DE3110583A1 - Aufzeichnungsmaterial - Google Patents

Aufzeichnungsmaterial

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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Description

  • BESCHREIBUNG
  • Die Erfindung betrifft ein neues Aufzeichnungsmaterial.
  • Insbesondere bezieht sich-die Erfindung auf ein Material zur Aufzeichnung von Informationen, das zur Anwendung zur Aufzeichnung durch Wärmemodulation (heat mode recording) geeignet ist.
  • Informationsspeichersysteme, in denen die Information durch selektives Abtragen, Verdampfen, Entfernen oder Modifizieren eines Aufzeichnungsmediums gespeichert wird, das punktmäßig mit einem fokusierten Laserstrahl oder anderen hochdichten oder energiereichen Strahlen bestrahlt wird, sind als Systeme für das sogenannte Wärmemodulations-Aufzeichnungsverfahren dem Fachmann bekannt. Das Wärmemodulations-Aufzeichnungsverfahren ist ein Trockenverfahren, das keine Chemikalien oder Behandlungslösungen benötigt und mit dessen Hilfe Echtzeit-Aufzeichnungen vorgenommen werden können. Mit Hilfe dieses Verfahrens kann die Information rasch in Form eines Bildes mit hohem Kontrast aufgezeichnet werden, das hohe Kapazität im Hinblick auf die pro Flächeneinheit des Aufzeichnungsmediums auf zeichnungsfähige Informationsmenge hat, und zusätzliche Information kann später aufgezeichnet werden. Aufgrund dieser Vorteile findet das Wärmemodulations-Aufzeichnungsverfahren weit verbreitete Anwendung auf den Gebieten der Mikrobild-Aufzeichnungsmedien, Computer-Output-Mikrofilme, Videoplatten, Computer-Signal-Speichermedien oder dergleichen.
  • Als Materialien, die sich zur Wärmemodulationsaufzeichnung eignen, hat man bereits anorganische Substanzen, wie Metalle, und organische Substanzen, wie Farbstoffe oder Kunststoffe, vorgeschlagen. Es ist allgemein bekannt, daß ein aus einer anorganischen Substanz bestehender dünner Film im allgemeinen bessere Empfindlichkeit für die Aufzeichnung besitzt.
  • Die für ein Wärmemodulations-Aufzeichnungsmedium erforderlichen Eigenschaften sind nicht nur hohe Empfindlichkeit, sondern auch großer Signal-Geräusch-Abstand, gute Lagerbeständigkeit, Aufbewahrbarkeit (Archivierung), niedere Toxizität und dergleichen. Bisher wurde jedoch kein solches Aufzeichnungsmaterial aus einem dünnen Film aus einer anorganischen Substanz angegeben, das diese Erfordernisse erfüllt. Aufzeichnungsmaterialien unter Verwendung von Chalkogen-Verbindungen bzw. Chalkogenen, die Schwefel, Selen, Tellur oder dergleichen enthalten, haben zufriedenstellende Empfindlichkeit und Signal-Geräusch-Abstand (nachstehend auch als S/N-Verhältnis bezeichnet) im Hinblick auf Standard-Anforderungen, führen jedoch zu Schwierigkeiten im Hinblick auf die Lagerbeständigkeit, Aufbewahrbarkeit und Toxizität. Andererseits zeigen Aufzeichnungsmaterialien unter Verwendung von Wismut, Zinn oder dergleichen keine Schwierigkeiten im Hinblick auf Empfindlichkeit und Toxizität, führen jedoch zu Schwierigkeiten im Hinblick auf das S/N-Verhältnis, die Lagerbeständigkeit und Aufbewahrbarkeit.
  • Die Erfinder haben bereits ein Aufzeichnungsmaterial angegeben, das aus einem Substrat, einer mehrschichtigen metallischen Aufzeichnungsschicht, ausgebildet durch Abscheidung von Wismut, Zinn, Blei und dergleichen in beliebiger Reihenfolge, und zwei Stabilisierungsschichten besteht, die jeweils aus einem Metalloxid, wie GeO2, PbO, TiO2 und/oder dergleichen gebildet sind, wobei die mehrlagige metallische Aufzeichnungsschicht zwischen den Stabilisierungsschichten eingeschlossen ist (JA-OS 54-66147).
  • Dieses bekannte Aufzeichnungsmaterial hat ausgezeichnete Empfindlichkeit, es ist jedoch noch verbesserungswürdig, da, wenn das Aufzeichnungsmaterial selektiv mit Hilfe eines Laserstrahls bestrahlt wird, Löcher gebildet werden, die in ihren Profilen Unregelmäßigkeiten oder Störungen aufweisen, wodurch eine Erniedrigung des Signal-Geräusch-Abstands verursacht wird, und da das Aufzeichnungsmaterial dieser Art schlechte Lagerbeständigkeit sowie Aufbewahrbarkeit bei hohen Temperaturen und unter hoher Feuchtigkeit hat, wodurch schwerwiegende Nachteile bei manchen Anwendungszwecken des Aufzeichnungsmaterials verursacht werden.
  • Die hier verwendete Bezeichnung "Loch" soll abgetragene Bereiche bezeichnen, in denen eine Information durch selektives Abtragen bzw. Ablation des Aufzeichnungsmaterials durch Einwirkung eines intensitäts-modulierten Laserstrahls oder dergleichen permanent gespeichert ist.
  • Mit dem Ziel, die Nachteile auszuschalten, mit denen die üblichen Wärmemodulations-Aufzeichnungsmaterialien behaftet sind,und ein neues Wärmemodulations-Aufzeichnungsmaterial zu entwickeln, das nicht nur hohe Empfindlichkeit und niedere Toxizität hat, sondern auch ausgezeichnetes Verhalten im Hinblick auf Signal-Geräusch-Abstand, Lagerbeständigkeit und Archivierbarkeit besitzt, hat die Anmelderin ausgedehnte und intensive Untersuchungsarbeiten durchgeführt.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Aufzeichnungsmaterial zur Verfügung zu stellen, welches ausgezeichnete Empfindlichkeit und Lagerbeständigkeit sowie Archivierbarkeit besitzt.
  • Erfindungsgemäß soll ein Aufzeichnungsmaterial der vorstehend erläuterten Art geschaffen werden, welches außerdem niedere Toxizität besitzt.
  • Es ist außerdem Aufgabe der Erfindung, ein Aufzeichnungsmaterial mit den vorstehend erläuterten charakteristischen Eigenschaften zugänglich zu machen, welches ausgezeichnet im Hinblick auf den Signal-Geräusch-Abstand ist und dessen Gestalt oder Profil der Löcher frei von Unregelmäßigkeiten sind.
  • Dabei wurde als Gegenstand der Erfindung ein neues Aufzeichnungsmaterial zur Verfügung gestellt, das aus einem Substrat, einer auf diesem Substrat abgelagerten ersten Stabilisierungsschicht, einer auf der Oberfläche der ersten Stabilisierungsschicht gegenüber dem Substrat abgelagerten metallischen Aufzeichnungsschicht niederer Toxizität und einer zweiten Stabilisierungsschicht, die auf die Oberfläche der metallischen Aufzeichnungsschicht gegenüber dieser ersten Stabilisierungsschicht aufgetragen ist, besteht. Dieses Aufzeichnungsmaterial ist dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen dem Substrat und der metallischen Aufzeichnungsschicht niederer Toxizität angeordnete erste Stabilisierungsschicht aus einer Metalloxid-Hilfsschicht als obere Schicht und aus einer Schicht aus einer anorganischen Verbindung als untere Schicht zur Umwandlung der Metalloxid-Hilfsschicht in ein glasartiges Material mit glatter Oberfläche, d.h. ein flaches glasartiges Material, welches keine Anisotropie im Hinblick auf die Oberflächenspannung zeigt, aufgebaut ist.
  • Das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial kann nach Bestrahlung bzw. Belichtung, beispielsweise mit einem Laserstrahl, ausgezeichnete Löcher ausbilden, deren Gestalt oder Profil frei von Unregelmäßigkeiten ist.
  • Die vorstehenden Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung sind für den Fachmann auch aus der nachstehenden detaillierten Beschreibung ersichtlich.
  • Gemäß der Erfindung wird ein Aufzeichnungsmaterial zur Verfügung gestellt, bestehend aus einem Substrat und abgelagert auf dem Substrat in der angegebenen Reihenfolge einer ersten Stabilisierungsschicht, einer metallischen Aufzeichnungsschicht niederer Toxizität und einer zweiten Stabilisierungsschicht, wobei die erste Stabilisierungsschicht aus einer aus Metalloxid bestehenden Hilfsschicht als obere Schicht und einer Schicht aus einer anorganischen Verbindung als untere Schicht zur Umwandlung der aus Metalloxid bestehenden Hilfsschicht in ein glasartiges Material mit flacher Oberfläche gebildet ist.
  • Als Beispiel für das erfindungsgemäß angewendete Substrat kann ein Film oder eine Platte aus einem anorganischen Material erwähnt werden, wie aus Glas, Glimmer oder einer Aluminiumlegierung, oder aus einem organischen Material, beispielsweise einem Polymeren, wie einem Polyester, Polypropylen, Polycarbonat, Polyvinylchlorid, Polyamid, Polystyrol oder Polymethylmethacrylat oder einem von solchen Polymeren abgeleiteten modifizierten Polymeren, einem Copolymeren aus Monomereinheiten, welche die vorstehenden Polymeren aufbauen, oder einem Gemisch aus solchen Polymeren.
  • Unter solchen Materialien für das Substrat werden Polyester oder Polymethylmethacrylat besonders bevorzugt. Wenn die Glattheit der Oberfläche des Substrats selbst einen großen Einfluß auf den Signal-Geräusch-Abstand eines Aufzeichnungsmaterials hat, wie bei einer Videoplatte oder dergleichen, kann ein Substrat angewendet werden, welches durch Beschichten einer gesondert hergestellten Folie oder Platte mit dem vorstehend erwähnten Polymeren, beispielsweise unter Anwendung der Schleuderbeschichtungsmethode, erhalten wird.
  • Als Material zur Ausbildung der metallischen Aufzeichnungsschicht kann jedes der Metalle verwendet werden, die auf dem Fachgebiet als Aufzeichnungsmaterial gut bekannt sind.
  • Erfindungsgemäß wird jedoch bevorzugt, ein Metall mit niederer Toxizität aus der Gruppe In, Bi, Sn, Zn, Pb, Mg, Au, Ge, Ga, Sb, Rh, Mn, Al oder dergleichen zu verwenden.
  • Im Hinblick auf die Empfindlichkeit einer Aufzeichnungsschicht ist es besonders vorteilhaft, ein Metall einzusetzen, das niederen Schmelzpunkt sowie geringes Reflexionsvermögen hat, beispielsweise Ei, In, Sn, Pb oder dergleichen.
  • Wenn die vorstehend erwähnten Metalle in Kombination angewendet werden, wird bevorzugt, Kombinationen, wie Bi-Sn oder Bi-Pb anzuwenden, weil eine solche Kombination ein Eutektikum mit einem niedrigeren Schmelzpunkt ausbildet. Die vorstehend erwähnten Metalle können entweder in Form einer Einfachschicht oder einer Mehrfachschicht verwendet werden. Wenn zwei oder mehr verschiedene Arten von Metallen in Kombination angewendet werden, können sie in Form einer einzigen Schicht aus einer Legierung, einer Mehrfachschicht aus den jeweiligen Schichten der einzelnen verschiedenen Metalle, einer Mehrfachschicht aus einer Schicht eines einzigen Metalls und einer Schicht aus einer Legierung oder dergleichen vorliegen.
  • Um ein Aufzeichnungsmaterial zu erhalten, das befähigt ist, Löcher mit ausgezeichneten Profilen sowie einen hohen Signal-Geräusch-Abstand auszubilden, wird bevorzugt, eine Mehrfachschicht aus den jeweiligen Schichten der einzelnen verschiedenen Metalle auszubilden. In diesem Zusammenhang ist festzuhalten, daß in Abhängigkeit von der Art der Metalle es empfehlenswert ist, die Reihenfolge der Bildung der Metallschicht so zu wählen, daß ein Aufzeichnungsmaterial erhalten wird, welches befähigt ist, zur Bildung von Löchern mit ausgezeichneter Form und mit ausgezeichnetem Profil zu führen. So wird beispielsweise bei dem Mehrfachschicht-System aus Ei und Sn bevorzugt, zuerst eine Schicht aus Ei und danach eine Schicht aus Sn auszubilden. Bei einem Mehrfachschicht-System aus Ei und Pb wird vorzugsweise zuerst eine Schicht aus Bi und danach eine Schicht aus Pb ausgebildet. Bei Anwendung dieser Maßnahmen werden Löcher mit besonders ausgezeichneter Gestalt erhalten.
  • Die metallische Aufzeichnungsschicht kann kleine Mengen an Oxiden, wie ein Suboxid des verwendeten Metalls, enthalten, solange die Oxide nicht die erforderlichen Eigenschaften der metallischen Aufzeichnungsschicht beeinträchtigen. Die annehmbaren Mengen der Oxide sind nicht exakt festlegbar, es wird jedoch angenommen, daß sie insgesamt etwa 10 Gew.-% oder weniger, bezogen auf das Gewicht der metallischen Aufzeichnungsschicht, betragen.
  • Die metallische Aufzeichnungsschicht kann auf der Oberfläche der ersten Stabilisierungsschicht mit Hilfe von üblichen Filmbildungsmethoden ausgebildet werden, beispielsweise durch Vakuumaufdampfen, Zerstäubung, Ionen-Metallisierung, Elektrometallisierung, stromloses Metallisieren oder Plasmaabscheidung. Als Methode zur Ausbildung einer metallischen Schicht aus zwei Arten von Metallen kann beispielsweise eine Methode angewendet werden, bei der eine Legierung aus zwei Arten von Metallen durch Aufdampfen abgelagert wird oder eine Methode, bei der zwei Arten von Metallen gleichzeitig oder gesondert durch Aufdampfen abgeschieden werden. Die Dicke der metallischen Aufzeichnungsschicht kann in Abhängigkeit von der Verwendung des Aufzeichnungsmaterials variiert werden; sie beträgt jedoch vorzugsweise etwa 100 bis 5000 Angström, insbesondere 200 bis 600 Angström.
  • Als Methode zur Ausbildung einer metallischen Aufzeichnungsschicht wird die Vakuumabscheidungs-Technik bevorzugt, weil sie nicht nur einfach im Betrieb ist, sondern auch ausgezeichnete Reproduzierbarkeit zeigt. Um ein Aufzeichnungsmaterial zu erhalten, das nicht nur hohe Empfindlichkeit, sondern auch ausgezeichnete Lagerbeständigkeit und Aufbewahrungsfähigkeit selbst bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit hat, wird bevorzugt, die Abscheidung unter Hochvakuum durchzuführen, beispielsweise unter einem Druck von 10 5 Torr oder weniger. Im allgemeinen wird bevorzugt, daß die metallische Aufzeichnungsschicht eine amorphe Schicht ist. Bezüglich der metallischen Aufzeichnungsschicht des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials wird praktisch keinerlei Kristall-Linie durch Röntgenstrahlenbeugung festgestellt. Es wird angenommen, daß der Grund dafür darin liegt, daß die erste Stabilisierungsschicht in dem an die metallische Aufzeichnungsschicht angrenzenden Bereich ein gleichförmiges glasartiges Material bildet.
  • Vorzugsweise ist die Aufdampfungsrate so hoch wie möglich.
  • Eine Aufdampfungsrate von etwa 1 Angström/sec oder mehr führt zu verbesserten Ergebnissen.
  • Der Ausdruck "erste Stabilisierungsschicht" und zweite Stabilisierungsschicht" werden zur Beschreibung der Erfindung angewendet, um Schichten zu bezeichnen, die jeweils unter und über der metallischen Aufzeichnungsschicht angeordnet sind, um eine Beeinträchtigung der metallischen Aufzeichnungsschicht durch Oxidation und dergleichen zu verhindern. Das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial ist dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen dem Substrat und der metallischen Aufzeichnungsschicht vorliegende erste Stabilisierungsschicht aus zwei Teilschichten zusammengesetzt ist, nämlich einer Metalloxid-Hilfsschicht als obere Schicht und einer Schicht aus einer anorganischen Verbindung, um die Metalloxid-Hilfsschicht in ein glasartiges Material mit flacher Oberfläche überzuführen, als untere Schicht Wie vorstehend erläutert sollte erfindungsgemäß zwischen der metallischen Aufzeichnungsschicht und der sogenannten Schicht aus der anorganischen Verbindung eine Metalloxid-Hilfsschicht eingelagert werden. Rei Ausbildung einer Schichtstruktur eines Aufzeichnungsmaterials, in der nur eine Schicht mit der gleichen Zusammensetzung wie die der Metalloxid-Hilfsschicht oder nur der anorganischen Verbindungsschicht auf dem Substrat ausgebildet wird und schließlich auf dieser die metallische Aufzeichnungsschicht angeordnet wird, wonach eine zweite Stabilisierungsschicht abgelagert wird, kann kein Aufzeichnungsmaterial erhalten werden, welches die Fähigkeit hat, Löcher mit ausgezeichneter Gestalt oder mit ausgezeichnetem Profil auszubilden.
  • Als Bestandteil der Metalloxid-Hilfsschicht können geeignete Verbindungen aus der Gruppe der Metalloxide verwendet werden. Als geeignete Metalloxide lassen sich Oxide von Elementen, wie Be, B, Mg, Li, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Ir, Tl, Pb, Ei, Dy; Er, Ce, Gd, Nd, Pr und Sm erwähnen.
  • Zu bevorzugten Beispielen für Metalloxide gehören Oxide von Elementen, wie Al',-Ge, Zr, Si,#Ti, Ce, Ta, La, Cr, Y, Dy, Er, Gd, Hf, Sm, Bi, Pb, Zn, Li, Mg und Sb.
  • Zu besonders brvorzugten Beispielen für Metalloxide gehören Al2O3, ZrO2, Cr2O3, Y2O3, Sm2O3, La2O3, TiO2, CeO2, SiO2, MgO, Bi2O3, GeO2, PbO, ZnO, Sb2O3 und dergleichen.
  • Zur Ausbildung der Metalloxide-Hilfsschicht auf der vorstehend erwähnten Schicht aus der anorganischen Verbindung kann eine übliche Filmbildungsmethode angewendet werden, beispielsweise Vaknmaufdampfen, Zerstäuben, Ionen-Plattierung, Plasmaabscheidung und dergleichen. In Abhängigkeit von der Art der angewendeten Filmbildungsmethode kann in der Metalloxid-Hilfsschicht ein dem Metalloxid entsprechendes Suboxid ausgebildet werden. Wenn beispielsweise ein Metalloxid wie Ge02 durch Elektronenstrahl-Aufdampfen unter Hochvakuum zur Bildung der Metalloxid-Hilfsschicht abgelagert wird, kann gelegentlich GeOx (x « 1 bis 2), welches durch partielle Zersetzung von Ge02 gebildet wurde, in der Metalloxid-Hilfsschicht vorhanden sein. Um eine solche Bildung von Sobuxid während der Absheidung der Metalloxid Hilfsschicht zu verhindern, kann die Abscheidung in einer Atmosphäre mit niederem Vakuum durchgeführt werden, in die Luft, Sauerstoff und dergleichen eingeleitet wurde, So kann beispielsweise die Abscheidung einer Schicht aus dem vorstehend erwähnten Metalloxid unter Verwendung eines Targets (Ziel-Elektrode) aus einem einzigen Metall durch Reaktivzerstäubung unter Verwendung von Sauerstoff oder Luft durchgeführt werden.
  • Eine Suboxid enthaltende Metalloxid-Hilfsschicht führt jedoch nicht zu bedeutenden Problemen im Hinblick auf die Eigenschaften des gebildeten Aufzeichnungsmaterials.
  • Die Dicke der Metalloxid-Hilfsshicht kann in Abhängigkeit von der Art des gebildeten Metalloxids variieren.
  • Wenn jedoch die Metalloxid-Hilfsschicht zu dick ist, so werden im allgemeinen-in unvorteilhafter Weise Risse in der Metalloxid-Hilfsschicht ausgebildet. Vorzugsweise beträgt die Dicke der Metalloxid-Hilfsschicht 10 bis 3000 Angström-Einheiten. Um ein Aufzeichnungsmateriäl zu erhalten, das besonders ausgezeichnete Lagerbeständigkeit zeigt und zur Bildung von Löchern mit ausgezeichneter Gestalt führt, sollte die Dicke der Metalloxid-Hilfsschicht vorzugsweise 30 bis 300 Angström-Einheiten betragen.
  • In dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial dient die Schicht der anorganischen Verbindung dazu, die unter der metallischen Aufzeichnungsschicht und auf der Schicht der anorganischen Verbindung ausgebildete Metalloxid-Hilfsschicht in ein glasartiges Material mit flacher, glatter Oberfläche umzuwandeln, wobei die Grenzfläche zwischen der Metalloxid-Hilfsschicht und der metallischen Aufzeichnungsschicht gleichförmig flach und glasartig gemacht wird und daher die Oberflächenspannung der genannten Grenzfläche isotrop wird. Die zur Ausbildung der Schicht der anorganischen Verbindung zu verwendenden Materialien können aus einer größeren Vielfalt von Verbindungen gewählt werden, als die Verbindungsklassen, die im allgemeinen als Verbindungen bekannt sind, die zur Ausbildung von glasartigen Materialien befähigt sind.
  • Als Material, das zur Bildung der Schicht der anorganischen Verbindung in dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial geeignet ist, lassen sich beispielsweise Metallnitride, Metallfluoride und Metalloxide erwähnen. Im Hinblick auf die Bildung einer flachen, glatten Oberfläche der ersten Stabilisierungsschicht in dem an die metallische Aufzeichnungsschicht angrenzenden Bereich wird die Schicht der anorganischen Verbindung vorzugsweise aus einer Verbindung gebildet, die verschieden von der zur Ausbildung der Metalloxid-Hilfsschicht eingesetzten Verbindung ist. Es wird außerdem bevorzugt, daß die zur Bildung der Schicht der anorganischen Verbindung verwendete Verbindung und die Verbindung, die zur Bildung der Metalloxid-Hilfsschicht verwendet wird, zur Ausbildung von festen Lösungen ineinander befähigt sind. Wenn beispielsweise Al203 zur Bildung der Metalloxid-Hilfsschicht eingesetzt wird, so wird vorzugsweise Ge02 oder Si02 verwendet, um die Schicht der anorganischen Verbindung auszubilden. Zu spezifischen Beispielen für anorganische Verbindungen, die zur Ausbildung der Schicht der anorganischen Verbindung verwendbar sind, gehören Nitride, Fluoride und Oxide der Elemente Be, B, Al, Mg, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Ir, Tl, Pb, Bi, Dy, Er, Gd, Nd, Pr, Sm bzw. Ce.
  • Unter ihnen werden Oxide von Ge, Al, Si, Pb, Zn, Ti, Y, Cr, La, Ce oder Sm und Fluoride von Ca oder Mg bevorzugt.
  • Besonders bevorzugt werden Cr2 Y203, La,O,, Ce02, So203, Ges,, Al203, Silo,, PbO, ZnO, Ti02, MgF2 und CaF2.
  • Die Schicht der anorganischen Verbindung kann mit Hilfe einer Methode zur Ausbildung dünner Filme, wie durch Vakuumaufdampfen, Zerstäubung, Ionenaufdampfen (Ionenplattierung) oder Plasmaabscheidung ausgebildet werden.
  • Es ist wünschenswert, daß die Schicht der anorganischen Verbindung dünn ist und ihre Dicke kann in Abhängigkeit von der Art der verwendeten Verbindung variiert werden.
  • Vorzugsweise liegt ihre Dicke im Bereich von 10 bis 10 000 Angström, insbesondere im Bereich von 20 bis 300 Angström.
  • Bessere Ergebnisse können erzielt werden, wenn ein Gas, wie Stickstoff, Sauerstoff, Luft, Argon, Wasserdampf oder gasförmiges Kohlendioxid in die zur Ausbildung des dünnen Films verwendete Atmosphäre zum Zeitpunkt zwischen der Bildung der Metalloxid-Hilfsschicht und der Bildung der Schicht der anorganischen Verbindung einsickern gelassen wird, um den adsorptiven Einschluß eines solchen Gases in die Grenzfläche zwischen den Schichten oder die Oxidation der Metalloxid-Hilfsschicht im Grenzflächenbereich zu ermöglichen, wenn man Sauerstoff oder Luft einsickern läßt. Die vorstehend erläuterte Verfahrensweise kann auch zu einem Zeitpunkt zwischen der Bildung der Metalloxid-Hilfsschicht und der Bildung der metallischen Aufzeichnungsschicht durchgeführt werden, um einen entsprechenden adsorptiven Gaseinschluß oder eine Grenzflächenoxidation zu bewirken. In einigen Fällen kann eine Modifizierung, .wie sie vorstehend beschrieben wurde, die Empfindlichkeit des gebildeten Aufzeichnungsmateriäls verbessern.
  • Im Hinblick auf die Produktivität ist es jedoch wünschenswert, die Ausbildung aller Schichten bei dem gleichen Wert des Vakuums durchzuführen. Eine gewisse gegenseitige Diffusion der Komponenten der metallischen Aufzeichnungsschicht und der Metalloxid-Hilfsschicht bietet im wesentlichen keinerlei Schwierigkeiten, es ist jedoch erwünscht, daß eine solche Diffusion in möglichst geringem Ausmaß stattfindet.
  • In dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial muß auf der metallischen Aufzeichnungsschicht auf der vom Substrat entfernten Seite eine zweite Stabilisierungsschicht aufgetragen werden, um zu verhindern, daß die metallische Aufzeichnungsschicht der Oxidation, insbesondere in ihrem oberen Bereich, unterliegt. Die zweite Stabilisierungsschicht kann entweder nur aus einer Schicht einer anorganischen Verbindung aus der gleichen Art von Verbindungen wie die vorstehend erläuterte Schicht der anorganischen Verbindung der ersten Stabilisierungsschicht bestehen oder kann aus einer solchen Schicht einer anorganischen Verbindung und einer zweiten Hilfsschicht aus der gleichen Art von Metalloxiden wie die vorstehend erwähnte Metalloxid-Hilfsschicht der ersten Stabilisierungsschicht gebildet sein. Zur Verbesserung der Wirksamkeit der zweiten Stabilisierungsschicht wird vorzugsweise eine zweite Hilfsschicht vorgesehen. Die vorstehend im Hinblick auf die Materialien, die Ausbildung, Dicke etc. der Schicht der anorganischen Verbindung und der Metalloxid-Hilfsschicht der ersten Stabilisierungsschicht gegebenen Erläuterungen treffen auch für die Schicht der anorganischen Verbindung und eine gegebenenfalls vorliegende zweite Hilfsschicht der zweiten Stabilisierungsschicht zu. Es ist jedoch festzuhalten, daß die zweite Stabilisierungsschicht im Hinblick auf die Materialien, die Ausbildung, Dicke, Schichtstruktur und dergleichen gleich der oder verschieden von der ersten Stabilisierungsschicht sein kann.
  • Wenn die Abscheidung von Materialien zur Herstellung eines Aufzeichnungsmaterials unter Hochvakuum durchgeführt wird, so ist das Haftvermögen der abgeschiedenen Schicht an dem Substrat ausgezeichnet, was zu großen praktischen Vorteilen insofern führt, als das Aufzeichnungsmateriäl ausgezeichnete Abriebfestigkeit zeigt.
  • Das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial kann außerdem auf der Oberseite der zweiten Stabilisierungsschicht eine transparente Schutzschicht aufweisen. Die transparente Schutzschicht umfaßt ein organisches Polymeres als Haupt- oder einzige Komponente. Die transparente Schutzschicht dient zur Stabilisierung der unter ihr mit Hilfe einer Vakuumtechnik abgeschiedenen Schichten und zum Schutz der unter ihr vorliegenden abgeschiedenen Schichten gegen mechanische Beschädigung. Wenn die transparente Schutzschicht eine geeignete Dicke besitzt, kann sie außerdem die Reflexion des Aufzeichnungsmaterials vermindern und somit zu einem Anstieg der Empfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials beitragen. Wenn beispielsweise zur Aufzeichnung Energie mit festgelegter Wellenlänge ( ), wie ein Laserstrahl, angewendet wird, ist es wünschenswert, daß die transparente Schutzschicht eine Dicke hat, die der nachstehenden Formel genügt : nd worin n den Brechungsindex des Materials der Schutzschicht und d die Dicke der Schutzschicht bedeuten.
  • Als Beispiele für organische Polymere, die als Bestandteil der transparenten Schutzschicht verwendet werden können, lassen sich folgende erwähnen : Polyvinylidenchlorid, Copolymere von Vinylidenchlorid und Acrylnitril, Polyvinylacetat, Polyimide, Polyvinylcinnamat, Polyisopren, Polybutadien, Polystyrol, Polymethylmethacrylat, Polyurethane, Polyvinylbutyral, Fluorkautschuke, Polyamide, Polyester, Epoxyharze, Silikonharze, Celluloseacetat sowie Vinylacetat-Vinylbutyral-Vinylalkohol-Terpolymere, modifizierte Polymere der vorstehend angegebenen Gruppe und Copolymere von Monomereinheiten, die in den vorstehend erwähnten Polymeren enthalten sind. Diese Polymeren oder Copolymeren können entweder für sich oder in Form eines Gemisches angewendet werden. Besonders bevorzugt werden Polyester, Fluorkautschuke und Vinylacetat-Vinylbutyral-Vinylalkohol-Terpolymere.
  • Dem organischen Polymeren für die transparente Schutzschicht kann ein Silikonöl, ein Antistatikmittel und ein Vernetzungsmittel zur Verbesserung der Filmfestigkeit zugesetzt werden. Gewünschtenfalls kann die transparente Schutzschicht auch Mehrfachschichtstruktur aufweisen.
  • Ein organisches Polymeres, wie es vorstehend erwähnt wurde, und gegebenenfalls andere Bestandteile werden in einem geeigneten Lösungsmittel gelöst, um eine Beschichtungsmasse herzustellen, die dann auf die zweite Stabilisierungsschicht aufgetragen wird, oder die Bestandteile werden geschmolzen und in Form eines dünnen Films auf die zweite Stabilisierungsschicht auflaminiert. Die Dicke der transparenten Schutzschicht liegt vorzugsweise im Bereich von 0,1 bis 10 Am.
  • Die Erfindung wird nachstehend ausführlicher anhand der Zeichnungen erläutert. Darin bedeuten Fig. 1 eine Schnittansicht eines üblichen Aufzeichnungsmaterials; Fig. 2 eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen- Aufzeichnungsmaterials; Fig. 3 eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials; Fig. 4 eine elektronenmikroskopische Photographie der durch Abtragung erhaltenen Löcher in einem üblichen Aufzeichnungsmaterial gemäß Fig. 1, und Fig. 5 eine elektronenmikroskopische Photographie der durch Abtragung erhaltenen Löcher in dem erfindungsgemäßen in Fig. 2 gezeigten Aufzeichnungsmaterial.
  • Anhand der Figuren lassen sich die Strukturen und Vorteile der erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialien in folgender Weise erlcutern.
  • In der in Fig. 1 gezeigten Schnittansicht wird ein übliches Aufzeichnungsmaterial gezeigt, das aus einem Substrat 1, einer ersten Stabilisierungsschicht 2 mit einlagiger Struktur, einer metallischen Aufzeichnungsschicht 3, einer zweiten Stabilisierungsschicht 4 mit einlagiger Struktur und einer transparenten Schutzschicht 5 besteht. Die erste Stabilisierungsschicht 2 ist in manchen Fällen, in Abhängigkeit von Art des Substrats, gelegentlich weggelassen.
  • In manchen Fällen kann auch die transparente Schutzschicht 5 weggelassen werden.
  • In Fig. 2 wird eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmateriäls gezeigt, das ein Substrat 1, eine erste Stabilisierungsschicht, bestehend aus einer Schicht einer anorganischen Verbindung 2 und einer Metalloxid-Hilfsschicht 2', eine metallische Aufzeichnungsschicht 3, eine zweite Stabilisierungsschicht 4 mit einlagiger Struktur und eine transparente Schutzschicht 5, die gelegentlich weggelassen werden kann, umfaßt.
  • Fig. 3 zeigt eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterials, die ein Substrat 1, eine erste Stabilisierungsschicht, bestehend aus einer Schicht einer anorganischen Verbindung 2 und einer Metalloxid-Hilfsschicht 2', eine metallische Aufzeichnungsschicht 3, eine zweite Stabilisierungsschicht, bestehend aus einer Schicht einer anorganischen Verbindung 4 und einer zweiten Hilfsschicht 4', sowie eine transparente Schutzschicht 5, die gelegentlich weggelassen wird, umfaßt.
  • Dieses Aufzeichnungsmaterial ist durch das Vorhandensein der zweiten Hilfsschicht 4' im Hinblick auf die Stabilität verbessert.
  • Fig. 4 zeigt eine Elektronen-Mikrophotographie des üblichen Aufzeichnungsmaterials gemäß Fig. 1, in welchem Löcher mit einem Durchmesser von 1 ßm mit Hilfe eines Halbleiter-Laserstrahls ausgebildet wurden. In dem Aufzeichnungsmaterials gemäß Fig. 1 (hergestellt in dem später beschriebenen Vergleichsbeispiel 4) wird Ge02 zur Ausbildung der ersten und der zweiten Stabilisierungsschicht verwendet und Bi wird zur Ausbildung der metallischen Aufzeichnungsschicht (400 Angström dick) verwendet.
  • Fig. 5 zeigt eine Elektronen-Mikrophotographie des Aufzeichnungsmaterials gemäß Fig. 2, in welchem Löcher mit einem Durchmesser von 1 ßm mit Hilfe eines Haibleiter-Laserstrahls ausgebildet worden sind. In dem Aufzeichnungsmaterial gemäß Fig. 2 (hergestellt in dem später erläuterten Beispiel 4) gemäß der Erfindung wird Al203 zur Ausbildung der Schicht der anorganischen Verbindung 2, Ge02 zur Ausbildung sowohl der Metalloxid-Hilfsschicht 2' der ersten Stabilisierungsschicht, als auch der Schicht der anorganischen Verbindung 4 der zweiten Stabilisierungsschicht und Bi zur Ausbildung der metallischen Auf zeichnungsschicht 3 mit einer Dicke von 400 Angström verwendet. -Aus den Figuren 4 und 5 ist ersichtlich, daß das Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung im Vergleich mit dem üblichen Aufzeichnungsmaterial im Hinblick auf die Gestalt oder dasprofil der Löcher, die beispielsweise mit Hilfe eines Laserstrahls ausgebildet werden, stark verbessert ist. Erläuternd sei ausgeführt, daß in Fig. 5 im wesentlichen scharfe elliptische Löcher mit glatten Rändern ausgebildet sind, wohingegen in Fig. 4 Löcher ausgebildet sind, die Unregelmäßigkeiten oder Störungen im Hinblick auf die Gestalt oder das Profil zeigen.
  • Das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial kann Information speichern, wozu beispielsweise eine Methode, bei der das Material stellenweise oder nacheinander mit einem fokusierten Laserstrahl bestrahlt wird, oder eine Methode, bei der das Material durch eine Maske mit einem geeigneten Kontrastmuster mit intensiver Infrarotstrahlung während kurzer Dauer, einem Laserstrahl, einem aus einer Xenon-Blitzlichtlampe emittierten Licht mit kurzem Impuls oder dergleichen bestrahlt wird, angewendet werden. Als Maske eignen sich eine Chrommaske, ein trockener Silberfilm.oder ein Diazofilm. Das Aufzeichnen der Information auf dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial kann auch dadurch erfolgen, daß die metallische Aufzeichnungsschicht des Aufzeichnungsmaterials mit einem mit einem Muster versehenen Material mit verschiedener Wärmeleitungsgeschwindigkeit in Kontakt gebracht wird und das Aufzeichnungsmaterial von der Substratseite her mit Impulslicht (pulsed light) unter Bildung eines Musters bestrahlt wird. In diesem Fall wird für die Bild-Ausbildung die Differenz der Wärmeleitungsgeschwindigkeit#ausgenutzt. Die Bildung von Punktbildern auf dem Aufzeichnungsinaterial gemäß der Erfindung kann außerdem mit Hilfe eines Wärmekopfes bewirkt werden, dem Energie vorzugsweise in Form von Impulsen zugeführt wird. In diesem Fall ist es wünschenswert, daß die metallische Aufzeichnungsschicht eine geeignete Dicke und eine geeignete Kombination aus Dicke von Metallfilmen, falls die Aufzeichnungsschicht mehrere verschiedene Metallfilme umfaßt, für die Impulsbreite der Energie hat, so daß deutliche und klare Punktbilder ausgebildet werden.
  • Da das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial befähigt ist, ein winziges Muster auszubilden, kann das Material, nachdem es der Bilderzeugung unterworfen worden ist, als Maske verwendet werden, durch die ein#Photoresistmaterial belichtet wird, um ein Resist auszubilden, das geeignet zur Herstellung einer Originalplatte für Replikationen von Videoplatten ist.
  • Die Erfindung wird durch die nachstehenden Beispiele ausführlicher erläutert, soll jedoch nicht auf diese beschränkt sein.
  • Beispiel 1 und -Vergleichsbeispiel 1 Eine Platte mit einem Durchmesser von 30 cm, die aus einer gegossenen Polymethylmethacrylatplatte mit glatter Oberfläche hergestellt worden war, wurde so in eine Vakuumabscheidungsvorrichtung eingesetzt, daß die Scheibe im Mittelbereich der Vorrichtung rotieren konnte. Die Vorrichtung umfaßte eine Elektronenstrahl-Vakuumaufdampfvorrichtung mit Hitze-Verdampfungsschiffchen und -tiegeln. Bi und Sn wurden gesondert in den Hitzeverdampfungsschiffchen angeordnet und Ge02 und Al203 wurden gesondert in zwei der Tiegel gegeben. Nachdem die Vorrichtung bis zu einem Vakuum von 2,66 x 10 9 b (2 x 10 6 Torr) ausgepumpt worden war, wurde ein 100 Angström dicker Film aus Al203, ein 100 Angström dicker Film aus Ge02, ein 300 Angström dicker Film aus Bi, ein 100 Angström dicker Film aus Sn, ein 100 Angström dicker Film aus Ge02 und ein 100 Angström dicker Film aus Al2 03 nacheinander durch Elektronenstrahl-Vakuumaufdampfen auf der Scheibe abgeschieden. Die Dicke eines auf der Scheibe abgeschiedenen Films wurde mit Hilfe eines Quarz-Oszillators geprüft und automatisch in der Reihenfolge der nacheinander abzuscheiaenden Materialien in Ubereinstimmung mit einem Programm geregelt. Die Abscheidung aller der vorstehend erwähnten Filme war in etwa einer Minute abgeschlossen. Während der gesamten Vakuumabscheidung betrug das Vakuum der Vorrichtung 2,66 bis 3,99 x 10 9 bar (2 bis 3 x 10 6 Torr), mit der Ausnahme, daß das Vakuum in den Anfangs Stufen der Oxidabscheidung in der Größenordnung von 5,33 x 10 9 bar (4 x 10 6 Torr) lag. Während der Vakuumverdampfung wurde kein positives Erhitzen der Platte durchgeführt und es wurde im wesentlichen kein Temperaturanstieg der Platte beobachtet. Eine 0,2 m dicke Schicht aus einem Polyesterharz wurde mit Hilfe einer Schleuderbeschichtungsmethode auf dem abgeschiedenen Film ausgebildet.
  • Ein Halbleiter-Laserstrahl, der so moduliert war, daß er eine Impulsbreite von 10 6 Sekunden hatte, wurde mit Hilfe einer Linse kondensiert und auf die metallische Aufzeichnungsschicht der so hergestellten Aufzeichnungsplatte die mit 450 Upm rotierte, gerichtet, um die Aufzeichnung durchzuführen. In den Bereichen, in denen die metallische Aufzeichnungsschicht mit dem Laserstrahl bestrahlt wurde, dessen an der Oberfläche der Aufzeichnungsplatte gemessene Intensität mindestens 4 mW betrug, wurden Löcher, deren kurze Achse eine Länge von etwa 1 ßm hatte, ausgebildet.
  • Unter Verwendung der so erhaltenen Platte wurde der Signal-Geräusch-Abstand mit Hilfe einer Spektralanalysevorrichtung, in die ein 500 kHz Standardsignal eingegeben wurde, geprüft, wobei ein Wert von etwa 45 dB gefunden wurde.
  • Eine Vergleichs-Aufzeichnungsplatte wurde im wesentlichen in gleicher Weise wie vorstehend hergestellt, jedoch mit der Abänderung, daß die erste und die zweite Abscheidung von Al2 03 weggelassen wurden, so daß die obere und die untere Stabilisierungsschicht nur aus Ge02 bestanden. Die Empfindlichkeit der so hergestellten Aufzeichnungsscheibe betrug 6 mW. Im Fall dieser Platte wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 20 dB festgestellt.
  • Zur Prüfung der Lagerbeständigkeit im Verlauf der Zeit wurden beide Platten einem beschleunigten Lagerungstest unterworfen, der bei einer Temperatur von 600C und einer relativen Feuchtigkeit von 70 % durchgeführt wurde. Die erfindungsgemäße Aufzeichnungsplatte zeigte selbst nach 1-monatigem Durchführen des Tests keinerlei Veränderung im Hinblick auf die Empfindlichkeit und die Gestalt der Löcher, die durch Bestrahlung mit einem Laserstrahl gebildet worden waren, der in gleicher Weise wie vorstehend beschrieben kondensiert und moduliert worden war.
  • Die Vergleichs-Aufzeichnungsplatte zeigte nach nur 4-tägiger Durchführung des Tests eine Verminderung der Empfindlichkeit und Unregelmäßigkeiten in der Gestalt der Löcher, die durch Bestrahlung mit dem gleichen Laserstrahl, der vorstehend angewendet worden war, ausgebildet wurden. So betrug insbesondere die Empfindlichkeit der Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe, die dem 4 Tage-Test unterworfen worden war, 10 mW und die durch Bestrahlung mit dem Laserstrahl gebildeten Löcher zeigten eine unregelmäßige Kantenlinie. Die Löcher, die auf der erfindungsgemäßen Scheibe und der Vergleichs scheibe vor Durchführung des Tests aufgezeichnet wurden, zeigten durch den Lagerungstest keine Änderung der Gestalt.
  • Beispiel 2 und Vergleichsbeispiel 2 Im wesentlichen in gleicher Weise wie in Beispiel 1 wurde ein 200 Angström dicker Film aus Al203, ein 50 Angström dicker Film aus MgF2, ein 400 Angström dicker Film aus Bi, ein 50 Angström dicker Film aus MgF2 und ein 100 Angström dicker Film aus Al203 nacheinander auf einer Polymethylmethacrylat-Scheibe abgelagert, die in gleicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten worden war. Auf diese Weise wurde eine Aufzeichn#ngsscheibe mit einer oberen und einer unteren Al203-MgF2-Stabilisierungsschicht und einer aus Bi bestehenden metallischen Aufzeichnungsschicht erhalten.
  • Die niedrigste Intensiät eines Laserstrahls, die zur Ausbildung eines Loches in der Aufzeichnungsschicht der Scheibe befähigt war (Empfindlichkeit) wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 1 geprüft, wobei ein Wert von 3,0 mW gefunden wurde. Im Fall dieser Scheibe wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 40 dB festgestellt.
  • Eine Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe wurde im wesentlichen in gleicher Weise wie vorstehend hergestellt, mit der Abänderung, daß die erste und die zweite Abscheidung von Al203 weggelassen wurden, so daß die obere und die untere Stabilisierungsschicht, welche die Bi-Schicht einschlossen, nur aus MgF2 bestanden. Die Empfindlichkeit der Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe betrug 6 mW. Im Fall dieser Scheibe wurde Empfindlichkeitein Signal-Geräusch-Abstand von 25 dB gefunden.
  • Die erfindungsgemäße Aufzeichnungsscheibe zeigte nur einen weniger als 10 %igen Abfall der Empfindlichkeit, wenn sie einem 3 Wochen dauernden beschleunigten Lagerungstest bei einer Temperatur von 600C und einer relativen Feuchtigkeit von 70 % unterworfen wurde. Die Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe zeigte nach nur 3-tägiger Durchführung des Lagerungstests unter den vorstehend angegebenen Bedingungen einen merklichen Abfall von 20 % der Empfindlichkeit und ausgeprägte Unregelmäßigkeiten der Gestalt der Löcher, die durch Bestrahlung mit dem gleichen Laserstrahl, wie er in Beispiel 1 angewendet worden war, ausgebildet wurden.
  • Beispiel 3 und Vergleichsbeispiel 3 Im wesentlichen in gleicher Weise wie in Beispiel 1 wurde ein 100 i dicker Film aus Zr02, ein 50 Å dicker Film aus PbO, ein 400 Å dicker Film aus Sn, ein 50 2 dicker Film äüe FbO p ein 100 Å dicker Film aus ZrO2 nacheinander auf einer Polymethylmethacrylat-Scheibe, die in gleicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten worden war, abgelagert. Auf diese Weise wurde ein Aufzeichnungsscheibe mit einer oberen und einer unteren Zr02-Pb0-Stabilisierungsschicht und einer aus Sn bestehenden metallischen Aufzeichnungsschicht erhalten. Sn, welches leicht bei der Vakuumaufdampfung einen dünnen Film mit einer Struktur bildet, die aus einer Ansammlung von relativ großen verdichteten Körnern besteht, sollte in Form eines dünnen Film abgeschieden werden, der aus beträchtlich kleinen kondensierten Körnern besteht, wobei eine erhöhte Abscheidungsrate angewendet werden sollte. Die niedrigste Intensität eines Laserstrahls, der zur Bildung eines Loches mit einer kurzen Achse einer Länge von 1 ßm in der metallischen Aufzeichnungsschicht der Scheibe befähigt ist (Empfindlichkeit), wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 1 bestimmt, wobei ein Wert von 5mW gefunden wurde. Bei dieser Scheibe betrug der Signal-Geräusch-Abstand 30 dB.
  • Eine Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe wurde im wesentlichen in gleicher Weise wie vorstehend beschrieben hergestellt, mit der Abänderung, daß die erste und die zweite Schicht aus PbO eine Dicke von 100 i hatten und daß die erste und die zweite Abscheidung von ZnQ2 weggelassen wurde, so daß die obere und die untere Stabilisierungsschicht, welche die Sn-Schicht einschließen, nur aus PbO gebildet wurden. Die Empfindlichkeit der Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe betrug 7 mW. Im Fall dieser Scheibe wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 30 dB gefunden. Die Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe zeigte, nachdem sie eine Woche lang bei Raumtemperatur stehengelassen worden war, eine merkliche Verminderung der Empfindlichkeit von 20 % und bemerkenswerte Unregelmäßigkeiten in der Gestalt der Löcher, die durch Bestrahlung mit dem gleichen Laserstrahl, wie er in Beispiel 1 verwendet wurde, ausgebildet worden waren.
  • Die Löcher, die auf der Vergleichsscheibe unmittelbar nach ihrer Herstellung ausgebildet wurden, zeigten jedoch nach 1-wöchiger Lagerung bei Raumtemperatur keine Änderung der Gestalt.
  • Beispiel 4 und Vergleichsbeispiel 4 Im wesentlichen in gleicher Weise wie in Beispiel 1, jedoch mit Abänderung einiger Abscheidungsbedingungen, wurden auf einer Polymethylmethacrylat-Scheibe, die in gleicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten worden war, ein 100 Å dicker Film aus Al203, ein 100 Å dicker Film aus Ge02, ein 400 i dicker Film aus Bi und ein 100 dicker Film aus Ge02 nacheinander abgeschieden. Bei der Abscheidung von Ge02 wurde gasförmiger Sauerstoff in die Vakuumabscheidungsvorrichtung eingeleitet, so daß das Vakuum einen niederen Wert von 2,66 x 10 6 bar (2 x 10## Torr) hatte. Bei der Abscheidung von Al203 und Bi betrug das Vakuum 2,66 x 10 9 bar (2 x 10 6 Torr). Auf diese Weise wurde eine Aufzeichnungsscheibe mit einer oberen Ge02-Stabilisierungsschicht und einer unteren Al203-Ge02-Stabilisierungsschicht und einer aus Bi bestehenden metallischen Aufzeichnungsschicht erhalten. Die niedrigste Intensität eines Laserstrahls, der zur Bildung eines Loches in der Aufzeichnungsschicht der Scheibe befähigt war (Empfindlichkeit), wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 1 geprüft, wobei ein Wert von 4 mW gefunden wurde.
  • Im Fall dieser Scheibe wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 40 dB gefunden. Nachdem die Aufzeichnungsscheibe eine Woche dembeschleunigten Lagerungstest bei einer Temperatur von 600C und einer relativen Feuchtigkeit von 70 % unterworfen worden war, zeigte sie eine Verminderung der Empfindlichkeit von etwa 10 t.
  • Eine weitere Aufzeichnungsscheibe wurde im wesentlichen in gleicher Weise wie vorstehend beschrieben hergestellt, mit der Abänderung, daß das Vakuum während der Abscheidung aller Schichten aus Al203, Ge02 und Bi 2,66 x 10 9 bar (2 x 10 6 Torr) betrug. Die Empfindlichkeit der Scheibe betrug 5 mW. Für diese Scheibe wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 45 dB gefunden. Nachdem die Aufzeichnungsscheibe während eines Monats dem beschleunigten Lagerungstest bei einer Temperatur von 600C und einer relativen Feuchtigkeit von 70 % unterworfen worden war, zeigte sie keine Verminderung der Empfindlichkeit und keine Unregelmäßigkeit oder Störung der Gestalt der Löcher, die durch Bestrahlung mit dem gleichen Laserstrahl wie in Beispiel 1 ausgebildet wurden.
  • Eine Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe wurde im wesentlichen in gleicher Weise wie vorstehend im Hinblick auf die Herstellung der vorhergehenden Aufzeichnungsscheibe beschrieben hergestellt, mit der Abänderung, daß die erste Abscheidung von Al203 weggelassen wurde, so daß die obere und die untere Stabilisierungsschicht, zwischen denen die Bi-Schicht eingeschlossen war, nur aus Ge02 bestanden. Die Empfindlichkeit der Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe betrug 9 mW.
  • Im Fall dieser Scheibe wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 25 dB festgestellt. Die Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe zeigte eine merkliche Verminderung der Empfindlichkeit von 20 %, nachdem sie nur einem 7-tägigem Lagerungstest bei einer Temperatur von 600C und einer relativen Feuchtigkeit von 70 % unterworfen worden war.
  • Beispiel 5 und Vergleichsbeispiel 5 Ein 200 i dicker Film aus Si3N4, ein i00 i dicker Film aus Al2031 ein 400 i dicker Film aus Bi und ein 150 dicker Film aus Ge02 wurden nacheinander mit Hilfe der nachstehend erläuterten Verfahrensschritte auf einer Polymethylmethacrylat-Scheibe abgeschieden, die in gleicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten worden war. Die Abscheidung von Si3N4 erfolgte unter Verwendung einer üblichen Glimmentladungsmethode. Die Abscheidung-von Al20s, Bi und Ge02 erfolgte andererseits durch Vakuumaufdampfen unter einem Vakuum von 2,66 x 10 9 bar (2 x 10 6Torr). Auf diese Weise wurde eine Aufzeichnungsscheibe mit einer unteren SI 3N4 -Al203-Stabilisierungsschicht, einer aus Bi bestehenden metallischen Aufzeichnungsschicht und einer aus Ge02 bestehenden oberen Stabilisierungsschicht erhalten. Die niedrigste Intensität eines Laserstrahls, der zur Ausbildung eines Loches in der Aufzeichnungsschicht der Scheibe befähigt war (Empfindlichkeit), wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 1 geprüft, wobei ein Wert von 4 mW gefunden wurde. Im Fall dieser Scheibe wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 40 dB festgestellt.
  • Eine Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe wurde im wesentlichen in gleicher Weise wie vorstehend beschrieben hergestellt, mit der Abänderung, daß die erste Abscheidung von Si3N4 weggelassen wurde, so daß die obere und die untere Stabilisierungsschicht, zwischen denen die Bi-Schicht eingeschlossen war, aus Ge02 bzw. A1203 bestanden. Die Empfindlichkeit der Vergleichs-Aufzeichnungsscheibe betrug 6 mW.
  • Für diese Scheibe wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 35 dB festgestellt.
  • Nachdem die erfindungsgemäße Aufzeichnungsscheibe während einer Woche dem beschleunigten Lagerungstest bei einer Temperatur von 600C und einer relativen Feuchtigkeit von 70 % unterworfen worden war, zeigte sie eine Empfindlichkeitsverminderung von weniger als 15 %. Die Vergleichsscheibe zeigte nach nur 3-tägiger Durchführung des Lagerungstests unter den gleichen Bedingungen wie vorstehend angegeben eine ausgeprägte Verminderung der Empfindlichkeit von 15 %.
  • Beispiel 6 und Vergleichsbeispiel 6 Im wesentlichen in gleicher Weise wie in Beispiel 1 wurde ein 100 i dicker Film aus Al2 03 ein 80 i dicker Film aus CaF2, ein 200 i dicker Film aus Bi, ein 50 i dicker Film aus Sn, ein 100 i dicker Film aus Bi, ein 80 Å dicker Film aus CaF2 und ein 100 i dicker Film aus Al203 nacheinander auf einer Polymethylmethacrylatscheibe abgelagert, die in gleicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten worden war. Auf diese Weise wurde eine Aufzeichnungsplatte mit einer oberen und einer unteren Al203-CaF2-Stabilisierungsschicht und einer aus Bi (200 i)-Sn (50 i)-Bi (100 i) gebildeten metallischen Aufzeichnungsschicht erhalten.
  • Die niedrigste Intensität eines Laserstrahls, der zur Ausbildung eines Loches der Aufzeichnungsschicht der Platte befähigt war (Empfindlichkeit) wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 1 geprüft, wobei ein Wert von 4 mW festgestellt wurde. Bei dieser Scheibe bzw #Platte wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 40 dB gefunden.
  • Eine Vergleichs-Aufzeichnungsplatte wurde im wesentlichen in gleicher Weise wie vorstehend beschrieben, hergestellt, mit der Abänderung, daß der erste und der zweite Film aus CaF2 eine Dicke von 100 2 hatten und daß die erste und die zweite Abscheidung von Al203 weggelassen wurden, so daß die obere und untere Stabilisierungsschicht, zwischen denen die Bi-Sn-Bi-Schicht eingeschlossen war, nur aus CaF2 bestanden. Die Empfindlichkeit dieser Vergleichs-Scheibe betrug 8 mW. Im Fall dieser Scheibe wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 25 dB festgestellt.
  • Beispiel 7 Ein 100 i dicker Film aus Al2 03 und ein 50 i dicker Film aus Ge02, die gemeinsam eine untere Stabilisierungsschicht bildeten, wurden mit Hilfe der Reaktivzerstäubungsmethode auf einer Polymethylmethacrylatscheibe abgelagert, die in gleicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten worden war. Die Reaktivzerstäubung wurde unter Verwendung eines Al-Targets und eines Ge-Targets unter einem Vakuum von 3,99 x 10 6 bar (3 x 10 3 Torr) durchgeführt, wobei Luft in die Zerstäubungszone eingeführt wurde. Ein 300 i dicker Film aus Au wurde mit Hilfe der Vakuumaufdampfmethode auf die Oberseite der Stabilisierungsschicht unter einem Vakuum von 1,33 x 10 9 bar (10 6 Torr) abgeschieden. Ein 50 dicker Film aus Ge02 und ein 100 2 dicker Film aus Al20#, die gemeinsam die obere Stabilisierungsschicht bildeten, wurden auf dem abgelagerten Au-Film mit Hilfe der gleichen Reaktionszerstäubungsmethode, die vorstehend angewendet wurde, abgeschieden. Die Empfindlichkeit der erhaltenen Aufzeichnungsplatte wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 1 geprüft, wobei ein Wert von 5 mW gefunden wurde.
  • Im Fall dieser Platte wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 45 dB festgestellt.
  • Beispiel 8 und Vergleichsbeispiel 6 In gleicher Weise wie in Beispiel 1 wurden ein 200 Å dicker Film aus Zr02, ein 200 Å dicker Film aus Y203, ein 300 i dicker Film aus Bi, ein 100 i dicker Film aus Pb, ein 100 2 dicker Film aus Y203 und ein 100 i dicker Film aus Zr02 nacheinander auf einer Polymethylmethacrylatscheibe abgeschieden, die in gleicher Weise wie in Beispiel 1 erhalten worden war. Auf der obersten Schicht wurde durch Auftragen eine 0,5 ßm dicke Schutzschicht aus einem Fluorkautschuk ausgebildet. Auf diese Weise wurde eine Aufzeichnungsplatte mit einer oberen und einer unteren Zr02-Y2Q-Stabilisierungsschicht und einer aus Bi (300 i)-Pb (100 a, bestehenden metallischen Aufzeichnungsschicht erhalten. Die Empfindlichkeit der Aufzeichnungsplatte wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 1 gemessen, wobei ein Wert von mW gefunden wurde. Im Fall dieser Platte wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 40 dB festgestellt. Nachdem die Aufzeichnungsplatte sogar einem 30 Tage dauernden beschleunigten Lagerungstest bei einer Temperatur von 600C und einer relativen Feuchtigkeit von 70 % unterworfen worden war, zeigte sie keinerlei Abnahme der Empfindlichkeit und keinerlei Unregelmäßigkeiten der Gestalt der Löcher, die durch Bestrahlung mit dem gleichen Laserstrahl wie in Beispiel 1 in ihr ausgebildet wurden.
  • Eine Vergleichs-Aufzeichnungsplatte wurde im wesentlichen in gleicher Weise hergestellt, mit der Ausnahme, daß der erste und der zweite Zr02-Film eine Dicke von 200 2 anstelle von 100 Å hatten und daß die erste und die zweite Abscheidung von Y203 weggelassen wurde, so daß die obere und die untere Stabilisierungsschicht, welche die Bi-Pb-Schicht einschließen, nur aus Zr02 bestanden. Die Empfindlichkeit der Vergleichs-Aufzeichnungsplatte betrug 8 mW.
  • Im Fall dieser Platte wurde ein Signal-Geräusch-Abstand von 25 dB festgestellt.
  • Nachdem die Vergleichs-Aufzeichnungsplatte nur einem 3-tätigen beschleunigten Lagerungstest unter den gleichen Bedingungen wie vorstehend unterworfen worden war, zeigte sie einen gewissen Abfall der Empfindlichkeit und einige Unregelmäßigkeiten in der Gestalt der Löcher, die durch Bestrahlung mit dem gleichen Laserstrahl wie in Beispiel 1 in..ihr ausgebildet worden waren.
  • L e e r s e i t e

Claims (8)

  1. Auf zeichnungsmäteriäl PATENTANSPRÜCHE Aufzeichnungsmaterial, bestehend aus einem Substrat und folgenden in der angegebenen Reihenfolge auf diesem übereinander angeordneten Schichten a) einer ersten Stabilisierungsschicht, b) einer metallischen Aufzeichnungsschicht mit niederer Toxizität, und c) einer zweiten Stabilisierungsschicht, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Stabilisierungsschicht aus (1> einer aus Metalloxid bestehenden Hilfsschicht als obere Schicht und (2) einer Schicht aus einer anorganischen Verbindung als untere Schicht zur Umwandlung der aus Metalloxid bestehenden Hilfsschicht in ein glasartiges Material mit flacher Oberfläche aufgebaut ist.
  2. 2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Schicht der anorganischen Verbindung aus einer Verbindung aus der Gruppe der Metalloxide, Metallnitride und Metallfluoride gewählt ist und daß dann, wenn die anorganische Verbindung ein Metalloxid ist, das Metalloxid der Metalloxid-Hilfsschicht verschieden von dem Metalloxid der aus der anorganischen Verbindung bestehenden Schicht ist.
  3. 3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß die anorganische Verbindung in der Schicht der anorganischen Verbindung und das Metalloxid der Metalloxid-Hilfsschicht wechselseitige Löslichkeit im festen Zustand besitzen.
  4. 4. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die metallische Aufzeichnungsschicht mindestens eines der nachstehenden Metalle In, Rh, Bi, Sn, Pb, Zn, Mg, Au, Mn, Al, Ge, Ga und Sb enthält.
  5. 5. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß das Metalloxid der Metalloxid-Hilfsschicht ein Metalloxid aus der Gruppe der nachstehenden Metalle Al, Ge, Zr, Si, Ti, Cr, Ta, La, Ce, Y, Dy, Er, Gd, Hf, Sm, Ei, Pb, Zn, Li, Mg und Sb ist.
  6. 6. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß in der Schicht aus der anorganischen Verbindung eine der nachstehenden Verbindungen vorliegt MgF2, CaF2, GeO2, Al20a, Cm203, Si02, TiO2, PbO, ZnO, Y2O3, Sm203, La203 und CeO2.
  7. 7. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß die zweite Stabilisierungsschicht eine Schicht aus einer anorganischen Verbindung aus der Gruppe der Metalloxide, Metallnitride und Metallfluoride enthält.
  8. 8. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 7, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß die zweite Stabilisierungsschicht eine zweite Metalloxid-Hilfsschicht umfaßt, wobei das Metalloxid der zweiten Hilfsschicht verschieden von der anorganischen Verbindung in der Schicht aus der anorganischen Verbindung der zweiten Stabilisierungsschicht ist.
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NL (1) NL183792C (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0059096A2 (de) * 1981-02-23 1982-09-01 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Informations-Aufzeichnungsmaterial
EP0092113A2 (de) * 1982-04-15 1983-10-26 BURROUGHS CORPORATION (a Delaware corporation) Optisches Speicherelement zur Verwendung in einem optischen Speichersystem sowie ein Verfahren zur Herstellung des Speicherelements
EP0099208A2 (de) * 1982-07-09 1984-01-25 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Material zur Informationsaufzeichnung
NL8501963A (nl) * 1984-07-09 1986-02-03 Kyocera Corp Magnetisch-optisch opname element en werkwijze voor het vervaardigen hiervan.
EP0180103A2 (de) * 1984-11-01 1986-05-07 Energy Conversion Devices, Inc. Verfahren zur Herstellung einer optischen Datenspeicherungsvorrichtung und die dadurch hergestellte optische Datenspeicherungsvorrichtung
EP0211435A1 (de) * 1985-08-08 1987-02-25 Nec Corporation Optisches Informationsspeicherungsmedium
EP0451881A2 (de) * 1985-06-10 1991-10-16 Energy Conversion Devices, Inc. Optischer Datenträger
US5714251A (en) * 1982-12-15 1998-02-03 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optic memory device
WO2002014950A1 (de) * 2000-08-11 2002-02-21 Tesa Ag Verwendung eines datenträgers zum speichern von mikrobildern

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4461807A (en) * 1980-07-25 1984-07-24 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Recording material
US4449138A (en) * 1981-04-15 1984-05-15 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Information recording medium
JPS57208299A (en) * 1981-06-19 1982-12-21 Fuji Photo Film Co Ltd Recording method of optical information
JPS58121149A (ja) * 1981-12-22 1983-07-19 Fujitsu Ltd 記録媒体
DE3378388D1 (en) * 1982-05-25 1988-12-08 Unisys Corp Gold archival record films for digital data storage using low power write-laser
EP0098046B1 (de) * 1982-05-25 1988-04-06 Unisys Corporation Aufzeichnungsfilm zur Speicherung digitaler Daten unter Verwendung eines Schreiblasers mit geringer Energie
DE3378434D1 (en) * 1982-05-25 1988-12-15 Unisys Corp Method for detecting fire
DE3374969D1 (en) * 1982-05-25 1988-01-28 Unisys Corp Aurous archival record films for digital data storage
EP0096502A1 (de) * 1982-05-25 1983-12-21 BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation) Aufzeichnungsfilm mit Inseln zur Speicherung digitaler Daten unter Verwendung eines Schreiblasers mit niedriger Leistung
NL8202229A (nl) * 1982-06-02 1984-01-02 Docdata Bv Medium voor het registreren van optisch uitleesbare informatie.
EP0107913B1 (de) * 1982-09-29 1988-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Strahlungsempfindlicher Trägerkörper zur Verwendung als Prägestruktur
US5051978A (en) * 1982-11-30 1991-09-24 Burroughs Corporation Coated media for optical recording
US4995028A (en) * 1982-12-17 1991-02-19 Unisys Corp. Coated media for optical recording, with soft/hard overcoat
US4625215A (en) * 1984-07-06 1986-11-25 Storage Technology Corporation Optical storage structure
US4600682A (en) * 1984-07-06 1986-07-15 Storage Technology Corporation Optical storage structure
US4865948A (en) * 1984-08-09 1989-09-12 Research Development Corporation Of Japan Optical recording material, process for preparing the same and optical recording method
US4653024A (en) * 1984-11-21 1987-03-24 Energy Conversion Devices, Inc. Data storage device including a phase changeable material
US4820394A (en) * 1984-11-21 1989-04-11 Energy Conversion Devices, Inc. Phase changeable material
EP0188100B1 (de) * 1984-12-13 1991-03-13 Kuraray Co., Ltd. Aus Chalkogenoxid gebildetes optisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3513892A1 (de) * 1985-04-17 1986-10-23 Plasmainvent AG, Zug Cr(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)o(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts)-schutzschicht und verfahren zu deren herstellung
JPH0347630Y2 (de) * 1985-07-25 1991-10-11
US4736966A (en) * 1986-02-20 1988-04-12 Drexler Technology Corporation Data card with peelable protective layers
JP2526864B2 (ja) * 1986-04-16 1996-08-21 ソニー株式会社 光学記録媒体
JPS639050A (ja) * 1986-06-28 1988-01-14 Pioneer Electronic Corp 光磁気記録媒体
DE3724617A1 (de) * 1986-07-25 1988-01-28 Fuji Photo Film Co Ltd Aufzeichnungsmedium und verfahren zur durchfuehrung der aufzeichnung/wiedergabe unter verwendung des aufzeichnungsmediums
JPH066830Y2 (ja) * 1987-08-15 1994-02-23 松下電工株式会社 サウナ
DE69030982T2 (de) * 1989-04-27 1997-11-13 Canon Kk Optisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2909913B2 (ja) * 1990-03-08 1999-06-23 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体およびその製造方法および光学的情報記録方法
JP3088168B2 (ja) * 1991-12-13 2000-09-18 ティーディーケイ株式会社 光記録媒体およびその製造方法
JPH05226833A (ja) * 1992-02-17 1993-09-03 Toshiba Corp 配線板の製造方法
GB9217328D0 (en) * 1992-08-14 1992-09-30 Pilkington Plc Fure resistant insulation materials and manufacture thereof
DE10039372C2 (de) 2000-08-11 2003-05-15 Tesa Scribos Gmbh Holographischer Datenspeicher
DE10128902A1 (de) * 2001-06-15 2003-10-16 Tesa Scribos Gmbh Holographischer Datenspeicher
AU2003248890A1 (en) * 2002-07-08 2004-01-23 Academy Corporation Reflective or semi-reflective metal alloy coatings
US7572517B2 (en) * 2002-07-08 2009-08-11 Target Technology Company, Llc Reflective or semi-reflective metal alloy coatings
FR2848013B1 (fr) * 2002-12-03 2005-01-07 Commissariat Energie Atomique Support d'enregistrement optique irreversible a base d'un alliage de tellure et de zinc.
EP1475793B1 (de) * 2003-04-15 2007-12-05 Ricoh Company, Ltd. Einmal beschreibbarer, mehrmals lesbarer optischer Datenträger und Verfahren zum Beschreiben und Lesen des Datenträgers
JP2004355743A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Tdk Corp 光情報記録媒体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3665483A (en) * 1969-06-06 1972-05-23 Chase Manhattan Capital Corp Laser recording medium
DE2358859C3 (de) * 1973-11-26 1981-08-06 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Aufzeichungsträger zum optischen Aufzeichnen von Informationen mittels sequentieller Signale
JPS5934519B2 (ja) * 1974-05-25 1984-08-23 キヤノン株式会社 ヒ−トモ−ド記録媒体
US4188214A (en) * 1975-08-11 1980-02-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Recording material
US4101907A (en) * 1977-08-29 1978-07-18 Rca Corporation Overcoat structure for optical video disc
DE2817945A1 (de) * 1977-08-29 1979-03-15 Rca Corp Plattenrohling, insbesondere fuer eine optische bildplatte

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS-ERMITTELT *

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0059096A3 (en) * 1981-02-23 1983-02-09 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha An information recording material
EP0059096A2 (de) * 1981-02-23 1982-09-01 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Informations-Aufzeichnungsmaterial
EP0092113A2 (de) * 1982-04-15 1983-10-26 BURROUGHS CORPORATION (a Delaware corporation) Optisches Speicherelement zur Verwendung in einem optischen Speichersystem sowie ein Verfahren zur Herstellung des Speicherelements
EP0092113A3 (en) * 1982-04-15 1984-05-02 Burroughs Corporation Optical storage system employing a novel multi-layer optical medium
EP0099208A2 (de) * 1982-07-09 1984-01-25 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Material zur Informationsaufzeichnung
EP0099208A3 (en) * 1982-07-09 1984-11-21 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha An information recording material
US5714251A (en) * 1982-12-15 1998-02-03 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optic memory device
US5738765A (en) * 1982-12-15 1998-04-14 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optic memory device
NL8501963A (nl) * 1984-07-09 1986-02-03 Kyocera Corp Magnetisch-optisch opname element en werkwijze voor het vervaardigen hiervan.
EP0180103A3 (en) * 1984-11-01 1986-08-20 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming an optical data storage device and the optical data storage device formed thereby
EP0180103A2 (de) * 1984-11-01 1986-05-07 Energy Conversion Devices, Inc. Verfahren zur Herstellung einer optischen Datenspeicherungsvorrichtung und die dadurch hergestellte optische Datenspeicherungsvorrichtung
EP0451881A2 (de) * 1985-06-10 1991-10-16 Energy Conversion Devices, Inc. Optischer Datenträger
EP0451881A3 (en) * 1985-06-10 1992-04-29 Energy Conversion Devices, Inc. Device of data processing and method for preparing it
EP0211435A1 (de) * 1985-08-08 1987-02-25 Nec Corporation Optisches Informationsspeicherungsmedium
WO2002014950A1 (de) * 2000-08-11 2002-02-21 Tesa Ag Verwendung eines datenträgers zum speichern von mikrobildern

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