JP4565197B2 - 反射率制御光学素子及び超薄膜光吸収増強素子 - Google Patents
反射率制御光学素子及び超薄膜光吸収増強素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4565197B2 JP4565197B2 JP2007502600A JP2007502600A JP4565197B2 JP 4565197 B2 JP4565197 B2 JP 4565197B2 JP 2007502600 A JP2007502600 A JP 2007502600A JP 2007502600 A JP2007502600 A JP 2007502600A JP 4565197 B2 JP4565197 B2 JP 4565197B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- reflectance
- thickness
- transparent film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/206—Filters comprising particles embedded in a solid matrix
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/09—Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
- G02B2207/101—Nanooptics
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
なお、本明細書において光は、可視光以外の電磁波を含むものとする。
また、本素子の基本構成は三層から成る簡単な構造であるため、製作コストが非常に安価であるという長所も兼ね備える。
2…透明膜
3…超薄膜
後述するように、この透明膜の厚み及び屈折率によって、本発明の反射率制御光学素子の波長に応じた反射率が変化する。
本発明の素子においては、白金族元素は単体で用いてもよいし、合金であっても構わない。また、超薄膜の機械的強度や透明膜への付着強度を上げるために、超薄膜を形成する材料を、ニッケルのような硬い材料との合金とすることもできる。
本発明に係る反射率制御光学素子の波長に応じた反射率は、透明膜2の厚みによって変化する。図5に、基板に銀、透明膜にPVA(Poly Vinyl Alcohol:ポリビニルアルコール)、超薄膜に白金を用い、透明膜の厚みが2.6μm、超薄膜の厚みが5nmである場合の素子の反射率を測定したグラフを示す。素子が基板のみから成る場合や、基板及び透明膜から成る場合、基板及び超薄膜から成る場合と比較すると、素子が基板、透明膜、超薄膜の三層から成る場合のみにおいて反射率が著しく変化し、入射光の波長に応じて極小と極大を有する。
透明膜の屈折率が波長に応じた反射率の変化に及ぼす影響について調べるためのシミュレーションを行った。基板を銀、超薄膜を厚みが5nmの白金とし、可視領域の全般にわたって反射率が低下するように透明膜の屈折率及び厚さを変化させた。図8にこの場合の反射率を表すグラフを示す。透明膜の屈折率の増加とともに透明膜の厚みを減少させることにより、入射光の波長に対する反射率の変化を制御できることがわかった。また、できるだけ広い波長範囲で、反射率を大きく低下させるためには、屈折率の比較的小さな透明膜を用いるのが好ましいことが確認された。
次に、超薄膜の厚みが反射率の低下にどのように寄与するかを調べる実験を行った。基板に銀、透明膜として厚みが80nmのスピンオングラス(屈折率n≒1.3〜1.5)を用い、超薄膜(白金)の厚みを3nm〜10nmの間で変化させた。図9に結果を示す。なお、図9では1〜7の順に超薄膜の厚みが減少する。この結果から、数nmの厚みの超薄膜の存在によって反射率が大きく低下することが確認された。さらに、図示せぬシミュレーション結果も併せて考慮すると、超薄膜の厚みが大きすぎても小さすぎても反射率は全体的に上昇する傾向を示し、厚みが数nm〜数十nm程度の場合に反射率が最も低下することが確認された。ある波長における反射率が最低となるための超薄膜の最適な厚みを一般的に表すために、厚み方向の光透過率で表すと、超薄膜のその波長での光透過率が30〜60%となるように厚みを設定することが好ましいことがわかった。
超薄膜の材料として、金属ナノ粒子ではなく色素を使用することもできる。なお、本発明において色素とは、一般に色素と呼ばれるものに限定されず、特定の波長域の光を吸収する性質を有する材料のことを指す。これには、主成分として色素を含むような複合材料も含むものとする。色素単体では、色素膜の厚みが増しても光の吸収率はそれほど変化しない。一方、色素を本発明の素子の超薄膜に使用することにより、その光の吸収率を著しく高めることが可能となる。図10に、基板(銀)、透明膜(反射率n=1.3、厚み80nm)、色素超薄膜(厚み10nm)から成る素子の反射率のシミュレーション結果のグラフを示す。基板及び色素超薄膜のみから素子が成る場合の反射率と比較すると、透明膜が存在することによって、反射率が大きく低下することがわかる。また、このように超薄膜に色素を用いる場合も、上記のように透明膜の厚み等を適切に選択することにより、反射率の変化を制御することが可能である。
上で説明したように、本発明に係る反射率制御光学素子はその構成を適切に設計することにより、反射率を極めて低くすることができる。これは、換言すれば、超薄膜における光の吸収率を非常に高めることが出来るということにほかならない。
具体的には、蛍光性有機色素であるローダミンB(RhB)を0.1%のポリビニルアルコール水溶液に0.05mMの濃度で溶解させ、この溶液を毎分3000回転で透明膜上にスピンコートした。こうして得られた超薄膜の膜厚は約3nm程度であり、そこに含まれるRhB色素の担持量は、単位投影面積あたりの分子数として1.3〜2.0×1013/cm2であった。なお、この担持量は透明膜の表面が平滑な場合でも、荒れている場合でも前記範囲に収まった。この超薄膜それ自身の光吸収率は、最大吸収波長において1%程度である。実験では、この吸収率の増強効果をみるために、吸収率を直接測定する代わりに、同一条件で光励起したときの蛍光強度を測定した。
下記a〜cの構成のサンプル(図14)を作成した。
a.基板:無し、透明膜:スライドガラス(厚み:略1mm)、超薄膜:RhB
b.基板:高反射膜(Ag)、透明膜:スライドガラス、超薄膜:RhB
c.基板:高反射膜(Ag)、透明膜:SOG(厚み:約100nm)、超薄膜:RhB
反射膜を設けることにより、蛍光強度は4倍に増強された(a→b)。これは、超薄膜で生じた蛍光のうち、反射膜方向に向かったものが反射膜で反射すること、及び超薄膜に吸収されずに透過した入射光が反射膜で反射し、超薄膜で吸収されることで約4倍の増強がみられるという予想と合致するものである。
次に、本発明に係る超薄膜の吸収増強素子として、次の構成を有するサンプルを作成し、比較例と同様に蛍光の測定を行った。
d.基板:光散乱反射膜基板、透明膜:SOG(厚み:約100nm)、超薄膜:RhB
光散乱反射膜は、DCスパッタリング法を用い、基板であるガラス上に堆積途上の銀薄膜が強くプラズマ照射される条件で作製した。基板は意図的に加熱を行わなくても、成膜中のプラズマ照射により50〜100℃に自然加熱される。なお、このときに余分な加熱を行うと、表面粗さが過剰になるので注意が必要である。
上記のようにして作製した粗さが有意に異なる2種類の光散乱反射膜の特性について説明する。以下、表面粗さが大きい方のサンプルをAg-SS、小さい方のサンプルをAg-Sと呼ぶ。図17に、Ag-SSについて光散乱反射膜の表面粗さ、及び100nmの厚みを有するSOG膜(透明膜)表面の表面粗さを触針式の粗さ計によって測定した結果を示す。また、図18にはAg-Sに関する同様の測定結果を示す。
・Ag-SSのサンプルでは、光散乱反射膜の高低差は透明膜の厚みと同程度である。
・Ag-Sのサンプルでは、光散乱反射膜の高低差は透明膜の厚みの20%程度である。
・Ag-SS、Ag-Sのいずれでも、透明膜の表面粗さは、光散乱反射膜の表面粗さと比べてあまり変わらず、むしろ増加傾向すら観察される。
Ag-S(図20)では、透明膜が無いときの正反射率は、長波長域で80%近くに達している。それだけ粗さが小さく、故に散乱が少ないということである。しかし、透明膜が存在している場合は、正反射率はAg-SSの場合よりも顕著に減少している。これは、光の閉じ込めがより強く起こった証拠である。
なお、Ag-SSの蛍光強度は最大で〜700程度であり、予想通り、Ag-Sと比較して増強効果は低下した。
また、超薄膜の厚みが増すと、膜内での熱拡散が増加するため、良好な干渉パターンを得ることができなくなる。図24に膜厚20nmのPt超薄膜に対して同様のパルスレーザ照射を行った際の光学顕微鏡写真を示す。至る所でパターンが寸断されていることがわかる。
Claims (9)
- 波長に応じて光の反射率が変化する反射率制御光学素子であって、
高反射率を有する材料から成る基板と、
該基板表面に形成される光透過性を有する材料から成る透明膜と、
該透明膜表面に形成される所定の光吸収性を有する超薄膜と、
を含んで成る反射率制御光学素子において、
前記超薄膜が、平均粒径が10nm以下である金属ナノ粒子が近接している状態または接触している状態にある程度に密集することにより光学的には完全な連続膜と等価であり、熱的及び電気的には不連続である金属薄膜であり、該金属が白金族元素単体、白金族元素同士の合金、白金族元素及びニッケルの合金のうちのいずれかから成ることを特徴とする反射率制御光学素子。 - 前記超薄膜の厚みが、所定の波長における光透過率が30〜60%となるような厚みであることを特徴とする請求項1に記載の反射率制御光学素子。
- 請求項1又は2に記載の反射率制御光学素子を用いた光記録媒体。
- 請求項1又は2に記載の反射率制御光学素子において前記透明膜の厚みを変化させることにより凹凸を形成したことを特徴とする光記録媒体。
- 請求項1又は2に記載の反射率制御光学素子に干渉縞を形成したことを特徴とする光記録媒体。
- 高反射率を有する材料から成る基板と、
該基板表面に形成される光透過性を有する材料から成る透明膜と、
該透明膜表面に形成される、白金族元素単体、白金族元素同士の合金、白金族元素及びニッケルの合金のうちのいずれかから成る金属ナノ粒子が近接している状態または接触している状態にある程度に密集することにより光学的には完全な連続膜と等価であり、熱的及び電気的には不連続であって、所定の光吸収性を有する金属薄膜から成る超薄膜と、
を含んで成る反射率制御光学素子を用いた光記録媒体において、
前記超薄膜の所定の箇所にパルスレーザを照射して前記金属ナノ粒子を凝集させることによって光学的情報記録を行うことを特徴とする光記録媒体の情報記録方法。 - 表面が光散乱性反射膜である基板と、
該基板表面に形成される光透過性を有する材料から成る透明膜と、
該透明膜表面に形成される所定の光吸収性を有する超薄膜と、
を含んで成り、
前記超薄膜が、白金族元素単体、白金族元素同士の合金、白金族元素及びニッケルの合金のうちのいずれかから成る金属ナノ粒子が近接している状態または接触している状態にある程度に密集した金属薄膜であり、該超薄膜において生じるエバネッセント波により該超薄膜の吸収率が増加する現象を利用することを特徴とする超薄膜光吸収増強素子。 - 前記透明膜の表面が、前記光散乱性反射膜と略同一の粗さを有していることを特徴とする請求項7に記載の超薄膜光吸収増強素子。
- 前記光散乱性反射膜の粗さが前記透明膜の厚み以内であることを特徴とする請求項7又は8に記載の超薄膜光吸収増強素子。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005033358 | 2005-02-09 | ||
| JP2005033358 | 2005-02-09 | ||
| PCT/JP2006/302029 WO2006085515A1 (ja) | 2005-02-09 | 2006-02-07 | 反射率制御光学素子及び超薄膜光吸収増強素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2006085515A1 JPWO2006085515A1 (ja) | 2008-08-07 |
| JP4565197B2 true JP4565197B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=36793087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007502600A Expired - Lifetime JP4565197B2 (ja) | 2005-02-09 | 2006-02-07 | 反射率制御光学素子及び超薄膜光吸収増強素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080007852A1 (ja) |
| JP (1) | JP4565197B2 (ja) |
| DE (1) | DE112006000344T5 (ja) |
| WO (1) | WO2006085515A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080311392A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Ming Scientific, Llc | Thermal barrier |
| FR2946639B1 (fr) * | 2009-06-12 | 2011-07-15 | Saint Gobain | Procede de depot de couche mince et produit obtenu. |
| KR101830991B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2018-02-21 | 바스프 에스이 | 보안 부재 및 홀로그램을 위한 코팅 조성물 |
| US20120020608A1 (en) * | 2010-02-11 | 2012-01-26 | Gary Gibson | Plasmonic Element With Waveguide Trapping |
| KR101198476B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2012-11-06 | 연세대학교 산학협력단 | 나노 구조 기반의 초고해상도 영상 방법 및 장치 |
| JP2012132804A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Kyoto Univ | 光増強素子 |
| JP6125758B2 (ja) | 2011-03-31 | 2017-05-10 | 住友化学株式会社 | 光学素子 |
| JP6085095B2 (ja) | 2011-03-31 | 2017-02-22 | 住友化学株式会社 | 光学素子 |
| JP6018774B2 (ja) | 2011-03-31 | 2016-11-02 | 住友化学株式会社 | 金属系粒子集合体 |
| US9257662B2 (en) | 2011-10-03 | 2016-02-09 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Quantum dot light-emitting device |
| JP6373552B2 (ja) | 2011-10-26 | 2018-08-15 | 住友化学株式会社 | 光電変換素子 |
| JPWO2013146268A1 (ja) | 2012-03-27 | 2015-12-10 | 住友化学株式会社 | 無機層発光素子 |
| US9455093B2 (en) | 2012-05-14 | 2016-09-27 | The Hong Kong Polytechnic University | Dye-sensitized solar cell based on indirect charge transfer |
| WO2014203817A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP6371923B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2018-08-08 | 国立大学法人大阪大学 | プラズモニック構造体、カラー生成構造体、及び記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121156A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-19 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 光学的記憶媒体 |
| JPH0241288A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体及び光記録方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4329697A (en) * | 1977-03-28 | 1982-05-11 | Rca Corporation | Information record |
| US5188923A (en) * | 1981-12-31 | 1993-02-23 | International Business Machines Corporation | Optical storage media with discontinuous thin metallic films |
| JPH01178144A (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-14 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 情報記録媒体およびその製造方法 |
| JPH10261244A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-29 | Ricoh Co Ltd | 微粒子の規則的配列方法および光記録媒体 |
| JP2001331972A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-30 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP2002279690A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 相変化記録媒体、記録装置、及び記録方法 |
| JP2003077181A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Sony Corp | 光ディスク |
| JP2003157575A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Sharp Corp | 光ディスク及び光ディスク記録再生装置 |
-
2006
- 2006-02-07 JP JP2007502600A patent/JP4565197B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2006-02-07 US US11/883,530 patent/US20080007852A1/en not_active Abandoned
- 2006-02-07 WO PCT/JP2006/302029 patent/WO2006085515A1/ja not_active Ceased
- 2006-02-07 DE DE112006000344T patent/DE112006000344T5/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121156A (ja) * | 1981-12-31 | 1983-07-19 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 光学的記憶媒体 |
| JPH0241288A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体及び光記録方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE112006000344T5 (de) | 2007-12-27 |
| JPWO2006085515A1 (ja) | 2008-08-07 |
| WO2006085515A1 (ja) | 2006-08-17 |
| US20080007852A1 (en) | 2008-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4565197B2 (ja) | 反射率制御光学素子及び超薄膜光吸収増強素子 | |
| KR920001263B1 (ko) | 정보의 기록 · 소거방법 | |
| JP4582755B2 (ja) | 光記録/再生方法および光記録媒体 | |
| KR100734641B1 (ko) | 광기록매체, 광기록/재생장치, 광기록장치 및 광재생장치,광기록매체용 데이터 기록/재생 방법 및 데이터 기록방법및 데이터 재생 방법 | |
| Chon et al. | Nanoplasmonics: advanced device applications | |
| CN1468431A (zh) | 光记录媒体、光信息处理装置与光记录/再现方法 | |
| JP2008290227A (ja) | 微小構造体 | |
| TWI307091B (en) | Optical information recording medium and regeneration method | |
| JP2002074666A (ja) | 光ディスクの記録密度と容量を増大する方法 | |
| JP4083745B2 (ja) | 光記憶用新材料としての2層光転写レジストの利用 | |
| US20070098946A1 (en) | Optical recording disc | |
| JP3971333B2 (ja) | 光記録材料、光記録媒体及びその製造方法、光記録方法、並びに再生方法 | |
| TWI398865B (zh) | 具有奈米粒的二或以上儲存層之光學儲存媒體 | |
| JP2006209813A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2006172613A (ja) | プラズモンを用いた光記録再生方法及び光記録媒体 | |
| JP2007226955A5 (ja) | ||
| Shiono et al. | Near-field recording on phase-change nanoparticles and reflective reproduction from nanoantenna utilizing plasmonic resonance for high-density optical memory | |
| JP4134110B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4366625B2 (ja) | 記憶部材 | |
| TWI297152B (en) | A limited-readout optical storage disk by using surface plasmon effects | |
| CN1352455A (zh) | 带有非线性掩膜夹层结构的超分辨高密光盘 | |
| US20100195468A1 (en) | Optical data storage media containing metal and metal oxide dark layer structure | |
| JP2002074753A (ja) | 半透明反射膜及びこれを用いて形成される光学記録媒体 | |
| HK1128812A (en) | Generating optical contrast using thin layers | |
| EP1938321A1 (en) | Generating optical contrast using thin layers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100422 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100422 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100706 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |