JPS5877042A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS5877042A JPS5877042A JP56172021A JP17202181A JPS5877042A JP S5877042 A JPS5877042 A JP S5877042A JP 56172021 A JP56172021 A JP 56172021A JP 17202181 A JP17202181 A JP 17202181A JP S5877042 A JPS5877042 A JP S5877042A
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- metal
- recording medium
- thin film
- film
- optical recording
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザー光で記録用の孔（ピット）を空けるべ
き低融点の金属又は半金属の薄膜を記録層として有する
形式の光記録媒体に属するが、新しいタイプの記録層を
設けた光記録媒体に関する・光記趣媒体は、「光デスク
」とも首わｎる・こ゛ れｔｃは、大別すると、第１に
、低融点の金属又は半金属の薄膜にレーザー光で多数の
微小な孔（ピット）を空けて記録し且２レーザー光で孔
の存在を検出することによって配録を再生する方式のも
のと、第２に、適当な材質の記録層の表面に多数の微小
な凹凸を印刷することによって記録をし且つレーザー光
の反射で凹凸の存在を検出することによって記ｆ＆を再
生する方式のものとの２つが知らｎ、夫々に一長一短が
ある（テレビジョン学会誌第３３巻＠９号（＋９７９）
１０〜１６頁）。
き低融点の金属又は半金属の薄膜を記録層として有する
形式の光記録媒体に属するが、新しいタイプの記録層を
設けた光記録媒体に関する・光記趣媒体は、「光デスク
」とも首わｎる・こ゛ れｔｃは、大別すると、第１に
、低融点の金属又は半金属の薄膜にレーザー光で多数の
微小な孔（ピット）を空けて記録し且２レーザー光で孔
の存在を検出することによって配録を再生する方式のも
のと、第２に、適当な材質の記録層の表面に多数の微小
な凹凸を印刷することによって記録をし且つレーザー光
の反射で凹凸の存在を検出することによって記ｆ＆を再
生する方式のものとの２つが知らｎ、夫々に一長一短が
ある（テレビジョン学会誌第３３巻＠９号（＋９７９）
１０〜１６頁）。
孔形成による記録をする形の光記録媒体においては、従
来、はソ３つの方式が提案されている。
来、はソ３つの方式が提案されている。
その第１の方式ｄ、ＰＭＭム（／リメチル・メタクリレ
ート）等のプラスチック又はガラスの基板上に、Ｔｅ、
Ｂｉ、 Ｉｎ、 ８ｎ、 Ｂｅ、 Ｚｎ、 Ｐｂ、
Ｔｉ、 Ｔｏ−Ａｓ。
ート）等のプラスチック又はガラスの基板上に、Ｔｅ、
Ｂｉ、 Ｉｎ、 ８ｎ、 Ｂｅ、 Ｚｎ、 Ｐｂ、
Ｔｉ、 Ｔｏ−Ａｓ。
Ｔｏ−８ｅ等の低融点の金属又は半金属の薄膜を記録層
として形成させて（蒸着、等によ））なるものであシ、
この方式では記録はレーザー光の照射によ〕該薄膜の一
部を融解又は蒸発させて孔を形成させることによシ行い
且つ記録の再生れ孔が形成した部分ではレーザー光を反
射せず且つ孔がない部分ではレーザー光を反射するので
、光の反射強、度の差を検出することによシ行う（いわ
ゆる、フィリップス方式）。この方式の主な問題点は、
記録層の構成物質の熔解又は蒸発によル孔を形成する関
係上、記録層がレーザー光に対して大きい吸収率をもち
且つ低い熱伝導率管もつこと、こｎによシレーブー光で
昇温し易く孔の形成が容易である性質をもつこと（記録
感度が良いこと）ｆ必要とし、その反面、記録の読み出
しく再生）のためには、孔がない部分のレーザー光反射
率が大きい性質をもつこと（再生コントラストが大きい
こと）を必要とするが、とｎらの要求される性質は互い
に基本的に矛盾していることに在る。従って、−：般的
ｒｃＦｉ、半導体レーザーしの波長である８００ ｎｍ
附近の光に対して、吸収率が６０１程度、反射率が４０
参程度である特性をもつ記録層を用いることで妥協が計
らｎている。特に半導体レーザーを用いる場合に＃ｉ、
未だ高出力のものが開発さｎていないので、記録時にお
いては、記録層の吸収率がよシ大きいことが好ましく、
また、その反ｍ、再生時には記録部分の反射率が大きい
ことが好ましい・再生時の信号／雑音比（Ｓ／Ｎ比）は
反射率に依存するからである。
として形成させて（蒸着、等によ））なるものであシ、
この方式では記録はレーザー光の照射によ〕該薄膜の一
部を融解又は蒸発させて孔を形成させることによシ行い
且つ記録の再生れ孔が形成した部分ではレーザー光を反
射せず且つ孔がない部分ではレーザー光を反射するので
、光の反射強、度の差を検出することによシ行う（いわ
ゆる、フィリップス方式）。この方式の主な問題点は、
記録層の構成物質の熔解又は蒸発によル孔を形成する関
係上、記録層がレーザー光に対して大きい吸収率をもち
且つ低い熱伝導率管もつこと、こｎによシレーブー光で
昇温し易く孔の形成が容易である性質をもつこと（記録
感度が良いこと）ｆ必要とし、その反面、記録の読み出
しく再生）のためには、孔がない部分のレーザー光反射
率が大きい性質をもつこと（再生コントラストが大きい
こと）を必要とするが、とｎらの要求される性質は互い
に基本的に矛盾していることに在る。従って、−：般的
ｒｃＦｉ、半導体レーザーしの波長である８００ ｎｍ
附近の光に対して、吸収率が６０１程度、反射率が４０
参程度である特性をもつ記録層を用いることで妥協が計
らｎている。特に半導体レーザーを用いる場合に＃ｉ、
未だ高出力のものが開発さｎていないので、記録時にお
いては、記録層の吸収率がよシ大きいことが好ましく、
また、その反ｍ、再生時には記録部分の反射率が大きい
ことが好ましい・再生時の信号／雑音比（Ｓ／Ｎ比）は
反射率に依存するからである。
第２の方式は、前記の低融点の金属又は半金属の薄膜よ
）なる記録層を、記録層に比べて、レーザー光に対して
大きい反射率を示す金属例えばＵ等の金属の反射性薄膜
と積層させ、このような積層膜を基体上に支持させてな
るものである・この方式では、記録は、第１の方式と同
様に、レーザー光の照射により記録層に孔管形成させる
ことによル行い、ｔた記録の再生は配録層に孔が形成し
た部分では１反射性薄膜が露出して反射率が大きくなっ
ておシ且つ孔がない部分では１反射率が相射的に小さい
ので、このことを利用し、光の反射強度の差を検出して
行う、この第２の方式でも、記録層はレーず一光に対し
て吸収率が出来るだけ高かく且つ熱伝導率が低いことが
記録感度の向上の点で好ましい・ 第３の方式は、基板上にＵ等の反射膜を設け、その上に
シリカ又は有機物の透明膜ｔλ／４ｎ の膜厚（但し
λは読み出しレーザー光の波長でｎは透明層の屈折率）
に形成し、さらにその上に半透明の記録層管設ける構造
としたものである・この方式でも、記録は記録層にレー
ザー光で？Ｌをあけることによシ行い、また記録の再生
は、孔が空いている部分で起る光の全反射と、孔がない
部分で起る光の干渉による反射防止との差金検出するこ
とによシ行われる。この場合の記録層は、や＃ｉシ低融
点の金属又は半金属で構成するが、牛透明な膜にするた
めに５０〜１００Ａ゛の程度の極めて薄い膜厚のものに
゛しなければならな、い（ＲｅＡ方式）。
）なる記録層を、記録層に比べて、レーザー光に対して
大きい反射率を示す金属例えばＵ等の金属の反射性薄膜
と積層させ、このような積層膜を基体上に支持させてな
るものである・この方式では、記録は、第１の方式と同
様に、レーザー光の照射により記録層に孔管形成させる
ことによル行い、ｔた記録の再生は配録層に孔が形成し
た部分では１反射性薄膜が露出して反射率が大きくなっ
ておシ且つ孔がない部分では１反射率が相射的に小さい
ので、このことを利用し、光の反射強度の差を検出して
行う、この第２の方式でも、記録層はレーず一光に対し
て吸収率が出来るだけ高かく且つ熱伝導率が低いことが
記録感度の向上の点で好ましい・ 第３の方式は、基板上にＵ等の反射膜を設け、その上に
シリカ又は有機物の透明膜ｔλ／４ｎ の膜厚（但し
λは読み出しレーザー光の波長でｎは透明層の屈折率）
に形成し、さらにその上に半透明の記録層管設ける構造
としたものである・この方式でも、記録は記録層にレー
ザー光で？Ｌをあけることによシ行い、また記録の再生
は、孔が空いている部分で起る光の全反射と、孔がない
部分で起る光の干渉による反射防止との差金検出するこ
とによシ行われる。この場合の記録層は、や＃ｉシ低融
点の金属又は半金属で構成するが、牛透明な膜にするた
めに５０〜１００Ａ゛の程度の極めて薄い膜厚のものに
゛しなければならな、い（ＲｅＡ方式）。
この方式では、記録、再生の感度が良いけれども。
記録層の全体が酸化され易く、記録の保存性が悪い欠点
がある。
がある。
なお、孔形成による記急によらない光記録媒体の１９１
１として社、ＴｅＯＸ、 Ｇ＠Ｏｘ、 ８ｂＯｚ
のような低級酸化物がレーザー光で黒化する現象を利
用して、これらの低級酸化物よ〕なる記録層をもつ方式
のものがある（松下方式、−％開昭５５−３８６１６号
公報参照）。
１として社、ＴｅＯＸ、 Ｇ＠Ｏｘ、 ８ｂＯｚ
のような低級酸化物がレーザー光で黒化する現象を利
用して、これらの低級酸化物よ〕なる記録層をもつ方式
のものがある（松下方式、−％開昭５５−３８６１６号
公報参照）。
本発明者は、孔形成による記録方式の光記録媒体におけ
る前記の欠点を解消するために、記鍮感度、再生感度、
記録保存性が従来のものよ〕向上された記録層を一発す
べく鋭意研究した。このためには、未配像状態では、レ
ーザー光に対しての吸収率が９０９１以上となし得る（
したがって反射率が１０嘔以下となし得る）もので、従
って低出力のレーザー光て孔の形成を達成でき且つ孔（
記録）部分が６０〜９０ｑｓ程度の反射率で光を反射て
きるか又は孔を通過するレーザー光を読み出しレーザー
光の照射側と反対側から十分に識別し得る記録層であっ
て、しかも膜厚ｔ−５０〜＋００；という極薄にする必
要がなく、蒸着、イオンゾレーテインダ法、スノ臂ツタ
リング法、プラズマディ４ノシヨン法、等の公知手段で
容易に形成できる２００〜１０００ Ａ の膜厚をも
ち得る記録層を実現させることが必要であると知見した
・ そこで、本発明者は、超微粒子の凝集体（ａｇｇ”ｒｅ
ｇａｔｅｓ ）が一般には、光に対して非常に良い黒体
である事実にヒントｔ−樽て、レーザー光の照射で熔解
又は蒸発できる程度の低融点の金属又は半金属の超微粒
子の凝集体よ〕なる薄膜、すなわち前記の低融点金属又
は半金属の超微粒子が電気顕微鏡で観察できる程度の小
さい、多数の空隙を伴って凝集した構造をもつ薄膜ｔｐ
成し、こ２１責光記録媒体の記録層として利用すること
を着想した・そして種々の実験ｆ打った結果、そのよう
な薄膜が所期の目的に極めて良く適することｔｌｌｉめ
た。
る前記の欠点を解消するために、記鍮感度、再生感度、
記録保存性が従来のものよ〕向上された記録層を一発す
べく鋭意研究した。このためには、未配像状態では、レ
ーザー光に対しての吸収率が９０９１以上となし得る（
したがって反射率が１０嘔以下となし得る）もので、従
って低出力のレーザー光て孔の形成を達成でき且つ孔（
記録）部分が６０〜９０ｑｓ程度の反射率で光を反射て
きるか又は孔を通過するレーザー光を読み出しレーザー
光の照射側と反対側から十分に識別し得る記録層であっ
て、しかも膜厚ｔ−５０〜＋００；という極薄にする必
要がなく、蒸着、イオンゾレーテインダ法、スノ臂ツタ
リング法、プラズマディ４ノシヨン法、等の公知手段で
容易に形成できる２００〜１０００ Ａ の膜厚をも
ち得る記録層を実現させることが必要であると知見した
・ そこで、本発明者は、超微粒子の凝集体（ａｇｇ”ｒｅ
ｇａｔｅｓ ）が一般には、光に対して非常に良い黒体
である事実にヒントｔ−樽て、レーザー光の照射で熔解
又は蒸発できる程度の低融点の金属又は半金属の超微粒
子の凝集体よ〕なる薄膜、すなわち前記の低融点金属又
は半金属の超微粒子が電気顕微鏡で観察できる程度の小
さい、多数の空隙を伴って凝集した構造をもつ薄膜ｔｐ
成し、こ２１責光記録媒体の記録層として利用すること
を着想した・そして種々の実験ｆ打った結果、そのよう
な薄膜が所期の目的に極めて良く適することｔｌｌｉめ
た。
そして、そのような低融点金属又は半金属の超微粒子の
凝集体よシなる薄膜であって、６００−１０００ ｒｍ
の波長のレーず一光について６０参以上の吸収率を示す
超微粒子薄膜が光記録層として良く実用で龜ることを確
認した・ 従って、本発明の要旨とすると仁ろ祉、レーザー光を用
いて記録、再生を行う光記録媒体において、レーザー光
の照射で熔融又は蒸発できる金属又は半金属の超微粒子
が電子顕微鏡で観察できる程度の小さい多数の空ＩＩＩ
を伴って凝集した構造をもつ薄膜であって６００〜１０
００ ｎｍの波長のレーザー光について６０１以上の吸
収率を示す金属又は半金属の薄膜を記録層として有する
ことを特徴とする光記録媒体にある。
凝集体よシなる薄膜であって、６００−１０００ ｒｍ
の波長のレーず一光について６０参以上の吸収率を示す
超微粒子薄膜が光記録層として良く実用で龜ることを確
認した・ 従って、本発明の要旨とすると仁ろ祉、レーザー光を用
いて記録、再生を行う光記録媒体において、レーザー光
の照射で熔融又は蒸発できる金属又は半金属の超微粒子
が電子顕微鏡で観察できる程度の小さい多数の空ＩＩＩ
を伴って凝集した構造をもつ薄膜であって６００〜１０
００ ｎｍの波長のレーザー光について６０１以上の吸
収率を示す金属又は半金属の薄膜を記録層として有する
ことを特徴とする光記録媒体にある。
記録層をなす超微粒子の材料としては、従来。
孔形成方式の光記録媒体の記録層で用いらｎた低融点の
金属又は半金属のすべての種類が用いられる・例えば、
Ｉｎｓ ８ｎ、 Ｔｅ、 Ｓｅｅ Ｂｉ、 Ｚｎｅ Ｐ
ｂ＊ ＢｉｅＴｉ、 Ｃｒ、 Ｍｎ、 ８１．ムｇ、ム
ｕ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｐｄ。
金属又は半金属のすべての種類が用いられる・例えば、
Ｉｎｓ ８ｎ、 Ｔｅ、 Ｓｅｅ Ｂｉ、 Ｚｎｅ Ｐ
ｂ＊ ＢｉｅＴｉ、 Ｃｒ、 Ｍｎ、 ８１．ムｇ、ム
ｕ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｐｄ。
ム１． Ｍｇ等又は仁れらのうちの合金Ｔｅ−ムＳ１丁
・−８・等が用い得る。超黴粒子祉直径１００〜３００
ム特に１００〜２００ムの範囲のものであるのが良く、
本発明の記録層を電子顕微鏡で見ると、このような大き
さの超微粒子がは輩同じ大きさの空隙（マｏｉｄｓ ）
を多数、介在させながら互に、ｆｉ＃して凝集している
状態が観察さｎる。この記録層薄膜の単位体積当りに、
超微粒子が占める合計体積の割合、すなわち充填率は、
記録層断面を電子顕微鏡で観察して算出てき、その充填
車は９０憾以下、好ましくＦｉ１０〜９０嚢、特に３０
〜８０憾であるのが好ましい・膜が強磁性金属の超微粒
子よ）成る場合には、膜の飽和磁化ｔ−測測定、とｎを
当該金属の完全に密実（５ｏｌｉｄ ）な（すなわち内
部空隙が実質的に無い）同−膜厚の膜の飽和磁、化の僅
と比較することによっても膜の充填率−全測定できる・
記録層の膜厚は２００〜１０００ Ａ が適当である。
・−８・等が用い得る。超黴粒子祉直径１００〜３００
ム特に１００〜２００ムの範囲のものであるのが良く、
本発明の記録層を電子顕微鏡で見ると、このような大き
さの超微粒子がは輩同じ大きさの空隙（マｏｉｄｓ ）
を多数、介在させながら互に、ｆｉ＃して凝集している
状態が観察さｎる。この記録層薄膜の単位体積当りに、
超微粒子が占める合計体積の割合、すなわち充填率は、
記録層断面を電子顕微鏡で観察して算出てき、その充填
車は９０憾以下、好ましくＦｉ１０〜９０嚢、特に３０
〜８０憾であるのが好ましい・膜が強磁性金属の超微粒
子よ）成る場合には、膜の飽和磁化ｔ−測測定、とｎを
当該金属の完全に密実（５ｏｌｉｄ ）な（すなわち内
部空隙が実質的に無い）同−膜厚の膜の飽和磁、化の僅
と比較することによっても膜の充填率−全測定できる・
記録層の膜厚は２００〜１０００ Ａ が適当である。
本発明におけ゛る金属又は半金属の超微粒子の凝集体よ
りなる記録層は、従来公知の蒸着技術、イオンデレーテ
ィング技術、スパッタリング技術、プラズマデＩジショ
ン技術、等を利用して基体上に形成させることができる
。゛例えば、金属の蒸着速度、蒸着装置の真空度、蒸着
時間、勢の種々な操作条件のΔラメーターを加減するこ
とによって、形成される超微粒子の直径、充てん車、膜
厚、膜の光吹収率、等を調整できる。
りなる記録層は、従来公知の蒸着技術、イオンデレーテ
ィング技術、スパッタリング技術、プラズマデＩジショ
ン技術、等を利用して基体上に形成させることができる
。゛例えば、金属の蒸着速度、蒸着装置の真空度、蒸着
時間、勢の種々な操作条件のΔラメーターを加減するこ
とによって、形成される超微粒子の直径、充てん車、膜
厚、膜の光吹収率、等を調整できる。
％Ｋ、１０ ）−ル以下の範囲の真空中に保持され
たガラス又ＦｉｐＭＭＡ等のプラスチック基板の上に、
この基板表面に対して斜めの方向から金属又は半金属の
蒸気の流ｎを当てて蒸着させる方法（以下、斜め蒸着法
ともいう）によって造膜するｔ・、若しくはアルゴン、
ヘリウム、窒素ガス等の不反応性、ガスｉ １０ 〜１
０トールの低圧で充満させた真空容器内に保持された基
板の上に、慣用の蒸着法、イオンデレーティング法、ス
パッタリング法、あるい祉プラズマデｄジション法で金
属又は半金属を造膜させ場合には、可視光について９０
−以上の高い数取率とＪＯ−８０−の充てん率とを示す
金属又は半金属超微粒子凝集体よルなる薄膜を記録層と
して形成できる。
たガラス又ＦｉｐＭＭＡ等のプラスチック基板の上に、
この基板表面に対して斜めの方向から金属又は半金属の
蒸気の流ｎを当てて蒸着させる方法（以下、斜め蒸着法
ともいう）によって造膜するｔ・、若しくはアルゴン、
ヘリウム、窒素ガス等の不反応性、ガスｉ １０ 〜１
０トールの低圧で充満させた真空容器内に保持された基
板の上に、慣用の蒸着法、イオンデレーティング法、ス
パッタリング法、あるい祉プラズマデｄジション法で金
属又は半金属を造膜させ場合には、可視光について９０
−以上の高い数取率とＪＯ−８０−の充てん率とを示す
金属又は半金属超微粒子凝集体よルなる薄膜を記録層と
して形成できる。
基体上に直接に低融点金属又は半金属の超微粒子の凝集
体よりなる記録層を設けてなる場合の本発明の光記録媒
体はその記録層の光吸収率が高いこと及び粒子間に空隙
があって熱伝導率が低いことに由って、低出力のレーザ
ー光照射で感度よく。
体よりなる記録層を設けてなる場合の本発明の光記録媒
体はその記録層の光吸収率が高いこと及び粒子間に空隙
があって熱伝導率が低いことに由って、低出力のレーザ
ー光照射で感度よく。
孔あき記録をすることが出来、また記録の再生は読み取
）レーザー光が孔を通過したレーザー光束を照射側と反
対側面で検出することによって行い得る・ 更に、本発明の光記録媒体において社、基、［Ｋ支持さ
れたし′−ザー光反射性金属膜の上に、あるいは、レー
ザー光に対して透明な基板とレーザー光反射性金属膜と
の間の中間層と【−て、低融点金属又は半金属の超微粒
子凝集体よ〕なる記録層管設置することがてきる。そし
て、記録媒体が基板で覆われてない方の側面には、透明
で低い熱伝導率の物質、例えばシリカ又はシリコーンゴ
ムよりなり且つ膜厚が１００細程度である表面保譲膜を
設けることも出来る・ 次に図面について、本発明の光記録媒体の種々な形式を
説明する。
）レーザー光が孔を通過したレーザー光束を照射側と反
対側面で検出することによって行い得る・ 更に、本発明の光記録媒体において社、基、［Ｋ支持さ
れたし′−ザー光反射性金属膜の上に、あるいは、レー
ザー光に対して透明な基板とレーザー光反射性金属膜と
の間の中間層と【−て、低融点金属又は半金属の超微粒
子凝集体よ〕なる記録層管設置することがてきる。そし
て、記録媒体が基板で覆われてない方の側面には、透明
で低い熱伝導率の物質、例えばシリカ又はシリコーンゴ
ムよりなり且つ膜厚が１００細程度である表面保譲膜を
設けることも出来る・ 次に図面について、本発明の光記録媒体の種々な形式を
説明する。
第１図は、ガラス又はＰＭＭム等の耐熱グラスチックの
基板１の上に、蒸着１等の適当な手段で造膜さ−ｒｔえ
金属又は半金属超微粒子の凝集体よりなるレーザー光吸
収性の薄膜２が記録層として設置さｎである最も単純な
形式の本発明の光記録媒体を図解１！にオア、３゜わ、
。光５８１体、つぃ讐。
基板１の上に、蒸着１等の適当な手段で造膜さ−ｒｔえ
金属又は半金属超微粒子の凝集体よりなるレーザー光吸
収性の薄膜２が記録層として設置さｎである最も単純な
形式の本発明の光記録媒体を図解１！にオア、３゜わ、
。光５８１体、つぃ讐。
記鍮時Ｋｈ１記録用薄膜２０側からでも、あるいは基板
１の側からでも、薄膜２にレーザー光の焦点を集めて照
射することによって、薄膜２内に記録孔６の形成管行う
ことができる。記録の６生（読みＩｎ）は、読み＊ｎル
−ザーが照射される媒体側面と反対側面において孔を通
過したレーザー光束を検出することによシ行わｎる。こ
こで用いら″れる記録層の材質としてａ、Ｉｎ、 ８ｎ
、 Ｔｏ、 Ｓｓ。
１の側からでも、薄膜２にレーザー光の焦点を集めて照
射することによって、薄膜２内に記録孔６の形成管行う
ことができる。記録の６生（読みＩｎ）は、読み＊ｎル
−ザーが照射される媒体側面と反対側面において孔を通
過したレーザー光束を検出することによシ行わｎる。こ
こで用いら″れる記録層の材質としてａ、Ｉｎ、 ８ｎ
、 Ｔｏ、 Ｓｓ。
Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｂ＊ Ｔａｎ Ｃｒ、Ｂｉｎ、 ８ｔ
ｅ Ａｇ、Ａｕ、Ｎｔ、 Ｃｕ＋Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｐｄ
、 Ａｉ Ｍｇ、等の低融点の金属や半金属が好ましい
、記録層の超微粒子の充てん７ｓは、余夛高いと熱伝導
が良くなるので、融解させるのに大きなレーザー出力が
必要となシ、また余）小さいと膜の強度か小さくな〕ま
た密着性が悪くなる・したがって３０〜８０憾が好まし
い。
ｅ Ａｇ、Ａｕ、Ｎｔ、 Ｃｕ＋Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｐｄ
、 Ａｉ Ｍｇ、等の低融点の金属や半金属が好ましい
、記録層の超微粒子の充てん７ｓは、余夛高いと熱伝導
が良くなるので、融解させるのに大きなレーザー出力が
必要となシ、また余）小さいと膜の強度か小さくな〕ま
た密着性が悪くなる・したがって３０〜８０憾が好まし
い。
第２図は、基板１の上に、読み取ルレー・ブー光につい
て適当な反射率を示す金属又は半金属の密実な薄膜４ｔ
−反射層として蒸着、等の適当な手段で設置させ、さら
にその反射層４の上に、金属又は半金属超微粒子凝集体
よりなるレーザー光吸収性の薄膜２を本発明により記録
層として設け、さらにその上に保護膜５を設けてなる形
式の本発明の光記録媒体を示す０こ＼で設けらｎる反射
層４は１０００ム以上の膜厚をもち、その材料は、記―
層２にレーザー照射で形成された記録孔２に入った読み
取シレーザー光線が反射層表面で反射されて孔の存在を
検出できる程度に高い反射率を示す物質、特にそのよう
な金属又祉半金属であるのが適当であり、例えばムｌで
あることができるＯ記録層に用いたと同じ金属又は半金
属の密実な薄膜を反射層４として設けることもできる。
て適当な反射率を示す金属又は半金属の密実な薄膜４ｔ
−反射層として蒸着、等の適当な手段で設置させ、さら
にその反射層４の上に、金属又は半金属超微粒子凝集体
よりなるレーザー光吸収性の薄膜２を本発明により記録
層として設け、さらにその上に保護膜５を設けてなる形
式の本発明の光記録媒体を示す０こ＼で設けらｎる反射
層４は１０００ム以上の膜厚をもち、その材料は、記―
層２にレーザー照射で形成された記録孔２に入った読み
取シレーザー光線が反射層表面で反射されて孔の存在を
検出できる程度に高い反射率を示す物質、特にそのよう
な金属又祉半金属であるのが適当であり、例えばムｌで
あることができるＯ記録層に用いたと同じ金属又は半金
属の密実な薄膜を反射層４として設けることもできる。
第２図の記録媒体の場合にも、ここで用いられＣｏｏ
ｐａ、ム１．Ｍｇ 等の低融点の金属や半金属が好ま
しい・記録層の超微粒子の充でん車は、余）高５いと熱
伝導が良くなるので、融解させるのに大きなレーザー出
力が必要とな如、ｔた余〕小さいと膜の強度が小さくな
りまた密着性が悪くなる０したがって、３０〜８０係が
好ましい。反射膜４は、記録時にこｎ自身が溶融するわ
けではないのｆ、低融点物質である必要はないが、記録
層２の物質との濡ｎ性が良いことと、熱伝導の悪い金属
が良い。
ｐａ、ム１．Ｍｇ 等の低融点の金属や半金属が好ま
しい・記録層の超微粒子の充でん車は、余）高５いと熱
伝導が良くなるので、融解させるのに大きなレーザー出
力が必要とな如、ｔた余〕小さいと膜の強度が小さくな
りまた密着性が悪くなる０したがって、３０〜８０係が
好ましい。反射膜４は、記録時にこｎ自身が溶融するわ
けではないのｆ、低融点物質である必要はないが、記録
層２の物質との濡ｎ性が良いことと、熱伝導の悪い金属
が良い。
保護層５は、一般的には有機物やシリカ等の透゛明で熱
伝導率の悪い物質の薄膜である。この表面保験膜は、機
械的な損傷から記録層２を守るだけでなく、プミやほこ
りの影響を少くなくするため膜厚は、例えば１００丸程
度と厚い方が良い、これは、レーザー光の焦点から異物
′ｔ−けなすためである・ 第２図の記録媒体は、記録時でも、記録の再生時でも保
護膜５のＩｉｌからレーザー光を照射するものである。
伝導率の悪い物質の薄膜である。この表面保験膜は、機
械的な損傷から記録層２を守るだけでなく、プミやほこ
りの影響を少くなくするため膜厚は、例えば１００丸程
度と厚い方が良い、これは、レーザー光の焦点から異物
′ｔ−けなすためである・ 第２図の記録媒体は、記録時でも、記録の再生時でも保
護膜５のＩｉｌからレーザー光を照射するものである。
この媒体では、記録時にＶ−ザーを照射すると、記録層
２の中の超微粒子が融解し、記録層に孔が空き、そめ孔
の内部でその背後にある反射膜が露出する。記録の再生
時には、記録層が融解しない程度のレーザー出力て照射
して反射光？検出すると、未配録部分では反射率が非常
に低く、記録部分（孔）では、反射率が高く、大きなコ
ントラストを得ることができる。
２の中の超微粒子が融解し、記録層に孔が空き、そめ孔
の内部でその背後にある反射膜が露出する。記録の再生
時には、記録層が融解しない程度のレーザー出力て照射
して反射光？検出すると、未配録部分では反射率が非常
に低く、記録部分（孔）では、反射率が高く、大きなコ
ントラストを得ることができる。
第３図の光記録媒体においてＦｉ、基板１の上に、金属
又は半金属超微粒子凝集体よシなるレーザー光吸収性の
薄１１２を記録層として設け、さらにその上に、鮪２図
について説明したと同様な適当な反射率を示す金属又は
半金属の密実な薄膜４′ｔ−反 ゛耐層として設置させ
、その反射層４の上に、保護膜５ｆ、設けてなる形式の
本発明の光記録媒体である・ 第３図の光記録媒体においても、基板１、記録層２１反
射層４、保護層５＃′ｉ第２図におけるものと同様にす
ることができる０但し、第３図の記録媒体は、記録時、
またその再生時に、基板１側からレーザー光を照射する
型のもので、この場合も、反射膜４の裏面に保護層５を
設けてよ−い。
又は半金属超微粒子凝集体よシなるレーザー光吸収性の
薄１１２を記録層として設け、さらにその上に、鮪２図
について説明したと同様な適当な反射率を示す金属又は
半金属の密実な薄膜４′ｔ−反 ゛耐層として設置させ
、その反射層４の上に、保護膜５ｆ、設けてなる形式の
本発明の光記録媒体である・ 第３図の光記録媒体においても、基板１、記録層２１反
射層４、保護層５＃′ｉ第２図におけるものと同様にす
ることができる０但し、第３図の記録媒体は、記録時、
またその再生時に、基板１側からレーザー光を照射する
型のもので、この場合も、反射膜４の裏面に保護層５を
設けてよ−い。
次に本発明管実施例について説明する・実施例１
本発明による光記録媒体管第４図に図解的に示す蒸着装
置を用いて製造した。
置を用いて製造した。
この蒸着装置は真空容器７の底面７′に蒸着すべき金属
の熔融金属ゾール８が設けられ、また排気口９に接続し
た排気４ンデの作動にょ）容器７の内部を１０ −１０
）−ルの高真空にすることができる・蒸着すべき金
属の超微粒子凝集体の薄膜−を記録層として設ける基板
１は基板ホルダーに固定され、蒸着を受ける面は、熔融
金属プールから上昇する金属蒸気の流れの方向に対して
斜めの方向に配置さｎる。この基板は基板ホルダーの軸
６′を中心に１分間当りに２〜３回回転させられ、蒸着
膜の厚さが基板表面全体にわたって均一になり且つ基板
表面に蒸着した金属が密実な薄ＩＩにならすに超微粒子
の凝集体の薄膜になるようにさする。
の熔融金属ゾール８が設けられ、また排気口９に接続し
た排気４ンデの作動にょ）容器７の内部を１０ −１０
）−ルの高真空にすることができる・蒸着すべき金
属の超微粒子凝集体の薄膜−を記録層として設ける基板
１は基板ホルダーに固定され、蒸着を受ける面は、熔融
金属プールから上昇する金属蒸気の流れの方向に対して
斜めの方向に配置さｎる。この基板は基板ホルダーの軸
６′を中心に１分間当りに２〜３回回転させられ、蒸着
膜の厚さが基板表面全体にわたって均一になり且つ基板
表面に蒸着した金属が密実な薄ＩＩにならすに超微粒子
の凝集体の薄膜になるようにさする。
本例では、基板表面に対して金属蒸気が当る入射角（蒸
気の入射方向と基板の法線とのな１角）はｇｏ’とした
。容器７Ｐｌの真空度を１ｘｌＯトールにして、コバル
ト金属を熔融したプール８からコバルト０・２ｆ／分の
速度でコバルト蒸気をＰＭＭＡ基板（厚嘔１・２１Ｉ１
ｍ）Ｋ蒸着させて膜厚５００ Ａのコパルト斜め蒸着膜
を形成させ、光記録デスク管作成した。この８コバルト
斜め蒸着膜の断面を電子顕微鏡（１０万倍拡大）で観察
すると、直径２００〜３００ムのコ／ヤルト金属の超微
粒子が多数の微細な空隙を伴って凝集している構造管も
つことが認めらｎ、その超微粒子の充填車は磁化率測定
法で調べると６５饅てあった。このコバルト斜め蒸着膜
の表面の吸収率は、６００〜１０００ ｍｍの波長のレ
ーザー光については９０ｑＩＩであり（反射幕ＩＯ憾）
、こｎに８３０−の波長のレーザーを出す出力１５−の
半導体レーザーを照射すると、記録孔が平均直径ＩＩＢ
で層に形成さｎた。この孔を通過する読み取〕レーザー
光（波長＄３０ ｎｍ ） の透過率は９０参であシ
、読み取シレーザーの照射側の反対側面で、記録孔が明
ｉＩに検出できた。
気の入射方向と基板の法線とのな１角）はｇｏ’とした
。容器７Ｐｌの真空度を１ｘｌＯトールにして、コバル
ト金属を熔融したプール８からコバルト０・２ｆ／分の
速度でコバルト蒸気をＰＭＭＡ基板（厚嘔１・２１Ｉ１
ｍ）Ｋ蒸着させて膜厚５００ Ａのコパルト斜め蒸着膜
を形成させ、光記録デスク管作成した。この８コバルト
斜め蒸着膜の断面を電子顕微鏡（１０万倍拡大）で観察
すると、直径２００〜３００ムのコ／ヤルト金属の超微
粒子が多数の微細な空隙を伴って凝集している構造管も
つことが認めらｎ、その超微粒子の充填車は磁化率測定
法で調べると６５饅てあった。このコバルト斜め蒸着膜
の表面の吸収率は、６００〜１０００ ｍｍの波長のレ
ーザー光については９０ｑＩＩであり（反射幕ＩＯ憾）
、こｎに８３０−の波長のレーザーを出す出力１５−の
半導体レーザーを照射すると、記録孔が平均直径ＩＩＢ
で層に形成さｎた。この孔を通過する読み取〕レーザー
光（波長＄３０ ｎｍ ） の透過率は９０参であシ
、読み取シレーザーの照射側の反対側面で、記録孔が明
ｉＩに検出できた。
実施例２
実施例１で用いた蒸着装置管用い、実施例１と同様にし
て、ｓｏｏ Ｘの銀斜Ｊ６□蒸着膜を作成した後基板ホ
ルダーの位ｆ／ＩＩＬｔ−直して基板表面が水平になる
ようにした０次に、蒸着すべき熔融金属ゾールをアル１
−クムのそれと職代え、真空度Ｉ Ｘ １０−’トール
の容器内でアルミニウム０−２１７分の速度でアルミニ
ウム蒸気管銀斜め蒸着膜の上から当てて、膜ＭＬ ２０
００ムのアルミニウムの通常の蒸着膜を作成した拳この
ように蒸着加工した基板をホルダーから取外し、アル１
＝り五蒸着膜の上に、真空容器外て膜厚０・ｌ１ｌＩの
塩化ビニルの保護膜を塗布して光記録デスクを作成した
。銀斜め蒸＊ＳＩの断面を電子顕微鏡（１０万倍拡大）
で観察すると、直径２００〜３００ Ｈの銀金属の超微
粒子が多数の微細な空Ｈを伴って凝集している構造をも
つことが認められ、その超微粒子の充填率は約６０１ｓ
であった・この銀斜め蒸着膜表面の吸収率は、ＰＭＭム
基板側から照射した６００〜１０００ ｎｍの波長のレ
ーザー光についても９０憾であった（反射率１０慢）。
て、ｓｏｏ Ｘの銀斜Ｊ６□蒸着膜を作成した後基板ホ
ルダーの位ｆ／ＩＩＬｔ−直して基板表面が水平になる
ようにした０次に、蒸着すべき熔融金属ゾールをアル１
−クムのそれと職代え、真空度Ｉ Ｘ １０−’トール
の容器内でアルミニウム０−２１７分の速度でアルミニ
ウム蒸気管銀斜め蒸着膜の上から当てて、膜ＭＬ ２０
００ムのアルミニウムの通常の蒸着膜を作成した拳この
ように蒸着加工した基板をホルダーから取外し、アル１
＝り五蒸着膜の上に、真空容器外て膜厚０・ｌ１ｌＩの
塩化ビニルの保護膜を塗布して光記録デスクを作成した
。銀斜め蒸＊ＳＩの断面を電子顕微鏡（１０万倍拡大）
で観察すると、直径２００〜３００ Ｈの銀金属の超微
粒子が多数の微細な空Ｈを伴って凝集している構造をも
つことが認められ、その超微粒子の充填率は約６０１ｓ
であった・この銀斜め蒸着膜表面の吸収率は、ＰＭＭム
基板側から照射した６００〜１０００ ｎｍの波長のレ
ーザー光についても９０憾であった（反射率１０慢）。
アルミニウム蒸着膜の 断面を電子顕微鏡で観察すると
、内部に黴細な空隙が実質的に無い密実な組織をもつこ
とが認められた。
、内部に黴細な空隙が実質的に無い密実な組織をもつこ
とが認められた。
この光記録デスクの基板側から、銀記録層に焦点を結ぶ
ようにして、波長８３０ ｎｍ のレーザーを出す出力
１５ｒｔ６Ｖ の半導体レーザーで照射すると。
ようにして、波長８３０ ｎｍ のレーザーを出す出力
１５ｒｔ６Ｖ の半導体レーザーで照射すると。
記録孔が平均直性Ｉ Ｒｍ で銀層に形成さｎた・波長
６００〜１０００ ｎｍの読み取９レーザー光を基板側
から照射した時には、記録孔内に霧出したアルミニウム
膜面の部分（記録部分）の反射率は７０憾であＬ未記録
部分と記録部分との反射率の差（７０嗟−１Ｏ４）で記
録孔が感度よく識別できた。
６００〜１０００ ｎｍの読み取９レーザー光を基板側
から照射した時には、記録孔内に霧出したアルミニウム
膜面の部分（記録部分）の反射率は７０憾であＬ未記録
部分と記録部分との反射率の差（７０嗟−１Ｏ４）で記
録孔が感度よく識別できた。
実施例３
本発明による光記録媒体を第５図に図解的に示す蒸着装
置ｌを用いて製造した。
置ｌを用いて製造した。
この蒸着装置は真空容器７の底面７′に蒸着すべき金属
の熔融金属ゾール８が設けらｎ、また排気口９に接続し
た排気ポンプの作動によ）容器７の内部を真空にするこ
とができる・この装置には、アルプン、等の不活性ガス
を出入させ得る導管１０が設けられ、真空容器７内に１
０ 〜１０トールの低圧の不活性ガス雰囲気を作ること
が出来るようになっている。さらに、基板ホルダー６と
、蒸着すべき金属の熔融金属ゾール８との間には、網板
状又は格子状、等の適当な形態のイオン化電極１１が設
、けられ、こｎは外方の直流電源１２に接続さｎる・こ
の電極に直流電圧を加えると、プール８力・ら上昇する
金属蒸気が電圧効果によりイオン化さｎて、イオンシレ
ーティング技術によ〕金属が基板上に蒸着される。
の熔融金属ゾール８が設けらｎ、また排気口９に接続し
た排気ポンプの作動によ）容器７の内部を真空にするこ
とができる・この装置には、アルプン、等の不活性ガス
を出入させ得る導管１０が設けられ、真空容器７内に１
０ 〜１０トールの低圧の不活性ガス雰囲気を作ること
が出来るようになっている。さらに、基板ホルダー６と
、蒸着すべき金属の熔融金属ゾール８との間には、網板
状又は格子状、等の適当な形態のイオン化電極１１が設
、けられ、こｎは外方の直流電源１２に接続さｎる・こ
の電極に直流電圧を加えると、プール８力・ら上昇する
金属蒸気が電圧効果によりイオン化さｎて、イオンシレ
ーティング技術によ〕金属が基板上に蒸着される。
蒸着すべき金属の超微粒子集合体の薄膜を記録層として
設けらｎるべき、基板ＩＦｉ基板ホルダー６に固定ヶ。
設けらｎるべき、基板ＩＦｉ基板ホルダー６に固定ヶ。
、“蒸、１受け、、１表あゆ、熔−金属プールから上昇
する金属蒸気の流４の方向に対して直角の方向に配置さ
ｒｔ、る−この基板は基板ホルダーの軸６′を中心に１
分間轟夛に２〜３回回転させらｎ、蒸着膜の厚さが基板
表面全体にわ牟って均一になるように配慮された・ 上記の装置Ｉにおいて、容器７を完全に排気した後に導
管１０を通してアルビンガスを０・１トールの圧力にま
て導入しながらＰＭＭＡ基板上にニッケル＝ｉ ７００
Ａの膜厚に蒸着した・この時基板の前面に設置したメ
ツシュ状の電極祉−２ＫＶの直流電圧を印加してグロー
放電を発止させ、イオンブレーティングとなるようにし
た。また基板ホルダー緯回転させて均′−に蒸着さｎる
ようにした。
する金属蒸気の流４の方向に対して直角の方向に配置さ
ｒｔ、る−この基板は基板ホルダーの軸６′を中心に１
分間轟夛に２〜３回回転させらｎ、蒸着膜の厚さが基板
表面全体にわ牟って均一になるように配慮された・ 上記の装置Ｉにおいて、容器７を完全に排気した後に導
管１０を通してアルビンガスを０・１トールの圧力にま
て導入しながらＰＭＭＡ基板上にニッケル＝ｉ ７００
Ａの膜厚に蒸着した・この時基板の前面に設置したメ
ツシュ状の電極祉−２ＫＶの直流電圧を印加してグロー
放電を発止させ、イオンブレーティングとなるようにし
た。また基板ホルダー緯回転させて均′−に蒸着さｎる
ようにした。
次にｌＸｌ０）−ルの真空中で通常の蒸着法によりアル
１＝ウムをｔｓｏｏｌｉｉｍした。その上に塩化ビニル
の保饅膜ｆ塗布した。この試料のニッケル超微粒子の凝
集体薄膜の分光曲線を測定したところ、６００〜１００
０ ｎｍの波長では吸収率８５９ｋ。
１＝ウムをｔｓｏｏｌｉｉｍした。その上に塩化ビニル
の保饅膜ｆ塗布した。この試料のニッケル超微粒子の凝
集体薄膜の分光曲線を測定したところ、６００〜１００
０ ｎｍの波長では吸収率８５９ｋ。
反射率１５憾であった。次に８３０ ｎｍ の半導体レ
ーザーで記録し、記録部分の反射率を測定したところ６
５参であった・
ーザーで記録し、記録部分の反射率を測定したところ６
５参であった・
第１図、第２Ｆｊ！Ｊ、第３図は本発明による光記録媒
体の種々な形式のもの一図解断面図である。 ｆ８４図、第５図は本発明による光記録媒体を製造する
に適する装置の図解図である。 １・−・−光記録媒体基板、 ２−一記録層、 ６・
−・−記録孔、 ４・・・・−反射層、 ５・−・−保
ｍｓ。 ６・−−一基板ホルダー、 ７・−・−真空容器、 ８
・−・−蒸着すべき熔融金属プール 惰１図
体の種々な形式のもの一図解断面図である。 ｆ８４図、第５図は本発明による光記録媒体を製造する
に適する装置の図解図である。 １・−・−光記録媒体基板、 ２−一記録層、 ６・
−・−記録孔、 ４・・・・−反射層、 ５・−・−保
ｍｓ。 ６・−−一基板ホルダー、 ７・−・−真空容器、 ８
・−・−蒸着すべき熔融金属プール 惰１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザー光を用いて記録、再生を行う光記録媒体に
おいて、レーザー光の照射で熔融又は蒸発できる金属又
は半金属の超微粒子が電子顕微鏡で観察できる程度の小
さい多数の空隙を伴って凝集した構造をもつ薄膜であっ
て６００−１０００ ｗｎの波長のレーザー光について
６０−以上の吸収皐を示す金属又は半金属の薄１ＩＩｔ
−記鎌層として有す −−ることを特徴とする光記録媒
体・ ２、基板上に、金属又は半金属の超微粒子が凝集した構
造をもつ薄膜よりなる上記の呵鍮層が設置されである特
許請求の範囲第普請に記載の光記録媒体・ ８、基板に支持さｎた反射性金属膜の上に、金属又は半
金属の超微粒子が凝集した構造をもつ薄膜よりなる上記
の記鍮層が設置されである特許請求の範囲第１項に記載
の光記録媒体。 ４、レーザー光に対して透明な基板上に、金属又は半金
属の超微粒子が凝集した構造をもつ薄膜よりなる上記の
記―層が設置さｎ、基板が存在する側面と反対側にある
記鍮層側面に反射性金属膜が設置されである特許請求の
範囲第１項に記載の光記録媒体・ ５、上記の記鍮層の露出表面には、保護膜が設けられで
ある特許請求の範囲第２項又は第３項に記載の光記録媒
体。 ６・ 上記の反射性金属膜の露出表面には、保護膜が設
けられである特許請求の範囲第４項に記載の光記録媒体
・ ？・ 上記の記鎌層を構成する薄膜の単位体積当りに、
金属又は半金属の超微粒子が占める合計体積の割合、す
なわち充てん率が９０憾以下、好ましくＵＩＯ〜９０饅
である特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。 ８、基板上に、あるいは基板に支持さｎた反射性金属膜
上に、該基板の表面あるいＦｉ該反射性金属膜の表面に
斜めの方向から、金属又は半金属の蒸気ｆ当てて金属又
は半金属を蒸着させ、こｎＫより、金属又は半金属の超
微粒子が電子顕゛微鏡で観察できる程度の小さい、多数
の空隙を伴って凝集した構造をもつ薄膜であって６００
〜１ｏｏｏ ｎｍの波長のレーザー光について６０１！
以上の吸収率を示す金属又は半金属の薄膜を記録層とし
て形成させることを嚢黴とする、光記録媒体の創造法６
９．１０ 〜１０トールの低圧の不活性ガスの冥囲気内
に保持さｆ′した基板上に、あるいは基板に支持された
反射−金属膜上に、金属又は半金属を蒸着法、イオンデ
レーテインダ法、スノぐツタリング法、プラズマディＩ
ジション法等により箪膜させ、′こｎによル、金属又は
半金属の超微粒子が電子顕微鏡で観察できる程度の小さ
い、多数の空Ｈを伴って凝集した構造をもつ薄膜であっ
て、６００〜１０００ ｎｍの波長のレーザー光につい
て６０参以上の吸収率を示°す金属又は半金属の薄膜を
記録層として形成させることを特徴とする光記録媒体の
製造法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172021A JPS5877042A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172021A JPS5877042A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877042A true JPS5877042A (ja) | 1983-05-10 |
Family
ID=15934047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172021A Pending JPS5877042A (ja) | 1981-10-29 | 1981-10-29 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5877042A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874392A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-04 | Ulvac Corp | 光記録媒体 |
| JPS58121156A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-19 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 光学的記憶媒体 |
| JPS61137239A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-06-24 | アルカテル・トムソン・ジガデイスク | 熱−光手段により書き込み可能な情報媒体の製造した法及び該方法によって製造される情報媒体の金属層 |
| EP0186017A2 (en) * | 1984-12-26 | 1986-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Recording and reproducing method of optical recording medium |
| EP0186467A2 (en) * | 1984-12-28 | 1986-07-02 | Pioneer Electronic Corporation | Optical data recording medium and method |
| WO1991005342A1 (en) * | 1989-09-28 | 1991-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical data recording medium and method of producing the same |
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-
1981
- 1981-10-29 JP JP56172021A patent/JPS5877042A/ja active Pending
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