JPS58121156A - 光学的記憶媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は媒質上の２進データの形の情報の光学的記憶装
置に関する。より具体的には、本発明は光学的に反射性
の媒質上のスポットの配列の形で符号化データを記憶す
る装置に適した媒質に関する。スポットは、データが記
憶される時、媒質上の非常に小さな点に集束されたレー
ザ・ビームの印加によって形成される。

〔従来技術の説明〕

光学的データ記憶システムの開発における興味が、光学
式ビデオ・ディスク・システムの導入及び潜在的には低
価格のＧａＡ７１Ａａレーザ・ダイオードの絶えざる改
良によって、最近刺激されている。これらのシステムの
導入に対する主な障害の１つは、適当な光学記憶材料が
未開発な事である。

候補となる材料は、（１）低い書込エネルギー（ＧａＡ
ＪＡｓレーザに対する適合性）、（２）長い寿命、及び
（３）低価格という特性を示すべきである。

これまでに研究されたいくつかの材料には、（Ａ）金属
薄嗅、Ｄ、Ｍａｙｄｅｎｙ　　Ｂｅ１ｌ　　Ｓｙｓｔｅ
ｍｓＴｅｃｈｎｉｃａｌ　　Ｊｏｕｒｎａｌ　　５Ｃｌ
ｙ　　１７６１（１９７１）：並びにＰ、Ｋｉｖｉｔｓ
ｓ　　Ｐ、Ｚａｌｍ及びＲ−：’ＱＤｏ　Ｂｏｎｔ１０
ＳＡ／ＩＥＥＥ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　　ｏｎＬａｓ
ｅｒ　　ａｎｄ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ　　Ｓｙ
ｓｔｅｍｓｓＳａｎｄ、Ｌｅｇ９、　ＣＡ、（Ｆｅｂｒ
ｕａｒｙ　　１９８０）（未刊）：（Ｂ）有機染料、Ｖ
、Ｎｏｒｏｔｎｙ及びり、ＡｌｅｘａｎｄｒａＸ　Ｊｏ
ｕｒｎａｌ　　ｏｆ　　Ａｐｐｌ。

Ｐｏｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅｓ　　２４、１３２
１〜１３２３（１９７９）；Ｖ、Ｂ、Ｊｉｐｓｏｎ及び
Ｃ，Ｒ，Ｊｏｎｅｓ、５ＰＩＥ　　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇｓｓ　　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　　Ｄｙｅｓｆｏｒ　　０
ｐｔｉｃａｌ　　Ｓｔｏｒａｇｅｙ　　Ｊ、Ｖａｃ、Ｓ
ｅｔ。

Ｔｅｃｈｎｏｌ、、１８．Ｎｏ、１．１０５〜１０９（
Ｊａｎ、／Ｆｅｂ、１９８１）：（Ｃ）染料付加ポリ？
　−（１）ｙ　６Ｌｏａｄｅｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒ）、Ｄ
、Ｇ、Ｈｏｗｅ及びＪ。

Ｊ、Ｗｒｏｂｅｌｌ　”５ｏｌｖｅｎｔ−Ｃｏａｔｅｄ
　　ＯｒｇａｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ　　ｆｏｒ　　
Ｈｉｇｈ　　ＤｅｎｓｉｔｙＯｐｔｉｃａｌ　　Ｒｅｃ
ｏｒｄｉｎｇ″、Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ。

Ｔｅｃｈｎｏｌ、、　１８．Ｎｏ、１．９２〜９９　（
Ｊａｎ／Ｆｅｂ、１９８１）：（ＤＪ金属付加ポリマー
（ＭｅｔａｌＬｏａｄｅｄ　　Ｐｏｌｙｍｅｒ）、Ｊ、
Ｄｒｅｘｌｅｒ。

”Ｄｒｅｘｏｎ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ｍｅｍｏｒｙ　
　Ｍｅｄｉａｆｏｒ　　Ｌａ５ｅｒ　　Ｒｅｃｏｒｄｉ
ｎｇ　　ａｎｄ　　ＡｒｃｈｉｖａｌＤａｔａ　　Ｓｔ
ｏｒａｇｅ　”Ｘ　Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ。

Ｔｅｃｈｎｏｌ　−１１８、Ｎｏ、１．８７〜９１　（
Ｊａｎ　、／Ｆｅｂ、１９８１）：　Ｔ、Ｗ、Ｓｍ１ｔ
ｈ及びＡ、Ｔ。

Ｗａｒｄｓ　　Ｍａｔｅｒｉａｌ　　Ｒｅ５ｅａｒｃｈ
　　ＳｏｃｔｅｔｙＭｅｅｔｉｎｇＸ　Ｂｏｓｔｏｎｓ
　　Ｍ２Ｂ５．％　（Ｎｏｖｅｍｂｅｒ１９８０）　（
未刊）：（Ｅ）２層、Ｒ，Ｃ，Ｍｉｌｌｅｒ、Ｒ，Ｈ，
Ｗｉ　ｌ　１ｅｎｓｓ　Ｈ，Ａ、Ｗａｔｓｏｎｓ　　Ｌ
、Ａ。

Ｄ’Ａｓａｒｏ及びＭ、　Ｆｅ　１　ｄｍａｎ、　Ｔｈ
ｅ　　Ｂｅ　ｌ　ＩＳｙｓｔｅｍ　　Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ　　Ｊｏｕｒｎａｌ）５８）９、（１９７９）。

米国特許第４２５２８９０号は、０．２μｍの厚さのア
モルファス・セレン・イメージング材料の微視的には不
連続な層で被覆されたポリエチレン・テレフタラートの
基板を用い、マスクを通して０．２Ｊ／Ｃｍ２　　より
も大きなエネルギーの光源を用いて媒質を照明してセレ
ン層を融合又は集塊させる事によって像を形成する光学
的像形成方法を説明している。その結果、マスクの忠実
な像が得られた。約ｏ、３Ｊ／ａｍ”のエネルギー・レ
ベルにおいて、マスクを経て照明された領域のセレンは
蒸発した。有用な被覆材料は、セレン、ヒ素、銀、カド
ミウム、亜鉛、テルル及び放射吸収性の色素及び染料で
ある。

米国特許第４１８８２１４号は、２つの材料から成る記
録媒体を用いたレーザ記録材料について述べている。そ
の１つは金属であり、他方はＧｅＳ以外の金属硫化物、
金属フッ化物又は金属酸化物等の化合物である。上記特
許において、金属層はＡｕｔ　ＰＬ　Ｒｈｔ　Ａｇｓ　
ＡＪＮ　Ｔｉｓ　Ｃｒ１Ｗｓ　Ｃｕ５Ｔｅ等の金属及び
本発明とは関連のない他の多くの物質の混合物から形成
された単一層であると提案されている。金属粒子を支持
するためにポリマー又は有機材料を用いるという概念は
全く示唆されていない。また化合物の基材中に金属粒子
が支持されている事が示されているが、化合物はそのエ
ネルギー吸収特性を利用して熱を金属粒子に渡し記録材
料の感度を増加させるためにｆｌｕいられている。寸だ
化合物は、より反射性の金属材料よりも高い融点を有す
る。さらに化合物は化学的により安定であり、且つ吸湿
性でない。また、レコーダの動作方法は、媒体を変形又
は蒸発させる事である。

米国特許第４０６９４８７号は、保護用の有機物又は無
機物の層を有する光学記憶層について述べている。この
光学記憶層は、組み合さって記録層を形成する非金属及
び金属層の積層体である。

〔発明の要約〕

本発明によれば、符号化されたスポットを記憶媒体に形
成する事によって、２進データを記憶するだめの光学記
憶媒体が与えられる。媒体は、集束された高強度のエネ
ルギー・ビームによって書込まれるようになっている。

媒体は低融点の基材を含む基板から成る。改良点は、媒
体が、（平坦又は非平坦な構成の）内部又は外部の薄膜
の形に分散したエネルギー吸収材料の島領域から成る小
寸法の粒子を含み、そのような粒子は互いに小さな間隔
で配置され、そのため集束されたエネルギーは、個々の
粒子を加熱するように照射して、加熱の起きた位置に情
報を記録するように、媒体の反射率を変化させる事がで
きる事である。

好ましくは薄膜ば、金、銀、銅、白金、パラジウム及び
ロジウムから成る群から選択された貴金属である。

上記Ｄｒｅｘｌｅｒの文献は、フレキシブルなディスク
上のポリマー基材中に保持された金属粒子を含み、露光
された写真乳剤と類似の膜状に粒子が分散した市販の記
録媒体について述べている。

Ｄ７ｅｘｌｅｒは、金属の単一の不連続な、Ｓ膜ではな
く、分散した金属の粒子を用いている・さらに、その粒
子はランダムに分散しているが、本発明の場合は単一の
不連続層の形の金属の島状領域が存在する０またＤｒｅ
ｘｌｅｒの媒体では、金属は媒体の厚み全体にわたって
分散しているので、媒体に含まれる金属の量は遥かに太
きい。そのような構造は媒体からの粒子の噴出を促進す
る傾向があり媒体の溶発又は蒸発の原因となる。これと
対照的に、本発明で用いられる核生成された金属の薄膜
は、蒸着、スパッタリング又は電子ビーム熱付着等の真
空付着技術によって付着されろ。これらの薄膜は噴出で
はなくむしろ合体する。

本発明において、エネルギー吸収材料（金属）がレーザ
・ビームによって加熱された時、プラスチックは溶解す
る。さらに、プラスチックに重なった金属の薄膜は、プ
ラスチック中に分散した金属とは明らかに異なっている
。本発明において、各粒子は入射レーザ放射によって急
速に加熱され、局所的な粒子の合体（ｃｏａｌｅｓｃｅ
ｎｃｅ）を引き起こし、データ記憶のための充分な光学
的コントラストを生じろ。米国特許第４２５２８９０号
のコントラストのメカニズムは尺度の点でかなり違って
いる（上記特許の０．０１〜２μｍと比べると本発明は
約０．００１〜０．０１μｍの厚さ）。また、本発明は
安定性の改善という点から、金等の貴金属の使用を開示
しているが、米国特許第４２５２８９０号はより安定で
ない材料を使用しており、また、符号化さ扛たデータ記
憶媒体上にデータを記録するのと対照的に写真型の像を
形成する応用を提案している。

本発明によれば、集束された高い強度のエネルギー・ビ
ームによって書込まれるのに適した一様な媒体に符号化
スポットを形成する事によって、２進データを記憶する
ための光学的記憶媒体において、媒体は低融点の基材を
含む基板から構成される。改良された点は、媒体が小さ
な間隔で互いに並置された粒子から成る内部もしくは外
部の薄膜層の形に分散したエネルギー吸収材料の島から
成る小寸法の粒子を含み、そのため集束されたエネルギ
ーは、個々の粒子を加熱して、加熱の起きた場所に情報
を記録するように、媒体の反射率の変化を生じさせる事
ができる事である。好ましくは薄膜層は、金、銀、銅、
白金、パラジウム及びロジウムから成る群より、選択さ
れた金属から構成される。好ましくは薄膜層は、金、白
金、パラジウム及びロジウムの貴金属の群から選択され
、薄膜層は厚さが約ｏ、　ｏ　ｏ　ｉ〜０．０１μｍの
範囲内にあり、幅が約０．００２５〜０．１μｍの範囲
内にある粒子から形成される。また、好ましくは、放射
反射層が、媒体に加えられる放射の１／４波長に等しい
厚さを有する中間層で隔てられて、薄膜層に並置される
。

一般に、本発明のエネルギー吸収材料は、厚さが約０．
００１〜０．０１　ｐｍ　ｆ幅が約０．００２５〜０．
１μｍの金の粒子から成る事が好ましい。エネルギー吸
収材料を保護するために、ダスト・カバーを設ける事が
できる。好ましくは、薄膜層から光学的に透明な層によ
って隔てられた反射層が、薄膜層に並置される。エネル
ギー吸収材料は、約０．００３μｍ程度の厚さ及び約０
．００５〜ｏ、ｏｉμｍの直径の金の粒子から成る。好
ましくは、約３０　ａｍの直径の光ディスクに等しい面
積のために４ｍｇ以下の金しか必要でないような密度で
、媒体に金属層が形成される。エネルギー吸収材料は、
約０．０２〜０．０４μｍの粒子寸法を特徴とするマー
クを形成するためにレーザ書込によって変形される。粒
子は好ましくは、熱蒸着、スパッタリング及びイオン・
ビーム付着を含む方法によって真空付着により形成され
、基板はポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ガラス
、ポリカーボネート及びアルミニウムから選択された材
料から成る。

〔良好な実施例の説明〕

理想的な光学的記憶媒体は、金属のような光学的吸収特
性を有し、且つ、低い熱伝導度を持つという点で、ポリ
マーのような熱的特性を持つものであろう。この目的を
達成するための努力が、第１図〜第６図の設計に示され
ている。

第１図において、基板１０は反射性の金属粒子１１の島
状領域から成る薄い不連続な膜で被覆されている。島１
１は幅が約２５〜１０ＤＯオングストローム、厚さが１
０〜１００オングストローム（０，００１〜０．Ｄ　１
　ａｍ厚さ、０．００２５〜０゜１μｍ幅）である。

膜１１に代替的な金属を使用できるが、それらは反射性
でなければならない。金は好−ましい拐木１であり、ご
く少量の金しか用いられないのでコストは低い。代替的
金属は、銀、銅、白金、パラジウム及びロジウムである
。これら全ての全屈は、貴金属又は非常に安定な金属で
−ある。粒子寸法はＰｔ、Ｐｄ及びＲｈの場合は低い側
にあるが、それらはなお優秀な安定性を示す。また、Ｃ
ｏ及びＡｇの粒子のより大きな寸法は、それらを金の経
済的な代替物として使用する事を可能にする。

記録が行なわれる時、レーザ等の高強度のエネルギー・
ビームが、金属粒子上に照射され、金属粒子は、エネル
ギーを吸収して加熱される。局所的な加熱によって、金
属粒子が融合又は集積して、粒子が分散した空間を大き
く減少させた融合スポットが形成される。この時、粒子
の膜によって与えられる反射率が大幅に減少する事が見
い出された。粒子の温度は、基板１０の性質によって制
御される。活性媒体の熱伝導度は、金属膜が不連続なの
で基板１０によって支配され、光学的吸収特性は金属膜
１１の性質によって定まる。

基板１０は層１１の支持体と適合性を有する材料から成
るべきであり、もし、記憶媒体上にデータを書込むため
の光が層１１を加熱するために、基板の下からそれを透
過して加えられるならば、基板材料は透明でなければな
らない。透明な基板１０はＰＭＭＡ、ガラス、溶融石英
及び他の適当な材料から形成し得る。基板の厚さは１ｍ
ｍ（１０００μｍ）程度でも良い。好ましくは、基板は
ガラス又はＰＭＭＡ等のプラスチックである。さらに、
光が媒体の上面から層１１を照射するならば、層１１の
表面上にダストが集まるのを除ぐダスト・カバー１６が
存在すべきである。この場合、基板は適正な平担さと表
面品質を持つ材料であればどのようなものでもよく、透
明である必要はない。

第２図の場合、第１図の構造は、好ましくは、光学的に
透明であって複屈折性でない、ＰＭＭＡ等のプラスチッ
クの層１２が付加される事によって変形される。好まし
くは、この場合光は、矢印に示すように基板の裏側から
金属層１１に加えられる。

第３図は、第１図の構造の他の変形を示す。この場合、
Ａ１１％　Ｔ１％　Ｃｒ　　（又はＡｕｙ　ｐｔ、　Ｒ
ｈ　；これらはこの目的のためては高価である）等の鏡
状の材料から成る反射層１５が存在する。反射層１５は
約５００〜１０００オングストロームの厚さが好ましい
。層１１と層１５との間には、光学的に透明であって、
媒体に書込むため（で用いたレーザの周波数において約
１／４波長のポリマー又はプラスチック材料の層１４が
存在する。例えば層１４は１００〜１４００オングスト
ローム程変の厚さく０１〜０１４μｍ）である。また、
ダスト粒子を記録層１１０表面から離して保持する事に
よって、ダスト粒子による像の劣化を伴なう事なく、上
側から媒体ンこ光を照射できるように、ダスト・カバー
１６を設ける事が好ましい。

第４図は、第１図及び第６図の構造の変形であって、矢
印に示すように裏面から光を照射するのに適合した、透
明基板１０上の複数の島から成る反射性の層１１と共に
、スペーサ層１４の上面に反射性の層１５１　を設けた
ものである。

第５図は、第２図のように層１１上にダスト保護層１２
を付着させた点を除けば、第６図と同様である。

第６図は、第２図及び第５図のように上面に層１２を付
加した点を除けば、第４図と同様である。

第１図〜第６図の媒体は、好ましくは、７８０〜８８０
　ｎｍの波長のＧａＡａレーザ等のレーザによって露光
される。代替的なレーザは、ＨｅＮｅレーザ（６３２，
８ｎｍ）、Ｋｒレーザ（６４７，１ｎｍ）、Ａｒレーザ
（４８８ｎｍ　）及びＨｅＣｄ　　レーザである。その
強度は、約０．５ｎＪ／μｍ２である。媒体に加えられ
るレーザ・ビームの持続時間は約１Ｏｎ８〜約１μｓで
ある。ビームのノ（ワーは約１〜２０ミリワツトである
。

テルルは、寿命品質が低く、低融点なので、本発明の構
造体における金属のための特に良好な選択ではない。寿
命の観点からのより良い選択は・金、白金、ロジウム等
の貴金属又は適尚な薄膜核生成（ｆｉｌｍ　ｎｕｃｌｅ
ａｔｉｏｎ）特性を有する高安定性の合金である。第７
．１図〜第７４図には、金の薄膜核生成特性を示した。

金は本発明の応用に適した材料である事がわかるであろ
う。第７１図は、１ｃｍが約１０００人に相当する尺度
で、炭素基板上に付着した１０久のＡｕを示す。第７２
図は炭素基板上の２ＯＡのＡｕに関するパターンを示す
。第７３図は炭素基板上の６０＾のＡｕに関するパター
ンを示す。また第７４゛図は炭素基板上の４０＾のＡｕ
に関するパターンを示す。倍率は、各々約９８０００倍
である。我々の測定及び計算によれば、単一のポリマー
・サンドインチ中の約３０　Ａ　（ｏ、　。

０６μｍ）の金が、書込みが行なわれた場合と未書込の
場合との間に、５０％以上の反射率変化を示す最適な光
学的構造体を生じる。これは金の場合、約”）Ｑ　ｃｍ
のディスク当り２５セント以下のコストに相当する。も
し、薄膜核生成特性が適切であれば、多くの他の金属も
この工程に適している。例えば、Ａ１１ｈ　ＡＡ、Ｔｉ
、Ｃｒ、Ｗ、Ｃｕ等は、全て貴金属よりも低いコストを
与える。これらのうち、ａｇは小さな核生成島領域を形
成する事が知られている。ＡＩは低コスト及び表面酸化
物形成後の潜在的な高い安定性（この酸化物は自己限定
的である）により、特に興味深い。

これらの構造に適用可能な、非常に広範囲のポリマーが
存在する。それらは、長い寿命、低い熱伝導度及び低い
書込温度によって選択される。製造を容易にするため、
グロー放電付着の可能なポリマーが、特に興味深い。

現在まで、試料の製造は薄いポリマ一層をソリューショ
ン・キャスティングし、金属を熱蒸着する事で行なわれ
て来た。これにはいくつかの工程が関与する。より実用
的な方式は、ポリマーの付着にグロー放電技術を用い、
引き続いて金属層を熱蒸着する事であろう。この方式で
は、多層構造体が単一の真空容器中で製造できる。

要約すると； （１）不連続な金属膜が、薄膜核生成機構を用いて製造
できる。

（２）　　これらの構造は首尾よく実証された。特に、
不連続な膜を用いる事によって、金属の熱伝導効果が大
きく減少し得る事が示されたつこれは前述のテルルより
も安定な材料を用いろ事を可能にするであろう。

（６）単一の容器におけるポリマーのグロー放電付着及
び金属の熱蒸着を含む製造技術が提案される。これは、
光学的構造体全体を１つの／ステム内で製造する事を可
能にする。これは高い歩留りを与える可能性がある。

（４）金属付加ポリマーは、反復可能性の高い薄膜核生
成過程によって形成されるので、それらは７１Ｊニージ
ヨン・キャスティング技術によッテ得られるものよりも
一様である。

ここで、除去型の（ａｂｌａｔｉｖｅ　）光学的構造体
において、活性層として不連続な金属膜を使用する事に
ついて考察する。我々は、潜在的に安定な貴金属を活性
材料として用い、一方テルルを用いた系よりも優れた書
込みエネルギーを提供する系が構成可能である事を実証
した。この仕事の明らかな目標は、寿命と妥協せずに高
感度を提供する事である。

薄膜の核生成は、何人かの著者によって研究されている
［Ｋ、Ｌ、Ｃｈｏｐｒａ、Ｔｈ１ｎ　　ＦｉｌｍＰｈｅ
ｎｏｍｅｎａ、ＭｃＧｒａｗ　Ｈｉｌｌ　　ＢｏｏｋＣ
ｏｍｐａｎｙ、（１９６９）：Ｄ、Ｗ、Ｐａｓｈｌｅｙ
）Ｍ、Ｊ、Ｓｔｏｗｅｌｌｓ　　Ｍ、Ｈ，Ｊａｃｏｌｅ
ｓ　　及びＴ、Ｊ、Ｌａｗｔ　　Ｐｈ１１．Ｍａｇ、、
１０，１２７、（１９６４）］ｏ％尾、ある臨界厚さ以
下の金の薄膜の島形成はよく知られている。第８１図及
び第８２図に、各々ＰＭＭＡ基板上の金の薄膜の反射率
及び透過率の測定値を、波長の関数として示した。ここ
で用いた付着条件（５×１０−７トルで２５°ＣのＰＭ
ＭＡ基板上に１又／秒で付着）の場合、５．０ｎｍ以下
の厚さの膜は、各々の島が５０〜１０．０ｎｍの直径を
持つ、不連続な島状構造を形成する。ろＯｎｍよりも厚
い場合、島の急激なネットワーク化が観察される。不連
続膜の光吸収（散乱効果を無視して、１００％−Ｔ％〜
Ｒ％）は約３０％の大きさになる。この強い吸収及び比
較的高い光反射率のため、これらの膜は光学的記憶装置
の応用のための候補者になる。これは５層構造を用いた
時に特にそうであるＣＡ、Ｅ、Ｂｅ冊及びＦ、Ｗ、Ｓｐ
ｏｎｇ、　ＩＥＥＥ’：　　Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｏｆＱ
ｕａｎｔｕｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｓ　　１４Ｘ４
９７．（１９７３）］。この反射防止構造は、高い読み
取りコントラストを与えながら、金の光吸収を大幅に増
加させる。

第９図は、金の厚さを２０．３０及び４．０ｎｍと変化
させた場合の、金６層構造体からの光反射率の測定値を
示す。使用したレジストは５ｈｉｐｌｅｙＡＺ１３５０
Ｊ　　である。２．０ｎｍ及び３．０ｎｍの膜の場合、
６５０〜９００　ｎｍの波長域において、入射光の１０
％以下しか反射されなかった、４．Ｏｎｍの膜（少なく
とも部分的な連続性を示す電気伝導性の膜）は６５０　
ｎｍ以上の波長域で、より大きな反射率を示すが、優れ
た光学的結合がなお存在する。

光エネルギーを、非常に薄い金薄膜に効率的に結合する
能力は確かに望ましいが、その事は薄膜を低いエネルギ
ーで除去し得る事を必ずしも保証しない。連続的な７５
　ｎｍの厚さのチタン活性層を有する３層構造体は、テ
ルルを用いた同等の構造体よりも４倍多くエネルギーを
必要とする事が見い出されている［Ｂｅ１ｌ外、前掲文
献；並びにＡ、Ｅ、Ｂｅ１ｌ及びＲ，Ａ、Ｂａｒｔｏｌ
ｉｎｉ、Ａ。

Ｐ、　Ｌ、、３４．２７５、（’１９７９）　〕。これ
には２つの主要な理由がある。即ち、チタンの融点は１
゜ｏｏ’ｃ以上であってテルルよりも高く、またチタン
の熱伝導度はほぼテルルよりも１桁高い。

従ってチタンは書込みを起こすために、より高い温度に
加熱されなければならず、また同時に熱放散効果のため
、より多くのエネルギーを失なう。

この比較に基づけば、金の３層構造体が低い書込エネル
ギーを示す事は期待されないであろう。というのは、金
め融点はチタンよりは低いものの、テルルよりもまだ６
０００Ｃ高いからである。さらに金のバルクの熱伝導度
は、テルルよりもほぼ２格高い。この事は、横方向の熱
放散を制限する金薄膜の不連続性によっていくらか相殺
されるが、典型的な場合最も重要なのは、膜から基板へ
の熱損失である（Ｍ、Ｃｈｅｎｌ　Ｖ、Ｍａｒｒｅｌｌ
ｏ及びＷ、Ｙ、　　Ｌｅｅｌ　　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　
　Ｒｅ５ｅａｒｃｈＳｏｃｉｅｔｙ　Ｍｅｅｔｉｎｇ＼
ＢｏｓｔｏトＭａｓｓ、）Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　　１９８
０、（未刊行）〕。これらの膜の光学的書込特性が、０
．６Ｎ、Ａ、の集束対物レンズを有するクリプトン・レ
ーザ（λ−６４７．１ｎｍ）を含むマイクロコンピュー
タ制御のスタティック・レーザ書込器を用いて研究され
たつこれらのテストにおいて、表面における光反射率変
化が書込パワー及ヒハルス幅の関数としてモニタされた
。

他の材料と書込エネルギーを比較するために、材料に誘
起された光学的特性の変化が、書込エネルギーを増加さ
せる事１ｃよって得られる最大変化の５０係になる点を
用いた。いくつかの金の３層構造体について、書込パワ
ーの値を金の厚さの関数として、第１０図に示す。パル
ス幅がパラメータである。比較される構造体は、第９図
に示さ扛たものである。これから、約３．０ｎｍ　より
大きな厚さの膜は、より大きな書込エネルギーを必要と
する事が明らかである。これは、不連続な金の島が連続
的な膜へとネットワーク化を始める点に相当する。この
急激な書込エネルギーの増加は、厚さに関する光反射率
の緩やかな増加によっては説明できない。明らかに膜の
不連続性が、書込エネルギーの決定に主要な役割を演じ
ている。さらにこれらの構造体の書込エネルギーは、パ
ルス幅に対して逆比例せず、パルス幅が短かい程書込エ
ネルギーが減少する事が示されている。最小の５０％コ
ントラスト書込エネルギーは、誘電体スペーサとしてフ
ォトレジスト層を用いた３層構造体の場合０．２ｎＪ（
５ｍＷ、４０　ｎｓ　）である事がわかる。

第１１図は、書込パワ一対パルス幅の曲線を比較して示
すものである。Ｘ印は、フォトレジストのスペーサを用
いた金の６層構造体、○印はＰＭＭＡのスペーサを用い
た金の６層構造体、口印はＰＭＭＡ基板上の２５　ｎｍ
のテルル層を表わす。

第１１図で、金の３層構造（２、Ｓｎｍ金）に関する５
０チ書込パワ一対パルス幅の曲線は、ＰＭＭＡ基板上の
２５．Ｏｎｍテルル膜に関する同様の結果と比較される
。フォトレジストのスペーサ層ヲ用いた不連続な金のろ
層構造体は、短いパルス幅の場合のみテルルに匹敵する
。しかしながら、ＰＭＭＡをスペーサ材料として用いた
時は、書込エネルギーは２の因子だけ減少する。この改
善はＰＭＭＡの低い熱伝導度による可能性がある。この
場合、不連続な金の３層構造体は、３００　ｎｓまでの
パルス幅においてテルルよりも低い書込エネルギーを示
す。５０％書込エネルギーは、４０ｎｓのパルス幅の場
合０．１ｎＪである。最適化されていない、全体が封入
された試料であって、スペーサ層と被覆層の両者に、重
合化フォトレジストを用いたものは、８３０　ｎｍのＧ
ａＡ７１Ａｓ　　レーザを用いて０６ｎＪ（パルス幅５
１］ｎｓ）の５Ｄ係書込エネルギーを示した。この値は
、スペーサ及び被覆材にＰＭＭＡ等の材料を用いる事に
よって、大幅に改善される。

この類の材料に関する低い書込エネルギーは、下記の書
込機構による可能性がある。しかしながら、実際の機構
に無関係に、開口を形成するための確実な駆動力が存在
する事は明らかであろう。

ＰＭＭＡ基板上の単一の不連続な金の層（２，Ｓｎｍ）
を、連続的な（２５ｎｍ　）テルル層と比較すると（第
１３図参照）、金は約半分のエネルギーしか吸収しない
にもかかわらず、金は２の因子だけ低いしきい値書込み
エネルギー（ゼロ・コントラスト）を示す。しかしなが
ら、６０％の相対コントラスト・レベルの場合、金は５
０％多くの書込エネルギーを必要とする。この結果は、
不連続膜が連続膜よりも緩やかなスポット形成過程を有
するという考えに信憑性を与える。

ＰＭＭＡスペーサ層を用いた金の３層構造体へ書込まれ
たスポットの走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を第１２図に
示す。これらのスポットは、０，１４ｎＪ（？ｌ＋、５
ｍＷで４０ｎｓｅｃ、、波長６４Ｚ１ｎｍ）のパルスを
用いて書込まれ、７０ｑ６の相対コントラスト変化を示
す。この像は書込まれたスポット内に金が依然として存
在し、ている事を示唆しているが、これは明瞭ではない
。より低い書込エネルギーでは、直径が０．５μｍ以下
のスポットが観察された。

光学的記憶装置材料が満足しなけｔばならない第２の主
な規準は、適正な寿命である。その性質上こり特性は実
証する事が困難である。これらの構造体に活性層として
貴金属が用いられるという事実は、腐食という観点から
潜在的な寿命に信用を与えているが、小さな粒子が安定
である事は明らかではない。可能性のある劣化機構は、
（１）室温においても生じ得る緩やかな島の合体、（２
）金の拡散、（６）薄いポリマ一層の劣化である。光学
特性の緩やかな変化が７５°ＣでＰＭＭＡ基板上の不連
続な金薄膜に関して観察されているが、一方より薄い試
料が６５°Ｃにおいて数千時間以上にわたって優れた熱
的安定性を示している。

我々は不連続な金薄膜がＣａＡβＡｓ　　レーザと適合
性のある書込エネルギーを示す事を実証した。

可能性のある書込機構は、本発明で好ましい５０〜１０
．０ｎｍの島の焼結であると示唆さ扛ている。

これらの膜の寿命は研究中であるが、安定な系が開発可
能であるという徴候がある。

光学記憶装置材料の研究の過程で、我々は不運続騰が連
続膜とは基本的に異なった振舞をする事を見い出した。

金属付加ポリマーは薄膜核生成機構を用いて作用する。

そのような金属「粒子」は局在的吸収体として作用し、
ポリマー基材を加熱除去する。

連続的な金属膜において、スポットは最初、膜をその融
点まで加熱する事によって書込まれる。

しかしこれは、一般に開口を形成するには不充分である
。これは、開口形成に対するエネルギー障壁による。こ
のエネルギー障壁は、存在する種々の材料の表面エネル
ギーに依存し、融点で開口を形成する明確な駆動力は存
在しない。

我々は、不連続膜にはこの事は当てはまらない事を見い
出した。この場合、粒子を合体させ従って層の光学的特
性に劇的な影響を与える純粋の駆動力が存在する。（薄
膜核生成によって形成されるような）小さな粒子の場合
、各粒子を接触させるために充分なエネルギーが供給さ
れるならば、低温でも合体が急速に進行できる。直径５
［］ＡのＡｕ粒子の場合、Ｐａ５ｈｌｅｙ外、Ｐｈｉｌ
ｏｓｏｐｈｉｃａｌＭａｇ、、１０．１２７　（１９６
４）によって、１固々の粒子が接触した後（４００°Ｃ
で）　１　ｎ　ｓｅｃ、以内に合体が起こり得る事が計
算さｔている。この寸法の粒子は、薄膜核生成現象を利
用する事によって単一の不連続層の形に製造できる。さ
らに、もしこれらの粒子の層が６層構造体中に組み込ま
れるならば、入射光の９０チまでが粒子によって吸収さ
れ得る。非擾乱状態において、各粒子が接触するには不
充分なエネルギーしか存在しないので、層は安定である
。しかしながら、レーザ・ビームによってスポットが急
激に加熱されると、（１）高温、（２）下側の層の変化
（即ち溶解、ガラス転移又は分解Ｌ（３１粒子をスポッ
トの中心から選択的に押し出すように作用する半径方向
の高い温度勾配、によって、粒子のランダムな運動が増
大する。粒子が衝突すると、合体が起こり、これが起き
ると光学的特性が変化する。

この機構の証拠は、Ａｕ　３層構造体（不連続膜）上の
過剰加熱したスポットのＳＥＭが、スポット内で融合し
たＡｕボールを示した時に発見された。

この型のスポットは、１５対１という高いコントラスト
変化を示す。

この開口形成機構は、第１６図に示した結果によっても
示唆される。ここで我々は、２つの膜の書込み特性を比
較する。第１の膜はＰＭＭＡ基板上の２ｓｏＸの厚さの
Ｔｅ層、第２の膜は同様のＰＭＭＡ基板上の２５Ａの厚
さの不連続なＡｕ層である。２つの膜の光学的性質てよ
り、Ａｕ層は約半分のエネルギーしか吸収しない。Ａｕ
層の反射率変化はＴｅよりも遥か（（緩やかである事に
注意すれたい。これは、スポットの中心がしきい値以上
に加熱された時、比較的限定された領域でだけ永久的な
損傷が発生する事を示している。一方Ｔｅの場合それは
オール・オア・ナツシング応答以上のものである。Ａｕ
の高い熱伝導度及び高い融点により、厚さの相違が考慮
された時でさえも、Ｔｅ　より高いしきい値エネルギー
が期待されるであろう。実際に観察された低いしきい値
は、（１）開口形成のための明確な駆動力、（２）膜の
不連続性による横方向の熱伝導の減少、及び（５）金の
島を合体させるために、それらを融解する必要がないと
いう事実による可能性がある。

書込みエネルギーに対する膜の不連続性の重要性の劇的
な証拠は第１０図に示されている。ここでＡｕの６層構
造体に関する５０チ書込みしきい値は、Ａｕの厚さの関
数として示されている。ろ［１Ａ　（３ｎｍ　）　より
厚いＡｕ模に関する書込みエネルギーに急激な増加が存
在する。ＴＥＭ及び電気伝導度測定からの実験データは
、用いた付着条件の下では３ＤＡよりも大きな厚さの場
合Ａｕ膜が連続的になり始める事を示している。第１０
図に示した（ＡＵの厚さの異なる）全ての試料に関して
、吸収された光の割合は比較的少ししか変化せず、この
劇的な変化を説明できない。

第１１図に、スペーシング層として異なったポリマーを
用いた種々のＡｕ　３層構造体が、５０チしきい値寮込
み点に関して、Ｆ！ＭＭＡ上の２５０久のＴｅ膜と比較
されている。殆んど全ての場合、Ａｕ　３層構造が優れ
ている事がわかる。これは特に短かいパルス幅（＜４０
ｎｓｅｃ−）において顕著であり、パルスが短かい程こ
の改善が大きい事が期待さｎる。

金の薄膜がテルル又はテルル含有合金の場合に匹敵する
ような書込みエネルギーを有する事は驚くべき事である
。テルルはその低い熱伝導度（６゜２、ｗ／ｍ’Ｋ）と
低い融点（４５０°Ｃ）との結合によって、比較的低い
エネルギーの集束レーザ・ビームを用いて除去可能であ
るが、開口形成過程の性質により、膜に開口を形成する
ためには、その融点を充分に越える温度に膜の局所的領
域を加熱する必要がある事が見い出さ扛た。これは特に
、数百ナノ秒以下の書込み時間が望まｎる場合に特に当
てはまる。一方、金はテルルより高い熱伝導度（３１２
Ｗ／ｍ　ｏＫ）及びより高い融点（１０６６°Ｃ）を持
ち、もし書込み機構が同様（即ち膜の溶解と引き戻しに
よる開口形成）であれば、比較的高い書込エネルギーが
期待される。実際に連続的な金の６層構造体（本発明の
不連続膜とは異なる）は、３０．０ｎｍのテルル膜より
も遥かに大きな書込みエイルギーを必要とする。

しかしながら、不連続な金薄模の場合・−書込λ機構は
連続膜の場合とはかなり異なる。この類の材料に関する
開口形成機構を理解するため：（、書込まれたスポット
が透過電子顕微鏡によって調べられた。試料はフォトレ
ジスト層上に０．１ｎｍ／ｓｅｃ　　で２．５ｎｍの金
を付着させる事によって製作された。これらの条件の下
で、金の膜は５０〜１（］、Ｏｎｍのサイズの少しネッ
トワーク化した島より成る事が見い出された。スポット
は、クリプトン・レーザ（波長６４７．１ｎｍの、０．
６　Ｎ、Ａ。

の対物レンズ使用）を用いてこの試料上に書込まれた。

次に金の層は、炭素膜上に転写され透過電子顕微鏡で調
べられた。

第１４図に、２個の書込まれたスポットの高倍率の透過
電子顕微鏡像が示されている。約０６μの開口寸法は、
それらのスポットが約１ｎＪのエネルギー（１ｍＷ、１
００ｎｓ）で書込まれた事を示している。使用した嘆は
、ポリマー上の３ＯＡのＡｕであって、ＴＥＭ観察のた
めに炭素膜に転写さｔたものである。書込まれた領域の
中では比較的大きな球状の金の島が見え、一方書込みス
ポットの外側の領域は変化していない。書込み領域から
未書込領域への遷移はかなり急激であり、合体に対する
温度しきい値の存在を示している。

このしきい値は、急速な粒子の合体が起き得る前に初期
の金の島を基板材料から自由にする必要性によるものと
思われる。

第１４図に示すような粒子の焼結が光学的記憶装置の応
用に必要な程度に急激に起き得る事は驚くべき事である
。最初膜は約５．０〜１０．０ｎｍのサイズの金の島か
ら成るが、書込みの行なわれた領域は約２０〜４０　ｎ
ｍのサイズの粒子を有する。

第１５１図〜第１５４図に２つの書込みパルス・パワー
に関して、時間の関数として反射光及び透過光が示され
ている。第１５．１図及び第１５．２図で用いた１５ｍ
Ｗのパルスの場合、合体の開始は約２０ｎ８で起きろ事
がわかる。また、パルスのパワーが２の因子だけ減少す
る時、合体の開始は約５０ｎａで起きる事がわかる。両
方の場合、最終状態において最終的な反射率は２の因子
だけ減少するが、パワー・レベルが高い程より急速ｉ（
変化が起こる。

小さな粒子の合体又は焼結は、実験的及び理論的に広範
に研究されている。Ｐａａｈｌｅｙ外の前掲文献は、透
過電子顕微鏡から記録された映画フィルムの隣接したフ
レームを調べる事によって、４００°ＣにおいてＭ　ｏ
　８２基板上の比較的大きな金の島（２００，０〜１０
００．０ｎｍ）が６０ｎｓ　よりも短かい時間で殆んど
合体し得ろ事を示した。また表面拡散による焼結機構を
仮定した理論的予測は、焼結の速度が粒子半径の４乗に
逆比例すべき事を示している。焼結の速度に関する近似
的関係は次式で与えられろ。

但し、Ｘは２つの粒子の間に形成されたネックの半径、
ｒは粒子半径、ｔは時間そしてＡ　（Ｔ）は次式で与え
られる。

但しγは粒子の表面エネルギー、Ｔは温度、ｋはボルツ
マン定数、Ｄｓは表面拡散係数、そしてμは原子体積で
ある。より詳細な計算が行なわ扛たが、上式はｘ／ｒ　
（０，４における近似である。

上記関係式及び金の性質を使うと、４００°Ｃの温度で
５．０ｎｍの半径の粒子は約１［］、Ｏｎｓの内にｘ　
／　ｒ　＝　Ｄ、１になるまで合体する事が予測される
。

明らかに第１４図の粒子はｘ　／　ｒ　＝　０．１より
も遥か−・　に大きな程度に合体しているが、これは関
与している温度が４００°Ｃよりも確実に大きいので驚
くべき事ではない。温度の第１次まで、パラメータＡ　
（Ｔ）は次式で与えられる。

但しＣは材料の定数、Ｑｇは表面拡散に関する活性化エ
ネルギーである。１〜２ｅＶの活性化エネルギーの場合
、４００°Ｃから１００’Ｃの温度の上昇は焼結速度を
１〜２桁増加させるであろう。

粒子が合体する時、平均粒子寸法が増加し、従って温度
が一定に保たれるならば、合体速度の減少が期待される
。第１５．１図〜第１５４図に示される書込み中の反射
率の結果は、この証拠を与えている。これらの曲線から
、合体の開始した後最初の１０．０〜２０、Ｏｎｓで光
反射率の急激な低下があり、その後より緩やかな減少が
続く事がわかる。しかしながら、この応答は少なくとも
部分的には、反応したスポットの寸法が増加すると共に
光の強度の弱い領域が増加し、反射率の変化が小さくな
る事が期待されるという事実によるものである。

このような実験観察結果から書込み過程は次のように進
行するものと思われる。（１）入射レーザ光が各々の金
の粒子によって吸収され、粒子及びその下側の基板の急
激な温度上昇が生じる。（２）あるしきい恒温度以上で
金の粒子は基板から自由になり、表面を移動し始める。

（６）接触した粒子は焼結して単一の大きな粒子になる
。（４）焼結が続けば、合体領域内で起きる光吸収の局
所的減少によって、より少ないエネルギーしか吸収され
なくなる。

連続的金属膜の場合の書込み過程と比較する時、この書
込み機構のいくつかの新規な特徴が存在する。例えば書
込み時に（特に短かい書込み時間が用いられた時）金の
融点に到達する可能性もあるが、これは必要条件ではな
い。一方、連続膜は金属の融点に到達する必要がある。

実際短かい書込み時間の場合、計算（Ｐ、Ｋｕｉｔｓ、
Ｊ、Ｖａｃ。

Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈ、、１８　（１）、６８　（Ｊａｎ、
／Ｆｅｂ。

１９８１））は過熱の起きる事を示している。また不連
続な膜の場合最小の書込スポット・サイズは島のサイズ
によって制御されるが、一方連続膜の最小開口サイズは
膜厚、基板の表面エネルギー及び金属の表面エネルギー
の関数である。最後に、不連続膜は最も高温の領域から
進行する緩やかな過程で書込みスポラ）ｆ形成するが、
一方連続膜はより２値的な開口形成過程を有する。

不連続金属膜（特に小さな島領域）を用いる潜在的利点
は明白である。即ち。

（１）粒子を合体させる明確な駆動力が低い書込エネル
ギーを生じる。− （２）　　例え比較的高１−・融点及び・高い熱伝導度
の材料を用いても、低い書込みエネルギーが得らする。

例えば、金の融点はＴｅの融截よりも６０Ｄ０Ｃ高く、
熱伝導度は２桁高いが、低い書込エネルギーしきい値を
示すように製作する事ができる。従って貴金属Ｒｈ）　
Ｐ　ｔｔ　Ａｕ等の安定な材料又は安定な合金又は適当
な薄膜核生成を示す他の薄膜を用いる事ができる。

（５）最小スポット・サイズが膜の島のサイズによって
制御さｔ、光学的記録に関しては最小スポット・サイズ
は要因とならない。

（４）スポットを書込むためにごく少量の材料しか除去
されないので、オーバーコートが書込エネルギーに大き
な影響を与えない。これはＧａＡｓ波長において封入型
Ａｕ３層構造体を用いて示された。

（５）書込み機構が事実上固体反応であれば、融点はも
はや重要なものではない。書込みエネルギーは島のサイ
ズ／間隔、島の質量を制御し、吸収体について高い表面
拡散係数及び表面張力を持つ材料を選択し、３層構造体
のスベーシング層又は単一膜の基板として低融点／低分
解温度で表面エネルギーの低いポリマーを選択する事に
よって最適化できる。

以上、光学的記憶装置の応用に関して、理論的及び実験
的な不連続膜の利点を説明してきた。特定の構造（スペ
ーシング層として種々のポリマーを用いたＡｕ　３層構
造）は、従来のＰＭＭＡ基板上の２５ＯＡのＴｅ層と比
較すると、２の因子の書込エネルギーの改善（４０ｎｓ
ｅｃ　　のパルスノ場合）を示す。また書込のための新
規な機構について説明を行なった。これは、正しければ
この構造をさらに最適化する事を可能にするであろう。

不連続金薄膜のレーザ書込特性は、（１）書込エネルギ
ーがＧａＡｌＡｓ　　レーザと適合する、（２）貴金属
が用いられるので活性層が保存性に富む可能性がある、
（３）材料の分解能が可視光を用いて達成可能な分解能
よりも良好である、という点で興味深い。

波長８４０　ｎｍのＧａＡｊｌＡｓレーザを用いて、ス
ポット当り０．５ｎＪ　よりも小さな書込みエネルギー
が得られた。初期の形では、約２．５ｎｍの厚さを有し
個々の島が５０〜ＩＯ，０ｎｒｎの大きさの金薄膜が用
いられた。その後の研究てより、光学的特性の改善され
たより厚い膜の使用が可能となったが、それらの膜の場
合各々の島の大きさは２０゜０〜５０．０ｎｍに増加し
た。書込まれるスポットは直径が約１０００．０ｎｍな
ので、初期の粒子の大きさは比較的小さく、従って膜の
分解能に影響しない事が明らかである。

結論として、レーザによって引き起こされた金の粒子の
合体は、光学記憶装置の応用のための充分な光学的コン
トラストを与える可能性のある事が実証された。例えば
５０〜１０．０ｎｍという初期の島のサイズは、書込み
領域内では２０．０〜４０．０ｎｎ−に増加する。これ
は光反射率の２のファクターの減少及びそ扛に見合った
光透過率の増加を生じる。合体の開始は、１５ｍＷの光
パルスが用いられた時（０６Ｎ、Ａ、の対物レンズ及び
６４７１　ｎｍの波長）、２　Ｓ　ｎ　ｓｅｅ　　以内
に起きた。

この時間は、粒子サイズ及び温度が考慮された時、小粒
子の焼結に関する理論的予想と少なくとも矛盾しないよ
うである。

不連続膜に基づく光ディスクの最終的なコストは予測が
難しいが、貴金属の高いコストは主要な要素ではない。

約３［］Ｃｍの光ディスクは、４．０ｍｇ以下の金しか
必要としないであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は、本発明の種々の実施例の記憶媒体
の図、第７１図乃至第７４図は本発明の実施例の記憶媒
体の金属組織の顕微鏡写真図、第８．１図は反射率対波
長のグラフ、第８．２図は透過率対波長のグラフ、第９
図は反射率対波長のグラフ、第１０図はしきい値パワ一
対厚さのグラフ、第１１図はパルス・パワ一対パルス幅
のグラフ、第１２図は金属組織の顕微鏡写真図、第１３
図は相対コントラスト対パワーのグラフ、第１４図は金
属組織の顕微鏡写真図、第１５．１図乃至第１５４図は
透過光及び反射光の時間変化を示すグラフである。 １０・・・・基板、１１・・・・不連続薄膜、１２・・
・・保護層、１４・・・・スペーサ層、１５・・・・反
射層、１６・・・・ダスト・カバー。 出願人　　インターナショナノいビジネス・マシーンズ
・コーボレーソヨンド Ｑ ムー Φ − Ｌ　　　　　　　　　　　　　　Ｌ ■　　　　　メ錠肇（狭） Ｑ し 一

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）集束された高い強度のエネルギー・ビームによっ
   て、書込みを行なうのに適した一様な媒体に、符号化ス
   ポットを形成する事によって、２進データを記憶させる
   ための光学的記憶媒体であって、低融点の基材を含む基
   板を有し、上記媒体の内部もしくは表面に薄膜状に分布
   した、互いに小間隔を保って並置された複数の粒子より
   成るエネルギー吸収材料を含む光学的記憶媒体。
2. （２）上記薄膜が金、銀、銅、白金、パラジウム及びロ
   ジウムから成る群より選択された金属より成る特許請求
   の範囲第（１）項記載の光学的記憶媒体。