NL8101298A

NL8101298A - Materiaal voor het opnemen en weergeven.

Info

Publication number: NL8101298A
Application number: NL8101298A
Authority: NL
Original assignee: Asahi Chemical Ind
Priority date: 1980-03-18
Filing date: 1981-03-17
Publication date: 1981-10-16
Also published as: FR2478858A1; NL183792C; JPS56130393A; AU535511B2; GB2074899A; BE887958A; FR2478858B1; US4370391A; JPS6023037B2; DE3110583A1; GB2074899B; NL183792B; DE3110583C2; AU6845681A

Description

T * -1- ** -t VO 1751 ~

Materiaal voor het opnemen en weergeven

De uitvinding heeft betrekking op een nieuw materiaal voor het opnemen en weergeven, in het vervolg aangeduid als registreermateriaal.

Meer in het bijzonder heeft de uitvinding betrekking op een materiaal voor het registreren van informatie, dat geschikt is cm te worden toege-5 past bij de "heat mode"-registratie.

Systemen voor het opslaan van informatie, waarbij informatie wordt opgeslagen door selectieve ablatie, verdamping, verwijdering of modificatie van een registreermedium, dat stipsgewijze bestraals is met een gefocusseerde laserstraal of dergelijke met een grote dichtheid 10 of sterke energie, zijn bekend als de zogenoemde "heat mode"-registreer-werkwijze. De "heat mode'-registreerwerkwijze is een droge werkwijze, waarbij geen chemicaliën of behandelingsoplossingen nodig zijn en waarbij een "real-time"-registratie kan worden verricht. Volgens deze werkwijze kan informatie snel worden geregistreerd in de vorm van een contrast-15 rijk beeld met een groot vermogen met betrekking tot de hoeveelheid informatie, die per oppervlakte-eenheid van registreermedium kan worden geregistreerd, terwijl aanvullende informatie later kan worden geregistreerd. Door dergelijke voordelen kan de "heat mode"-registreerwerk-wijze op ruime schaal worden toegepast op het gebied, waarbij een micro-20 beeld-registreemedium, een ccmputer-output-microfilm, een videoschijf, een ccmputer-signaal-geheugen-medium of dergelijke betrokken is.

Als materialen, die voor de "heat mode"-registratie kunnen worden toegepast, zijn tot dusverre anorganische stoffen voorgesteld, zoals metalen en organische stoffen, zoals kleurstoffen of kunststoffen.

25 Het is algemeen bekend, dat een dunne film, die van een anorganische stof is vervaardigd, in het algemeen beter is wat betreft sensitiviteit voor het registreren.

De kenmerken, die voor een "heat mode"-registreermedium vereist worden, zijn niet alleen hoge sensitiviteit, doch ook een grote signaal-30 ruisverhouding, opslagstabiliteit, archiveerbaarheid, geringe toxiciteit en dergelijke. Tot nu toe is echter een dergelijk, uit een dunne film van een anorganische stof bestaand materiaal, dat aan deze eisen voldoet, niet voorgesteld. Registreermaterialen, waarbij een chalcogeen-verbinding, die zwavel, seleen, telluur of dergelijke bevat, wordt toegepast, zijn 8101298 12- - * *» uit· een oogpunt van norm bevredigend vat betreft sensitiviteit en signaal-ruis-verhouding (in bet vervolg aangeduid als "S/N-verhouding"), docb brengen problemen met zich mee met betrekking tot opslagstabiliteit, arehiveerbaarheid. en toxiciteit. Anderzijds vertonen registreezmaterialen, 5 waarbij bismuth, tin of dergelijke wordt toegepast, geen problemen wat betreft sensitiviteit en toxiciteit, doch brengen deze materialen wil ’ ' problemen met zich mede betreffende S/ïï-verhouding, opslagstabiliteit en arehiveerbaarheid.

Voorts wérd door ons reeds een registreermateriaal voorgesteld, 10 dat bestaat uit een substraat, een veellagige metallieke registreer laag, die gevormd is door in willekeurige volgorde bismuth, tin, lood en dergelijke af te zetten, en twee stabiliserende lagen, die elk gevoimd zijn uit een metaaloxyde, zoals GeOg, FbO, TiO^ en/of dergelijke, waarbij de veellagige metallieke registreerlaag tussen de stabiliserende 15 lagen is aangebracht.(zie de Japanse ter inzagelegging 5^-661^7)·

Het voorgestelde registreermateriaal is wat sensitiviteit betreft uitstekend, doch het bezit zodanige nadelen, dat, wanneer het registreermateriaal selectief bestraald wordt door een laserstraal, er gaten (of holten) gevormd worden, die in hun respectieve profielen onregel-20 matigheden of storingen vertonen, waardoor een verlaagde S/ïï-verhouding wordt veroorzaakt en het registreermateriaal van dit type bij hoge temperaturen en hoge vochtigheidsgraad een geringe opslagstabiliteit, alsmede een geringe arehiveerbaarheid bezit, hetgeen bij scmmige toepassingen van het registreeimateriaal leidt tot noodlottige gebreken.

25 Met de term "gat" wordt bedoeld geablateerde delen, waarin informatie permanent wordt opgeslagen door selectieve ablatie van het registreermateriaal door middel van een laserstraal, waarvan de intensiteit is gemoduleerd, of dergelijke.

Met het oog op het elimineren van de gebreken, die verbonden zijn 30 aan de conventionele materialen voor de'heat mode "-registratie en het ontwikkelen van een nieuw "heat mode"-registratiemateriaal, dat niet slechts een grote sensitiviteit en een geringe toxiciteit bezit, doch ook een uitstekende S/N-verhouding, opslagstabiliteit en archiveerbaar-heid vertoont, werden uitgebreide en intensieve onderzoekingen verricht.

35 Het resultaat hiervan was, dat gevonden werd, dat, wanneer in een registreermateriaal, dat bestaat uit een substraat, een eerste stabiliserende laag op dat substraat, een metallieke registreerlaag met geringe 8101298 f \ -3- toxiciteit, aangebracht op het oppervlak van de eerste stabiliserende laag tegenover het substraat, en een tweede stabiliserende laag, aangebracht op een oppervlak van de metallieke registreerlaag tegenover de eerste stabiliserende laag, de eerste stabiliserende laag tussen het 5 substraat en de metallieke registreerlaag met geringe toxiciteit samengesteld is uit een uit metaaloxyde bestaande hulplaag als bovenlaag en een uit anorganische verbinding bestaande laag als een onderlaag, dat dan voor het cmzetten van de uit metaaloxyde bestaande hulplaag tot een glasachtig materiaal met een vlak gelijkmatig oppervlak, d.w.z. vlak 10 glasachtig materiaal, dat in oppervlaktespanning geen anisotropie vertoont, het registreeimateriaal bij blootstelling aan bij voorbeeld een laserstraal, uitstekende gaten kan vormen, die vrij zijn van onregelmatigheden wat betreft vorm of profiel van het gat. De onderhavige uitvinding is op deze vondst gebaseerd.

15 De onderhavige uitvinding beoogt derhalve het verschaffen van registreeimateriaal, dat uitstekend is wat betreft sensitiviteit en op-slagstabiliteit alsmede archiveerbaarheid.

Een ander oogmerk van de uitvinding is het verschaffen van een registreeimateriaal van het genoemde type, waarvan de toxiciteit ge-20 ring is.

Nög een ander oogmerk .van de uitvinding is het verschaffen van een registreeimateriaal van de bovenbeschreven aard, welk materiaal uitstekend is wat betreft S/N-verhouding en, dienovereenkomstig, voim of profiel van de gaten, d.i. vrij van onregelmatigheden.

25 De voorafgaande en andere oogmerken, kenmerken en voordelen van de onderhavige uitvinding, zullen duidelijk worden aan de hand van de volgende gedetailleerde beschrijving tezamen met de bijgaande tekeningen, waarin: fig. 1 een dwarsdoorsnede voorstelt van een conventioneel registreer-30 materiaal; fig. 2 êên vorm weergeeft van een dwarsdoorsnede van een registreer-materiaal volgens de uitvinding; fig. 3 een andere vorm weergeeft van een dwarsdoorsnede van een ander registreeimateriaal volgens de uitvinding; λ / iw 35 fig. ^ een elektronenmicroscopische opname voorselt, die geabl teer- i ' Lr de gaten in het gebruikelijke registreeimateriaal volgens fig. 1 laat zien; en 8101298 * ♦ -4- fig. 5 een elektronenmicroscopische opname voorstelt, die geabla-teerde gaten in het registreermateriaal volgens de uitvinding, als aangegeven in fig. 2, laat zien.

Volgens de uitvinding wordt een registreermateriaal verschaft, dat "bestaat uit: een substraat; en boven.op het substraat in de volgende 5 volgorde aangebracht: een eerste stabiliserende laag; een metallieke registreerlaag met geringe toxociteit; en een tweede stabiliserende laag: waarbij de eerste stabiliserende laag is samengesteld uit een uit metaal-oxyde bestaande, hulplaag als een bovenlaag en een uit anorganische verbinding bestaande laag als een onderlaag voor het aazetten van de genoem-10 de uit metaaloxyde bestaande hulplaag in een glasachtig materiaal met vlak oppervlak.

Als voorbeelden van het volgens de uitvinding toe te passen substraat kan een film of plaat worden genoemd, die vervaardigd is van een anorganisch materiaal, zoals glas, mica of een aluminiumlegering; of 15 een organisch materiaal, bij voorbeeld een polymeer, zoals polyester, polypropyleen, polycarbonaat, polyvinylchloride, polyamide, polystyreen en polymethylmethacrylaat of een daarvan afgeleid gemodificeerd polymeer, een. copolymeer met moncmeereenheden van de bovengenoemde polymeren of een mengsel daarvan. Van dergelijke, materialen van het substraat, 20 verdient in het bijzonder polyester of polymethylmethacrylaat de voorkeur. Wanneer de gladheid van het oppervlak van het substraat zelf een grote invloed heeft op de S/F-verhouding van het registreermateriaal, zoals in het geval van een video-schijf of dergelijke, kan een substraat worden gebruikt, dat verkregen is door een af zonderlijk .vervaardigde 25 film of plaat met het bovenvermelde polymeer te bekleden, door middel van een verstuivingsbekledingstechniek ("spin coating").

Als materiaal voor het vormen van de metallieke registreerlaag kan elk van de metalen worden gebruikt, die als registreermateriaal bekend zijn. Bij de onderhavige uitvinding, verdient het echter de voor-30 keur een metaal met geringe toxiciteit toe te passen en wel: In, Bi, Sn, Zn, Pb, Mg, Au, Ge, Ga, Sb, Bh, Mn, Al of dergelijke. Uit een oogpunt van sensitiviteit van een registreerlaag, verdient het in het bijzonder de voorkeur een metaal"t'e gebruiken met een laag smeltpunt, alsmede met een geringe reflectiviteit, bij voorbeeld Bi, In, Sn, Pb, of derge-35 lijke. Wanneer de bovengenoemde metalen in combinatie worden toegepast, verdient het de voorkeur een combinatie te gebruiken, zoals Bi-Sn of 81012 9 8 • 4 -5- Bï-Pb, omdat een dergelijke combinatie een eutecticum levert met een lager smeltpunt. De bovengenoemde metalen kunnen worden toegepast in de vorm. van hetzij een enkele laag of een meervoudige laag. Wanneer twee of meer soorten metalen in combinatie worden gebruikt, kunnen zij in 5 elk van de volgende vormen verkeren: een enkelvoudige laag van een legering, een meervoudige laag van respectieve lagen van individueel verschillende metalen, een meervoudige laag, gevormd uit een laag van een enkel metaal en een laag van een legering en dergelijke.

Teneinde een registreermateriaal te verkrijgen, dat in staat is 10 uitstekende gatprofielen, alsmede een grote S/N-verhouding te leveren, wordt bij voorkeur een meervoudige laag van respectieve lagen van individueel verschillende metalen gevormd. In dit verband zij erop gewezen, dat naar gelang van de metaalsoorten het aanbeveling verdient de volgorde van vorming van een metaallaag zodanig te kiezen, dat een registreer-15 materiaal wordt verkregen, dat in staat is gaten te leveren met bijzonder excellente vormen of profielen. Bij een meervoudig lagensysteem van bij voorbeeld Bi en Sn, verdient het de voorkeur, dat eerst een laag van Bi wordt gevormd en daarna een laag van Sn. In het meerlagen-systeem van Bi en Pb wordt bij voorkeur eerst een laag van Bi gevormd 20 en vervolgens een laag van Pb. Door aldus te handelen worden gaten met voortreffelijke vormen verkregen.

De metallieke registreerlaag kan kleine hoeveelheden oxyden bevatten, zoals een suboxyde van het toegepaste metaal, voorzover de oxyden de noodzakelijke eigenschappen van de metallieke registreerlaag 25 niet schaden. De aanvaardbare hoeveelheden oxyden zijn niet nauwkeurig bekend, doch aangencmen wordt, dat- deze hoeveelheden in totaal ongeveer 10 gew.# of minder, berekend op het gewicht van de metallieke registreerlaag, bedragen.

De metallieke registreerlaag kan op het oppervlak van de eerste 30 stabiliserende laag worden gevormd door middel van een conventionele filmvormingstecbniek, bij voorbeeld vacuumverdamping, "sputtering", ion-platering, elektroplatering, stroomloze platering of plasmadepositie.

Zo kan bij voorbeeld als methode voor de vozming van een metallieke laag van twee soorten metalen een methode worden toegepast, waarbij 35 een legering van twee soorten metalen door verdamping wordt afgezet of een methode, waarbij twee soorten metalen gelijktijdig of afzonderlijk door verdamping worden af ge zet. De dikte van de metallieke registreer- 8101298 u * -6- laag kan al naar gelang van de toepassing van het registreermateriaal variëren, doch bedraagt hij -voorkeur ongeveer 10-500 nm, in het bijzonder 20-60 nm.

Als methode voor het vormen van een metallieke registreerlaag 5 . verdient een vacuumafzettingstechniek de voorkeur, andat deze niet alleen eenvoudig van uitvoering is, doch ook uitstekend reproduceerbaar is.

Teneinde een registreeimateriaal te verkrijgen, dat niet alleen een grote sensitiviteit, maar ook een uitstekende opslagstabiliteit en archiveerbaarheid heeft, zelfs bij hoge tenperatuur en hoge-vochtigheid, 10 verdient het de voorkeur de depositie uit te voeren onder toepassing van een sterk verminderde druk, bij voorbeeld onder een druk van -6 1,33322 x 10 kPa of minder. In het algemeen verdient het de voorkeur, dat een metallieke registreerlaag uit een amorfe laag bestaat. Wat betreft de metallieke registreerlaag van het registreeimateriaal volgens 15 de uitvinding, -wordt er door röntgendiffractie geen of nagenoeg geen kristalpiek gedetecteerd. Aangenomen wordt, dat de reden hiervoor deze is, dat de eerste stabiliserende laag bij het aan de metallieke registreerlaag grenzende gedeelte een gelijkmatig glasachtig materiaal vormt. De snelheid van verdamping is bij voorkeur zo hoog mogelijk.

20 Een snelheid van verdamping..van ongeveer 10~^ nm/sec of meer geeft betere resultaten.

Met de termen "eerste stabiliserende laag" en "tweede stabiliserende laag" wordt bedoeld lagen, die onder, resp. boven de metalen registreerlaag zijn aangebracht om te verhinderen, dat de kwaliteit van 25 de metallieke registreerlaag door oxydatie en dergelijke achteruitgaat.

Het registreermateriaal volgens de uitvinding wordt gekenmerkt doordat de eerste stabiliserende laag, die aanwezig is tussen het substraat en de metallieke registreerlaag, samengesteld is uit twee sub-lagen, nl. een uit metaaloxyde bestaande hulplaag als bovenlaag en een uit 30 anorganische verbinding bestaande laag als onderlaag voor het cmzetten van de uit metaaloxyde bestaande hulplaag in een glasachtig materiaal met vlak oppervlak.

Zoals beschreven, dient er volgens de uitvinding tussen de metallieke registreerlaag en de zogenaamde uit anorganische verbinding be-35 staande laag een uit metaaloxyde bestaande hulplaag te worden aangebracht. Met de laagstructuur van het registreeimateriaal, waarin slechts de laag met dezelfde samenstelling als die van* de uit metaaloxyde 8101298 -7- bestaande hulplaag of slechts de uit anorganische verbinding bestaande laag op het substraat wordt gevormd en vervolgens de metallieke re-gistreerdlaag daarop wordt gevormd, gevolgd door depositie van een tweede stabiliserende laag kan geen registreeimateriaal worden verkregen, dat 5 in staat is gaten met uitstekende vormen of profielen te leveren.

Als bestanddeel van de uit metaaloxyde bestaande hulplaag kunnen geschikte verbindingen, behorende tot de groep der metaaloxyden worden toegepast. Als^geschikte metaaloxyden kunnen worden genoemd: oxyden van de elementen Be.-B, Mg, Li, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Ito, Fe, Co, 10 Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Sr, ï, Zr, Nb, Tc, Eu, Eh, Pd, Ag, In, Sn, Sb,

Ba, La, Ef, Ta, Ee, Ir, Tl, Pb, Bi, By» Er, Ce, Gd, Nd, Pr en Sn.

Voorkeursvoorbeelden van metaaloxyden zijn onder meer oxyden van de elementen Al, Ge, Zr, Si, Ti, Ce, Ta, La, Cr, Y, By, Er, Gd, Hf, Sn, Bi,

Pb, Zn, Li, Mg en Sb. Bijzondere voorkeur verdienen onder meerude volgen-15 de metaaloxyden: AlgO^, ZrO^, Cr^, La^, TiOg, CeOg, SiOg,

MgO, BigO^s Ge02, FbO, ZnO, Sb^^ en Vergelijke · Voor het vormen van een uit metaaloxyde bestaande hulplaag op de bovengenoemde, uit anorganische verbinding bestaande laag kan bij voorbeeld een gebruikelijke filmvormingstechniek worden toegepast, bij voorbeeld vacuumverdamping, 20 "sputtering", ion-platering, plasma-af zetting of dergelijke. Afhankelijk van de aard van de toegepaste filmvormingstechniek kan in de uit metaal-sxyde bestaande hulplaag een met het metaaloxyde overeenkomend suboxyde worden gevormd. Wanneer een metaaloxyde zoals GeO^ door elektronenstraal-verdamping onder een zeer sterk verminderde druk wordt afgezet, waarbij 25 een uit metaaloxyde bestaande hulplaag wordt gevormd, kan nu en dan GeO (x = 1 tot 2), dat door partiële ontleding van Ge0o gevormd is, in de uit metaaloxyde bestaande hulplaag aanwezig zijn. Teneinde een dergelijk suboxyde-vorming tijdens de depositie van een uit metaaloxyde bestaande hulplaag te verhinderen, kan de depositie worden uitgevoerd 30 in een laag vacuum-atmosfeer, waarin lucht, zuurstof of dergelijke binnengelekt is. Zo kan bij voorbeeld de depositie van een laag van het bovenvermelde metaaloxyde tot stand worden gebracht onder toepassing van een streefhoeveelheid ("target") van een enkel metaal door reactief sputterèn, waarbij zuurstof of lucht is toegepast.

35 Een metaaloxyde-hulplaag, die een suboxyde bevat, levert echter met betrekking tot eigenschappen van het resulterende registreeimateriaal geen belangrijk probleem op, zolang het suboxydegehalte van de metaaloxyde- 8101298 ; : -8- ·

i V

hulplaag ongeveer 10 gevr.% of minder is.

De dikte van de uit metaaloxyde bestaande hulplaag kan, al naar gelang van de aard van het gevormde metaaloxyde, variëren. In het algemeen echter komen, indien de metaaloxyde-hulplaag te dik is, daardoor in 5 die laag ongunstige scheuren voor. De dikte van de metaaloxyde-hulplaag bedraagt bij voorkeur 1-300 nm.. On registreermateriaal te verkrijgen met bijzonder goede opslagstabiliteit en. waarin gaten met uitstekende vormen worden gevormd, bedraagt de dikte van de metaaloxyde-hulplaag bij voorkeur 3-30 nm.

10 In het registreermateriaal volgens de uitvinding dient de uit anorganische verbinding bestaande laag voor het omzetten van de metaaloxyde-hulplaag, die gevormd is onder de metallieke registreerlaag en op de uit anorganische verbinding bestaande laag, in een glasachtig mate- \ riaal met vlak-.oppervlak, waarbij het scheidingsvlak tussen de metaal-15 oxyde-hulplaag en de metallieke registreerlaag gelijkmatig vlak glasachtig wordt gemaakt en daar cm wordt de oppervlaktespanning van het bovenvermelde scheiding svlak isotropisch. De toe te passen materialen voor het vormen van de uit anorganische verbinding bestaande laag kunnen gekozen worden uit een groter aantal verbindingen dan de klassen van 20 verbindingen, die in het algemeen bekend zijn als verbindingen, welke tot vorming van een glasachtig materiaal in staat zijn.

Als het voor de vorming van de uit anorganische verbinding bestaande laag van het registreermateriaal volgens de uitvinding toe te passen materiaal kunnen bij voorbeeld worden genoemd metaalnitriden, 25 metaalfluoriden en metaaloxyden. Uit een oogpunt van vorming van een vlak glad oppervlak van de eerste stabiliserende laag in het gedeelte daarvan dat aan de metallieke registreerlaag grenst, wordt de uit anorganische verbinding bestaande laag bij voorkeur vervaardigd uit een verbinding, die een andere is dan die, welke toegepast wordt voor de vorming van de 30 metaaloxyde-hulplaag. Voorts verdient het de voorkeur, dat de verbinding, die toegepast wordt voor de vorming van de uit anorganische verbinding bestaande laag en de verbinding, die wordt toegepast voor de vorming van de metaaloxyde-hulplaag, zeer goed in elkaar oplosbaar zijn. Wanneer bij voorbeeld -Al^O^ wordt toegepast voor de vorming van de metaaloxyde-35 hulplaag, wordt voor de voiming van de uit anorganische verbinding bestaande laag bij voorkeur GeC>2 of SiO^ toegepast. Bijzondere voorbeelden van anorganische verbindingen, die kunnen worden toegepast voor de - 8101298 -9- vorming van de uit anorganische verbinding bestaande laag zijn onder , * meer: nitriden, fluoriden en axyden van Be, B, Al, Mg, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mh, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh,

Pd, Ag, In, Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Ir, Tl, Pb, Bi, Dy, Er, Gd, Nd, 5 Pr, Sm of Ce. Hiervan verdienen van Ge, Al, Si, Pb, Zn, Ti, Y, Cr, La,

Ce of Sm; en fluoriden van Ca en Mg de voorkeur. Bijzondere voorkeur verdienen Cr^, ïgO , La^, CeOg, Sm^, Ge02, AlgO^.SiOg, PbO, ZnO, Ti02, MgFg en CaFg.

De uit anorganische verbinding bestaande laag kan gevormd worden 10 door middel van een techniek, waarbij dunne films worden gevormd, zoals vacuumverdamping, "sputtering”, ion-plat ering of plasma-depositie.

Het is gewenst, dat de uit anorganische verbinding bestaande laag dun is, waarbij de dikte ervan kan variëren afhankelijk van de aard - van de toegepaste verbinding, doch bij voorkeur 1-1000 nm, in het 15 bijzonder 2-30 nm, bedraagt.

Betere resultaten kunnen worden verkregen wanneer men in de tijd tussen de vorming van de uit metaaloxyde bestaande hulplaag en de vorming van de anorganische verbinding bestaande laag in een atmosfeer voor het vormen van een dunne film een gas, zoals stikstof, zuurstof, lucht, 20 argon, waterdamp of koolstofdioxyde-gas, laat lekken, waarbij adsorptie-inclusie van een dergelijk gas in het grensvlak tussen de lagen of oxy-datie van de uit metaaloxyde bestaande hulplaag in het grensvlakgedeelte tot stand wordt gebracht wanneer zuurstof of lucht wordt doorgelaten,

De bovenvermelde werkwijze kan ook worden uitgevoerd in de tijd tussen 25 de vorming van de uit metaaloxyde bestaande hulplaag en de vorming van de metallieke registreerlaag, waarbij een soortgelijke gasadsorptie-inclusie of axydatie op het grensvlak tot stand wordt gebracht. In scmmige gevallen kan een modificatie als boven vermeld de sensitiviteit van het resulterende registreermateriaal verbeteren. Uit een oogpunt van pro-30 duktiviteit echter is het gewenst de vorming van alle, lagen bij dezelfde mate van verminderde druk te bewerkstelligen. Enige onderlinge diffusie van de componenten van de metallieke registreerlaag en de uit metaaloxyde bestaande hulplaag levert geen of nauwelijks enig probleem op, doch het is gewenst dat deze diffusie zo gering mogelijk is.

35 Een tweede stabiliserende laag dient bovenop de metallieke re gistreerlaag verwijderd van het substraat, in het registreermateriaal volgens de uitvinding te worden aangebracht om te verhinderen, dat de 81012 98 4 * ! -10^ •metallieke registreerlaag oxydatie ondergaat, in het bijzonder in het bovenste gedeelte daarvan. De tweede stabiliserende laag kan vervaardigd worden, hetzij uitsluitend uit een uit anorganische verbinding bestaande laag van dezelfde soort verbinding als die van de eerder genoemde an-5 organische verbinding slaag van de eerste stabiliserende- laag, hetzij uit zulk een uit anorganische verbinding bestaande laag en een tweede . hulplaag van dezelfde soort metaaloxyde als die van de eerder genoemde uit metaaloxyde bestaande hulplaag van de eerste stabiliserende laag.

Qn het effect van de tweede stabiliserende laag te vergroten, wordt 10 bij voorkeur een tweede hulplaag aangebracht. De eerder gegeven uiteenzetting betreffende de materialen, vorming, dikten, enz. van de uit anorganische verbinding bestaande laag en de uit metaaloxyde bestaande hulplaag van de eerste stabiliserende laag, is ook van toepassing op de uit anorganische verbinding bestaande laag en elke tweede hulplaag van 15 de tweede stabiliserende laag. Men bedenke echter, dat de tweede stabiliserende laag wat betreft materialen, vorming, dikte, laagstructuur en dergelijke hetzelfde kan zijn als de eerste stabiliserende laag of daarvan kan verschillen.

Wanneer de depositie van materialen voor het vervaardigen van 20 registreermateriaal wordt uitgevoerd onder zeer sterk verminderde druk, is de adhesie van de op het substraat afgezette laag uitstekend, hetgeen leidt tot een zodanig groot praktisch voordeel, dat het registreermateriaal met betrekking tot weerstand tegen af schuring uitstekend is.

Het registreermateriaal volgens de uitvinding kan voorts een 25 doorzichtige beschamende laag bovenop de tweede stabiliserende laag bevatten. De doorzichtige beschermende laag bevat een organisch polymeer als de hoofdcomponent of als de enige component. De doorzichtige beschermende laag dient cm de afgezette lagen, die daaronder met behulp van vacuumtechniek zijn gevormd te stabiliseren en de afgezette, daar-30 onder gevormde lagen tegen mechanische beschadiging te beschermen.

De doorzichtige beschermende laag kan, indien zij een geschikte dikte bezit, ook bijdragen tot een vermindering van reflectiviteit van het registreermateriaal en daardoor tot een vergroting van de sensitiviteit van het registreermateriaal. Zo is het bij voorbeeld gewenst, dat in 35 het geval, waarin voor het registreren energie wordt toegepast met een bepaalde golflengte (λ)9 zoals een laserstraal, de doorzichtige beschermende laag een dikte bezit, die voldoet aan de volgende formule: nd = λΑ, 8101298 -11- * .

waarin n de "brekingsindex van het materiaal -van de beschermende laag en d de dikte van de beschermende laag voorstellen.

Als voorbeelden van organische polymeren, die voor de doorzichtige beschermende laag kunnen worden toegepast, kunnen worden genoemd: 5 polyvinylideenchloride, copolymeren van vinylideenchloride en acrylonitrile, polyvinylacetaat, poly-imiden, polyvinylcinnamaat, polyisopreen, polybutadieen, polystyreen, polymethylmethacrylaat, polyurethanen, poly-vinylbutyraal, fluorrubbers, polyamiden, polyesters, epoxyharsen, siliconharsen, celluloseacetaat en terpolymeren van vinylacetaat-vinyl-10 butyraal-vinylalcohol; gemodificeerde polymeren daarvan; en copolymeren van monaneereenheden van de bovengenoemde polymeren. Zij kunnen hetzij alleen, hetzij in een mengsel worden toegepast. Polyesters, fluorrubbers en terpolymeren van vinylacetaat-vinylbutyraal-vinylalcohol verdienen bijzondere voorkeur.

15 Aan het organische polymeren voor de doorzichtige beschermende laag kan een siliconolie, een antistatisch.middel en een dvarsverknopings-middel voor het verbeteren van de filmsterkte worden toegevoegd. Desgewenst kan de doorzichtige beschermende laag een veellaagstructuur bezitten. Een organisch polymeer als boven vermeld en eventuele andere 20 ingrediënten worden in een geschikt oplosmiddel opgelost, waarbij een bekledingsmengsel wordt bereid, dat vervolgens op de tweede stabiliserende laag wordt aangebracht, of zij worden gesmolten en in de vorm van een dunne film op de tweede stabiliserende laag gelamineerd. De dikte van de doorzichtige beschermende laag bedraagt bij voorkeur 0,1-10 miero-25 meter.

Onder verwijzing naar de bijgaande tekeningen, volgt nu een gedetailleerde uiteenzetting van de structuren en voordelen van het regi-streermateriaal volgens de uitvinding: fig. 1 toont een dwarsdoorsnede van een conventioneel registreer-30 materiaal, dat samengesteld is uit een substraat 1, een eerste stabiliserende laag 2 met een êênlaags-structuur, een metallieke registreer-laag 3, een tweede stabiliserende laag met een êênlaags-structuur, en een doorzichtige beschermende laag 5· De eerste stabiliserende laag 2 wordt zo nu en dan in bepaalde gevallen, die van de aard van het sub-35 straat afhangen, weggelaten. De doorzichtige beschermende laag 5 kan in sommige gevallen ook worden weggelaten.

Fig. 2 toont een dwarsdoorsnede van een vorm van een registreer- 8101298 , , ' ^Ï2- ! materiaal volgens de uitvinding, bestaande uit een substraat 1, een eerste stabiliserende laag, die bestaat uit een uit anorganische verbinding bestaande laag 2. en een uit metaaloxyde bestaande hulplaag 2', een metallieke registreerlaag 3, een tweede stabiliserende laag k met 5 een êénlaags-structuur, en een doorzichtige beschermende laag 5» die zo nu en dan kan worden weggelaten,

Fig. 3 toont een dwarsdoorsnede van een andere vorm van een registreermateriaal volgens de uitvinding, bestaande uit een substraat 1, een eerste stabiliserende laag, die bestaat uit een uit anorganische 10 verbinding bestaande laag 2 en een uit metaaloxyde bestaande hulplaag 2', een metallieke registreerlaag 3, een tweede stabiliserende laag, die bestaat uit een uit anorganische verbinding bestaande laag. k en een tweede hulplaag 4', en een doorzichtige beschermende laag 5, die zo nu en dan wordt weggelaten. De stabiliteit.van het registreermateriaal wordt 15 verbeterd door het aanbrengen van de tweede hulplaag 4'.

Fig. 4 toont een elektronenmicroscopische weergave van een conventioneel registreermateriaal volgens fig. 1, waarin gaten zijn gevormd door middel van een halfgeleiderlaserstraal met een. diameter van 1 micrometer. In het registreermateriaal volgens fig. 1 (vervaardigd 20 volgens vergelijkend voorbeeld 4) is. GeO^ toegepast voor het vormen van zowel de eerste als de tweede stabiliserende laag, terwijl voor de vorming van de metallieke registreerlaag (dikte 30 nm) Bi is gebruikt.

In fig. 5 is een elektronenmicroscopische opname van het registreermateriaal volgens fig. 2 weergegeven, waarin gaten zijn gevormd door 25 middel van een halfgeleiderlaserstraal met een diameter van 1 micrometer.

In hetregistreermateriaal volgens fig. 2 (vervaardigd volgens voorbeeld IV) volgens de uitvinding is AlgO^ toegepast voor de vorming van. de uit anorganische verbinding bestaande laag 2, is Ge02 toegepast voor de vorming van zowel de uit metaaloxyde bestaande hulplaag 2' ,van de eerste 30 stabiliserende laag als van de uit anorganische verbinding bestaande laag k van de tweede stabiliserende laag, terwijl voor de vorming van de metallieke registreerlaag 3 (dikte Uo nm) Bi is gebruikt. Uit de figuren 1* en 5 blijkt, dat, vergeleken met het conventionele registreermateriaal, het registreermateriaal volgens de onderhavige uitvinding, 35 bij voorbeeld door middel van een laserstraal, veel verbeterd is wat betreft vorm of profiel van de gevormde gaten. Ter nadere toelichting kan gezegd worden, dat bij fig. 5 in hoofdzaak zuiver elliptische gaten 8101298 -13- met gladde randen zijn gevormd, in tegenstelling tot vat bij fig. U plaats vindt, waarbij gaten met onregelmatigheden of storing in vorm of profiel zijn gevormd.

Het registeexmateriaal volgens de onderhavige uitvinding kan daar-5 op informatie registreren, bij voorbeeld volgens een methode, waarbij het materiaal stipsgewijze of sequentieel wordt bestraald met een ge-focusseerde laserstraal, of door een methode, waarbij het materiaal via een masker, dat een goed gecontrasteerd patroon als informatie heeft, korte tijd wordt bestraald met sterke infrarode stralen, een laser-10 straal, kort gepulseerd licht, dat uit een xenon-gasontladingslamp wordt uitgezonden, of dergelijke. Als masker kan worden toegepast een chrocm-masker, een droge zilver-film of een diazo-film. De registratie van informatie op het registreermateriaal volgens de uitvinding kan ook tot stand worden gebracht door de metallieke registreerlaag van het registreer-^ materiaal in aanraking te brengen met een gemodelleerd materiaal, waarvan de varmte-overdrachtssnelheid anders is, en het registreeimateriaal vanaf de zijde van zijn substraat te bestralen met gepulseerd licht, waarbij een patroon wordt gevormd. In dit geval wordt bij de vorming van het patroon gebruik gemaakt van een verschil in warmte-overdrachtssnel- 20 heid. De vorming van uit stippen bestaande beelden op het registreer- materiaal volgens de uitvinding kan ook tot stand worden gebracht door middel van een thermische kop, waaraan energie wordt toegediend, bij voorkeur in de vorm van pulseringen. In dit geval is het vanwege de pulsering-nwijdteM van de energie gewenst, dat de metallieke registreer-25 laag een geschikte dikte en, indien de registreerlaag uit een aantal verschillende metaalfiJms bestaat, een geschikte combinatie van dikten heeft, zodat zuivere stip-beelden worden gevormd.

Daar het registreermateriaal volgens de uitvinding het vermogen heeft daarop een fijn patroon te vormen, kan het materiaal nadat het 30 aan patroonvorming is onderworpen, worden toegepast als een masker, door bemiddelling waarvan een "fosforesist" aan licht wordt blootgesteld, waarbij een "resist" wordt gevormd, die bij de vervaardiging van een "master"-plaat voor een replica van een video-schijf kan worden toegepast.

De uitvinding wordt aan de hand van de volgende voorbeelden nader toegelicht.

81012 9 8 35 -iU-

Voorbeeld I en vergelijkend voorbeeld 1

Een schijf met een diameter van 30 cm, die door gieten gevormd was uit een polymethylmethacrylaat-plaat met een glad..oppervlak, werd zodanig in een vacuiim-depositie-inrichting (opdampinrichting). geplaatst, 5 dat de schijf in het centrale deel van de inrichting kon worden geroteerd. De inrichting bevatte, een met een elektronenstraal werkend vacuüm-verdampingsapparaat, dat verhittingsverdampings-,,schuiten" en smeltkroezen bezat. Bi en Sn werden afzonderlijk in de verhitting s-verdam-pings-,,schuiten,, gebracht, terwijl GeO^ en Al^O^ e^zo^erlijk in de beide 10 smeltkroezen werden gebracht. ïïadat de inrichting tot een verminderde —7 druk van 2,666kk x 10 kPa was gepompt, werden achtereenvolgens een

AlgO^-film met een dikte van 10 nm, een GeO^-film met een dikte van 10 nm,. een Bi-film met een dikte van 30 nm, een Sn-film met een dikte van 10 nm, een GeOg-film met een dikte van 10 nm en een AlgO^-film met 15 een dikte van 10 nm onder, toepassing van elektrónenstraal-vacuümver- dampingstechniek op de schijf neergeslagen. De dikte van een film, die op de schijf werd afgezet, werd gecontroleerd door middel van een kwart s- oscillator, en automatisch geregeld in volgorde van de achtereenvolgens volgens een programma af te zetten materialen. De depositie van alle 20 bovenvermelde films was in ongeveer 1 minuut voltooid. Gedurende de gehele vacuümverdamping bedroeg de verminderde druk van de inrichting —7 —7 2,666^ x 10 tot 3,99966 x 10 kPa, behalve dat de verminderde druk —7 in de beginfasen van de oxydatie-depositie ongeveer 5,33288 x 10 kPa bedroeg. Tijdens de vacuümverdamping werd geen positieve verwarming van 25 de schijf toegepast, terwijl geen of nagenoeg geen verhoging van temperatuur van de schijf werd waargenomen. Een laag met een dikte van 0,2 micrometer van een polyesterhars werd door middel van verstui vings-bekledingsteehniek ("spin coating technique") op de afgezette film gevormd.

30 Een halfgeleiderlaserstraal, die zodanig gemoduleerd was, dat -6 zij een pulserings-"wijdte" van 10 sec bezat, werd met behulp van een lens gecondenseerd en toegepast op de metallieke registreerlaag van de aldus vervaardigde registreerschijf, die voor het tot stand brengen van de registering geroteerd werd met een snelheid van U50 cmw/min.

35 Elliptische gaten, waarvan de lengte van de kleine as ongeveer 1 micrometer bedroeg, werden gevormd in de gebieden, waar de metallieke registreerlaag werd bestraald met de laserstraal, waarvan de intensiteit, onder- 810129 8 -15- zocht aan het oppervlak van de registreerschijf, ten minste k m¥ bedroeg. Onder toepassing van de resulterende schijf werd de S/ïï-verhou-ding door middel van een spectrum-analys eer inrichting, waaraan een standaard-signaal van 500 KHz was gegeven, bepaald, waarbij bleek, dat 5 deze ongeveer U5 dB bedroeg.

Een-vergelijkende registreerschijf werd op in hoofdzaak dezelfde wijze als boven beschreven vervaardigd, met dit verschil, dat de eerste en de tweede depositie van Al^O^ waren weggelaten, zodat de bovenste en de onderste stabiliserende laag van uitsluitend GeO^ gemaakt 10 waren. De sensitiviteit van de registreerschijf was 6 mW. Bij deze schijf werd een S/N-verhouding van 20 dB gevonden.

Voor het bepalen van de opslagstabiliteit met het verloop van de tijd werden beide schijven onderworpen aan een versnelde opslagproef, die bij een temperatuur van 60°C bij een relatieve vochtigheid van 15 70/» werd uitgevoerd. De registreerschijf volgens de onderhavige uitvinding vertoonde zelfs na ongeveer 1 maand aan de proef onderworpen te zijn geweest, geen veranderingen in sensitiviteit en vorm van de gaten, die op dezelfde wijze als boven is beschreven gevormd waren na bestraling met een gecondenseerde en gemoduleerde laserstraal. De vergelijkende 20 registreerschijf vertoonde na slechts H dagen aan de proef onderworpen te zijn geweest een vermindering in sensitiviteit en een storing wat betreft vorm van de gaten, die na bestraling met dezelfde laserstraal als de hierboven vermelde waren gevormd. Meer in het bijzonder was de sensitiviteit van de vergelijkende registreerschijf, die aan de proef van k da-25 gen onderworpen was geweest, 10 mW, terwijl de gaten, die na bestraling met de laserstraal waren gevormd een gestoorde randlijn bezaten,

De gaten, die zowel op de schijf volgens de uitvinding als op de vergelijkende schijf, waren geregistreerd voordat deze schijven aan de proef werden onderworpen, vertoonden bij de opslagproef geen enkele veraade-30 ring in vorm.

Voorbeeld II en vergelijkend voorbeeld 2

Op in hoofdzaak dezelfde wijze als beschreven in voorbeeld I werden achtereenvolgens een film van Al^O^ me^ een dikte van 20 nm, een film van MgFg met een dikte van 5 nm, een film van Bi met een dikte van -35 ^0 nm, een film van MgF^ met een dikte van 5 nm en een film van AlgO^ meÏ een dikte van 10 nm afgezet op een uit polymethylmethacrylaat vervaardigde schijf, die op dezelfde wijze was gevormd als die welke in voor- 8101 298 1 -16- 'beeld I is beschreven. Op deze wijze werden een registreerschijf met een uit Al^O^-MgF^ bestaande stabiliserende boven- en onderlaag en een uit Bi bestaande metallieke registreerlaag verkregen. De geringste intensiteit van. een laserstraal, die in staat was om in de registreer-5 laag van de schijf een gat te vormen (sensitiviteit) werd op dezelfde wijze bepaald als beschreven in voorbeeld I en bleek 3,0 mW te bedragen. Bij deze schijf werd een S/N-verhouding van Ho dB gevonden.

Een vergelijkende registreerschijf werd op in haofdzaak dezelfde wijze als boven beschreven vervaardigd, met dit verschil, dat de eerste 10 en de tweede depositie van Al^O^ waren weggelaten, zodat de bovenste en de onderste stabiliserende laag, die met de uit Bi bestaande laag een sandwich-structuur vormden,, uit alleen MgF^ waren vervaardigd.

De sensitiviteit van de vergelijkende registreerschijf bedroeg 6 mW.

Bij deze schijf werd een S/N-verhouding van 25 dB gevonden.

15 De registreerschijf volgens de uitvinding vertoonde zelfs na ongeveer 3 weken onderworpen te zijn geweest aan een versnelde opslag-proef, uitgevoerd bij een temperatuur van 60°C en bij een relatieve vochtigheid van 10%, een vermindering van de sensitiviteit van minder dan 10%. De vergelijkende registreerschijf vertoonde na slechts 3 dagen 20 onderworpen te zijn geweest aan een onder dezelfde mmstandigheden uitgevoerde opslagproef, een opvallende sensitiviteitsvermindering van 2.0% en een merkbare storing van de vorm van de gaten, die na bestraling met dezelfde laserstraal als toegepast bij de in voorbeeld I beschreven proef, waren gevormd.

25 Voorbeeld III en vergelijkend voorbeeld 3

Op in hoofdzaak dezelfde wijze als beschreven in voorbeeld I werden achtereenvolgens een film van ZrO^ met een dikte van 10 m, een film van PbO met een dikte van 5 nm, een film van Sn met een dikte van HO nm, een film van PbO met een dikte van 5 nm en een film van 30 ZrOg met een dikte van 10 nm afgezet op een uit polymethylmethaczylaat vervaardigde schijf, die op dezelfde wijze was gevormd als beschreven in voorbeeld I. Op deze wijze werd een registreerschijf met een bovenste en een onderste uit ZrOg-PbO bestaande stabiliserende laag en een uit Sn bestaande metallieke registreerlaag verkregen. Sn, dat bij vacuüm-35 verdampings gemakkelijk een dunne film voimt met een structuur, die uit een verzameling van betrekkelijk grote gecondenseerde korrels bestaat, _ kon met een grotere depositiesnelheid worden afgezet in de vorm van een 810129 8 -ιτ-

^ιιηηρ film., die uit aanzienlijk kleinere gecondenseerde korrels was samengesteld. De geringste intensiteit van een laserstraal, lie in staat was in de metallieke registreerlaag van de schijf een gat te vormen waarvan de lengte van de kleine as 1 miereneter bedroeg (sensitiviteit), werd op dezelfde wijze bepaald als beschreven in voorbeeld I en bleek 5 5 mW te bedragen. Bij deze schijf werd een S/H-verhouding van 30 dB

gevonden.

Een vergelijkende registreerschijf werd op in hoofdzaak dezelfde wijze als boven beschreven vervaardigd, met dit verschil, dat de eerste en de tweede FbO-film een dikte van 10 nm bezaten en dat de eerste en de 10 tweede depositie van ZrO^ waren weggelaten, zodat de bovenste en de onderste stabiliserende laag, die met de uit Sn bestaande laag een sandwich-structuur vormden, uit alleen FbO waren vervaardigd. De sensitiviteit van de vergelijkende registreerschijf bedroeg 7 mW. Bij deze schijf werd een S/Ιί-verhouding van 30 dB gevonden. De vergelijkende registreer-15 schijf vertoonde, nadat men haar 1 week bij kamertemperatuur had laten staan, een opvallende verlaging van de sensitiviteit van 20$ en een opmerkelijke storing van de vozm van de gaten, die na bestraling met dezelfde laserstraal als gebruikt bij de in voorbeeld I beschreven proef waren gevormd. De op de vergelijkende schijf vlak na de vervaardiging 20 ervan geregistreerde gaten vertoonden echter na 1 week opslag bij kamertemperatuur geen enkele verandering in vorm.

Voorbeeld IV en vergelijkend voorbeeld k

In hoofdzaak op dezelfde wijze als beschreven in voorbeeld I behoudens enkele depositiecondities, werden achtereenvolgens een film van 25 Al^O^ met een dikte van 10 nm, een film van GeO^ met een dikte van 10 nm, een film van Bi met een dikte van Uo nm en een film van GeO^ met een dikte van 10 nm afgezet op een uit polymethylmethaerylaat bestaande schijf, die op dezelfde wijze was gevormd als beschreven in voorbeeld I.

Bij de depositie van Ge0p werd in de vacuum-depositie-inrichting zuur-30 stofgas geleid, zodat de mate van verminderde druk 2,6661*1 x 10 kPa bedroeg. Bij de depositie van.Al.0 en Bi bedroeg de verminderde druk 2,666½ x 10 1 kPa. Op deze wijze werd een registreerschijf met een bovenste uit GeO^ bestaande stabiliserende laag en een onderste uit AlgO^-GeOg bestaande stabiliserende laag en met een uit Bi bestaande 35 metallieke registreerlaag verkregen. De geringste intensiteit van een laserstraal, die in staat was cm in de registreerlaag van de schijf 81012 98 ί __ - -18- een gat te vormen (sensitiviteit), werd op dezelfde wijze bepaald als beschreven in voorbeeld I, waarbij deze !+ mW bleek te bedragen.

Bij deze schijf werd een S/N-verhouding van Uo dB gevonden. De registreer-schijf vertoonde na 1 week onderworpen te zijn geweest aan een versnelde 5 opslagproef, die bij een temperatuur van 60°C en een relatieve vochtigheid van 70$ was uitgevoerd, een vermindering van de sensitiviteit van ongeveer 10$.

Een andere registreerschijf werd vervaardigd op in hoofdzaak dezelfde wijze als boven beschreven, met dit verschil, dat de verminderde 10 druk bij de depositie van zowel A1_0 als van Ge0„ als van Bi 2,666^ x τγ j fc 10 k!Pa bedroeg. De sensitiviteit van de schijf was 5 mW. Bij deze schijf werd een S/N-verhouding van k5 dB gevonden. De registreerschijf vertoonde na 1 maand onderworpen te zijn geweest aan een versnelde opslagproef, die bij een temperatuur van 60°C en een relatieve vochtig-15 heid van 70$ was uitgevoerd, geen vermindering van de sensitiviteit en geen storing wat betreft de vorm van de gaten, die na bestraling met dezelfde laserstraal als die, welke in voorbeeld I is beschreven, werden gevormd. Op in hoofdzaak dezelfde wijze als die, welke boven met betrekking 'tot de vervaardiging van de eerstgenoemde registreerschijf 20 werd beschreven, werd een vergelijkende registreerschijf vervaardigd,' doch met dit verschil, dat de eerste depositie van Al^O^ was weggelaten, zodat de bovenste en de onderste stabiliserende laag, die met de uit Bi bestaande laag een sandwich-structuur vormden, uit alleen GeO^ waren vervaardigd. De sensitiviteit van de vergelijkende registreerschijf 25 bedroeg 9 mW. Bij deze schijf werd een S/N-verhouding van 25 dB gevonden. De vergelijkende registreerschijf vertoonde na slechts 7 dagen onderworpen te zijn geweest aan een opslagproef, die bij een temperatuur van 60°C en een relatieve vochtigheid van 70$ was uitgevoerd, een opmerkelijke vermindering van de sensitiviteit van 20$.

30 Voorbeeld V en vergelijkende proef 5

Een 20 nm dikke Si^N^-film, een 10 nm dikke Al^O^-film, een i+0 nm dikke Bi-film en een 15 nm dikke GeO^-film werden achtereenvolgens aangebracht op een op de in voorbeeld I beschreven wijze vervaardigde polymethylmethacrylaatschijf. De afzetting van Si^W^ geschiedde volgens 35 een gebruikelijke gloeiontladingstechniek. De overige films werden -6 af gezet door vacuümverdamping onder een vacuüm van 2 x 10" Torr.

Op deze wijze werd een registreerschijf verkregen, voorzien van onderste 8101298 -19-

Si^N^-Al203 stabiliserende lagen, een metallieke Bi registreerlaag en een bovenste GeO^ stabiliserende laag. De kleinste intensiteit van een laserstraal, die een opening in de registreerlaag van de schijf kon vormen (sensitiviteit) werd op de in voorbeeld I beschreven wijze bepaald 5 en bedroeg 4 mW. Voor deze schijf werd een S/N-verhouding van ko dB gevonden.

Op nagenoeg dezelfde wijze werd een vergelijkende schijf vervaardigd, waarbij echter de eerste Si^N^ afzetting werd weggelaten, zodat de bovenste en onderste stabiliserende lagen aan weerskanten van de 10 Bi-laag resp. uit GeO^ en Al,^ bestonden. De sensitiviteit van deze schijf bedroeg 6 mW en de S/N-verhouding 35 dB.

De schijf volgens de uitvinding vertoonde na 1 week onderworpen te zijn geweest aan een versnelde opslagproef bij een temperatuur van 60°C en een relatieve vochtigheid van J0% een sensitiviteitsver-15 mindering van minder dan 15?»· De vergelijkende schijf vertoonde echter na slechts 3 dagen aan dezelfde opslagproef onder dezelfde omstandigheden onderworpen te zijn geweest reeds een sensitiviteitsveimindering van 15%. Voorbeeld VI en vergelijkend voorbeeld 6

Op in hoofdzaak dezelfde wijze als beschreven, in voorbeeld I 20 werden achtereenvolgens een film van me^ een van 10 m, een film van CaF^ met een dikte van 8 nm, een film van Bi met een dikte van 20 nm, een film van Sn met' een dikte van 5 nm, een film van Bi met een dikte van 10 nm, een film van CaF^ met een dikte van 8 nm en een film van AI2O3 met een dikte van 10 nm afgezet op een uit polymethylmetha-25 erylaat bestaande schijf, die op de in voorbeeld I beschreven wijze was gevonud. Op deze wijze werd een registreerschijf met een bovenste en een onderste Al203-CaF2-stabiliserende laag en een Bi (20 nm)-Sn-(5 nm)-Bi (10 nm)-metallieke registreerlaag verkregen. De geringste intensiteit van een laserstraal, die in staat was in de registreerlaag 30 van de schijf een gat te vormen (sensitiviteit), werd op dezelfde wijze als beschreven in voorbeeld I bepaald, waarbij deze b mW bleek te bedragen. Bij deze schijf werd een S/N-verhouding van UO dB gevonden.

Een vergelijkende registreerschijf werd op in hoofdzaak dezelfde wijze als boven beschreven vervaardigd, met dit verschil, dat .de eerste 35 en de tweede film van CaF2 een dikte bezaten van 10 nm en dat de eerste en de tweede depositie van Al2°3 varen weggelaten, zodat de bovenste en de onderste stabiliserende laag, die met de Bi-Sn-Bi-laag een 8101298 -20- , sandwich-structuur. vormden, varen vervaardigd uit alleen CaF^. De sensitiviteit van de vergelijkende schijf bedroeg 8 mW. Bij deze schijf verd een S/N-verhouding van 25 dB gevonden.

Voorbeeld VII

t- Een film van Al^O^ met een dikte van 10 m en een film van GeOg met een dikte van 5 nm, die. tezamen een onderste stabiliserende laag vormden, verden door reactief sputteren afgezet op een uit polymethyl-methacrylaat bestaande schijf, die op dezelfde vijze vas gevormd als beschreven in voorbeeld I, waarbij het reactief sputteren verd uitge-10 voerd onder toepassing van een Al-"target" en een Ge-"target" onder een verminderde druk van 3,99966 x 10*"^ kEa, waarbij lucht in de sputter-zone werd ingevoerd. Een film van Au met een dikte van 30 nm werd bovenop de onderste stabiliserende laag afgezet door opdampen onder een ver- -7 . .

minderde druk van 1,33322 x 10 kPa. Een film van GeOg met een dikte 15 van 5 nm en een film van AlgO^ met een dikte van 10 nm die tezamen een bovenste stabiliserende laag vormden, werden op de door depositie verkregen Au-film afgezet .onder.-toepassing van dezelfde .reactieve sputter-techniek als bovenbeschreven. De sensitiviteit van de resulterende registreerschijf werd op dezelfde wijze bepaald als beschreven in voor-; 20 beeld I, waarbij deze 5 mW bleek te bedragen. Bij deze schijf werd een S/N-verhouding van ^5 dB gevonden.

Voorbeeld VIII en vergelijkend voorbeeld 7 ·

Op in hoofdzaak dezelfde wijze als beschreven in voorbeeld I werden achtereenvolgens een film van ZrOg met een dikte van 20 nm, 25 een film van YgO^ met een dikte van 20 nm, een film van Bi met een dikte van 30 nm, een film van Pb met een dikte van 10 nm, een film van Υ^Ο^ met een dikte van. 10 nm en een film van ZrO^ met een dikte van 10 nm afgezet op een uit polymethylmethacrylaat vervaardigde schijf, die op dezelfde wijze was gevormd als beschreven in voorbeeld I. Een bescher-30 mende laag van een fluorrubber met een dikte van 0,5 micrcmeter werd daarop aangebracht door bekleding. Op deze wijze werd een registreerschijf met een bovenste en een onderste, uit ZrO^-YgO^ bestaande stabiliserende laag en een Bi (30 nm)-Pb (10 nm)-metallieke registreerlaag verkregen. De sensitiviteit van de registreerschijf werd bepaald op 35 dezelfde wijze als beschreven in voorbeeld I, waarbij deze U mW bleek te bedragen. Bij deze schijf werd een S/11-verhouding van bo dB gevonden.

De registreerschijf vertoonde na rond 30 dagen onderworpen te zijn geweest 81 Öï 2 9 8 “ - - -21- aan een versnelde opslagproef, die "bij: een temperatuur van 60°C en een relatieve vochtigheid van T0J6 was uitgevoerd, geen enkele vermindering van de sensitiviteit en ook geen storing van de vorm van een gat, dat na bestraling met dezelfde laserstraal als beschreven in voorbeeld I 5 was gevormd. Op in hoofdzaak dezelfde wijze als boven beschreven werd een vergelijkende registreerschijf vervaardigd, met dit verschil, dat de eerste en de tweede film van ZrO^ een dikte van 20 nm bezat in plaats van 10 nm en dat de eerste' en de tweede depositie van Y^O^ waren weggelaten, zodat de bovenste en de onderste stabiliserende laag, die met 10 de Bi-Fb-laag een sandwich-struetuur vormden, vervaardigd waren van alleen ZrOg. De sensitiviteit van de vergelijkende registreerschijf bedroeg 8 mW. Bij deze schijf werd.een S/N-verhouding van 25 dB gevonden.

De vergelijkende registreerschijf vertoonde, na slechts 3 dagen onderworpen te zijn geweest aan een versnelde opslagproef, die onder 15 dezelfde condities als boven beschreven was uitgevoerd, enige vermindering in sensitiviteit en enige storing in de vorm van de gaten, die na bestraling met dezelfde laserstraal als beschreven in voorbeeld I waren gevormd.

8101298

Claims

1. Een registreermateriaal, bestaande uit een substraat; en boven op het substraat in de volgende volgorde aangebracht: een eerste stabiliserende laag; een metallieke registreerlaag met geringe toxiciteit; en een tweede stabiliserende laag; waarbij de eerste stabiliserende laag is 5 samengesteld uit een uit metaaloxyde bestaande, hulplaag als bovenlaag en een uit anorganische verbinding bestaande laag als een onderlaag voor het omzetten van de uit'metaaloxyde bestaande hulplaag in een glasachtig materiaal met een vlak oppervlak.

2. Een registreermateriaal volgens conclusie 1, waarin de uit anorga-10 nische verbinding bestaande laag gevormd is uit een metaaloxyde, een metaalnitride of een metaalfluoride, en waarin de uit anorganische ver-· binding bestaande laag bestaat uit een metaaloxyde, waarbij het. metaaloxyde van de hulplaag verschilt van het metaaloxyde van de uit anorganische verbinding bestaande laag.

3. Een registreermateriaal volgens conclusie 1 of 2, waarin de anorganische verbinding van de daaruit bestaande laag en het metaaloxyde van de daaruit bestaande hulplaag goed in elkaar oplosbaar zijn.

4. Een registreermateriaal volgens een der conclusies 1-3, waarin de metallieke registreerlaag bestaat uit tenminste één van de volgende 20 metalen: In, Rh, Bi, Sn, Pb, Zn, Mg, Au, Mn, Al, Fe^ Ga, en Sb.

5· Een registreermateriaal volgens een der conclusies 1-4, waarin het metaaloxyde van de uit metaaloxyde bestaande hulplaag een oxyde is van een van de volgende metalen: Al, Ge, Zr, Si, Ti, Cr, Ta, La, Ce, Y, Dy, Er, Gd, Hf, Sm, Bi, Fb, Zn, Li, Mg en Sb.

6. Een registreermateriaal volgens een der voorafgaande conclusies, waarin-.de anorganische verbinding van de uit anorganische verbinding bestaande laag een van de volgende verbindingen is: ftfeFg, CaF^, GeO^, ^2¾ * Cr2°3’ Si02» Ti02* 9 Zn0> Y2°3» La2°3 en Ce02*

7. Een registreermateriaal volgens een der voorafgaande conclusies, 30 waarin de tweede stabiliserende laag een uit anorganische verbinding bestaande laag bevat bestaande uit een metaaloxyde, een metaalnitride of . . een metaalfluoride.

8. Een registreermateriaal volgens conclusie 7, waarin de tweede stabiliserende laag voorts een tweede hulplaag van een metaaloxyde be, 35 vat, waarin het metaaloxyde van de tweede hulplaag verschilt van dat 8101298 ' ............................ -23- van de anorganische verbinding van de uit anorganische verbinding bestaande laag van de tweede stabiliserende laag. 810129 8