DE60020659T2

DE60020659T2 - Optisches Phasenwechselaufzeichnungsmedium mit Kristallkeimbildungsschicht

Info

Publication number: DE60020659T2
Application number: DE60020659T
Authority: DE
Inventors: Hideki Souraku-gun Kitaura; Rie Kadoma-shi Kojima; Noboru Hirakata-Shi Yamada
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 1999-11-17
Filing date: 2000-11-15
Publication date: 2006-03-16
Anticipated expiration: 2020-11-16
Also published as: DE60020659D1; EP1102252A2; KR20010051777A; TW501122B; KR100382190B1; EP1102252A3; EP1102252B1; US6432502B1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein optisches Aufzeichnungsmedium, auf oder von welchem Informationssignale durch eine Einstrahlung von Strahlen aufgezeichnet oder wiedergegeben werden können, und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Konventionell war bekannt, dass bei einer Dünnschicht, die aus einem Chalkogen-Material geformt ist, durch Bestrahlung mit Laserstrahlen seine Phase zwischen einer amorphen Phase und einer Kristallphase gewechselt werden kann. Dieses Phänomen wurde ausgenutzt, um optische Phasenwechselaufzeichnungsmedien zu entwickeln.
In solch einem optischen Phasenwechselaufzeichnungsmedium ist es notwendig, den Phasenwechsel einer Phasenwechselschicht (eine Aufzeichnungsschicht) zu erleichtern. Aus diesem Grund schließen konventionelle optische Phasenwechselaufzeichnungsmedien eine Phasenwechselschicht und eine Schicht ein, die auf der Phasenwechselschicht laminiert ist und aus einem Material besteht, das die Kristallisierung der Phasenwechselschicht unterstützt (siehe JP 5-342629 A, JP 9-161316 A, JP 11-73692 A und WO 98/47142 A).
Konventionelle optische Phasenwechselaufzeichnungsmedien hatten aber die folgenden Probleme aufzuweisen. In einem konventionellen optischen Phasenwechselaufzeichnungsmedium sind entweder Mark-Abschnitte (Aufzeichnungsmarkierungsabschnitte) oder Space-Abschnitte (aufzeichnungsfreie Abschnitte) amorph, und gewöhnlich sind die Mark-Abschnitte amorph. Allgemein schließt der amorphe Zustand einige metastabile Energiezustände ein. Wenn das amorphe Material eine lange Zeit lang oder bei hohen Temperaturen gelagert wird, kann ein Energiezustand des amorphen Materials nach der Lagerung in einigen Fällen von dem vor der Lagerung abweichen. Daher können sich die optimalen Aufzeichnungs- und Wiedergabebedingungen vor und nach der Lagerung voneinander unterscheiden. Folglich können selbst dann, wenn die Aufzeichnung und Wiedergabe unter gleichen Bedingungen erfolgen, die Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften vor und nach der Lagerung voneinander abweichen. Wenn die amorphen Abschnitte in einer Aufzeichnungsschicht zum Beispiel einen stabileren Energiezustand angenommen haben, neigt die Kristallisierung der Aufzeichnungsschicht dazu, schwierig zu sein. Dadurch nimmt das Löschverhältnis beim Überschreiben von Informationssignalen in einigen Fällen ab. EP-A-0980068 und EP-A-1039448 sind nach dem Prioritätsdatum der vorliegenden Erfindung veröffentlicht worden und können daher nur betreffs der Neuheit nach Art. 54(3) EPÜ angeführt werden. EP-A-0980068 offenbart ein optisches Informationsaufzeichnungsmedium, das die Notwendigkeit eines Initialisierungsvorgangs beseitigt. EP-A-1039448 offenbart ein Aufzeichnungsmedium, bei dem die Phasenwechselschicht während der Formung der Schicht kristallisiert wird. Alternativ dazu kann die Phasenwechselschicht nach ihrer Ausbildung in einem amorphen Zustand bleiben.
In Anbetracht dessen wird deshalb die Bereitstellung eines optischen Phasenwechselaufzeichnungsmediums gewünscht, das selbst nach einer langfristigen Lagerung stabile Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften aufweist, und die Bereitstellung eines Verfahren zu seiner Herstellung. Der vorliegenden Erfindung gemäß wird ein optisches Phasenwechselauf zeichnungsmedium wie in Anspruch 1 beansprucht bereitgestellt.
Das optische Aufzeichnungsmedium umfasst ein Substrat und eine Aufzeichnungsschicht, die über dem Substrat angeordnet ist, wobei die Aufzeichnungsschicht eine Phasenwechselschicht einschließt, die durch eine Einstrahlung eines optischen Strahls auf reversible Weise zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand wechselt, und eine Kristallkeimbildungsschicht, die benachbart zur Phasenwechselschicht angeordnet ist, um die Kristallisierung der Phasenwechselschicht zu erleichtern. Die Phasenwechselschicht wird erhalten, indem sie in einem amorphen Zustand aufgetragen und dann kristallisiert wird, und die Kristallkeimbildungsschicht enthält Te in einem Bereich zwischen 33 Atom-% und 67 Atom-%. Es wird ein optisches Aufzeichnungsmedium erhalten, das selbst nach einer langfristigen Lagerung stabile Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften aufweist. Dieses optische Aufzeichnungsmedium basiert auf einem neuen Befund, der durch Experimente erhalten wurde, die von den Erfindern durchgeführt wurden, d.h. einem neuen Befund, wonach stabile Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften nach einer langfristigen Lagerung durch Verwendung einer Kristallkeimbildungsschicht erhalten werden können, die Te in einem Bereich zwischen 33 Atom-% und 67 Atom-% enthält. In diesem Zusammenhang schließt der Begriff „Schicht" in der vorliegenden Erfindung eine Schicht ein, die in einer isolierten Form ausgebildet ist.
Die Kristallkeimbildungsschicht umfasst Sn-Te. Der oben genannten Konfiguration gemäß kann ein optisches Aufzeichnungsmedium mit besonders stabilen Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften selbst nach langfristiger Lagerung erhalten werden. Dieses optische Aufzeichnungsmedium basiert auf einem neuen Befund, der durch Experimente erhalten wurde, die von den Erfindern durchgeführt wurden, d.h. einem neuen Befund, wonach die Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften nach einer langfristigen Lagerung besonders durch Verwendung der Sn-Te-haltigen Kristallkeimbildungsschicht stabilisiert werden. In diesem Zusammenhang bedeutet das obige „Sn-Te" keine Einschränkung im Verhältnis zwischen Sn und Te auf und kann jedes Zusammensetzungsverhältnis innerhalb des obigen Bereichs für den Te-Gehalt bedeuten.
Im optischen Aufzeichnungsmedium kann die Phasenwechselschicht Ge, Sb und Te als am Aufbau beteiligte Elemente enthalten, und das Atomverhältnis von Ge, Sb und Te in der Phasenwechselschicht kann als Ge : Sb : Te = X : Y : Z ausgedrückt werden, wobei X + Y + Z = 100, 10 ≤ X ≤ 45, 5 ≤ Y ≤ 40 und 40 ≤ Z ≤ 60. Die obige Konfiguration erlaubt, ein optisches Aufzeichnungsmedium mit einem besonders hohen Träger-Rausch-Verhältnis und Löschverhältnis zu erhalten.
Das optische Aufzeichnungsmedium kann ferner erste und zweite Informationsschichten einschließen, die auf oder über dem Substrat angeordnet sind, und eine Trennschicht, die zwischen den ersten und zweiten Informationsschichten angeordnet ist. Mindestens eine Schicht, die aus einer Gruppe gewählt wird, die aus den ersten und zweiten Informationsschichten besteht, kann die Aufzeichnungsschicht einschließen. Der obigen Konfiguration gemäß kann ein optisches Aufzeichnungsmedium mit einer hohen Aufzeichnungsdichte erhalten werden.
Im optischen Aufzeichnungsmedium kann die Kristallkeimbildungsschicht mindestens ein Element enthalten, das aus der Gruppe gewählt wird, die aus Sauerstoff und Stickstoff besteht.
Im optischen Aufzeichnungsmedium kann die Kristallkeimbildungsschicht einen Extinktionskoeffizienten in einem Bereich zwischen 0,5 und 2,0 aufweisen. Der obigen Konfiguration gemäß kann ein optisches Aufzeichnungsmedium mit gut ausgewogenen Eigenschaften erhalten werden.
Im optischen Aufzeichnungsmedium kann die Phasenwechselschicht eine durchschnittliche Dicke zwischen 4 nm und 14 nm aufweisen. Wenn die durchschnittliche Dicke auf mindestens 4 nm eingestellt wird, kann eine Neigung der Phasenwechselschicht, nicht leicht kristallisiert zu werden, verhindert werden. Zudem kann, wenn die durchschnittliche Dicke auf 14 nm oder weniger eingestellt wird, ein hohes Löschverhältnis selbst nach einer langfristigen Lagerung auf stabile Weise erhalten werden.
In einer anderen Ausführung der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Aufzeichnungsmedium bereitgestellt, wie in Anspruch 7 beansprucht. Das Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums, das mit einer Aufzeichnungsschicht versehen ist, welche eine Phasenwechselschicht und eine Kristallkeimbildungsschicht einschließt, die benachbart zur Phasenwechselschicht angeordnet ist. Das Verfahren umfasst (a) das Auftragen der Phasenwechselschicht in einem amorphen Zustand, (b) das Formen der Kristallkeimbildungsschicht vor oder nach dem Arbeitsgang (a), und das Kristallisieren der Phasenwechselschicht durch eine Einstrahlung eines optischen Strahls auf die Phasenwechselschicht im amorphen Zustand nach den Arbeitsgängen (a) und (b). Die Phasenwechselschicht wechselt durch eine Einstrahlung eines optischen Strahls ihre Phase auf reversible Weise zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand. Die Kristallkeimbildungsschicht ist eine Schicht, um die Kristallisierung der Phasenwechselschicht zu erleichtern, und enthält Te in einem Bereich zwischen 33 Atom-% und 67 Atom-%. Dem obigen Herstellungsverfahren entsprechend kann ein optisches Aufzeichnungsmedium hergestellt werden, das selbst nach einer langfristigen Lagerung stabile Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften aufweist.
Im obigen Herstellungsverfahren enthält die Kristallkeimbildungsschicht Sn-Te.
Im obigen Herstellungsverfahren kann die Phasenwechselschicht Ge, Sb und Te als Bestandelemente enthalten, und das Atomverhältnis von Ge, Sb und Te in der Phasenwechselschicht kann als Ge : Sb : Te = X : Y : Z ausgedrückt werden, wobei X + Y + Z = 100, 10 ≤ X ≤ 45, 5 ≤ Y ≤ 40 und 40 ≤ Z ≤ 60.
Im obigen Herstellungsverfahren kann der Arbeitsgang (b) das Bilden der Kristallkeimbildungsschicht in einer Atmosphäre umfassen, die mindestens ein Element enthält, das aus der Gruppe aus Sauerstoff und Stickstoff gewählt wird, und der Arbeitsgang (c) kann das Austretenlassen des Elements, das aus der Gruppe aus Sauerstoff und Stickstoff gewählt wird, aus der Kristallkeimbildungsschicht umfassen. Die obige Konfiguration erlaubt das leichte Bilden der Kristallkeimbildungsschicht in einem amorphen Zustand, wodurch die Bildung der Phasenwechselschicht in einem amorphen Zustand erleichtert wird.
1 ist eine partielle Schnittansicht, die ein Beispiel eines optischen Aufzeichnungsmediums nach der bevorzugten Ausführungsform zeigt;
2A ist eine partielle Schnittansicht, die ein anderes Beispiel eines optischen Aufzeichnungsmediums nach der bevorzugten Ausführungsform zeigt;
2B ist eine partielle Schnittansicht, die ein weiteres Beispiel eines optischen Aufzeichnungsmediums nach der bevorzugten Ausführungsform zeigt;
3 ist eine schematische Ansicht eines Aufbaus, der ein Beispiel einer Aufzeichnungs-/Wiedergabevorrichtung zeigt, die in einem Aufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren mit einem optischen Aufzeichnungsmedium nach der bevorzugten Ausführungsform verwendet wird; und
4 ist eine schematische Ansicht, die ein Beispiel einer Pulsform eines optischen Lasers zeigt, der im Aufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren mit einem optischen Aufzeichnungsmedium nach der bevorzugten Ausführungsform verwendet wird.
Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zusammen mit anderen Anordnungen, die zu Veranschaulichungszwecken angeführt werden, Bezug nehmend auf die Zeichnungen beschrieben.
Ausführungsform 1
In Ausführungsform 1 betrifft die Beschreibung ein Beispiel für ein erfindungsgemäßes optisches Aufzeichnungsmedium. 1 zeigt eine partielle Schnittansicht eines Beispiels eines optischen Aufzeichnungsmediums 10 nach Ausführungsform 1.
In 1 umfasst das optische Aufzeichnungsmedium 10 ein Substrat 11 und eine untere Schutzschicht 12, eine untere Zwischenschicht 13, eine Aufzeichnungsschicht 14, eine obere Zwischenschicht 15, eine obere Schutzschicht 16, eine optische Absorptionskorrekturschicht 17, eine Reflektionsschicht 18 und eine Überzugsschicht 19, die aufeinanderfolgend auf dem Substrat 11 laminiert sind. Das optische Aufzeichnungsmedium 10 wird mit einem Laserstrahl L aus der Richtung bestrahlt, die durch einen in 1 gezeigten Pfeil angeben wird, und dadurch werden Informationssignale auf das optische Aufzeichnungsmedium 10 aufgezeichnet oder von diesem wiedergegeben.
Das Substrat 11 ist ein scheibenförmiges transparentes Substrat. Materialien, die für das Substrat 11 verwendet werden, schließen zum Beispiel ein Polycarbonatharz, ein Polymethylmethacrylatharz, ein Polyolefinharz, ein Harz vom Norbornen-Typ und ein UV-aushärtbares Harz oder Glas ein. Die Dicke des Substrats 11 ist nicht besonders eingeschränkt, liegt aber zum Beispiel in einem Bereich zwischen etwa 0,05 mm und 2,0 mm. Auf der Oberfläche des Substrats 11 auf der Seite der Aufzeichnungsschicht 14 können spiralförmige oder konzentrische kreisrunde Rillen für die Trackingregelung geformt sein.
Die Aufzeichnungsschicht 14 schließt eine Kristallkeimbildungsschicht 14a und eine Phasenwechselschicht 14b ein, die aufeinanderfolgend von der Substratseite aus laminiert sind.
Die Phasenwechselschicht 14b wechselt durch eine Einstrahlung eines Laserstrahls ihre Phase auf reversible Weise zwischen einer Kristallphase und einer amorphen Phase. Die Phasenwechselschicht 14b kann aus einem Material ausgebildet werden, dessen optische Konstanten (ein Brechungsindex n und ein Extinktionskoeffizient k) sich durch eine Einstrahlung eines Laserstrahls verändern. Als Material für die Phasenwechselschicht 14b kann zum Beispiel Chalkogenid auf Te-Basis oder auf Se-Basis verwendet werden. Beispiele für solche Chalkogenide schließen Legierungen ein, die als Hauptkomponente Ge-Sb-Te, Ge-Te, Pd-Ge-Sb-Te, Ag-Ge-Sb-Te, In-Sb-Te, Sb-Te, Ag-In-Sb-Te, Au-In-Sb-Te, Ge-Sb-Bi-Te, Ge-Sb-Se-Te, Ge-Sn-Te, Ge-Sn-Te-Au, Ge-Sb-Te-Cr, In-Se, In-Se-Co oder ähnliches enthalten. Darüber hinaus können auch Legierungen verwendet werden, die erhalten werden, indem den obigen Legierungen Stickstoff, Sauerstoff oder ähnliches zugesetzt wird. Besonders zu bevorzugen ist, dass die Phasenwechselschicht 14b Ge, Sb und Te als Bestandelemente enthält, und Ge-Sb-Te wird bevorzugt. In diesem Fall ist es besonders vorzuziehen, daß das Atomverhältnis zwischen Ge, Sb und Te in der Phasenwechselschicht 14b ausgedrückt werden kann als Ge : Sb : Te = X : Y : Z, wobei X + Y + Z = 100, 10 ≤ X ≤ 45, 5 ≤ Y ≤ 40, und 40 ≤ Z ≤ 60.
Im optischen Aufzeichnungsmedium 10 nach Ausführungsform 1 ist die Phasenwechselschicht 14b in einem kristallinen Zustand als einem Anfangszustand, bevor Informationssignale aufgezeichnet werden. Die Phasenwechselschicht 14b wird so aufgetragen, dass sie sich in einem amorphen Zustand befindet. Mit anderen Worten, die Phasenwechselschicht 14b direkt nach dem Auftragen („as depo" genannt) befindet sich in einem amorphen Zustand und wird nach dem Auftragen durch einen Initialisierungsvorgang (Einstrahlung eines optischen Strahls) kristallisiert.
Bevorzugt weist die Phasenwechselschicht 14b eine durchschnittliche Dicke zwischen 4 nm und 14 nm auf. Eine übermäßig dünne Phasenwechselschicht 14b kann zu einer übermäßig hohen Abkühlungsgeschwindigkeit nach der Erwärmung durch die Einstrahlung eines Laserstrahls führen, was die Kristallisation der Phasenwechselschicht 14b in manchen Fällen er schwert. Wenn die durchschnittliche Dicke der Kristallkeimbildungsschicht 14a aber auf mindestens 4 nm eingestellt ist, kann solch ein Problem vermieden werden. Zudem kann, wenn die Phasenwechselschicht 14b übermäßig dick ist, die Wirkung der Kristallkeimbildungsschicht 14a in manchen Fällen nicht auf die gesamte Phasenwechselschicht 14b ausgeübt werden. Wenn aber die durchschnittliche Dicke der Kristallkeimbildungsschicht 14a auf 14 nm oder weniger eingestellt ist, kann solch ein Problem vermieden werden.
Die Kristallkeimbildungsschicht 14a dient als eine Schicht, um durch Bildung von Kristallkeimen den Wechsel der Phasenwechselschicht 14b von der amorphen Phase zur Kristallphase zu erleichtern. Mit anderen Worten, die Kristallkeimbildungsschicht 14a dient als eine Schicht, um die Kristallisierung der Phasenwechselschicht 14b zu unterstützen, wenn die Phasenwechselschicht 14b in einem amorphen Zustand mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, um zum Schreiben oder Löschen von Informationssignalen kristallisiert zu werden.
Die Kristallkeimbildungsschicht 14a enthält Te in einem Bereich zwischen 33 Atom-% und 67 Atom-%. Das heißt, als Materialien für die Kristallkeimbildungsschicht 14a können Sn-Te oder Pb-Te, was relativ stabile Kristalle des NaCl-Typs sind, oder diese enthaltende Materialien verwendet werden.
Falls die Kristallkeimbildungsschicht 14a aus Sn-Te oder Pb-Te besteht, wird die Wirkung der Kristallkeimbildung selbst dann aufrechterhalten, wenn der Te-Gehalt von einem stöchiometrischen Zusammensetzungsverhältnis von 50 Atom-% leicht abweicht. Doch wenn der Te-Gehalt stark vom stöchiometrischen Zusammensetzungsverhältnis abweicht, ändert sich die Kristallstruktur, und als Ergebnis kann ein erwünschter Effekt nicht erreicht werden. Deshalb muss Te in der Kristallkeimbildungsschicht 14a in einem Bereich zwischen 33 Atom-% und 67 Atom-% enthalten sein, besonders vorzugsweise in einem Bereich zwischen 40 Atom-% und 60 Atom-%.
Vorzugsweise liegt der Extinktionskoeffizient der Kristallkeimbildungsschicht 14a in einem Bereich zwischen 0,5 und 2,0.
In der Aufzeichnungsschicht 14, welche die Kristallkeimbildungsschicht 14a einschließt, neigt die Phasenwechselschicht 14b dazu, übermäßig leicht zu kristallisieren, und deshalb besteht eine Möglichkeit, dass eine Mark-Größe vermindert wird, was eine Abnahme in der Signalamplitude zur Folge hat. Außerdem kann, wenn die Kristallkeimbildungsschicht 14a in Bezug auf die Phasenwechselschicht 14b auf der Seite des Substrats 11 ausgebildet ist, d.h., wenn die Kristallkeimbildungsschicht 14a als eine Unterschicht der Phasenwechselschicht 14b ausgebildet ist, die Phasenwechselschicht 14b in manchen Fällen während des Auftrags partiell oder als Ganzes kristallisiert werden. Dies hat übermäßig große oder ungleichmäßige Kristallkorngrößen in der Phasenwechselschicht 14b zur Folge. Dadurch tritt ein Unterschied in den Kristallkorngrößen zwischen vor und nach dem Aufzeichnen auf, was die Möglichkeit der Erhöhung im Rauschen zu Beginn der Aufzeichnung und daher die Abnahme des Träger-Rausch-Verhältnisses zur Folge hat.
Um solch eine Abnahme im Träger-Rausch-Verhältnis zu verhindern, enthält die Kristallkeimbildungsschicht 14a vorzugsweise ein Element, dessen Austritt bei einer Temperatur zugelassen wird, die tiefer ist als ein Schmelzpunkt der Phasenwechselschicht 14b. Das heißt, die Kristallkeimbildungsschicht 14a enthält bevorzugt mindestens ein Element, das aus einer Gruppe gewählt wird, die aus Sauerstoff und Stickstoff besteht. Wenn solch ein Material verwendet wird, ist die Kristallkeimbildungsschicht 14a direkt nach dem Auftragen in einem amorphem Zustand und weist keine regelmäßige Kristallstruktur auf. Dies lässt sich leicht durch Beobachtung eines Röntgenbeugungsmusters bestätigen. Dies kann die übermäßig leichte Kristallisierung der Phasenwechselschicht 14b unterdrücken und dadurch die Abnahme in der Signalamplitude verhindern. Wenn die Kristallkeimbildungsschicht 14a als eine Unterschicht der Phasenwechselschicht 14b geformt ist, kann die Phasenwechselschicht 14b dementsprechend auch daran gehindert werden, während des Auftrags kristallisiert zu werden.
Die in einem amorphen Zustand befindliche Phasenwechselschicht 14b kann kristallisiert werden, indem sie mit einem Laserstrahl oder ähnliches gebrannt wird. Dabei kann die Korngröße durch die Optimierung der Bedingungen angepasst werden, unter denen der Laserstrahl einstrahlt. Dadurch kann das Rauschen reduziert werden, das durch den Unterschied in der Korngröße verursacht wird, wodurch die Abnahme im Träger-Rausch-Verhältnis vermieden wird.
Die untere Schutzschicht 12 und die obere Schutzschicht 16 sind so ausgebildet, dass die Zunahme des Rauschens unterdrückt ist, die auf thermische Schäden am Substrat 11 und an der Aufzeichnungsschicht 14 durch die Einstrahlung des Laserstrahls L zurückzuführen ist, und um das Reflexionsvermögen, das Absorptionsvermögen und eine Phase des reflektierten Lichts in Bezug auf den Laserstrahl L einzustellen. Bevorzugt sind die untere Schutzschicht 12 und die obere Schutzschicht 16 daher physikalisch und chemisch stabil, weisen einen Schmelzpunkt und eine Erweichungstemperatur auf, die höher sind als der Schmelzpunkt der Aufzeichnungsschicht 14, und sind aus einem Material ausgebildet, das keine Feststofflöslichkeit in Bezug auf das Material der Aufzeichnungsschicht 14 aufweist. Zum Beispiel können Oxide von Y, Ce, Ti, Zr, Nb, Ta, Co, Zn, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, Te und dergleichen verwendet werden. Auch Nitride von Ti, Zr, Nb, Ta, Cr, Mo, W, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb und dergleichen können verwendet werden. Ferner können Carbide von Ti, Zr, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Si und dergleichen verwendet werden. Ferner können auch Sulfide von Zn oder Cd verwendet werden. Selenide oder Telluride können verwendet werden. Auch Fluoride von Mg, Ca und dergleichen können verwendet werden. Überdies können auch C, Si, oder Ge oder Dielektrika, die aus Mischungen daraus bestehen, verwendet werden.
Die untere Schutzschicht 12 und die obere Schutzschicht 16 können je nach Bedarf aus verschiedenen Materialien oder aus dem gleichen Material ausgebildet sein.
Die untere Zwischenschicht 13 und die obere Zwischenschicht 15 sind ausgebildet, um die gegenseitige Diffusion von Atomen zwischen der unteren Schutzschicht 12 oder der oberen Schutzschicht 16 und der Aufzeichnungsschicht 14 während der Aufzeichnung und Wiedergabe zu verhindern. Daher sind die untere Zwischenschicht 13 und die obere Zwischenschicht 15 aus Materialien ausgebildet, die es erlauben, das obige Ziel zu erreichen. Bevorzugbare Materialien sind solche, die als Hauptkomponente Nitride, Oxide und Carbide von Ge, Si, Al, Cr und dergleichen enthalten, oder solche, die Mischungen daraus als Hauptkomponente enthalten.
Selbst, wenn nur eine der unteren Zwischenschicht 13 und der oberen Zwischenschicht 15 vorgesehen ist, wird die obige Wirkung entfaltet. Vorzugsweise sind jedoch beide vorgesehen. Wenn sowohl die untere Zwischenschicht 13 als auch die obere Zwischenschicht 15 vorgesehen sind, können sie je nach Bedarf aus verschiedenen Materialien oder aus dem gleichen Material ausgebildet sein.
Die optische Absorptionskorrekturschicht 17 ist ausgebildet, um das Verhältnis des optischen Absorptionsvermögens einzustellen, wenn die Phasenwechselschicht 14b in einem kristallinen Zustand ist, um die Verzerrung einer Mark-Form beim Überschreiben zu verhindern, wenn die Phasenwechselschicht 14b in einem amorphen Zustand ist. Darüber hinaus ist die optische Absorptionskorrekturschicht 17 ausgebildet, um den Unterschied zwischen dem Reflexionsvermögen, wenn die Phasenwechselschicht 14b in einem kristallinen Zustand ist, und dem, wenn die Phasenwechselschicht 14b in einem amorphen Zustand ist, zu erhöhen, um die Signalamplitude zu vergrößern. Deshalb ist die optische Absorptionskorrekturschicht 17 aus einem Material ausgebildet, das einen hohen Brechungsindex aufweist und ausreichend Licht absorbiert. Beispiele für das Material, das für die Schicht 17 zu verwenden ist, schließen Materialien mit einem Brechungsindex n zwischen 3 und 6 und einem Extinktionskoeffizienten k zwischen 1 und 4 ein. Spezifisch können Ge-Legierungen oder Si-Legierungen in einem amorphen Zustand verwendet werden, einschließlich zum Beispiel Legierungen wie Ge-Cr, Ge-Mo, Si-Cr, Si-Mo, Si-W oder dergleichen. Darüber hinaus können auch kristalline Metalle, Halbmetalle oder Halbleiter verwendet werden, einschließlich zum Beispiel Ti, Zr, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Sn-Te, Pb-Te oder dergleichen.
Die Reflektionsschicht 18 ist ausgebildet, um einen einfallenden Laserstrahl L auf effektive Weise auszunutzen und der Aufzeichnungsschicht 14 zu erlauben, durch die Verbesserung in der Abkühlungsgeschwindigkeit der Aufzeichnungsschicht 14 leicht in einen amorphen Zustand zu wechseln. Deshalb schließen Materialien, die für die Reflektionsschicht 18 verwendet werden, metallische Materialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit oder Materialien ein, die durch einen Zusatz anderer Elemente zu den metallischen Materialien erhalten werden, um die Feuchtigkeitsbeständigkeit zu verbessern oder die Wärmeleitfähigkeit anzupassen. Zum Beispiel können Al, Au, Ag oder Cu oder Legierungen davon verwendet werden. Das heißt, Legierungen wie Al-Cr, Al-Ti, Ag-Pd, Ag-Pd-Cu, Ag-Pd-Ti oder ähnliches können verwendet werden. In diesem Fall kann aber, je nach den Aufzeichnungsbedingungen wie z.B. der linearen Geschwindigkeit, der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht 14 oder dergleichen, die Aufzeichnungsschicht 18 ohne jede Unterstützung des Abkühlungseffekts der Reflektionsschicht 18 leicht genug in einen amorphen Zustand wechseln. In solch einem Fall kann die Reflektionsschicht 18 entfallen.
Für die Überzugsschicht 19 können Materialien mit hoher Wärmebeständigkeit und hoher Haftfähigkeit verwendet werden, einschließlich zum Beispiel Haftharze wie ein UV-aushärtbares Harz. Als die Überzugsschicht 19 kann ein Dummy-Substrat auf der Reflektionsschicht 18 laminiert sein. Das Dummy-Substrat kann mit einem Haftharz, einem doppelseitig klebenden Band, einer dielektrischen Schicht oder dergleichen laminiert sein.
Statt der Überzugsschicht 19 kann ein anderes optisches Aufzeichnungsmedium laminiert sein, um ein optisches Aufzeichnungsmedium mit doppelseitiger Struktur zu formen.
Die obige Beschreibung betrifft das optischen Aufzeichnungsmedium nach Ausführungsform 1, doch ist das erfindungsgemäße optische Aufzeichnungsmedium nicht auf solche mit der oben genannten Konfiguration beschränkt. Zum Beispiel kann die Kristallkeimbildungsschicht 14a zwischen der Phasenwechselschicht 14b und der oberen Zwischenschicht 15 ausgebildet sein, oder sie kann auf beiden Seiten der Phasenwechselschicht 14b ausgebildet sein (was auch für die folgenden Ausführungsformen gilt). Zudem ist die Konfiguration des erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmediums nicht besonders eingeschränkt, solange das optische Aufzeichnungsmedium die obige Aufzeichnungsschicht einschließt (was auch für die folgenden Ausführungsformen gilt). Zum Beispiel können Schichten wie die Zwischenschichten, die Schutzschichten, die optische Absorptionsschicht, die Reflektionsschicht und die Überzugsschicht hinzugefügt, geändert oder weggelassen werden, je nach der Leistung, die für das optische Aufzeichnungsmedium benötigt wird.
Ausführungsform 2
In Ausführungsform 2 wird ein anderes Beispiel eines erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmediums 20 beschrieben. 2A zeigt eine partielle Querschnittsansicht eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Ausführungsform 2.
In 2A umfasst das optische Aufzeichnungsmedium 20 ein erstes Substrat 21, ein zweites Substrat 22, das dem ersten Substrat 21 gegenüberliegend angeordnet ist, eine Trennschicht 23, eine erste Informationsschicht 24 und eine zweite Informationsschicht 25. Die Trennschicht 23 ist zwischen dem ersten Substrat 21 und dem zweiten Substrat 22 angeordnet. Die erste Informationsschicht 24 ist zwischen dem ersten Substrat 21 und der Trennschicht 23 angeordnet. Die zweite Informationsschicht 25 ist zwischen dem zweiten Substrat 22 und der Trennschicht 23 angeordnet. Mit anderen Worten, das optische Aufzeichnungsmedium 20 umfasst die erste Informationsschicht 24 und die zweite Informationsschicht 25, die auf und über dem ersten Substrat 21 ausgebildet sind, und die Trennschicht 23, die zwischen der ersten Informationsschicht 24 und der zweiten Informationsschicht 25 angeordnet ist. Das optische Aufzeichnungsmedium 20 kann die Schutzschicht, die Zwischenschicht und die Überzugsschicht umfassen, die in Ausführungsform 1 beschrieben wurden. Als Beispiel zeigt 2B eine partielle Querschnittsansicht eines optische Aufzeichnungsmediums 20a, das eine erste Überzugsschicht 26 und eine zweite Überzugsschicht 27 umfasst.
Für das erste Substrat 21 kann das gleiche Substrat wie das Substrat 11 verwendet werden.
Dementsprechend kann für das zweite Substrat 22 das gleiche Substrat wie das Substrat 11 verwendet werden. Ferner kann für das zweite Substrat 22 ein nicht transparentes Substrat verwendet werden, das sich vom Fall des ersten Substrats 21 unterscheidet. Das zweite Substrat 22 kann sich hinsichtlich des Materials, der Dicke oder dergleichen vom ersten Substrat 21 unterscheiden. Wenn Rillen auf den Flächen des ersten Substrats 21 und des zweiten Substrats 22 ausgebildet werden sollen, können sich die Rillen auf beiden Flächen in der Form oder Spiralrichtung voneinander unterscheiden. Wenn durch ein Fotopolymer-Verfahren Führungsrillen für die zweite Informationsschicht 25 auf der Oberfläche der Trennschicht 23 auf seiten der zweiten Informationsschicht 25 ausgebildet werden, kann es nicht erforderlich sein, dass das zweite Substrat 22 Rillen auf seiner Oberfläche auf seiten der zweiten Informationsschicht 25 aufweist.
Das zweite Substrat 22 kann mit einem Klebstoff oder dergleichen auf der zweiten Informationsschicht 25 laminiert sein. Das zweite Substrat 22 kann durch ein Auftragen eines Harzes für einen Überzug auf der zweiten Informationsschicht 25 und dann durch Aushärten des Harzes ausgebildet werden.
Mindestens eine Schicht, die aus einer Gruppe gewählt wird, die aus der ersten Informationsschicht 24 und der zweiten Informationsschicht 25 besteht, schließt die Aufzeichnungsschicht 14 (die Kristallkeimbildungsschicht 14a und die Phasenwechselschicht 14b) ein, die in Ausführungsform 1 beschrieben wurde und eine wiederbeschreibbare Schicht ist.
Wenn entweder die erste Informationsschicht 24 oder die zweite Informationsschicht 25 die Aufzeichnungsschicht 14 nicht einschließt, kann die Schicht eine wiederbeschreibbare Schicht oder eine Schicht sein, die ausschließlich zur Wiedergabe genutzt wird. Die Schicht, die ausschließlich zur Wiedergabe genutzt wird, kann in einer Konfiguration ausgebildet sein, die allgemein in CD-ROMs oder dergleichen verwendet wird. Zum Beispiel kann auf einem Substrat mit einem konkaven oder konvexen Muster, das Informationssignalen entsprechend ausgebildet ist, eine Schicht mit einem Material ausgebildet sein, dessen Brechungsindex sich von dem des Substrats unterscheidet.
Wenn die erste Informationsschicht 25 eine wiederbeschreibbare Informationsschicht ist, die die Aufzeichnungsschicht 14 einschließt, muß die erste Informationsschicht 24 einen höheren Durchlässigkeitsgrad haben, damit die Aufzeichnung und Wiedergabe für die zweite Informationsschicht 25 mit ausreichend Leistung durchgeführt werden kann. Die Aufzeichnungsschicht 14 in der ersten Informationsschicht 24 ist daher vorzugsweise dünn. Doch nimmt durch die Zunahme in der Abkühlungsgeschwindigkeit der Phasenwechselschicht 14b allgemein die Kristallisationsfähigkeit mit einer Verringerung der Dicke der Phasenwechselschicht 14b ab. Deshalb kann eine ausreichende Löschleistung nicht erhalten werden. Doch schließt im optischen Aufzeichnungsmedium 20 die Aufzeichnungsschicht 14 die Kristallkeimbildungsschicht 14a ein, und deshalb wird die Kristallisationsfähigkeit verbessert, wodurch eine ausreichende Löschleistung selbst dann erreicht wird, wenn die Phasenwechselschicht 14b dünn ist.
Wenn die zweite Informationsschicht 25 eine wiederbeschreibbare Informationsschicht ist, die die Aufzeichnungsschicht 14 einschließt, muss die zweite Informationsschicht 25 ein hohes Reflexionsvermögen aufweisen, damit eine ausreichende Menge an reflektiertem Licht erhalten werden kann. Ferner muss die zweite Informationsschicht 25 eine hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit aufweisen, damit eine zuverlässige Aufzeichnung mit einem Laserstrahl durchgeführt werden kann, der die erste Informationsschicht 24 durchquert hat. Für solche Zwecke ist es notwendig, dass die Temperatur der Phasenwechselschicht 14b selbst bei einer kleinen Menge an absorbiertem Licht wirkungsvoll ansteigt, und deshalb ist es vorzuziehen, dass die Phasenwechselschicht 14b dünn ist. Wie oben beschrieben, schließt im optischen Aufzeichnungsmedium 20 die Aufzeichnungsschicht 14 die Kristallkeimbildungsschicht 14a ein, wodurch selbst dann eine ausreichende Löschleistung erhalten wird, wenn die Phasenwechselschicht 14b dünn ist.
Die Trennschicht 23 ist geformt, um ein Nebensprechen zwischen der ersten Informationsschicht 24 und der zweiten Informationsschicht 25 zu verhindern. Im optischen Aufzeichnungsmedium 20 wird die Aufzeichnung oder Wiedergabe in Bezug auf die jeweilige erste Informationsschicht 24 und zweite Informationsschicht 25 mit einem Laserstrahl L durchgeführt. Vorzugsweise ist die Trennschicht 23 daher aus einem Material ausgebildet, das bei einer Wellenlänge λ des Laserstrahls L einen kleinen Absorptionskoeffizienten, eine hohe Thermostabilität und ein hohes Haftvermögen aufweist. Spezifisch kann für die Trennschicht 23 Haftharz wie z.B. ein UV-aushärtbares Harz, ein doppelseitig klebendes Band, eine dielektrische Schicht oder eine geeignete Kombination daraus verwendet werden.
Wenn im optischen Aufzeichnungsmedium 20 die Aufzeichnung oder Wiedergabe entweder in Bezug auf die erste Informationsschicht 24 oder die zweite Informationsschicht 25 durchgeführt wird, ist es erforderlich, zu verhindern, dass Informationssignale auf die andere Schicht aufgezeichnet oder von dieser wiedergegeben werden. Daher muss die Trennschicht 23 eine Dicke aufweisen, die größer oder gleich einer Abbildungstiefe ist. Das heißt, es ist vorzuziehen, dass die Trennschicht 23 eine Dicke von mindestens 2 μm aufweist. Zudem entspricht die Dicke der Trennschicht 23 bevorzugt 100 μm oder weniger, damit der Laserstrahl L sowohl auf die erste Informationsschicht 24 als auch auf die zweite Informationsschicht 25 fokussiert werden kann.
Ausführungsform 3
In Ausführungsform 3 wird ein Beispiel eines Verfahrens zum Herstellen eines erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmediums beschrieben. Gleiche Abschnitte wie jene, die in den obigen Ausführungsformen beschrieben wurden, werden mit den gleichen Bezugszeichen angegeben, und die wiederholten Beschreibungen werden ausgelassen.
Zuerst werden eine untere Schutzschicht 12, eine obere Zwischenschicht 13, eine Aufzeichnungsschicht 14 (einschließlich einer Kristallkeimbildungsschicht 14a und einer Phasenwechselschicht 14b), eine obere Zwischenschicht 15, eine obere Schutzschicht 16, eine optische Absorptionskorrekturschicht 17 und eine Reflektionsschicht 18 aufeinanderfolgend auf der Oberfläche eines Substrats 11 ausgebildet, auf der Führungsrillen ausgebildet wurden. Diese Schichten können durch gängige Dampfphasenabscheidungsverfahren einschließlich zum Beispiel eines Vakuumverdampfungsverfahrens, eines Sputterverfahrens, eines Ionenplattierungsverfahrens, eines CVD(chemische Dampfabscheidung)-Verfahrens oder eines MBE(Molekularstrahlepitaxie)-Verfahrens ausgebildet werden. von diesen Verfahren ist für die Bildung der Aufzeichnungsschicht 14 hinsichtlich der Auftragsgeschwindigkeit, der Herstellungskosten und der Qualität der auszubildenden Schichten das Sputterverfahren zu bevorzugen.
Wie in Ausführungsform 1 beschrieben, umfasst die Kristallkeimbildungsschicht 14a vorzugsweise Te in einem Bereich zwischen 33 Atom-% und 67 Atom-% und besteht aus Sn-Te oder Pb-Te.
Die Phasenwechselschicht 14b wird in einem amorphen Zustand aufgetragen. Unter gängigen Auftragungsbedingungen wird die Phasenwechselschicht 14b in einem amorphen Zustand aufgetragen. Das heißt, die Auftragunf unter Bedingungen einer hohen Leistung und einer hohen Auftragsgeschwindigkeit gewährleistet, dass die Phasenwechselschicht 14b in einem amorphen Zustand aufgetragen werden kann.
Wenn die Kristallkeimbildungsschicht 14a in Bezug auf die Phasenwechselschicht 14b auf der Seite des Substrats 11 angeordnet ist, wird die Kristallkeimbildungsschicht 14a vor der Ausbildung der Phasenwechselschicht 14b ausgebildet. Wenn die Phasenwechselschicht 14b in Bezug auf die Kristallkeimbildungsschicht 14a auf der Seite des Substrats 11 angeordnet ist, wird die Kristallkeimbildungsschicht 14a nach der Ausbildung der Phasenwechselschicht 14b ausgebildet.
Wenn eine Kristallkeimbildungsschicht 14a ausgebildet werden soll, die mindestens ein Element enthält, das aus einer Gruppe gewählt wird, die aus Sauerstoff und Stickstoff besteht, kann die Kristallkeimbildungsschicht 14a in einer Atmosphäre ausgebildet werden, die mindestens ein Element enthält, das aus der Gruppe aus Sauerstoff und Stickstoff gewählt wird. Spezifisch kann das obige Element in eine Auftragsvorrichtung (eine Kammer) eingeleitet werden. Dementsprechend können die Eigenschaften und die Bindungszustände zwischen Atomen in der Kristallkeimbildungsschicht 14a eingestellt werden, was für die Verbesserung der Wiederverwendbarkeit und der Feuchtigkeitsbeständigkeit wirksam sein kann.
Nach der Bildung der Reflektionsschicht 18 wird eine Überzugsschicht 19 ausgebildet. Die Überzugsschicht 19 kann durch ein Auftragen eines UV-aushärtbaren Harzes auf die Reflektionsschicht 18, durch Spin-Coating und dann durch eine Bestrahlung mit UV-Strahlen zur Aushärtung ausgebildet werden.
Als nächstes wird die Aufzeichnungsschicht 14 initialisiert. Spezifisch wird die Aufzeichnungsschicht 14 mit einem optischen Strahl wie einem Laserstrahl bestrahlt, und dadurch wird die in einem amorphen Zustand befindliche Phasenwechselschicht 14b kristallisiert. Wenn die Kristallkeimbildungsschicht 14a Stickstoff oder Sauerstoff enthält, ist es solch einem Element möglich, während ihrer Initialisierung aus der Kristallkeimbildungsschicht 14a auszutreten. Dies erlaubt der Funktion der Kristallkeimbildungsschicht 14a, d.h. der kristallkeimbildenden Funktion, auf ausreichende Weise zur Entfaltung zu kommen. Auf diese Weise kann das optische Aufzeichnungsmedium 10 hergestellt werden. Der Initialisierungsvorgang kann vor der Bildung der Überzugsschicht 19 durchgeführt werden.
Dementsprechend kann auch das optische Aufzeichnungsmedium 20, das in Ausführungsform 2 beschrieben wurde, mit dem gleichen Verfahren wie dem oben beschriebenen hergestellt werden. Die Trennschicht 23, die erste Informationsschicht 24 und die zweite Informationsschicht 25 können durch die vorgenannten Dampfphasenabscheidungsverfahren ausgebildet werden.
Wenn das optische Aufzeichnungsmedium 20a ausgebildet werden soll, das in Ausführungsform 2 beschrieben wurde, werden zuerst die erste Informationsschicht 24 und die erste Überzugsschicht 26 aufeinanderfolgend auf dem ersten Substrat 21 ausgebildet, und die zweite Informationsschicht 25 und die zweite Überzugsschicht 27 werden aufeinanderfolgend auf dem zweiten Substrat 22 ausgebildet. Dann können die erste Überzugsschicht 26 und die zweite Überzugsschicht 27 mit der Trennschicht 23 verbunden werden, die dazwischen angeordnet ist. Zum Beispiel kann ein UV-aushärtbares Harz auf beide Flächen der Trennschicht 23 aufgetragen werden, und die zwei Substrate können jeweils auf die Flächen laminiert werden, die dann mit UV-Strahlen bestrahlt werden können. Dabei kann der Initialisierungsvorgang vor oder nach dem Haften der zwei Substrate durchgeführt werden. Auf diese Weise kann das optische Aufzeichnungsmedium 20a hergestellt werden.
Die obige Beschreibung betraf ein Verfahren zur Herstellung eines erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmediums. Das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren kann aber zudem den folgenden Arbeitsgang zur Aufzeichnung von Informationssignalen einschließen, wie im Folgenden beschrieben.
Die folgende Beschreibung betrifft ein Beispiel eines Verfahrens zur Aufzeichnung und Wiedergabe von Informationssignalen mit einem erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmedium. 3 zeigt ein Beispiel einer Vorrichtung zum Aufzeichnen und Wiedergeben von Informationssignalen mit einem optischen Aufzeichnungsmedium.
Die Aufzeichnungs-/Wiedergabevorrichtung 30, die in 3 gezeigt wird, umfasst eine Laserdiode 31, einen Halbspiegel 32, eine Objektivlinse 33, einen Fotodetektor 34 und einen Motor 35. Der Motor 35 dreht ein optisches Aufzeichnungsmedium 36. Das optische Aufzeichnungsmedium 36 ist das erfindungsgemäße und wird mit einem Laserstrahl L von der Seite des Substrats 11 oder der Seite des ersten Substrats 21 aus bestrahlt.
Der Laserstrahl L, der von der Laserdiode 31 emittiert wird, durchläuft den Halbspiegel 32 und die Objektivlinse 33, um auf dem optischen Aufzeichnungsmedium 36 fokussiert zu werden, wodurch Informationssignale aufgezeichnet und wiedergegeben werden.
Wenn die Informationssignale aufgezeichnet werden sollen, wird die Stärke des Laserstrahls L moduliert, um eine Pulsform wie in 4 gezeigt aufzuweisen. Mit anderen Worten, die Stärke des Laserstrahls L wird zwischen den Leistungspegeln P1, P2 und P3 moduliert, wobei P1 > P2 ≥ P3 ≥ 0. Der Leistungspegel P1 ist einer, der ausreicht, um die Phasenwechselschicht 14b bei einer Einstrahlung des Laserstrahls L sofort zum Schmelzen zu bringen. Die Leistungspegel P2 und P3 sind solche, bei denen die Phasenwechselschicht 14b bei Einstrahlung des Laserstrahls L nicht sofort geschmolzen werden kann. Die Laserstärke kann durch Modulation eines Stroms zum Treiben eines Halbleiterlasers moduliert werden. Darüber hinaus kann die Laserstärke mit Mitteln wie z.B. einem elektrooptischen Modulator, einem akustooptischen Modulator oder dergleichen moduliert werden.
Marks von Informationssignalen werden durch den Wechsel der Phasenwechselschicht 14b aus einem kristallinen Zustand zu einem amorphen Zustand ausgebildet. Die Marks können durch eine Einstrahlung eines einfachen Rechteckpulses mit einem Leistungspegel P1 auf das optische Aufzeichnungsmedium 36 ausgebildet werden. Zur Bildung einer längeren Mark wird vorzugsweise eine Aufzeichnungspulsfolge verwendet, die eine Vielzahl von Pulsfolgen einschließt, die aus den Leistungspegeln P1, P2 und P3 moduliert werden. Die Verwendung solch einer Pulsfolge verhindert die Überhitzung und gewährleistet, dass die Mark eine einheitliche Breite aufweist. Die Abschnitte, wo keine Mark ausgebildet werden soll, oder Abschnitte mit Marks, die gelöscht werden sollen, werden mit einem Laserstrahl L bei einem Leistungspegel P2 bestrahlt.
Wie in 4 gezeigt, kann direkt nach der obigen Vielzahl von Pulsfolgen ein Laserstrahl mit einem Leistungspegel P4 (wobei P2 > P4 ≥ 0) eingestrahlt werden. Solch ein Abkühlungsabschnitt kann eine Hitze eines Mark-Endes beseitigen, das dazu neigt, besonders überhitzt zu sein, und ist wirkungsvoll zur Anpassung einer Mark-Form. Der Anfang einer Mark neigt dazu, leicht einen amorphen Zustand anzunehmen, und neigt zu einer reduzierten Mark-Breite. Deshalb kann am Anfang einer Mark nur ein Anfangspuls aus der Vielzahl von Pulsfolgen eine längere Zeit lang angelegt werden, oder der Leistungspegel des Anfangspulses kann auf über P1 erhöht werden, um sowohl am Ende als auch am Anfang die gleiche Mark-Breite zu erhalten. Andernfalls, wenn die Zeiten der jeweiligen Pulse in der Vielzahl von Pulsfolgen und die Zeiten zwischen den jeweiligen Pulsen gleich eingestellt sind, kann die Modulation mit einer Einzelfrequenz durchgeführt werden, was den Vorteil bietet, dass das Modulationsverfahren vereinfacht wird.
Bei der Aufzeichnung und Wiedergabe in Bezug auf ein optisches Aufzeichnungsmedium werden die Mark-Randpositionen nicht eingefluchtet, und es können Unregelmäßigkeiten an den Mark-Enden auftreten und eine Zunahme von Jitter bewirken, der auf die Einflüsse der Länge einer Mark, der Länge der Spaces vor und nach der Mark, einer Länge einer benachbarten Mark oder ähnliches zurückzuführen sind. Um solche eine Zunahme von Jitter zu vermeiden, können die Positionen und Längen der jeweiligen Pulse der obigen Pulsfolgen angepasst werden, um so korrigiert zu werden, dass die Randpositionen in jedem Muster ausgerichtet sind.
Wenn die Informationssignale, die auf diese Weise aufgezeichnet wurden, wiedergegeben werden sollen, wird die optische Scheibe mit kontinuierlichem Licht bei einem Leistungspegel P5 (wobei P2 > P5 > 0) bestrahlt, das von der optischen Scheibe reflektierte Licht wird zum Fotodetektor 34 durchgelassen, und die Änderungen in der Menge des reflektierten Lichts werden als wiedergegebene Signale erkannt.
Beispiele
Die vorliegende Erfindung wird nun im Folgenden anhand von Beispielen ausführlich beschrieben, beschränkt sich aber nicht auf die folgenden Beispiele.
Beispiel 1
In Beispiel 1 ist die Beschreibung auf ein Beispiel der Herstellung des optischen Aufzeichnungsmediums 10, das in Ausführungsform 1 beschrieben wurde, gerichtet.
In Beispiel 1 wurde ein Substrat (mit einem Durchmesser von 12 cm und eine Dicke von 0,60 mm) verwendet, das aus einem Polycarbonatharz bestand. Auf der Oberfläche des Substrats wurde eine Spiralrille ausgebildet, die eine Tiefe von etwa 70 nm und eine Breite von 0,6 μm aufwies, mit einer Erhöhung, die mit einer Breite von etwa 0,6 μm ausgebildet war.
Dann wurde auf die gerillte Oberfläche des Substrats aufeinanderfolgend eine untere Schutzschicht (mit einer Dicke von etwa 140 nm), eine untere Interferenzschicht (mit einer Dicke von etwa 5 nm), eine Kristallkeimbildungsschicht, eine Phasenwechselschicht (mit einer Dicke von etwa 9 nm), eine obere Zwischenschicht (mit einer Dicke von etwa 3 nm), eine obere Schutzschicht (mit einer Dicke von etwa 40 nm), eine optische Absorptionskorrekturschicht (mit einer Dicke von etwa 40 nm) und eine Reflektionsschicht (mit einer Dicke von etwa 80 nm) laminiert. Auf diese Weise wurde eine Vielzahl von Testmustern hergestellt, die sich in der Dicke und der Position der Kristallkeimbildungsschicht voneinander unterschieden. Die jeweiligen Schichten wurden durch Sputtern von einem Target (Materialvorrat) mit einer Dicke von etwa 6 mm und einem Durchmesser von 10 cm ausgebildet.
Spezifisch wurde die untere Schutzschicht mit einem Target aus ZnS-SiO₂ (mit einem Molverhältnis ZnS : SiO₂ = 80 : 20) geformt; die untere Zwischenschicht mit einem Ge-Target; die Kristallkeimbildungsschicht mit einem Target aus Sn-Te (mit einem Atomverhältnis Sn : Te = 50 : 50); die Phasenwechselschicht mit einem Target aus Ge-Sb-Te (mit einem Atomverhältnis Ge : Sb : Te = 29 : 21 : 50); die obere Zwischenschicht mit einem Ge-Target; die obere Schutzschicht mit einem Target aus ZnS-SiO₂ (mit einem Molverhältnis ZnS : SiO₂ = 80 : 20); die optische Absorptionskorrekturschicht mit einem Target aus Ge-Cr (mit einem Atomverhältnis Ge : Cr = 80 : 20); und die Reflektionsschicht mit einem Target aus Ag-Pd-Cu (mit einem Atomverhältnis Ag : Pd : Cu = 98 : 1 : 1) ausgebildet.
Die Phasenwechselschicht und die Zwischenschichten wurden mit Mischgasen aus Ar und Stickstoff als einem Sputtergas geformt. Die Menge des Stickstoffgases, das im Sputtergas enthaltenen war, war zur Bildung der Phasenwechselschicht auf etwa 5 Vol-% und zur Formung der Zwischenschichten auf etwa 40 Vol-% eingestellt. Für die Formung der anderen Schichten als diesen wurde nur Ar als Sputtergas verwendet. Die Kristallkeimbildungsschicht wurde mit einer Gleichstromversorgung unter den Bedingungen einer Sputterleistung von 50 W und einem Sputtergasdruck von 0,3 Pa ausgebildet.
Auf die Oberfläche der auf diese Weise ausgebildeten Mehrfachschichten wurde durch Spin-Coating ein UV-aushärtbares Harz aufgetragen. Dann wurde das UV-aushärtbare Harz zur Härtung mit UV-Strahlen bestrahlt, wodurch eine Überzugsschicht ausgebildet wurde. Danach wurden die Mehrfachschichten von der Substratseite aus mit einem Laserstrahl bestrahlt, und dadurch wurde die Phasenwechselschicht gebrannt, wodurch die gesamte Fläche der Phasenwechselschicht initialisiert, d.h. kristallisiert wurde.
Auf diese Weise wurden zehn Typen von optischen Aufzeichnungsmedien hergestellt, die sich hinsichtlich der Dicke und der Position der Kristallkeimbildungsschicht unterschieden. Für die so hergestellten optischen Aufzeichnungsmedien wurde eine Mark-Endaufzeichnung mit einer linearen Geschwindigkeit von 8,2 m/s mit einem optischen System mit einer numerischen Apertur (NA) von 0,6 und einer Wellenlänge von 660 nm durchgeführt. Dann wurden die folgenden Messungen durchgeführt. Zuerst wurde ein 3T-Signal bei 9,7 MHz und ein 11T-Signal bei 2,6 MHz 11 mal abwechselnd in der Vertiefung und Erhöhung aufgezeichnet. Mit anderen Worten, das 3T-Signal wurde 6 mal und das 11T-Signal 5 mal aufgezeichnet. Dann wurde diese Spur in dem Zustand wiedergegeben, in dem die 3T-Signale aufgezeichnet worden waren, und das Träger-Rausch-Verhältnis wurde mit einem Spektrumsanalysator gemessen. Ferner wurde ein 11T-Signal einmal darauf aufgezeichnet, und dann wurde das Extinktionsverhältnis der Amplitude des 3T-Signals, d.h. das Löschverhältnis, mit einem Spektrumsanalysator gemessen.
Dabei wurde ein einfacher Rechteckpuls mit einer Pulsbreite von 25,8 nm (beim Leistungspegel P1) verwendet, um das 3T-Signal aufzuzeichnen. Bei der Aufzeichnung eines 11T-Signals wurde eine Pulsfolge (beim Leistungspegel P1) verwendet, die neun Pulse enthielt. Diese Pulsfolge schloss den ersten Puls mit einer Breite von 25,8 ns und den zweiten bis neunten Puls mit einer Breite von 8,6 ns und Abschnitte (beim Leistungspe gel P3) zwischen den jeweiligen Pulsen mit einer Breite von 8,6 ns ein. Abschnitte, wo keine Mark aufzuzeichnen waren, wurden mit kontinuierlichem Licht beim Leistungspegel P2 bestrahlt. Dabei betrug P3 = P2. Die Leistungspegel wurden wie folgt bestimmt. Der Aufzeichnungsleistungspegel P1 entsprach dem 1,5-fachen der unteren Leistungsgrenze bei einem Träger-Rausch-Verhältnis, das 45 dB überstieg. Der Leistungspegel P2 war der Zentralwert in dem Leistungsbereich, in welchem das Löschverhältnis 20 dB überstieg. Ferner war der Wiedergabeleistungspegel P5 auf 1,0 mW eingestellt.
In Bezug auf die optischen Aufzeichnungsmedien, die den Messungen unter den oben genannten Bedingungen unterzogen wurden, wurde ein beschleunigter Test durchgeführt, bei dem die optischen Aufzeichnungsmedien in einem Zustand, in dem das 3T-Signal aufgezeichnet war, 100 Stunden lang bei 90°C und einer relativen Feuchte (RH) von 80% in einem thermostatischen Ofen gehalten wurden. Nach dem beschleunigten Test wurde die Spur der Aufzeichnung unterzogen, bevor der beschleunigte Test wiederholt wurde, und dann wurde das Träger-Rausch-Verhältnis gemessen. Ferner wurde ein 11T-Signal einmal darauf aufgezeichnet, und dann wurde das Löschverhältnis gemessen.
Die Ergebnisse der Träger-Rausch-Verhältnisse und Löschverhältnisse, die auf diese Weise vor und nach dem beschleunigten Test gemessen wurden, sind in Tabelle 1 aufgeführt.
Tabelle 1
In Tabelle 1 gibt „Unterseite" in der linken Spalte bei der Kristallkeimbildungsschicht an, dass die Kristallkeimbildungsschicht zwischen der Phasenwechselschicht und der unteren Zwischenschicht ausgebildet war. „Oberseite" gibt an, daß die Kristallkeimbildungsschicht zwischen der Phasenwechselschicht und der oberen Zwischenschicht ausgebildet war.
Das Test-muster 1 ist ein optisches Aufzeichnungsmedium, in dem keine Kristallkeimbildungsschicht ausgebildet war. Die Testmuster 2 bis 8 sind optische Aufzeichnungsmedien, bei denen die Kristallkeimbildungsschicht nur auf der Unterseite der Phasenwechselschicht ausgebildet war. Das Test-muster 9 ist ein optisches Aufzeichnungsmedium, bei dem die Kristallkeimbildungsschicht nur auf der Oberseite der Phasenwechselschicht ausgebildet war. Und das Test-muster 10 ist ein optisches Aufzeichnungsmedium, bei dem die Kristallkeimbildungsschichten auf beiden Seiten der Phasenwechselschicht ausgebildet waren.
Das Test-muster 1 ohne Kristallkeimbildungsschicht weist vor dem beschleunigten Test ein hohes Träger-Rausch-Verhältnis und ein ausreichendes Löschverhältnis auf. Doch hatte das Löschverhältnis nach dem beschleunigten Test um 8 dB abgenommen. Dies ist wohl darauf zurückzuführen, dass das Kristallkeimbildungsvermögen der Phasenwechselschicht aufgrund der Aufbewahrung unter hohen Temperatur- und Feuchtigkeitsbedingungen nachgelassen hatte. Andrerseits wiesen die Testmuster, die mit der Kristallkeimbildungsschicht versehen waren, sowohl vor als auch nach dem beschleunigten Test hohe Löschverhältnisse auf. Vor allem die Testmuster mit dicker Kristallkeimbildungsschicht wiesen hohe Löschverhältnisse auf. Dies ist wohl darauf zurückzuführen, dass das Material Sn-Te der Kristallkeimbildungsschicht eine das Kristallkeimbildungsvermögen der Phasenwechselschicht verbessernde Wirkung aufweist und die Wirkung selbst nach dem beschleunigten Test beibehalten wird. Andererseits wurde das Träger-Rausch-Verhältnis vor dem beschleunigten Test mit der Zunahme in der Dicke der Kristallkeimbildungsschicht verringert.
Wenn die Kristallkeimbildungsschicht dicker als eine bestimmte Dicke ist, wie im Test-muster 8, befindet sich die Phasenwechselschicht direkt nach dem Auftragen in einem kristallinen Zustand. In der Test-muster 8 war das Träger-Rausch-Verhältnis bei der Erstaufzeichnung gering, d.h. etwa 30 dB. Zudem nahm das Träger-Rausch-Verhältnis der Testmuster 8 zu, als die Aufzeichnung wiederholt wurde, und erreichte etwa 50 dB, um gesättigt zu sein, nachdem die Aufzeichnung etwa 20 mal wiederholt wurde. Daraus wurde gefolgert, dass das optische Aufzeichnungsmedium nach Beispiel 1 nicht praxistauglich ist, wenn es eine Kristallkeimbildungsschicht mit einer Dicke von 3,0 nm oder mehr aufweist.
Den obigen Ergebnissen zufolge waren von den optischen Aufzeichnungsmedien nach Beispiel 1 sehr praxistaugliche und zuverlässige optische Aufzeichnungsmedien mit ausreichendem Träger-Rausch-Verhältnis und Löschverhältnis sowohl vor als auch nach dem beschleunigten Test solche, die mit der Kristallkeimbildungsschicht von geeigneter Dicke versehen waren. In den optischen Aufzeichnungsmedien dieses Beispiels lag eine bevorzugte Dicke der Kristallkeimbildungsschicht in einem Bereich zwischen 0,5 nm und 2,0 nm. Doch variiert die bevorzugte Dicke der Kristallkeimbildungsschicht abhängig von den Auftragungsbedingungen wie z.B. einer Sputterleistung, einem Sputtergasdruck, einer Substrattemperatur und dergleichen, und vom Material und von der Konfiguration der Schichten. Experimenten zufolge, die von den Erfindern durchgeführt wurden, war es zum Beispiel möglich, dass die Phasenwechselschicht, die in einem amorphen Zustand aufgetragen wurde, ihre Wirkung zur Entfaltung kommen ließ, solange die Kristallkeimbildungsschicht eine Dicke in einem Bereich zwischen 0,3 nm und 5 nm aufwies.
Die Test-muster 9 und 10 wiesen beide im Wesentlichen die gleichen Träger-Rausch-Verhältnisse und Löschverhältnisse wie die in Test-muster 4 auf. Diesen Ergebnissen wurde entnommen, dass in den optischen Aufzeichnungsmedien mit einer Kristallkeimbildungsschicht auf einer Seite der Phasenwechselschicht und in dem optischen Aufzeichnungsmedium mit einer Kristallkeimbildungsschicht auf beiden Seiten der Phasenwechselschicht die gleiche Wirkung erreicht wurde.
Beispiel 2
In Beispiel 2 betrifft die Beschreibung ein Beispiel der Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums mit einer Kristallkeimbildungsschicht, die Stickstoff enthält. In Beispiel 2 wurde das gleiche optische Aufzeichnungsmedium wie das der Test-muster 4 in Tabelle 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass während der Bildung der Kristallkeimbildungsschicht der Kristallkeimbildungsschicht Stickstoff beigemischt wurde.
Der Stickstoff wurde der Kristallkeimbildungsschicht beigemischt, indem er in ein Sputtergas gemischt wurde, das verwendet wurde, als die Kristallkeimbildungsschicht ausgebildet wurde. Auf diese Weise wurde eine Vielzahl von Test-mustern mit verschiedenen Stickstoff-Partialdrucken hergestellt. Die Kristallkeimbildungsschicht wurde mit einer Gleichstromversorgung unter den Bedingungen einer Sputterleistung von 400 W und einem Sputtergasdruck von 0,3 Pa aufgetragen. Als Sputtergas wurde ein Mischgas aus Argon und Stickstoff benutzt. Der Gesamtdurchsatz des Sputtergases war konstant eingestellt, und der Stickstoff-Partialdruck (die Menge des Stickstoffgases im Sputtergas) wurde durch Ändern des Verhältnisses zwischen Argon und Stickstoff variiert.
In Bezug auf die Vielzahl von Test-mustern, die auf diese Weise hergestellt wurden, wurden die gleichen Messungen wie die in Beispiel 1 durchgeführt. Die Meßergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt.
Tabelle 2
Tabelle 2 enthält auch optische Konstanten der Kristallkeimbildungsschicht, d.h. Brechungsindices n und Extinktionskoeffizienten k. Die optischen Konstanten wurden anhand des Reflektionsvermögens und des Durchlässigkeitsgrads der Kristallkeimbildungsschichten berechnet. Die Messungen des Reflektionsvermögens und des Durchlässigkeitsgrads wurden an Kristallkeimbildungsschichten (mit Dicken von etwa 10 nm) durchgeführt, die auf Quartzsubstraten unter den gleichen Bedingungen gebildet wurden wie jene, die für die Kristallkeimbildungsschichten der Test-muster 4 und 11 bis 16 verwendet wurden.
Wie aus Tabelle 2 hervorgeht, nahm das Träger-Rausch-Verhältnis mit der Zunahme im Stickstoff-Partialdruck zu und überstieg 52 dB, wenn die Stickstoffmenge im Sputtergas mindestens 20 Vol-% betrug. Andererseits nahmen die Löschverhältnisse mit der Zunahme im Stickstoff-Partialdruck ab, doch es wurden ausreichende Werte von mindestens 30 dB beibehalten. Um in Beispiel 1 ein Träger-Rausch-Verhältnis von mindestens 52 dB zu erhalten, muss die Dicke der Kristallkeimbildungsschicht auf etwa 0,5 nm reduziert werden, was nach dem beschleunigten Test das Löschverhältnis von unter 30 dB zur Folge hat. Andrerseits wurden sowohl ein Träger-Rausch-Verhältnis von mindestens 52 dB und ein Löschverhältnis von min destens 30 dB zugleich erhalten, wenn die Kristallkeimbildungsschicht stickstoffhaltig war.
Bevorzugt wird die Kristallkeimbildungsschicht deshalb unter einer Bedingung eines ausreichend hohen Stickstoff-Partialdrucks aufgetragen. Spezifisch ist es vorzuziehen, dass die Stickstoffmenge im Sputtergas in einem Bereich zwischen 20 Vol-% und 100 Vol-% liegt. Unter anderem liegt ein bevorzugter Bereich zwischen 40 Vol-% und 80 Vol-%. Wenn die Stickstoffmenge im Sputtergas auf einen Bereich zwischen 40 Vol-% und 80 Vol-% eingestellt wird, können die jeweiligen Eigenschaften des optischen Aufzeichnungsmediums gut ausgewogen sein. Dabei kann der bevorzugte Bereich des Stickstoff-Partialdrucks offenbar je nach Typ der Sputtergasversorgung, der Sputterleistung, des Sputtergasdrucks und dergleichen variieren. Das heißt, wenn eine HF-Stromversorgung verwendet wird, neigt der Stickstoff dazu, leicht in Schichten aufgenommen zu werden. Deshalb wird davon ausgegangen, dass der geeignete Bereich des Stickstoff-Partialdrucks etwa 20% bis 30% von dem bei Verwendung einer DC-Stromversorgung entsprechen kann. Dadurch kann der Bereich des Stickstoff-Partialdrucks, der die gewünschten Schichteigenschaften ergibt, unter allen Sputterbedingungen spezifiziert werden, wenn die optischen Konstanten, insbesondere der Extinktionskoeffizient k, als Indikator genommen wird. Den Ergebnissen, die in Tabelle 2 aufgeführt sind, wird entnommen, dass der bevorzugte Bereich des Extinktionskoeffizienten k im Bereich zwischen 0,6 und 1,7 liegt. Ferner lag den Experimenten zufolge, die von den Erfindern durchgeführt wurden, der bevorzugte Bereich des Extinktionskoeffizienten k zwischen 0,5 und 2,0.
Im obigen wurden die Ergebnisse mit einem Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 660 nm in einem roten Wellenlängenbereich erhalten, was die Bedingungen, die auf die vorliegende Erfindung angewandt werden können, aber nicht einschränkt. Zum Beispiel kann sich die gleiche Wirkung der Kristallkeimbildungsschicht selbst bei Verwendung eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge zwischen 380 nm und 450 nm in einem violett-blauen Wellenlängenbereich entfalten.
Wie oben beschrieben, kann dem erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmedium entsprechend ein optisches Aufzeichnungsmedium erhalten werden, das sogar nach einer langfristigen Lagerung stabile Aufzeichnungs- und Wiedergabeeigenschaften aufweist.
Ferner kann mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums das erfindungsgemäße optische Aufzeichnungsmedium leicht hergestellt werden.

Claims

Optisches Aufzeichnungsmedium, umfassend ein Substrat (11) und eine Aufzeichnungsschicht (14), die über dem Substrat (11) angeordnet ist, wobei die Aufzeichnungsschicht (14) eine Phasenwechselschicht (14b) einschließt, die durch eine Einstrahlung eines optischen Strahls auf reversible Weise zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand wechselt, und eine Kristallkeimbildungsschicht (14a), die benachbart zur Phasenwechselschicht (14b) angeordnet ist, um die Kristallisierung der Phasenwechselschicht (14b) zu erleichtern, die Phasenwechselschicht (14b) erhalten wird, indem sie in einem amorphen Zustand aufgetragen und dann kristallisiert wird, die Kristallkeimbildungsschicht (14a) Sn-Te enthält, und die Kristallkeimbildungsschicht (14a) Te in einem Bereich zwischen 33 Atom-% und 67 Atom-% enthält.
Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die Phasenwechselschicht Ge, Sb und Te als am Aufbau beteiligte Elemente enthält und das Atomverhältnis von Ge, Sb und Te in der Phasenwechselschicht als Ge : Sb : Te = X : Y : Z ausgedrückt wird, wobei X + Y + Z = 100, 10 ≤ X ≤ 45, 5 ≤ Y ≤ 40 und 40 ≤ Z ≤ 60.
Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, außerdem umfassend erste und zweite Informationsschichten, die auf oder über dem Substrat angeordnet sind, und eine Trennschicht, die zwischen den ersten und zweiten Informationsschichten angeordnet ist, wobei mindestens eine Schicht, welche aus einer Gruppe gewählt wird, die aus den ersten und zweiten Informationsschichten besteht, die Aufzeichnungsschicht einschließt.
Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Kristallkeimbildungsschicht mindestens ein Element enthält, das aus einer Gruppe gewählt wird, die aus Sauerstoff und Stickstoff besteht.
Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die Kristallkeimbildungsschicht einen Extinktionskoeffizienten in einem Bereich zwischen 0,5 und 2,0 aufweist.
Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die Phasenwechselschicht eine durchschnittliche Dicke zwischen 4 nm und 14 nm aufweist.
Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums, das mit einer Aufzeichnungsschicht versehen ist, die eine Phasenwechselschicht und eine Kristallkeimbildungsschicht einschließt, die benachbart zur Phasenwechselschicht angeordnet ist, umfassend: (a) Auftragen der Phasenwechselschicht, so dass diese einen amorphen Zustand aufweist; (b) Ausbildung der Kristallkeimbildungsschicht vor oder nach dem Arbeitsgang (a); und (c) Kristallisieren der Phasenwechselschicht durch eine Einstrahlung eines optischen Strahls auf die Phasenwechselschicht im amorphen Zustand nach den Arbeitsgängen (a) und (b); wobei die Phasenwechselschicht ihre Phase durch eine Einstrahlung eines optischen Strahls auf reversible Weise zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand ändert, die Kristallkeimbildungsschicht Sn-Te enthält, und die Kristallkeimbildungsschicht die Kristallisierung der Phasenwechselschicht erleichtert und Te in einem Bereich zwischen 33 Atom-% und 67 Atom-% enthält.
Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 7, wobei die Phasenwechselschicht Ge, Sb und Te als Bestandelemente enthält, und das Atomverhältnis von Ge, Sb und Te in der Phasenwechselschicht als Ge : Sb : Te = X : Y : Z ausgedrückt wird, wobei X + Y + Z = 100, 10 ≤ X ≤ 45, 5 ≤ Y ≤ 40 und 40 ≤ Z ≤ 60.
Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums nach Anspruch 7 oder 8, wobei der Arbeitsgang (b) das Ausbilden der Kristallkeimbildungsschicht in einer Atmosphäre umfasst, die mindestens ein Element enthält, das aus einer Gruppe aus Sauerstoff und Stickstoff gewählt wird, und der Arbeitsgang (c) das Austretenlassen des Elements, das aus der Gruppe aus Sauerstoff und Stickstoff gewählt wird, aus der Kristallkeimbildungsschicht umfasst.