわち、本発明者の研究によれば、光記録ディスクに、反射層が設けられていない場合には、光記録ディスクに記録されたデータを、繰り返し、再生したときに、光記録ディスクに記録されたデータが劣化することが判明している。
【００１７】
光記録ディスクに、反射層が設けられていない場合には、光記録ディスクに記録されたデータを、繰り返し、再生したときに、光記録ディスクに記録されたデータが劣化する理由は必ずしも明らかではないが、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光が、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光透過層を介して、集光されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクにおいては、レーザ光が照射されて、再生されたときに、光記録ディスクが加熱され、生成された熱によって、分解反応層に形成された空洞の形状や、空洞内に析出した貴金属の微粒子の状態が変化し、あるいは、分解反応層だけでなく、他の層の状態が変化するためと推測される。
【００１８】
したがって、本発明によれば、基板上に、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する反射層が形成されているため、再生用のレーザ光が照射されたときに、レーザ光によって与えられた熱が、反射層によって、レーザ光が照射された箇所から周囲へ拡散され、したがって、光記録ディスクが過剰に加熱されることを確実に防止することが可能になるから、光記録ディスクに記録されたデータの劣化を防止することができ、光記録ディスクの再生耐久性を向上させることが可能になる。
【００１９】
また、基板上に、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する反射層が形成されている場合には、反射層の表面によって、反射された光と、反射層上に積層された層によって、反射された光とが干渉し、結果として、再生信号を構成する反射光の光量が大きくなるので、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることも可能になる。
【００２０】
したがって、本発明によれば、分解反応層に空洞を形成するとともに、貴金属の微粒子を空洞内に析出させて、分解反応層に記録マークを形成することによって、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データの再生が可能になるから、光記録ディスクに、より高密度に、データを記録することができ、したがって、光記録ディスクの記憶容量を大幅に増大させることが可能となり、さらに、反射層によって、レーザ光によって与えられた熱が、レーザ光が照射された箇所から周囲へ拡散されるから、光記録ディスクが過剰に加熱されることを確実に防止することが可能になるとともに、反射層の表面によって、反射された光と、反射層上に積層された層によって、反射された光との干渉効果を利用して、反射光の光量を大きくすることが可能になるから、再生耐久性および再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることができる。
【００２１】
本発明において、分解反応層に主成分として含まれる貴金属酸化物は、とくに限定されるものではないが、酸化物の形成し易さ、近接場光の発生効率の観点から、銀、白金およびパラジウムよりなる群から選ばれる一種の貴金属を含む酸化物が好ましく、とくに、白金酸化物ＰｔＯｘが、分解温度が高いため、好ましい。
【００２２】
白金酸化物ＰｔＯｘは、他の貴金属酸化物に比べて、分解温度が高く、したがって、記録用のパワーに設定されたレーザ光を照射して、記録マークを形成する際に、レーザ光が照射された領域から、周囲の分解反応層に、熱が拡散しても、レーザ光が照射された領域以外の領域で、白金酸化物ＰｔＯｘの分解反応が生じることが防止されるから、分解反応層の所望の領域に、空洞を形成して、記録マークを形成することが可能になる。
【００２３】
また、高いパワーの再生用レーザ光が照射されて、データが再生される場合においても、白金酸化物ＰｔＯｘは、他の貴金属酸化物に比べて、分解温度が高いから、白金酸化物が白金と酸素に分解されるおそれがなく、したがって、繰り返し、光記録ディスクに記録されたデータを再生しても、記録マークの形状が変化することはなく、空洞が形成され、また、記録マークが形成された領域以外の領域に、新たに空洞が形成されることもないから、光記録ディスクの再生耐久性を向上させることが可能になる。
【００２４】
本発明において、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得るためには、白金酸化物の一般式ＰｔＯｘにおいて、ｘが０．５以上、４．０以下であることが好ましく、１．０以上、３未満であることがより好ましい。
【００２５】
本発明において、貴金属酸化物として、酸化銀ＡｇＯｙを用いる場合には、ｙが０．５以上、１．５以下であることが好ましく、０．５以上、１．０以下であることがより好ましい。
【００２６】
本発明において、好ましくは、白金酸化物が分解して、形成される白金の微粒子は、分解反応層に形成すべき空洞の大きさよりも小さい粒径を有しており、白金酸化物が分解して、形成される白金の微粒子が、通常、形成される空洞の大きさに比べて十分に小さい場合には、空洞内に析出した白金の微粒子によって、空洞の形状が悪影響を受け、記録マークの形状に、望ましくない変化が生じることを効果的に防止することが可能になる。ここに、白金の微粒子の粒径は、白金の微粒子が球形であるときの直径として定義される。
【００２７】
本発明において、反射層は、レーザ光によって与えられた熱を、レーザ光が照射された箇所から周囲へ拡散させるとともに、光透過層を介して、照射されるレーザ光を反射し、再び、光透過層から出射させる役割を果たす。
【００２８】
本発明において、反射層を形成するための材料は、レーザ光を反射し、また、熱を拡散させることができれば、とくに限定されるものではないが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが好ましい。
【００２９】
本発明において、反射層は、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有するように形成され、好ましくは、２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さを有するように形成される。
【００３０】
反射層が１０ｎｍ未満のときは、反射層に求められる熱拡散性能が不足し、また、３００ｎｍより厚いときは、成膜時間が長くなりすぎるため、反射層３の生産性が悪化するおそれがあるので、好ましくない。
【００３１】
本発明において、好ましくは、光記録ディスクは、さらに、前記反射層と前記第二の誘電体層との間に、１０ｎｍないし１４０ｎｍの層厚を有する第三の誘電体層と、前記第三の誘電体層上に設けられ、５ｎｍないし１００ｎｍの層厚を有する光吸収層とを備え、前記光吸収層が、前記光透過層を介して、前記レーザ光が照射されたときに、前記レーザ光を吸収して、発熱するように構成されている。
【００３２】
反射層と第二の誘電体層との間に、第三の誘電体層と、光吸収層が形成され、光透過層を介して、レーザ光が照射されたときに、光吸収層がレーザ光を吸収して、発熱するように構成されている場合には、レーザ光が照射されたときに、分解反応層自身が発熱し難くても、光吸収層から伝達される熱によって、分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物を貴金属と酸素に分解させることができ、したがって、分解反応層が容易に変形しやすくなるように、分解反応層を薄層化しても、また、分解反応層が、レーザ光の透過性の高い貴金属酸化物を含んでいても、光記録ディスクに、レーザ光を照射することにより、所望のように、貴金属酸化物を分解させて、記録マークを形成することが可能になる。
【００３３】
本発明において、光吸収層は、レーザ光の吸収率が高く、熱伝導率の低い材料を含んでいることが好ましく、ＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含んでいることが好ましい。
【００３４】
本発明において、光吸収層に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金としては、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂ、または｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＭ１−ｄで表わされる組成を有するものがとくに好ましい。ここに、Ｍは、Ｓｂ、ＴｅおよびＧｅを除く元素を表わす。
【００３５】
光吸収層に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂで表される組成を有するもののときは、ａおよびｂは、０≦ａ≦１、かつ、０≦ｂ≦０．２５であることが好ましい。ｂが０．２５を越えているときは、光の吸収係数が光吸収層に要求される値よりも低くなり、また、熱伝導性が光吸収層に要求される値よりも低くなり、好ましくない。
【００３６】
一方、光吸収層に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＭ１−ｄで表される組成を有するもののときは、１／３≦ｃ≦２／３、かつ、０．９≦ｄに設定することが好ましい。
【００３７】
元素Ｍは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイド）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。とくに、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光を用いる場合には、元素Ｍとして、Ａｇ、Ｉｎおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが好ましい。
【００３８】
本発明において、第三の誘電体層と、光吸収層とを設けない場合には、分解反応層は、２０ｎｍないし８０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
【００３９】
分解反応層は、レーザ光の透過性が高い貴金属酸化物を主成分として含んでいるため、分解反応層の厚さが、２０ｎｍ未満である場合には、レーザ光の吸収率が低く、レーザ光が照射されても、分解反応層が十分に加熱されず、所望のように、貴金属酸化物の分解反応を生じさせることができない場合があり、好ましくない。
【００４０】
一方、本発明において、第三の誘電体層と、光吸収層とを、基板と第二の誘電体層との間に設ける場合には、レーザ光の照射を受けたときに、分解反応層自身が、発熱する必要がないので、連続膜として形成することができる範囲で、分解反応層を薄く形成することができ、分解反応層は、２ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
【００４１】
本発明において、レーザ光が照射されて、分解反応層が、貴金属と酸素に分解し、空洞が形成される際に、第二の誘電体層および光吸収層が変形することが好ましい。
【００４２】
第二の誘電体層および光吸収層が変形した領域は、第二の誘電体層および光吸収層が変形しない領域と、光学特性が異なるので、再生信号のＣ／Ｎ比をより一層向上させることができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００４４】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略斜視図であり、図２は、図１に示された光記録ディスクのトラックに沿った断面のうち、Ａで示される部分の略拡大断面図である。
【００４５】
図１および図２に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１は、基板２を備え、基板２上に、反射層３と、第三の誘電体層４と、光吸収層５と、第二の誘電体層６と、分解反応層７と、第一の誘電体層８と、光透過層９が、この順に、積層されている。
【００４６】
本実施態様においては、図１に示されるように、光記録ディスク１は、光透過層９側から、レーザ光２０が照射されて、データが記録され、記録されたデータが再生されるように構成されている。レーザ光２０は、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有し、開口数ＮＡが０．７ないし０．９の対物レンズによって、光記録ディスク１に集光される。
【００４７】
基板２は、光記録ディスク１に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。
【００４８】
基板２を形成するための材料は、光記録ディスク１の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。基板２は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂がとくに好ましい。
【００４９】
本実施態様においては、基板２は、ポリカーボネート樹脂によって形成され、約１．１ｍｍの厚さを有している。
【００５０】
図２に示されるように、基板２の表面には、反射層３が形成されている。
【００５１】
反射層３は、レーザ光２０によって与えられた熱を、レーザ光２０が照射された箇所から周囲へ拡散させるとともに、光透過層９を介して、照射されるレーザ光２０を反射し、再び、光透過層９から出射させる役割を果たす。
【００５２】
反射層３を形成するための材料は、レーザ光２０を反射し、また、熱を拡散させることができればよく、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが好ましい。
【００５３】
反射層３は、たとえば、反射層３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００５４】
反射層３は、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有しており、２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さを有していることが好ましいが、この範囲内であれば、反射層３の厚さは格別限定されるものではない。
【００５５】
反射層３が１０ｎｍ未満のときは、反射層３に求められる熱拡散性能が不足し、また、３００ｎｍより厚いときは、成膜時間が長くなりすぎるため、反射層３の生産性が悪化するおそれがあるので、好ましくない。
【００５６】
図２に示されるように、反射層３の表面には、第三の誘電体層４が形成されている。
【００５７】
本実施態様においては、第三の誘電体層４は、基板２および反射層３を保護するとともに、その上に形成される光吸収層５を、機能的、化学的に保護する機能を有している。
【００５８】
第三の誘電体層４を形成するための誘電体材料は、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第三の誘電体層４を形成することができ、第三の誘電体層４は、好ましくは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物によって形成される。
【００５９】
第三の誘電体層４は、たとえば、第三の誘電体層４の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、基板２の表面上に形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００６０】
第三の誘電体層４の厚さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし１４０ｎｍが好ましい。
【００６１】
図２に示されるように、第三の誘電体層４の表面上には、光吸収層５が形成されている。
【００６２】
本実施態様において、光吸収層５は、光記録ディスク１に、記録用のパワーに設定されたレーザ光２０が照射されたときに、レーザ光２０を吸収して、発熱し、生成した熱を、後述する分解反応層７に伝達する機能を有している。
【００６３】
本実施態様においては、光吸収層５は、光の吸収係数が高く、熱伝導率の低いＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金によって形成されている。
【００６４】
ＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金としては、ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂ、または｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＭ１−ｄで表わされる組成を有するものがとくに好ましい。ここに、Ｍは、Ｓｂ、ＴｅおよびＧｅを除く元素を表わす。
【００６５】
光吸収層５に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂで表される組成を有するもののときは、０≦ａ≦１．０≦ｂ≦０．２５であることが好ましい。ｂが０．２５を越えているときは、光の吸収係数が光吸収層５に要求される値よりも低くなり、また、熱伝導性が光吸収層５に要求される値よりも低くなり、好ましくない。
【００６６】
一方、光吸収層５に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＭ１−ｄで表される組成を有するもののときは、１／３≦ｃ≦２／３、かつ、０．９≦ｄであることが好ましい。
【００６７】
元素Ｍは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイド）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。とくに、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光を用いる場合には、元素Ｍとして、Ａｇ、Ｉｎおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが好ましい。
【００６８】
光吸収層５は、光吸収層５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第三の誘電体層４の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００６９】
光吸収層５は、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有していることが好ましい。光吸収層５の厚さが、５ｎｍ未満である場合には、光吸収率が低すぎ、一方、光吸収層５の厚さが、１００ｎｍを越えると、後述のように、分解反応層７に空洞が形成される際に、光吸収層５が変形し難くなり、好ましくない。
【００７０】
図２に示されるように、光吸収層５の表面上には、第二の誘電体層６が形成されている。
【００７１】
本実施態様において、第二の誘電体層６は、後述する第一の誘電体層８とともに、後述する分解反応層７を、機械的、化学的に保護する機能を有している。
【００７２】
第二の誘電体層６を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第三の誘電体層４を形成することができ、第三の誘電体層４は、好ましくは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物によって形成される。
【００７３】
第二の誘電体層６は、第二の誘電体層６の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、光吸収層５の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００７４】
第二の誘電体層６は、好ましくは、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有するように形成される。
【００７５】
図２に示されるように、第二の誘電体層６の表面上には、分解反応層７が形成されている。
【００７６】
本実施態様においては、分解反応層７は、記録層の一部として用いられ、光記録ディスク１にデータが記録される際に、分解反応層７に、記録マークが形成される。
【００７７】
本実施態様において、分解反応層７は、白金酸化物ＰｔＯｘを主成分として含んでいる。
【００７８】
本実施態様において、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得るためには、１．０≦ｘ＜３．０であることがより好ましい。
【００７９】
分解反応層７は、分解反応層７に主成分として含まれる構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第二の誘電体層６の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００８０】
分解反応層７は、２ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
【００８１】
図２に示されるように、分解反応層７の表面上には、第一の誘電体層８が形成されている。
【００８２】
本実施態様において、第一の誘電体層８は、分解反応層５を機械的、化学的に保護する機能を有している。
【００８３】
第一の誘電体層８を形成するための材料はとくに限定されるものではないが、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物から形成されることが好ましい。
【００８４】
第一の誘電体層８は、第一の誘電体層８の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、分解反応層５の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
【００８５】
図２に示されるように、第一の誘電体層８の表面上には、光透過層９が形成されている。
【００８６】
光透過層９は、レーザ光２０が透過する層であり、その表面は、レーザ光２０の入射面を形成している。
【００８７】
光透過層９は、１０μｍないし２００μｍの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは、光透過層９は、５０μｍないし１５０μｍの厚さを有している。
【００８８】
光透過層９を形成するための材料は、光学的に透明で、使用されるレーザ光２０の波長領域である３９０ｎｍないし４２０ｎｍでの光学吸収および反射が少なく、複屈折が小さい材料であれば、とくに限定されるものではなく、スピンコーティング法などによって、光透過層９が形成される場合には、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂などが、光透過層９を形成するために用いられ、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などの活性エネルギー線硬化型樹脂が、光透過層９を形成するために、とくに好ましく使用される。
【００８９】
光透過層９は、第一の誘電体層８の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。
【００９０】
光透過層９の膜厚は、スピンコーティング法により、光透過層９を形成する場合には、１０μｍないし２００μｍが好ましく、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、第一の誘電体層８の表面に接着して、光透過層９を形成する場合には５０μｍないし１５０μｍが好ましい。
【００９１】
以上のように構成された光記録ディスク１には、次のようにして、データが記録され、データが再生される。
【００９２】
図３（ａ）は、データが記録される前の光記録ディスク１の一部拡大略断面図であり、図３（ｂ）は、データが記録された後の光記録ディスク１の一部拡大略断面図である。
【００９３】
光記録ディスク１にデータを記録するに際しては、光透過層９を介して、光記録ディスク１にレーザ光２０が照射される。
【００９４】
本実施態様においては、データを高い記録密度で記録するため、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光２０を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光記録ディスク１に集光するように構成されている。
【００９５】
また、レーザ光２０のパワーは、４ｍＷより高く、１２ｍＷ以下に設定される。ここに、レーザ光２０のパワーは、光記録ディスク１の表面におけるレーザ光２０のパワーとして、定義される。
【００９６】
記録用のパワーに設定されたレーザ光２０が、光記録ディスク１に照射されると、光吸収層５が光の吸収係数が高いＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金によって形成されているため、レーザ光２０が照射された光吸収層５の領域が加熱される。
【００９７】
光吸収層５で生成された熱は、分解反応層７に伝達され、分解反応層７の温度が上昇する。
【００９８】
分解反応層７に主成分として含まれる白金酸化物は、レーザ光２０に対する透過性が高いため、レーザ光２０が照射されても、分解反応層７自体は発熱し難く、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有する分解反応層７の温度を、白金酸化物の分解温度以上に上昇させることは困難であるが、本実施態様においては、光の吸収係数が高いＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金によって形成された光吸収層５が設けられているから、光吸収層５が発熱し、光吸収層５で生成された熱が、分解反応層７に伝達され、分解反応層７の温度が上昇する。
【００９９】
こうして、分解反応層７が、白金酸化物の分解温度以上に加熱され、分解反応層７に主成分として含まれている白金酸化物が、白金と酸素に分解される。
【０１００】
その結果、図３（ｂ）に示されるように、白金酸化物が分解して、生成された酸素ガスによって、分解反応層７中に、空洞７ａが形成され、白金の微粒子７ｂが空洞７ａ内に析出する。
【０１０１】
同時に、図３（ｂ）に示されるように、酸素ガスの圧力によって、第二の誘電体層６とともに、分解反応層７が変形する。
【０１０２】
こうして、空洞７ａが形成され、第二の誘電体層６および分解反応層７が変形した領域は、他の領域とは異なる光学特性を有するため、空洞７ａが形成され、第二の誘電体層６および分解反応層７が変形した領域によって、記録マークが形成される。
【０１０３】
本実施態様においては、こうして形成される記録マークおよび隣り合った記録マーク間のブランク領域の中には、λ／４ＮＡよりも長さが短いものが含まれ、解像限界未満の記録マーク列が形成される。
【０１０４】
また、本実施態様においては、分解反応層７が、分解温度が高い白金酸化物を主成分として含んでいるから、記録用のパワーに設定されたレーザ光２０を照射して、記録マークを形成する際に、レーザ光２０が照射された領域から、熱が周囲の分解反応層７に拡散した場合にも、レーザ光が照射された領域以外の領域で、白金酸化物の分解反応が生じることが防止され、したがって、分解反応層７の所望の領域に、空洞７ａを形成して、記録マークを形成することが可能になる。
【０１０５】
さらに、本実施態様においては、白金酸化物が分解して、白金の微粒子７ｂが、空洞７ａ内に、析出して、記録マークが形成されるが、白金の微粒子７ｂの粒径は、分解反応層７に形成すべき空洞７ａの大きさよりも小さいから、空洞６ａ内に析出した白金の微粒子７ｂによって、空洞７ａの形状が悪影響を受け、記録マークの形状に、望ましくない変化が生じることを効果的に防止することが可能になる。
【０１０６】
こうして、光記録ディスク１にデータが記録され、光記録ディスク１に記録されたデータは、以下のようにして、再生される。
【０１０７】
光記録ディスク１に記録されたデータを再生するに際しては、まず、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光２０を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光記録ディスク１に集光させる。
【０１０８】
本実施態様においては、データを再生するために光記録ディスク１に照射されるレーザ光２０のパワーは、通常よりも高く、１ｍＷないし４ｍＷに設定される。
【０１０９】
本発明者の研究によれば、こうして、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光２０を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズを用いて、光透過層９を介して、光記録ディスク１に集光することによって、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときにも、データが再生可能であることが見出されている。
【０１１０】
分解反応層７に主成分として含まれている白金酸化物が白金と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、分解反応層７内に空洞７ａが形成されるとともに、白金の微粒子７ｂが空洞７ａ内に析出し、分解反応層７に記録マークが形成されて、データが記録された場合に、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データを再生することができるという理由は必ずしも明らかではないが、空洞７ａ内に析出した白金の微粒子７ｂに、再生用のレーザ光２０が照射されることにより、近接場光が発生し、解像限界がなくなったためか、あるいは、空洞７ａ内に析出した白金の微粒子７ｂと照射されたレーザ光２０との相互作用によって、解像限界が小さくなったためではないかと推測される。
【０１１１】
本実施態様においては、分解反応層７は、分解温度が高い白金酸化物を主成分として含んでいるから、高いパワーの再生用レーザ光が照射されて、データが再生される場合においても、白金酸化物が白金と酸素に分解されるおそれがなく、したがって、繰り返し、光記録ディスク１に記録されたデータを再生しても、記録マークの形状が変化することはなく、空洞７ａが形成され、また、記録マークが形成された領域以外の領域に、新たに空洞が形成されることもないから、光記録ディスク１の再生耐久性を向上させることが可能になる。
【０１１２】
また、本実施態様においては、基板２上に、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する反射層３が形成されているので、再生用のレーザ光２０が照射されたときに、レーザ光２０が反射層３の表面で反射される。
【０１１３】
本発明者の研究によれば、光記録ディスク１に、反射層３が設けられていない場合には、光記録ディスク１に記録されたデータを、繰り返し、再生したときに、光記録ディスクに記録されたデータが劣化することが判明している。
【０１１４】
光記録ディスク１に、反射層３が設けられていない場合には、光記録ディスク１に記録されたデータを、繰り返し、再生したときに、光記録ディスク１に記録されたデータが劣化する理由は必ずしも明らかではないが、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光が、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光透過層９を介して、集光されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクにおいては、レーザ光２０が照射されて、再生されたときに、光記録ディスクが加熱され、生成された熱によって、分解反応層に形成された空洞の形状や、空洞内に析出した貴金属の微粒子の状態が変化し、あるいは、分解反応層だけでなく、他の層の状態が変化するためと推測される。
【０１１５】
しかしながら、本実施態様においては、基板２上に、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する反射層３が形成されているため、再生用のレーザ光２０が照射されたときに、レーザ光２０によって与えられた熱が、反射層３によって、レーザ光２０が照射された箇所から周囲へ拡散され、したがって、光記録ディスク１が過剰に加熱されることを確実に防止することが可能になるから、光記録ディスク１に記録されたデータの劣化を防止することができ、光記録ディスク１の再生耐久性を向上させることが可能になる。
【０１１６】
さらに、基板２上に、反射層３が形成されている場合には、反射層３の表面によって、反射されたレーザ光２０と、反射層３上に積層された層によって、反射されたレーザ光とが干渉し、結果として、再生信号を構成する反射光の光量が大きくなるので、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることも可能になる。
【０１１７】
本実施態様によれば、分解反応層７に空洞７ａを形成するとともに、白金の微粒子７ｂを空洞７ａ内に析出させて、分解反応層７に記録マークを形成することにより、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データの再生が可能になるから、光記録ディスク１に、より高密度に、データを記録することができ、したがって、光記録ディスク１の記憶容量を大幅に増大させることが可能になる。
【０１１８】
また、本実施態様によれば、基板２上に、反射層３が形成されているから、再生用のレーザ光２０が照射されたときに、レーザ光２０によって与えられた熱が、反射層３によって、レーザ光２０が照射された箇所から周囲へ拡散され、したがって、再生用のレーザ光２０によって、光記録ディスク１が過度に加熱されることがないから、光記録ディスク１に記録されたデータの劣化を防止することができ、光記録ディスク１の再生耐久性を高めることが可能になる。
【０１１９】
さらに、本実施態様によれば、基板２上に、反射層３が形成されているから、再生用のレーザ光２０が照射されたときに、レーザ光２０が反射層３の表面で反射され、したがって、反射層３の表面によって、反射されたレーザ光２０と、反射層３上に積層された層によって、反射されたレーザ光とが干渉し、結果として、再生信号を構成する反射光の光量が大きくなるので、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることも可能になる。
【０１２０】
図４は、本発明の別の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略斜視図であり、図５は、図４に示される光記録ディスクのトラックに沿った断面のうち、Ｂで示される部分の略拡大断面図である。
【０１２１】
図５に示されるように、本実施態様にかかる光記録ディスク１０は、基板２と、反射層３と、第二の誘電体層６と、分解反応層７と、第一の誘電体層８と、光透過層９とを備え、図１および図２に示された光記録ディスク１とは異なり、反射層３と第二の誘電体層６との間に、光吸収層５および第三の誘電体層４は形成されていない。
【０１２２】
本実施態様においては、分解反応層７が、２０ｎｍないし８０ｎｍの厚さを有するように、形成されている。
【０１２３】
以上のように構成された光記録ディスク１０には、次のようにして、データが記録され、データが再生される。
【０１２４】
光記録ディスク１０にデータを記録するに際しては、光透過層９を介して、光記録ディスク１にレーザ光２０が照射される。
【０１２５】
本実施態様においては、データを高い記録密度で記録するため、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光２０を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光記録ディスク１に集光するように構成されている。
【０１２６】
また、レーザ光２０のパワーは、４ｍＷより高く、１２ｍＷ以下に設定される。
【０１２７】
分解反応層７に主成分として含まれる白金酸化物は、レーザ光２０に対する透過性が高いため、レーザ光２０が照射されても、分解反応層７自体は発熱し難く、薄層の分解反応層７の温度を、白金酸化物の分解温度以上に上昇させることは困難であるが、本実施態様においては、分解反応層７の光吸収率が高くなるように、分解反応層７が２０ｎｍないし８０ｎｍの厚さを有するように形成されているから、レーザ光２０が照射されたときに、分解反応層７自体が、レーザ光２０を吸収して、発熱し、その温度が、白金酸化物の分解温度以上に上昇して、白金酸化物が、白金と酸素に分解される。
【０１２８】
したがって、本実施態様においても、白金酸化物が分解して、生成された酸素ガスによって、分解反応層７中に、空洞が形成され、白金の微粒子が空洞７ａ内に析出して、記録マークが形成される。
【０１２９】
本実施態様においては、こうして形成される記録マークおよび隣り合った記録マーク間のブランク領域の中には、λ／４ＮＡよりも長さが短いものが含まれ、解像限界未満の記録マーク列が形成される。
【０１３０】
記録用のパワーに設定されたレーザ光２０を照射して、記録マークを形成する際に、レーザ光２０が照射された領域から、熱が周囲の分解反応層７に拡散するが、本実施態様においては、分解反応層７が、分解温度が高い白金酸化物を主成分として含んでいるから、レーザ光が照射された領域以外の領域で、白金酸化物の分解反応が生じることが防止され、したがって、分解反応層７の所望の領域に、空洞を形成して、記録マークを形成することが可能になる。
【０１３１】
さらに、本実施態様においては、白金酸化物が分解して、白金の微粒子が、空洞内に、析出して、記録マークが形成されるが、白金の微粒子の粒径は、分解反応層７に形成すべき空洞７ａの大きさよりも小さいから、空洞内に析出した白金の微粒子によって、空洞の形状が悪影響を受け、記録マークの形状に、望ましくない変化が生じることを効果的に防止することが可能になる。
【０１３２】
こうして、光記録ディスク１０にデータが記録され、光記録ディスク１０に記録されたデータは、以下のようにして、再生される。
【０１３３】
光記録ディスク１０に記録されたデータを再生するに際しては、まず、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光２０を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光記録ディスク１に集光される。
【０１３４】
本実施態様においては、データを再生するために光記録ディスク１０に照射されるレーザ光２０のパワーは、通常よりも高く、１ｍＷないし４ｍＷに設定される。
【０１３５】
こうして、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光２０を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズを用いて、光透過層９を介して、光記録ディスク１に集光することによって、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときにも、所望のように、光記録ディスク１０に記録されたデータを再生することができる。
【０１３６】
本実施態様においては、分解反応層７は、分解温度が高い白金酸化物を主成分として含んでいるから、高いパワーの再生用レーザ光が照射されて、データが再生される場合においても、白金酸化物が白金と酸素に分解されるおそれがなく、したがって、繰り返し、光記録ディスク１０に記録されたデータを再生しても、記録マークの形状が変化することはなく、空洞が形成され、また、記録マークが形成された領域以外の領域に、新たに空洞が形成されることもないから、光記録ディスク１０の再生耐久性を向上させることが可能になる。
【０１３７】
また、本実施形態においては、基板２上に、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する反射層３が形成されているので、再生用のレーザ光２０が照射されたときに、レーザ光２０によって与えられた熱が、反射層３によって、レーザ光２０が照射された箇所から周囲へ拡散され、したがって、光記録ディスク１０が過剰に加熱されることを確実に防止することが可能になるから、光記録ディスク１０に記録されたデータの劣化を防止することができ、光記録ディスク１０の再生耐久性を向上させることが可能になる。
【０１３８】
さらに、基板２上に、反射層３が形成されている場合には、反射層３の表面によって、反射されたレーザ光２０と、反射層３上に積層された層によって、反射されたレーザ光とが干渉し、結果として、再生信号を構成する反射光の光量が大きくなるので、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることも可能になる。
【０１３９】
本実施態様によれば、分解反応層７に空洞を形成するとともに、白金の微粒子を空洞内に析出させて、分解反応層７に記録マークを形成することにより、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データの再生が可能になるから、光記録ディスク１０に、より高密度に、データを記録することができ、したがって、光記録ディスク１の記憶容量を大幅に増大させることが可能となる。
【０１４０】
また、本実施形態によれば、基板２上に、反射層３が形成されているから、再生用のレーザ光２０が照射されたときに、レーザ光２０によって与えられた熱が、反射層３によって、レーザ光２０が照射された箇所から周囲へ拡散され、したがって、再生用のレーザ光２０によって、光記録ディスク１０が過度に加熱されることがないから、光記録ディスク１０に記録されたデータの劣化を防止することができ、光記録ディスク１の再生耐久性を高めることが可能になる。
【０１４１】
さらに、本実施形態によれば、基板２上に、反射層３が形成されているから、再生用のレーザ光２０が照射されたときに、レーザ光２０が反射層３の表面で反射され、したがって、反射層３の表面によって、反射されたレーザ光２０と、反射層３上に積層された層によって、反射されたレーザ光とが干渉し、結果として、再生信号を構成する反射光の光量が大きくなるので、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることも可能になる。
【０１４２】
【発明の効果】
本発明によれば、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号のＣ／Ｎ比および再生耐久性を向上させることができる光記録ディスクを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略断面図である。
【図２】図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【図３】図３（ａ）は、データが記録される前の光記録ディスクの一部拡大略断面図であり、図３（ｂ）は、データが記録された後の光記録ディスクの一部拡大略断面図である。
【図４】図４は、本発明の別の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略斜視図である。
【図５】図５は、図４のＢで示された部分の略拡大断面図である。
【符号の説明】
１ 光記録ディスク
２ 基板
３ 反射層
４ 第三の誘電体層
５ 光吸収層
６ 第二の誘電体層
７ 分解反応層
８ 第一の誘電体層
９ 光透過層
１０ 光記録ディスク
２０ レーザ光

Claims (8)

  1. ３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光が、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、集光されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクであって、少なくとも、基板と、前記基板上に設けられ、１０ｎｍないし３００ｎｍの厚さを有する反射層と、前記反射層上に設けられ、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有する第二の誘電体層と、前記第二の誘電体層上に設けられ、２ｎｍないし８０ｎｍの厚さを有し、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層と、前記分解反応層上に設けられる第一の誘電体層と、前記第一の誘電体層上に設けられ、１０μｍないし２００μｍの厚さを有する光透過層とを備え、前記光透過層を介して、前記レーザ光が照射されたときに、前記分解反応層に主成分として含まれている前記貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、前記貴金属の微粒子が前記空洞内に析出することによって、前記分解反応層に記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする光記録ディスク。
  2. 前記貴金属酸化物が、白金酸化物によって構成され、前記光透過層を介して、前記レーザ光が照射されたときに、白金と酸素に分解されることを特徴とする請求項１に記載の光記録ディスク。
  3. 前記白金の微粒子が、前記分解反応層に形成すべき空洞の大きさより小さい粒径（前記白金の微粒子の粒径は、前記白金の微粒子が球形であるときの直径として定義される）を有することを特徴とする請求項２に記載の光記録ディスク。
  4. 前記分解反応層が、２０ｎｍないし８０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光記録ディスク。
  5. さらに、前記反射層と前記第二の誘電体層との間に、１０ｎｍないし１４０ｎｍの層厚を有する第三の誘電体層と、前記第三の誘電体層上に設けられ、５ｎｍないし１００ｎｍの層厚を有する光吸収層とを備え、前記光吸収層が、前記光透過層を介して、前記レーザ光が照射されたときに、前記レーザ光を吸収して、発熱することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光記録ディスク。
  6. 前記光吸収層が、ＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項５に記載の光記録ディスク。
  7. 前記分解反応層が、２ｎｍないし５０ｎｍの層厚を有することを特徴とする請求項５または６に記載の光記録ディスク。
  8. 前記第二の誘電体層および前記光吸収層が、前記分解反応層に前記空洞が形成されるのに伴って、変形するように構成されたことを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の光記録ディスク。
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