DE602004007837T2 - Optisches Speichermedium - Google Patents

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Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches Speichermedium zur Nutzung zum Aufzeichnen, Löschen und zur Wiedergabe von Daten mittels optischer Bestrahlung. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein solches optisches Speichermedium wie ein wiederbeschreibbares optisches Phasenänderungs-Speichermedium wie eine optische Scheibe und eine optische Karte, die sehr hochwertige Aufzeichnungseigenschaften bei der optischen Aufzeichnung mit hoher Lineargeschwindigkeit zeigen.
  • Im Nachstehenden werden verschiedene Arten bekannter wiederbeschreibbarer Phasenänderungs-Speichermedien erklärt.
  • Optische Phasenänderungs-Speichermedien stellen optische Speichermedien dar, die einen laminierten Aufbau aufweisen, bei welchem zumindest eine dielektrische Schicht, eine Aufzeichnungsschicht (oder ein Aufzeichnungsfilm), eine weitere dielektrische Schicht und eine reflektierende Schicht in dieser Reihenfolge in Lagen auf einem Substrat angeordnet sind, das eine Oberfläche aufweist, welche mit Laserstrahlen bestrahlt wird, die beim Aufzeichnen, Löschen und bei der Wiedergabe unterschiedliche Leistungen aufweisen.
  • Beim Aufzeichnen werden Laserimpulse in solcher Weise auf die Aufzeichnungsschicht aufgebracht (aufgestrahlt), dass die Schicht schmilzt und danach schnell herunterkühlt, sodass sich auf dieser nichtkristalline Aufzeichnungsmarken ausbilden. Die Aufzeichnungsmarken weisen einen geringeren Reflexionsgrad als die kristalline Phase auf, sodass sie optisch als aufgezeichnete Daten lesbar sind.
  • Beim Löschen der Aufzeichnungsmarken wird die Aufzeichnungsschicht mit einem Laser bestrahlt, der eine geringere Leistung aufweist als die Impulse des aufzeichnenden Lasers, um die Schicht bis auf eine Kristallisationstemperatur oder höher, aber niedriger als einen Schmelzpunkt der Schicht, zu erhitzen. Durch die Temperaturerhöhung wird eine Änderung der Aufzeichnungsmarken aus der nichtkristallinen Phase in die kristalline Phase erzwungen, sodass die Aufzeichnungsmarken zum Überschreiben gelöscht werden.
  • Weit verbreitete Materialien für solche Aufzeichnungsschichten sind eine Ge-Sb-Te-Legierung, eine Ag-In-Sb-Te-Legierung usw., und zwar aufgrund der hohen Kristallisationsgeschwindigkeit dieser.
  • Bei optischen Speichermedien, die eine Aufzeichnungsschicht aus solchem Material aufweisen, werden üblicherweise auf beiden Seiten der Aufzeichnungsschicht wärmebeständige und durchlässige dielektrische Schichten aufgebracht, und zwar zum Schutz der Aufzeichnungsschicht vor Deformierung oder Rissen.
  • Ein bekanntes wiederbeschreibbares optisches Phasenänderungs-Speichermedium mit einer dielektrischen Schicht, die ZnS-Bestandteile enthält, wird auf einer oder auf jeder Seite einer Aufzeichnungsschicht mit einer Zwischenschicht aus Nitrid versehen, um die Aufzeichnungsschicht vor einem Eindringen von Schwefel zu schützen.
  • Bei einem anderen wiederbeschreibbaren optischen Phasenänderungs-Speichermedium ist auf einer dielektrischen Schicht auf der zur Auftreffseite des Lasers entgegengesetzten Seite eine metallische Reflexionsschicht vorgesehen, die als Hauptbestandteil Al, Ag, usw. aufweist, und zwar im Hinblick auf einen hohen Reflexionsgrad.
  • Jüngere optische Phasenänderungs-Speichermedien mit hoher Aufzeichnungsdichte erfordern eine hohe Aufzeichnungsgeschwindigkeit. Beispielsweise bieten jüngere wiederbeschreibbare optische Phasenänderungs-Speichermedien wie etwa eine DVD oder DVD-RW eine maximale Lineargeschwindigkeit vom 2,4-fachen der DVD-Geschwindigkeit, dennoch sind 25 Minuten zur Aufzeichnung pro DVD erforderlich. Eine praktische Aufzeichnungszeit beträgt 15 Minuten oder kürzer. Eine brauchbare maximale Lineargeschwindigkeit beträgt somit das 4-fache der DVD-Geschwindigkeit oder höher.
  • Das Aufzeichnen bei einer hohen Lineargeschwindigkeit wurde im Hinblick auf einen hohen Nutzwert von optischen Scheiben untersucht. Beispielsweise beträgt die Lineargeschwindigkeit zum Aufzeichnen bei 1-facher Geschwindigkeit entsprechend den DVD-Normen 3,5 m/s.
  • Die ungeprüften japanischen Patentveröffentlichungen Nr. 5(1993)-16528 und 5(1993)-4453 offenbaren optische Speichermedien, bei denen eine Ge-Sb-Te-Legierung oder eine Ge-Sb-Te-In-Legierung als Aufzeichnungsschicht genutzt wird.
  • Experimente, die von den Erfindern der vorliegenden Erfindung an optischen Speichermedien ausgeführt wurden, die auf diesen ungeprüften Patentveröffentlichungen basieren, haben eine geringe Kompatibilität zwischen DVD und DVD-RW, einen geringen Reflexionsgrad und anderes ergeben.
  • Das japanische Patent Nr. 3150267 offenbart ein optisches Speichermedium, bei dem eine Ge(oder Si)-Ag-In-Sb-Te-Legierung als Phasenänderungs-Aufzeichnungsschicht verwendet wird (Ge oder Si werden einer Ag-In-Sb-Te-Legierung zugesetzt), die hauptsächlich eine Zusammensetzung aufweist, die als [(AaBbCc)1-dDd]1-eEe ausgedrückt wird. Das Zeichen "A" gibt Ag und/oder Au an; "B" Sb und/oder Bi; "C" Te und/oder Se; "D" In oder In und Al und/oder P; und "E" eines oder mehrere der Elemente Si, Ge, Sn und P. Die Zeichen "a", "b", "c" und "d" geben Atomanteile an: 0,001 ≤ a ≤ 0,20; 0,40 ≤ b ≤ 0,90; 0,10 ≤ c ≤ 0,50 (a + b + c = 1); 0 ≤ d ≤ 0,06 und 0,001 ≤ e 0,10.
  • Die in dem japanischen Patent offenbarte Aufzeichnungsschicht umfasst zumindest ein Element, das aus der Gruppe bestehend aus Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mn, W und Mo ausgewählt ist. Das ausgewählte Element weist in der Aufzeichnungsschicht einen atomaren Anteil von 5 oder weniger auf.
  • Bei Experimenten, die von den Erfindern der vorliegenden Erfindung an dem in diesem japanischen Patent offenbarten optischen Speichermedium ausgeführt wurden, wurde eine Aufzeichnung mit hoher Lineargeschwindigkeit erreicht, aber nur in einem bestimmten eingeschränkten Bereich der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht. Bei einer Ausführungsform des japanischen Patents wird die Zusammensetzung [(AgaSbbTec)1-dInd]1-eSie (a = 0,123; b = 0,544; c = 0,333; d = 0,05; e = 0,017) für die Aufzeichnungsschicht genutzt. Das optische Speichermedium, das diese Zusammensetzung umfasst, ermöglichte ein Überschreiben bei einer maximalen Lineargeschwindigkeit von 12 m/s, was für eine Aufzeichnung mit einer Lineargeschwindigkeit vom 4-fachen der DVD-Geschwindigkeit oder höher von 14 m/s nicht ausreicht.
  • Die ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. 2002-264515 offenbart ein optisches Speichermedium, das eine Aufzeichnungsschicht aufweist, welche die Hauptelemente Ge, In, Sb und Te enthält. Diese Elemente weisen Zusammensetzungsanteile (Atom-%) α, β, γ bzw. δ auf, wobei α + β + γ + δ = 100 ist und 0,1 ≤ α ≤ 7; 1 ≤ β ≤ 9; 61 ≤ γ ≤ 75 und 22 ≤ δ ≤ 30 gilt.
  • Experimente, die von den Erfindern der vorliegenden Erfindung an dem in dieser ungeprüften Patentveröffentlichung offenbarten optischen Speichermedium ausgeführt wurden, haben eine Kristallisationsgeschwindigkeit von bis zum 3-fachen der DVD-Geschwindigkeit ergeben, was aber für eine Aufzeichnung bei 4-facher DVD-Geschwindigkeit oder höher nicht ausreichend ist.
  • Die ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung 2000-313170 offenbart ein optisches Speichermedium, das bei einem breiten Bereich von Lineargeschwindigkeiten beschrieben werden kann, wobei eine Aufzeichnungsschicht genutzt wird, die als [(SbxTe1-x)Ge1-y]zM1-z, ausgedrückt wird (0,7 ≤ x ≤ 0,9; 0,8 ≤ y < 1; 0,88 ≤ z < 1, wobei "M" In und/oder Ga ist).
  • Die US 2002/0160305 entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1 beschreibt eine Aufzeichnungsschicht in einem optischen Aufzeichnungsmedium, die eine Zusammensetzung von AzGey(SbxTe1-x)1-y-z aufweist, wobei 0,75 ≤ x ≤ 0,9; 0,01 ≤ y ≤ 0,08; 0,03 ≤ y + z ≤ 0,10 gilt.
  • Die EP 1148485 beschreibt ein optisches Aufzeichnungsmedium, bei welchem die Rillentiefen auf einer Hauptoberfläche im Bereich von 35 bis 45 nm gesteuert werden.
  • Bei Experimenten, die von den Erfindern der vorliegenden Erfindung an dem optischen Speichermedium ausgeführt wurden, das in dieser ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung offenbart ist, wurde eine Aufzeichnung mit hoher Lineargeschwindigkeit erzielt, aber nur in einem bestimmten eingeschränkten Bereich der Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht, oder für 0,72 ≤ x ≤ 0,74, es zeigte sich aber eine relativ geringe Kristallisationsgeschwindigkeit, die für eine Aufzeichnung bei 4-facher DVD-Geschwindigkeit oder höher nicht ausreicht.
  • Wie vorstehend diskutiert, weisen die bekannten wiederbeschreibbaren optischen Phasenänderungs-Speichermedien keine Eigenschaften auf, mit denen eine Aufzeichnung bei höherer Lineargeschwindigkeit wie beispielsweise 4-facher DVD-Geschwindigkeit oder höher ausführbar ist. Im Detail zeigen die bekannten Speichermedien einen geringen Reflexionsgrad oder eine geringe Kristallisationsgeschwindigkeit, was die Aufzeichnungsschichten betrifft, sodass sich amorphe (nichtkristalline) Abschnitte in den kristallisierten Abschnitten auf der Aufzeichnungsschicht bei einer Aufzeichnung mit hoher Lineargeschwindigkeit bilden.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung wird eine optische Scheibe gemäß Anspruch 1 zur Verfügung gestellt, die Eigenschaften aufweist, welche eine Aufzeichnung mit hoher Lineargeschwindigkeit, beispielsweise dem 4-fachen der DVD-Geschwindigkeit oder höher, ermöglichen, und die unempfindlich im Hinblick auf mehrfaches Überschreiben ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine optische Scheibe zur Verfügung gestellt, welche ein Substrat, eine erste Schutzschicht, die auf dem Substrat ausgebildet ist, eine Aufzeichnungsschicht, die auf der ersten Schutzschicht ausgebildet ist, eine zweite Schutzschicht, die auf der Aufzeichnungsschicht ausgebildet ist, und eine reflektierende Schicht, die auf der zweiten Schutzschicht ausgebildet ist, umfasst, wobei die Aufzeichnungsschicht eine Zusammensetzung aufweist, die als (SbxTe1-x)aGebInc ausgedrückt wird, in welcher die Atomanteile 0,77 ≤ x ≤ 0,84; 0,85 ≤ a ≤ 0,95; 0,01 ≤ b ≤ 0,10 und 0,01 ≤ c ≤ 0,10 betragen, wobei a + b + c = 1 gilt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 stellt eine fragmentarische, vergrößerte, vertikale Längsschnittansicht einer Ausführungsform einer optischen Scheibe entsprechend der vorliegenden Erfindung dar;
  • 2 ist eine Darstellung der Aufzeichnungsstrategie der Modulation der Laserimpulse;
  • 3 ist eine Darstellung der Signalwellen, die bei 6-facher Geschwindigkeit aufgezeichnet werden;
  • 4 ist eine Darstellung der Berechnung der modulierten Amplitude;
  • 5 stellt eine Tabelle mit Aufzeichnungseigenschaften für Beispiele gemäß der vorliegenden Erfindung sowie für Vergleichsmuster dar;
  • 6 stellt einen Graph dar, der die modulierte Amplitude sowie den Reflexionsgrad in Abhängigkeit von der Rillentiefe in dem Substrat angibt; und
  • 7 ist eine Darstellung einer bekannten Aufzeichnungsstrategie.
  • Detaillierte Beschreibung der Ausführung
  • Eine Ausbildungsform entsprechend der vorliegenden Erfindung soll mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen offenbart werden.
  • Wie in 1 dargestellt ist, weist eine optische Scheibe 10 entsprechend der vorliegenden Erfindung einen geschichteten Aufbau auf, wobei zumindest eine erste Schutzschicht 2, eine Aufzeichnungsschicht 3, eine zweite Schutzschicht 4 sowie eine Reflexionsschicht 5 in Lagen auf einem Substrat 1 in der genannten Reihenfolge aufgebracht sind. Eine dritte Schutzschicht 6 kann auf der Reflexionsschicht 5 vorgesehen sein.
  • Die Aufzeichnungsschicht 3 weist eine Zusammensetzung auf, die als (SbxTe1-x)aGebInc ausgedrückt wird. Die Zeichen "x", "a", "b" und "c" geben die Atomanteile an: 0,77 ≤ x ≤ 0,84; 0,85 ≤ a ≤ 0,95; 0,01 ≤ b ≤ 0,10 und 0,01 ≤ c ≤ 0,10 (a + b + c = 1), und für eine Kombination von Ge und In gilt –0,05 ≤ b – c ≤ 0,05.
  • Die Aufzeichnungsschicht 3 enthält zumindest ein Element, das aus der Gruppe bestehend aus Ag, Si, Al, Ti, Bi und Ga ausgewählt ist. Dieses ausgewählte Element ist mit 3 Atom-% oder weniger in der Aufzeichnungsschicht 3 vorhanden.
  • Die reflektierende Schicht 5 enthält Ag als einen Hauptbestandteil. Das Substrat 1 weist eine spiralförmige Rille oder konzentrische Rillen mit einer Tiefe dg von 20 nm ≤ dg ≤ 30 nm auf.
  • Die optische Scheibe 10 entsprechend der vorliegenden Erfindung kann als eine optische Phasenänderungsscheibe wie beispielsweise eine DVD-RW und als ein wiederbeschreibbares Medium genutzt werden, auf welchem Daten mehrmals überschrieben werden können.
  • Die folgende Offenbarung erfolgt für eine DVD-RW, für welche die optische Scheibe 10 entsprechend der vorliegenden Erfindung zur Anwendung kommt.
  • Das Substrat 1 besteht aus transparentem Material, das unempfindlich gegenüber Staub, Rissen usw. bei der Aufzeichnung mit einem Laserstrahl L ist, der auf eine Substratoberfläche 1a auftrifft, wie in 1 gezeigt ist. Ein solches transparentes Material ist Glas, Polycarbonat-Harz, Polymethyl, Methacrylatharz, Polyolefinharz, Epoxydharz, Polyimidharz usw. Von diesen Materialien stellt Polycarbonat-Harz aufgrund seiner niedrigen Doppelbrechung und Hygroskopizität und außerdem aufgrund der Biegbarkeit die beste Wahl dar.
  • Die brauchbare Dicke für das Substrat 1 liegt im Bereich von 0,01 mm bis 5 mm. Eine Dicke von 0,6 mm ist für eine DVD-RW brauchbar (mit einer Gesamtdicke von 1,2 mm). Bei einer dünneren Dicke als 0,01 mm besteht eine Anfälligkeit gegenüber Staub, selbst bei Aufzeichnung mit einem fokussierten Laserstrahl, der auf die Substratoberfläche 1a auftrifft. Bei einer höheren Dicke als 5 mm wird es schwerer, einer Objektivlinse eine hohe numerisch Apertur zu geben, wodurch eine große Fleckgröße des Laserstrahls bewirkt wird, sodass sich die Aufzeichnungsdichte vermindert.
  • Das Substrat 1 kann ein flexibles oder ein starres Substrat darstellen. Ein flexibles Substrat wird für bandartige, plattenartige oder kartenartige Speichermedien genutzt. Ein starres Substrat wird für kartenartige oder scheibenartige Speichermedien genutzt.
  • Es können zwei Substrate 1 vorbereitet werden, danach wird die erste Schutzschicht 2, die Aufzeichnungsschicht 3, die zweite Schutzschicht 4, die Reflexionsschicht 5 und die dritte Schutzschicht 6 in Lagen auf jedes Substrat aufgebracht. Die beiden Substrate können an ihren Rückseiten aneinander befestigt werden, sodass sie eine Struktur mit Luft in Zwischenlage, eine Struktur mit Lufteinlass oder eine Struktur mit enger Haftung bilden.
  • Die erste und die zweite Schutzschicht 2 und 4 schützen das Substrat 1 und die Aufzeichnungsschicht 3 vor Wärme, die ansonsten eine Deformierung bewirken könnte, sodass sich die Aufzeichnungseigenschaften verschlechtern, und dienen außerdem der Verbesserung des Signalskontrasts bei der Wiedergabe durch optische Interferenzen.
  • Die erste und die zweite Schutzschicht 2 und 4 sind für Laserstrahlen bei der Aufzeichnung und der Wiedergabe transparent, wobei sie jeweils einen Brechungsindex "n" von 1,9 ≤ n ≤ 2,3 aufweisen. Diese Schutzschichten brauchen nicht notwendigerweise aus dem gleichen Material zu bestehen oder die gleiche Zusammensetzung aufzuweisen. Eine Kompositschicht aus ZnS und SiO2 stellt im Hinblick auf eine hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit, einen hohen C/N-Wert, eine gute Löschbarkeit usw. für wiederholtes Aufzeichnen und Löschen die beste Wahl für diese Schutzschichten dar.
  • Die erste Schutzschicht 2 weist eine Dicke im Bereich von 5 bis 500 nm auf. Ein brauchbarer Bereich im Hinblick auf Rissbildungen und Abplatzen von dem Substrat 1 oder der Aufzeichnungsschicht 3 liegt jedoch bei 40 bis 300 nm.
  • Der brauchbare Bereich für die Dicke der zweiten Schutzschicht 4 beträgt 0,5 bis 50 nm, im Hinblick auf gute Aufzeichnungseigenschaften wie einen hohen C/N-Wert, eine gute Löschbarkeit usw. und außerdem im Hinblick auf ein stabiles mehrfaches Überschreiben.
  • Das Material der Reflexionsschicht 5 umfasst ein Metall wie beispielsweise Al, Au oder Ag, welches ein optisches Reflexionsvermögen aufweist, oder eine Legierung aus einem beliebigen dieser Metalle als Hauptbestandteil sowie einem zusätzlichen Element, das aus einem oder mehreren Metallen oder Halbleitern besteht. Sie kann aber auch eine Mischung aus Al, Au oder Ag und ein Metallnitrid, Metalloxid oder Metallchalkogenid, das Al oder Si aufweist, umfassen.
  • Ein Metall wie Al, Au oder Ag und eine Legierung aus einem beliebigen dieser Metalle als Hauptbestandteil sind im Hinblick auf einen hohen optischen Reflexionsgrad und außerdem im Hinblick auf eine hohe Wärmeleitfähigkeit als Material für die reflektierende Schicht 5 brauchbar.
  • Eine empfohlene Legierung besteht aus Al und zumindest einem Element, das aus der Gruppe bestehend aus Si, Mg, Cu, Pd, Ti, Cr, Hf, Ta, Nb, Mn, Zr usw. ausgewählt ist. Eine weitere empfohlene Legierung besteht aus Au oder Ag und zumindest einem Element, das aus der Gruppe bestehend aus Cr, Ag, Cu, Pd, Pt, Ni, Nd usw. ausgewählt ist. Diese Legierungen weisen gute umweltbeständige Eigenschaften im Hinblick auf hohe Temperatur, hohe Luftfeuchtigkeit usw. auf. Die beste Wahl für eine Aufzeichnung mit hoher Lineargeschwindigkeit ist ein Metall oder eine Legierung, die als Hauptbestandteil Ag enthält, das eine optische Konstante mit einem kleinen Realteil aufweist.
  • Die brauchbare Dicke für die reflektierende Schicht 5 liegt im Bereich von 50 bis 300 nm, und zwar in Abhängigkeit von der Wärmeleitfähigkeit des Metalls oder der Legierung, die für diese Schicht genutzt wird. Bei einer Dicke von 50 nm oder mehr ergibt sich keine Änderung bei den optischen Faktoren wie beispielsweise dem Reflexionsgrad, dagegen aber starke Auswirkungen auf die Kühlgeschwindigkeit. Bei einer Dicke von mehr als 300 nm vermindert sich die Produktionseffizienz aufgrund der langen Zeit zur Herstellung einer solch dicken Schicht. Daher muss die Dicke in dem vorstehenden brauchbaren Bereich angepasst werden, indem unter Berücksichtigung der Kühlgeschwindigkeit Material mit hohem Wärmereflexionsgrad genutzt wird.
  • Jede Schicht, welche die reflektierende Schicht 5 berührt, beispielsweise die zweite Schutzschicht 4, besteht vorzugsweise aus einem Material, das keinen Schwefel (S) enthält, wenn die letztere Schicht aus einem Material besteht, das reines Silber (Ag) oder eine Silberlegierung umfasst. Dies ist der Fall, weil bei einer Übereinanderschichtung einer schwefelhaltigen Schicht und der Schutzschicht 5, die aus einem Material besteht, das reines Silber oder eine Silberlegierung umfasst, nach langer Lagerung Defekte auftreten könnten, die durch Bildung einer AgS-Verbindung aufgrund der Diffusion von Schwefel aus der ersteren Schicht in die letztere Schicht bewirkt werden.
  • Die Aufzeichnungsschicht 3 (eines der Merkmale der vorliegenden Erfindung) stellt einer Legierungsschicht aus einer Ge-In-Sb-Te-Legierung oder einer Ge-In-Sb-Te-Legierung mit Ag oder zumindest einem Element, das aus der Gruppe bestehend aus Si, Al, Ti, Bi und Ga ausgewählt ist, dar. Die brauchbare Dicke für die Aufzeichnungsschicht 3 liegt im Bereich von 10 bis 25 nm, im Hinblick auf eine geringe Laserleistung bei der Aufzeichnung. Eine Dicke unter 10 nm bewirkt eine schwere Kristallisierung der Aufzeichnungsschicht 3, wogegen bei mehr als 25 nm eine hohe Laserleistung bei der Aufzeichnung erforderlich ist.
  • Auf einer oder auf jeder Seite der Aufzeichnungsschicht 3 kann eine Zwischenschicht vorgesehen sein. Eine Anforderung für die Zwischenschicht besteht darin, dass sie keine Schwefelbestandteile enthält, welche ansonsten aufgrund eines wiederholten Überschreibens in die Aufzeichnungsschicht 3 eindringen könnten und somit die Aufzeichnungs-, Löscheigenschaften usw. verschlechtern könnten.
  • Es ist vorzuziehen, dass die Zwischenschicht zumindest ein Material aus Nitrid, Oxid oder Carbid enthält. Empfohlene. Materialien sind Germaniumnitrid, Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Chromoxid, Siliziumcarbid und Kohlenstoff. Zumindest eines dieser Materialien wird vorzugsweise als Material für die Zwischenschicht genutzt. Diesen Stoffen kann Sauerstoff, Stickstoff, Wasserstoff usw. zugesetzt werden. Dabei kann das Nitrid, Oxid und Carbid von der stöchiometrischen Zusammensetzung abweichen. Mit anderen Worten kann Stickstoff, Sauerstoff oder Kohlenstoff in höherem oder geringerem Anteil in dem Material vorliegen, wodurch die Zwischenschicht insofern verbessert werden kann, dass sie sich schwer ablöst, also für eine lange Lagerung vorteilhaft ist.
  • Die zweite Schutzschicht 4 besteht vorzugsweise aus einer Verbindung von ZnS und SiO2. Zwischen der zweiten Schutzschicht 4 und der reflektierenden Schicht 5 kann eine Diffusionsschutzschicht vorgesehen werden, wenn die Schicht 5 Ag oder eine Legierung mit Ag enthält. Damit wird eine Verminderung des Reflexionsgrades der reflektierenden Schicht 5 eingeschränkt, welche ansonsten aufgrund einer Reaktion von Schwefel (S), der in der zweiten Schutzschicht 4 enthalten ist, und Silber (Ag) in der reflektierenden Schicht 5, sodass sich eine AgS-Verbindung bildet, auftreten könnte.
  • Eine Anforderung für die Diffusionsschutzschicht besteht wie bei der Zwischenschicht darin, dass diese keine Schwefelbestandteile enthält. Es ist vorteilhaft, wenn die Diffusionsschutzschicht zumindest ein Material aus einem Nitrid, Oxid oder Carbid enthält. Empfohlene Materialien sind Germaniumnitrid, Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Chromoxid, Siliziumcarbid und Kohlenstoff. Als Material für die Diffusionsschutzschicht wird vorzugsweise zumindest eines dieser Materialien genutzt. Diesen Materialien kann Sauerstoff, Stickstoff, Wasserstoff usw. zugesetzt werden. Das Nitrid, Oxid und Carbid kann von der stöchiometrischen Zusammensetzung abweichen. Mit anderen Worten kann in dem Material mehr oder weniger Stickstoff, Sauerstoff oder Kohlenstoff vorhanden sein.
  • Die Lichtquelle, die bei der Aufzeichnung auf dem optisches Speichermedium entsprechend der vorliegenden Erfindung genutzt werden soll, kann einen Laserstrahl oder ein Stroboskoplicht mit hoher optischer Intensität darstellen. Eine empfohlene Lichtquelle ist ein Halbleiterlaser, aufgrund seiner Kompaktheit, seiner geringen Leistungsaufnahme und seiner einfachen Modulation.
  • Bei der Aufzeichnung wird die Aufzeichnungsschicht 3 Laserimpulsen ausgesetzt, während sie in einer kristallinen Phase vorliegt, sodass auf dieser Aufzeichnungsmarken in amorpher Phase ausgebildet werden. Umgekehrt können Aufzeichnungsmarken in kristalliner Phase auf der Aufzeichnungsschicht 3 ausgebildet werden, während die Schicht in einer amorphen Phase vorliegt.
  • Beim Löschen werden die Aufzeichnungsmarken in amorpher Phase einem Laserstrahl ausgesetzt, sodass sie in eine kristalline Phase umgewandelt werden, oder in kristalliner Phase vorliegende Aufzeichnungsmarken werden einem Laserstrahl ausgesetzt, sodass sie in eine amorphe Phase umgewandelt werden.
  • Empfohlen wird für die Aufzeichnungsmarken eine amorphe Phase, welche einer Hochgeschwindigkeitsaufzeichnung zugänglich ist und kaum Deformationen der Aufzeichnungsschicht 3 verursacht.
  • Als Laserstrahlen werden beim Ausbilden der Aufzeichnungsmarken Strahlen mit hoher optischer Intensität empfohlen, dagegen relativ schwache beim Löschen und beim Ein-Strahl-Überschreiben, was ein Überschreiben durch einmalige Einstrahlung eines Strahls betrifft, bei dem eine kurze Überschreibzeit gefordert ist.
  • Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung des optischen Speichermediums entsprechend der vorliegenden Erfindung offenbart.
  • Die Übereinanderschichtung der ersten Schutzschicht 2, der Aufzeichnungsschicht 3, der zweiten Schutzschicht 4 und der reflektierenden Schicht 5 (und außerdem der dritten Schutzschicht 6) auf dem Substrat 1 kann durch ein bekanntes Vakuum-Dünnschicht-Ausbildungsverfahren erfolgen, beispielsweise durch Vakuumverdampfung (Widerstandsheizung oder Elektronenstrahlverdampfung), Ionenbeschichtung oder Sputtern (Gleichstrom-, Wechselstrom- oder reaktives Sputtern). Das praktikabelste ist das Sputtern, und zwar aufgrund der einfachen Einstellmöglichkeiten der Zusammensetzung und der Schichtdicke.
  • Die Herstellung erfolgt vorzugsweise in einer Vakuum-Schichtausbildungsvorrichtung (Chargenprozess zur gleichzeitigen Beschichtung einer Vielzahl von Substraten 1 in einer Vakuumkammer oder Ein-Scheiben-Prozess zur Beschichtung der Substrate 1 nacheinander).
  • Anpassungen der Schichtdicke für die erste und die zweite Schutzschicht 2 und 4 (und die dritte Schutzschicht 6), die Aufzeichnungsschicht 3 und die reflektierende Schicht 5 können erfolgen, indem die Leistung der Sputterstromversorgung sowie die Periode des Anschaltens der Stromversorgung gesteuert werden oder der Abscheidungsfortschritt für jede Schicht durch einen Quarzkristall-Schichtdickemonitor überwacht wird.
  • Diese Schichten können auf dem Substrat 1 ausgebildet werden, während das Substrat befestigt ist, transportiert wird oder gedreht wird. Es ist vorzuziehen, das Substrat 1 um seine Achse zu drehen, und noch vorteilhafter mit einer Umlaufbewegung, und zwar im Hinblick auf eine größere Einheitlichkeit der Schichtdicke. Das Substrat 1 wird vorzugsweise gekühlt, um ein Verziehen zu beschränken.
  • Diese Schichten können mit einer dielektrischen Schicht aus ZnS oder SiO2 oder mit einer Schutzschicht aus Kunstharz beschichtet werden, darunter einem Kunstharz, das unter ultraviolettem Licht aushärtet. Nachdem die Schichten ausgebildet sind (und ferner mit der dielektrischen Schicht oder der Schutzschicht aus Kunstharz beschichtet sind), können zwei Substrate 1 mit einem Klebstoff usw. übereinander gestapelt werden.
  • Die Aufzeichnungsschicht 3 wird vorzugsweise vor dem Aufzeichnen einem Laserstrahl oder einer elektronischen Xenon-Blitzlichtlampe ausgesetzt, und zwar zur Kristallisation.
  • Als nächstes wird ein Vergleich zwischen den Beispielen 1 bis 12 (optische Phasenänderungs-Speichermedien) des optischen Speichermediums entsprechend der vorliegenden Erfindung sowie den Vergleichsmustern 1 bis 9 optischer Phasenänderungs-Speichermedien diskutiert.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei den Ausführungsformen entsprechend der folgenden Spezifikationen:
    Überschreiben mit einem Strahl: Plattenlaufwerktester (DDU1000, PULSETEC Co.), ausgerüstet mit einer Laserdiode mit einer Wellenlänge von 650 nm und einer optischen Linse mit einer NA = 0,60.
  • Lineargeschwindigkeit der Aufzeichnung: 14 m/s (entsprechend der 4-fachen DVD-Geschwindigkeit) sowie 21 m/s (entsprechend der 6-fachen DVD-Geschwindigkeit) mit einem 8–16 Modulationszufallsmuster.
    • Taktperiode T: 9,6 ns für 14 m/s; 6,3 ns für 21 m/s.
    • Bitlänge: 0,267 μm/Bit.
  • Die Aufzeichnung erfolgte zehn mal (Überschreiben) auf einer Zielspur und benachbarten Spuren mit der gleichen Dichte wie bei einer DVD-ROM mit einer Kapazität von 4,7 GByte. Die Signale wurden mit einer konstanten Leistung von 0,7 mW (Wiedergabeleistung Pr) reproduziert und in der Mitte der Signalpegel geteilt, zur Messung des Takt-zu-Daten-Jitter bei 7,0 m/s (Lineargeschwindigkeit) durch ein Wiedergabegerät (LM220A, SHIBASOKU Co.).
  • Im Detail erfolgte die Aufzeichnung mit einer Impulssequenz, die entsprechend der folgenden Aufzeichnungsstrategie (Impulsmuster) unterteilt war:
    Bei der Ausbildung einer Aufzeichnungsmarke mit einer Länge nT (wobei T eine Taktzeit bei einer gegebenen Lineargeschwindigkeit ist), wurden die Impulse gemäß einer Regel geteilt: m = (n – k)/2, k = 3 (wobei n eine ungeradzahlige Zahl ist) oder k = 4 (wobei n eine geradzahlige Zahl ist). Die Impulse wurden mit einer Laserleistung mit drei Pegeln moduliert: Aufzeichnungsleistung Pw, Löschleistung Pe und Basis-Leistung Pb (Pw > Pe > Pb). Die Lasermodulation erfolgte in der Reihenfolge AtT, BtT, A1T, B1T, ..., AmT, BmT und CT, bei AtT, A1T, ..., und AmT für eine Periode mit konstanter Intensität für die Aufzeichnungsleistung Pw und bei BtT, B1T, BmT sowie CT für eine Periode mit konstanter Intensität für die Basis-Leistung Pb, wobei At3 + Bt3 = Atod + Btod = Am + Bm = 2T und At4 + Bt4 = Atev + Btev = 3T ist, wobei At3, At4, Atod und Atev für At bei n = 3, 4, n ≥ 5 (eine ungeradzahlige Anzahl), n ≥ 6 (eine geradzahlige Anzahl) sowie Bt3, Bt4, Btod und Btev für Bt bei n = 3, 4, n ≥ 5 (eine ungeradzahlige Anzahl), n ≥ 6 (eine geradzahlige Anzahl) ist.
  • Diese Aufzeichnungsspezifikationen ergaben ein ausreichend schnelles Kühlverhalten für das optische Speichermedium, das eine hohe Kristallisationsgeschwindigkeit bietet, sodass die Rekristallisation von Aufzeichnungsmarken erfolgreich eingeschränkt wurde.
  • Als Ergebnisse wurden Anpassungen hinsichtlich der Dicke und der Länge der Aufzeichnungsmarken bei gewünschten Pegeln erreicht, durch die sich ausreichende Signalpegel ergaben.
  • Es wurde festgestellt, dass sich durch At, variiert mit n = 3, 4, n ≥ 5 (eine ungeradzahlige Anzahl) n ≥ 6 (eine geradzahlige Anzahl) und geteilt in Parameter At3 (n = 3), At4 (n = 4), Atod (n ≥ 5) und Atev (n ≥ 6) gute Signalcharakteristiken ergaben.
  • Eine quantitative Analyse der Zusammensetzungen der Aufzeichnungsschicht 3 erfolgte mit Hilfe eines Röntgen-Fluoreszenzspektrometers (SRS303, SIEMENS Co.).
  • [Beispiel 1]
  • Die jeweiligen in 1 gezeigten Schichten wurden auf einem Substrat 1 bereitgestellt, welches aus Polycarbonat-Harz mit einem Durchmesser von 120 mm und einer Dicke von 0,6 mm bestand. Auf dem Substrat 1 waren Rillen mit einem Spurabstand von 0,74 μm und einer Tiefe von 25 nm ausgebildet, mit einem Verhältnis von Rillenbreite zu Erhebungsbreite von ungefähr 40:60.
  • Eine Vakuumkammer zur Dünnschichtausbildung wurde auf 3 × 10–4 Pa abgepumpt. Die Kammer wurde mit Ar-Gas mit 2 × 10–1 Pa gefüllt, und auf das Substrat wurde ZnS einschließlich 20 mol% SiO2 aufgebracht, um die erste Schutzschicht 2 mit einer Dicke von 60 nm auszubilden, und zwar durch Hochfrequenz-Magnetronsputtern.
  • Die Aufzeichnungsschicht 3 wurde in einer Dicke von 16 nm {anteilige Zusammensetzung: Ge2In5Sb76Te17, x = 0,817 (Verhältnis von Sb zu Te)} auf der ersten Schutzschicht 2 durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, Sb und Te und einem weiteren 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus In, Sb und Te ausgebildet.
  • Auf der Aufzeichnungsschicht 3 wurde in einer Lage die zweite Schutzschicht 4 aufgebracht, mit einer Dicke von 16 nm, wobei sie aus dem gleichen Material wie die erste Schutzschicht 2 bestand, sowie die Reflexionsschicht 5 mit einer Dicke von 120 nm von einem Ag-Pd-Cu-Target.
  • Das Substrat 1 mit den Schichtlagen wurde aus der Vakuumkammer entnommen. Die Reflexionsschicht 5 wurde mit einem unter Ultraviolett aushärtendem Acrylharz (SK51110 SONY CHEMICAL Co.) durch Schleuderbeschichtung beschichtet. Das Kunstharz wurde ultravioletten Strahlen ausgesetzt, sodass es aushärtete, um die dritte Schutzschicht 6 mit einer Dicke von 3 μm auf der Reflexionsschicht 5 auszubilden.
  • Ein weiteres Substrat 1 wurde mit dem gleichen Prozess wie vorstehend offenbart hergestellt. Die beiden Substrate 1 wurden mit einer Klebstofflage übereinander gestapelt, sodass eine doppelseitige optische Scheibe hergestellt wurde.
  • Die doppelseitige optische Scheibe wurde einem Laser mit einem breiten Strahl ausgesetzt, dessen Breite in der Richtung der Spuren auf der Scheibe breiter war als eine weitere Breite in der Richtung des Radius der Scheibe, sodass diese auf eine Kristallisationstemperatur oder höher erwärmt wurde, und zwar zur Initialisierung.
  • Die Aufzeichnung erfolgte in Führungsrillen der Phasenänderungs-Aufzeichnungsschicht 3 von der Substratseite aus. Die Rillen wiesen von der Richtung des auftreffenden Laserstrahls aus betrachtet eine konvexe Form auf.
  • Folgende Aufzeichnungsstrategie wurde genutzt:
    Breite des Impulses (2): At3 = 0,95 [T], Atod = 0,75 [T], At4 = Atev = 1,10 [T], Am = 0,95 [T] und C = 1,00 [T] bei einer Lineargeschwindigkeit von 14 m/s (entsprechend der 4-fachen Geschwindigkeit); At3 = 0,80 [T], Atod = 0,95 [T], At4 = Atev = 1,50 [T], Am = 0,90 [T] und C = 0,50 [T] bei einer Lineargeschwindigkeit von 21 m/s (entsprechend der 6-fachen Geschwindigkeit).
  • Taktzeit T: 9,6 ns bei 4-facher Geschwindigkeit; 6,3 ns bei 6-facher Geschwindigkeit.
  • Verzögerungszeit α31 (T) des obersten Impulses At für eine Markenlänge 3T, 4T und 5T und mehr, gefolgt von einem Zwischenraum von 3T: α33 = α34 = 0,1 bzw. α35 = 0,2.
  • Verzögerungszeit α41 (T) des oberen Impulses Tt für eine Markenlänge von 3T, 4T und 5T und mehr, gefolgt von einem Zwischenraum von 4T: α43 = α44 = 0,2 bzw. α45 = 0,3.
  • Verzögerungszeit α51 (T) für den oberen Impuls Tt für eine Markenlänge von 3T, 4T und 5T und mehr, gefolgt von einem Zwischenraum von 5T oder mehr: α53 = α54 = 0,3 bzw. α55 = 0,4.
  • Das Überschreiben erfolgte zehn mal auf einer Zielspur und den angrenzenden Spuren mit einer 4-fachen und 6-fachen Geschwindigkeit entsprechend der folgenden Strategie: Aufzeichnungsleistung Pw/Löschleistung Pe: 18,0/9,0 mW bei 4-facher Geschwindigkeit; 22,5/10,5 mW bei 6-facher Geschwindigkeit.
  • Basisleistung Pb: 0,5 mW bei 4- und bei 6-facher Geschwindigkeit.
  • Es erfolgten Messungen für Signale, die von der optischen Scheibe (Beispiel 1) wiedergegeben wurden, in Bezug auf Takt-zu-Daten-Jitter sowie Signalpegel (modulierte Amplitude).
  • Für das Beispiel 1 zeigten sich brauchbare Eigenschaften: Jitter 8,3 und 9,9 bei 4-facher bzw. 6-facher Geschwindigkeit; und für die modulierte Amplitude 72% und 67% bei 4-facher bzw. 6-facher Geschwindigkeit. In 3 ist ein Augendiagramm gezeigt, das bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit gegeben ist. In 4 ist eine modulierte Amplitude gezeigt, die bei |14/|14H × 100 gegeben ist.
  • Die Aufzeichnungseigenschaften für das Beispiel 1 und weitere Beispiele sowie auch für Vergleichsmustere sind in 5 gezeigt.
  • [Beispiel 2]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 2 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge2In3Sb74Te21, x = 0,779) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus In, Sb und Te und einem weiteren Target aus Ge ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher Geschwindigkeit entsprechend der Aufzeichnungsstrategie mit einer Impulsbreite (2): At3 = 1,10 [T], At4 = 1,50 [T], Atod = 1,00 [T], Atev = 1,50 [T], Am = 1,00 [T] und C = 0,30 [T].
  • Bei dem Beispiel 2 zeigten sich nahezu die gleichen Eigenschaften wie bei dem Beispiel 1, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei Messungen, die bei 4-facher Aufzeichnungs geschwindigkeit in der gleichen Weise wie bei Beispiel 1 ausgeführt wurden.
  • [Beispiel 3]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 3 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge2In3Sb79Te16, x = 0,832) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus In, Sb und Te und einem weiteren 2-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge und Sb ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der Aufzeichnungsstrategie mit einer Impulsbreite (2): At3 = 0,80 [T], At4 = 1,00 [T], Atod = 0,65 [T], Atev = 1,00 [T], Am = 0,80 [T] und C = 1,50 [T].
  • Bei dem Beispiel 3 zeigten sich nahezu die gleichen Eigenschaften wie bei dem Beispiel 1, wie in 5 gezeigt ist, und zwar unter Messungen, die bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit in der gleichen Weise wie bei Beispiel 1 ausgeführt wurden.
  • Eine weitere Aufzeichnung wurde mit einer Lineargeschwindigkeit von 28 m/s ausgeführt (8-fache Geschwindigkeit), und zwar entsprechend der Aufzeichnungsstrategie mit der Impulsbreite (2): At3 = 1,00 [T], Atod = 1,00 [T], At4 = Atev = 1,80 [T], Am = 1,00 [T] und C = 0,30 [T].
  • Ein Überschreiben erfolgte zehn mal auf einer Zielspur und benachbarten Spuren mit 8-facher Geschwindigkeit entsprechend der folgenden Strategie:
    Aufzeichnungsleistung Pw/Löschleistung Pe: 26,0/12,0 mW.
    Basis-Leistung Pb: 0,5 mW.
  • Es wurden Messungen an dem Beispiel 3 in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 ausgeführt. Bei dem Beispiel 3 zeigten sich brauchbare Eigenschaften: Takt-zu-Daten-Jitter 10,2 %, und modulierte Amplitude 62 %, wie in 5 gezeigt ist.
  • [Beispiel 4]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 4 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung:
    Ge7In7Sb70Te16, x = 0,814) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus In, Sb und Te und einem weiteren Target aus Ge ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der gleichen Aufzeichnungsstrategie wie bei dem Beispiel 1.
  • Das Beispiel 4 zeigte nahezu die gleichen Eigenschaften wie das Beispiel 1, bei 4-facher und bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei den gleichen Messungen wie bei dem Beispiel 1.
  • [Beispiel 5]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 5 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung:
    Ge7In2Sb75Te16, x = 0,824) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus In, Sb und Te und einem weiteren Target aus Ge ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der gleichen Aufzeichnungsstrategie wie bei dem Beispiel 1.
  • Das Beispiel 5 zeigte nahezu die gleichen Eigenschaften wie das Beispiel 1, bei 4-facher und bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei den gleichen Messungen wie bei Beispiel 1.
  • [Beispiel 6]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 6 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 {anteilmäßige Zusammensetzung:
    Ge1In5Sb77Te17 (x = 0,819) + Ag 1%} durch Co-Sputtern von einem 4-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, In, Sb und Te sowie einem weiteren Target aus Ag ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der gleichen Aufzeichnungsstrategie wie bei dem Beispiel 1.
  • Das Beispiel 6 zeigte nahezu die gleichen Eigenschaften wie das Beispiel 1, bei 4-facher und bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei den gleichen Messungen wie bei dem Beispiel 1.
  • [Beispiel 7]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 7 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 {anteilmäßige Zusammensetzung:
    Ge1In5Sb77Te17 (x = 0,819) + Ti 1%} durch Co-Sputtern von einem 4-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, In, Sb und Te und einem weiteren Target aus Ti ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der gleichen Aufzeichnungsstrategie wie bei dem Beispiel 1.
  • Das Beispiel 7 zeigte nahezu die gleichen Eigenschaften wie das Beispiel 1, bei 4-facher und bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei den gleichen Messungen wie bei dem Beispiel 1.
  • [Beispiel 8]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 8 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 {anteilmäßige Zusammensetzung:
    Ge1In5Sb77Te17 (x = 0,819) + Si 1%} durch Co-Sputtern von einem 4-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, In, Sb und Te und einem weiteren Target aus Si ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der gleichen Aufzeichnungsstrategie wie bei dem Beispiel 1.
  • Das Beispiel 8 zeigte nahezu die gleichen Eigenschaften wie das Beispiel 1, bei 4-facher und bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei den gleichen Messungen wie bei dem Beispiel 1.
  • [Beispiel 9]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 9 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 {anteilmäßige Zusammensetzung:
    Ge1In5Sb77Te17 (x = 0,819) + Al 1%} durch Co-Sputtern von einem 4-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, In, Sb und Te und einem weiteren Target aus Al ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der gleichen Aufzeichnungsstrategie wie bei dem Beispiel 1.
  • Das Beispiel 9 zeigte nahezu die gleichen Eigenschaften wie das Beispiel 1, bei 4-facher und bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei den gleichen Messungen wie bei dem Beispiel 1.
  • [Beispiel 10]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 10 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 {anteilmäßige Zusammensetzung:
    Ge1In5Sb77Te17 (x = 0,819) + Bi 2%} durch Co-Sputtern von einem 4-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, In, Sb und Te und einem weiteren Target aus Bi ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der gleichen Aufzeichnungsstrategie wie bei dem Beispiel 1.
  • Das Beispiel 10 zeigte nahezu die gleichen Eigenschaften wie das Beispiel 1, bei 4-facher und bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei den gleichen Messungen wie bei dem Beispiel 1.
  • [Beispiel 11]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 11 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 {anteilmäßige Zusammensetzung:
    Ge1In5Sb77Te17 (x = 0,819) + Ga 2%} durch Co-Sputtern von einem 4-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, In, Sb und Te und einem weiteren Target aus Ga ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der gleichen Aufzeichnungsstrategie wie bei dem Beispiel 1.
  • Das Beispiel 11 zeigte nahezu die gleichen Eigenschaften wie das Beispiel 1, bei 4-facher und bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei den gleichen Messungen wie bei dem Beispiel 1.
  • [Beispiel 12]
  • Die optische Scheibe des Beispiels 12 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 hergestellt, außer dass die reflektierende Schicht 5 durch Sputtern unter Nutzung einer Ag-Nd-Cu-Legierung ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung erfolgte bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit entsprechend der gleichen Aufzeichnungsstrategie wie bei dem Beispiel 1.
  • Das Beispiel 12 zeigte nahezu die gleichen Eigenschaften wie das Beispiel 1, bei 4-facher und bei 6-facher Aufzeichnungsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist, und zwar bei den gleichen Messungen wie bei dem Beispiel 1.
  • [Vergleichsmuster 1]
  • Die optische Scheibe des Vergleichsmusters 1 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge2In5Sb71Te22, x = 0,763) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, Sb und Te sowie einem weiteren 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus In, Sb und Te ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung auf dem Muster 1 schlug bei 4-facher Geschwindigkeit und höher fehl, und zwar insofern, als ein Teil einer Aufzeichnungsmarke in einem Zwischenraumabschnitt des Vergleichsmusters 1 ausgebildet wurde, und zwar aufgrund einer niedrigen Kristallisationsgeschwindigkeit, wie in 5 gezeigt ist.
  • [Vergleichsmuster 2]
  • Die optische Scheibe des Vergleichsmusters 2 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge1In4Sb81Te14, x = 0,852) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, Sb und Te sowie einem weiteren 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus In, Sb und Te ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung auf dem Muster 2 schlug bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit fehl, und zwar insofern, als die modulierten Amplituden bei beiden Geschwindigkeiten unterhalb von 60 % (DVD-RW-Normen) lagen, wie in 5 gezeigt ist.
  • [Vergleichsmuster 3]
  • Die optische Scheibe des Vergleichsmusters 3 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge1In2Sb77Te20, x = 0,794) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, Sb und Te und einem weiteren Target aus Ge ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung auf dem Muster 3 schlug bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit fehl, und zwar insofern, als die amorphen Marken bei Lagerungsbedingungen von 80°C kristallisiert waren, und zwar für ein Signal, das wiedergegeben wurde, nachdem das Muster 3 bei 80°C und 85 % 96 Stunden lang gelagert worden war, wobei eine Verminderung der modulierten Amplituden bewirkt wurde, wogegen der Takt-zu-Daten-Jitter 8,4 % und 10,2 % bei 4-facher bzw. 6-facher Geschwindigkeit betrug, was allerdings wie bei den Beispielen der vorliegenden Erfindung vorteilhaft ist, wie in 5 gezeigt ist.
  • [Vergleichsmuster 4]
  • Die optische Scheibe des Vergleichsmusters 4 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge12In7Sb66Te15, x = 0,815) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, Sb und Te und einem weiteren Target aus Ge ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung auf dem Muster 4 schlug bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit fehl, und zwar insofern, als der Takt-zu-Daten-Jitter 14,7 % und 20,4 % bei 4-facher bzw. 6-facher Geschwindigkeit betrug, mehr als derjenige bei den Beispielen 1 bis 11 der vorliegenden Erfindung, mit einem ungünstigen Reflexionsgrad von weniger als 18 % (DVD-RW-Normen), wie in 5 gezeigt ist.
  • [Vergleichsmuster 5]
  • Die optische Scheibe des Vergleichsmusters 5 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge7In12Sb66Te15, x = 0,815) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, Sb und Te und einem weiteren Target aus In ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung auf dem Muster 5 schlug bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit fehl, und zwar insofern, als der Takt-zu-Daten-Jitter 14,2 % und 15,6 % bei 4-facher bzw. 6-facher Geschwindigkeit betrug, mehr als derjenige bei den Beispielen 1 bis 11 der vorliegenden Erfindung, mit einem ungünstigen Reflexionsgrad von weniger als 18 % (DVD-RW-Normen), wie in 5 gezeigt ist.
  • [Vergleichsmuster 6]
  • Die optische Scheibe des Vergleichsmusters 6 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge9In3Sb73Te15, x = 0,830) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, Sb und Te und einem weiteren Target aus Ge ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung auf dem Muster 6 schlug bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit fehl, und zwar insofern, als der Takt-zu-Daten-Jitter 14,1 % und 19,8 % bei 4-facher bzw. 6-facher Geschwindigkeit betrug, mehr als derjenige bei den Beispielen 1 bis 11 der vorliegenden Erfindung, wie in 5 gezeigt ist.
  • [Vergleichsmuster 7]
  • Die optische Scheibe des Vergleichsmusters 7 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge2In8Sb72Te18, x = 0,800) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, Sb und Te und einem weiteren Target aus In ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung auf dem Muster 7 schlug bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit fehl, und zwar insofern, als der Takt-zu-Daten-Jitter 13,2 % und 13,3 % bei 4-facher bzw. 6-facher Geschwindigkeit betrug, mehr als derjenige bei den Beispielen 1 bis 11 der vorliegenden Erfindung, wie in 5 gezeigt ist.
  • [Vergleichsmuster 8]
  • Die optische Scheibe des Vergleichsmusters 8 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung hergestellt, außer dass die Aufzeichnungsschicht 3 (anteilmäßige Zusammensetzung: Ge1In5Sb77Te17, x = 0,819) durch Co-Sputtern von einem 3-Elemente-Einzellegierungstarget aus Ge, In, Sb und Te und einem weiteren Target aus Co ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung auf dem Muster 8 schlug bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit fehl, und zwar insofern, als der Takt-zu-Daten-Jitter 17,4 % und 20,3 % bei 4-facher bzw. 6-facher Geschwindigkeit betrug, mehr als derjenige bei den Beispielen 1 bis 11 der vorliegenden Erfindung, wie in 5 gezeigt ist.
  • [Vergleichsmuster 9]
  • Die optische Scheibe des Vergleichsmusters 9 wurde in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung hergestellt, außer dass die reflektierende Schicht 5 mit einer Dicke von 170 nm durch Sputtern unter Nutzung einer Al-Ti-Legierung ausgebildet wurde.
  • Die Aufzeichnung auf dem Muster 9 schlug bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit fehl, und zwar insofern, als der Takt-zu-Daten-Jitter 12,2 % und 14,9 % bei 4-facher bzw. 6-facher Geschwindigkeit betrug, mehr als derjenige bei den Beispielen 1 bis 12 der vorliegenden Erfindung, wie in 5 gezeigt ist.
  • Wie vorstehend diskutiert, konnte, wenn das Verhältnis "x" von Sb zu Te 0,84 überschritt, wie bei dem Vergleichsmuster 2, bei 4-facher und 6-facher Geschwindigkeit keine brauchbare Modulation erreicht werden. Es wird vermutet, dass die Aufzeichnungsschicht umso leichter kristallisiert, je höher der Anteil an Sb ist, wodurch sich eine schlechte modulierte Amplitude ergibt.
  • Wenn im Gegensatz dazu das Verhältnis "x" von Sb zu Te unter 0,77 liegt, wie bei dem Vergleichsmuster 1, vermindert sich die Kristallisationsgeschwindigkeit, sodass bei 4-facher Geschwindigkeit oder höher ein Teil einer Aufzeichnungsmarke auf einem Zwischenraumabschnitt des Musterspeichermediums ausgebildet wird.
  • Der Vergleich zwischen den verschiedenen Beispielen entsprechend der vorliegenden Erfindung und den Vergleichsmustern zeigt, dass sich bei den Beispielen gemäß der vorliegenden Erfindung, die eine Aufzeichnungsschicht aufweisen, die aus (SbxTe1-x)aGebInc zusammengesetzt ist, wobei das Verhältnis "x" von Sb zu Te 0,77 ≤ x ≤ 0,84 beträgt, brauchbare modulierte Amplituden bei 1-facher bis 3-facher Geschwindigkeit und ebenso bei 4-facher und 6-facher Geschwindigkeit ergeben, ohne dass ein Teil einer Aufzeichnungsmarke in einem Zwischenraumabschnitt des exemplarischen Speichermediums ausgebildet wird.
  • Außerdem zeigten sich, wenn der Anteil "a" an Sb und Te 0,95 überstieg, wie bei dem Vergleichsmuster 3, schlechte Lagerungseigenschaften bei 80°C, indem eine Signaldämpfung bewirkt wurde. Dies ist der Fall, weil die Kristallisationstemperatur mit ansteigendem Anteil an Sb und Te niedriger wurde, wodurch während der Testlagerung eine Kristallisation von amorphen Abschnitten (Aufzeichnungsmarken), in welchen Signale aufgezeichnet waren, bewirkt wurde. Im Gegensatz dazu bewirkte ein Anteil "a" unterhalb von 0,85, wie bei den Vergleichsmustern 4 und 5, eine Abweichung der optischen Konstante aus einem brauchbaren Bereich, sodass der Reflexionsgrad der Scheibe vermindert war.
  • Es ist ferner offensichtlich, dass die Beispiele gemäß der vorliegenden Erfindung, die eine Aufzeichnungsschicht aufweisen, die aus (SbxTe1-x)aGebInc besteht, bei welcher der Anteil "a" an Sb und Te 0,85 ≤ x ≤ 0,95 beträgt, hohe Kristallisationstemperaturen zeigen, sodass die Aufzeichnungsmarken, in welchen Signale aufgezeichnet sind, bei 1-facher bis 3-facher Geschwindigkeit und auch bei 4- und 6-facher Geschwindigkeit nicht kristallisieren können. Ferner weisen diese Beispiele einen hohen prozentualen Anteil an zugesetzten Elementen auf, welcher keine Abweichung der optischen Konstante aus einem brauchbaren Bereich bewirkt, sodass sich der Reflexionsgrad nicht vermindert.
  • Bei einem Anteil "b" an Ge von mehr als 0,1, wie bei dem Vergleichsmuster 4, wurden starker Jitter und ein verminderter Reflexionsgrad der Scheibe bewirkt. Es wird vermutet, dass sich durch einen hohen prozentualen Anteil an Ge Kristallpartikel mit großem Durchmesser bilden, sodass sich die Genauigkeit der amorphen Marken verringert, sodass starker Jitter bewirkt wird. Liegt der Anteil "b" unter 0,01, so ist dies ebenfalls nicht brauchbar, da sich bei einem geringen prozentualen Anteil an Ge nicht die guten umweltbeständigen Eigenschaften gegenüber hohen Temperaturen, hoher Luftfeuchtigkeit usw. zeigen.
  • Es ergibt sich somit ferner, dass bei den Beispielen gemäß der vorliegenden Erfindung, die eine Aufzeichnungsschicht aufweisen, die sich aus (SbxTe1-x)aGebInc zusammensetzt, bei welcher der Anteil "b" an Ge bei 0,01 ≤ b ≤ 0,10 liegt, sich keine Kristallpartikel mit großem Durchmesser bilden, die ansonsten die Genauigkeit der amorphen Marken vermindern, sodass bei 1-facher bis 3-facher Geschwindigkeit und ebenfalls bei 4-facher und 6-facher Geschwindigkeit kein starker Jitter bewirkt wird. Diese Beispiele weisen ferner gute umweltbeständige Eigenschaften in Bezug auf hohe Temperatur, hohe Luftfeuchtigkeit usw. auf.
  • Wie bei dem Anteil "b" werden, wenn der Anteil "c" an In mehr als 0,1 beträgt, so wie bei dem Vergleichsmuster 5, starker Jitter und ein verminderter Reflexionsgrad der Scheibe bewirkt. Es wird vermutet, dass sich durch einen hohen prozentualen Anteil an In Cluster bildeten, die starken Jitter bewirkten. Wenn der Anteil "c" unter 0,01 liegt, so ist dies auch nicht praktikabel, um gute umweltbeständige Eigenschaften zu erzielen, weil sich bei einem niedrigen prozentualen Anteil an In zwangsläufig Ge erhöht.
  • Es ist also ferner offensichtlich, dass bei den Beispielen gemäß der vorliegenden Erfindung, die eine Aufzeichnungsschicht aufweisen, die aus (SbxTe1-x)aGebInc besteht, bei welcher der Anteil "c" an In bei 0,01 ≤ c ≤ 0,10 liegt, sich der Reflexionsgrad der Scheibe nicht vermindert, sodass bei 1-facher bis 3-facher Geschwindigkeit und ebenfalls bei 4-facher und 6-facher Geschwindigkeit kein starker Jitter bewirkt wird. Bei diesen Beispielen ist kein hoher Prozentanteil an Ge erforderlich, um gute umweltbeständige Eigenschaften zu erzielen.
  • Wie diskutiert erwies sich, dass ein höherer Prozentsatz an Ge oder In starken Jitter bewirkt. Außerdem wird offensichtlich, dass, wenn die Differenz der prozentualen Anteile an Ge und In größer als 0,06 ist, wie bei den Vergleichs mustern 6 und 7, starker Jitter bewirkt wurde, selbst wenn der prozentuale Anteil an Ge und In jeweils angemessen ist. Dies wurde jedoch noch nicht erklärt.
  • Es ist außerdem ferner offensichtlich, dass bei den Beispielen der vorliegenden Erfindung, bei denen die Aufzeichnungsschicht aus (SbxTe1-x)aGebInc besteht, wobei die Differenz der Anteile "b" an Ge und "c" an In bei –0,05 ≤ b – c ≤ 0,05 liegt, bei 1-facher bis 3-facher Geschwindigkeit und ebenfalls bei 4-facher und 6-facher Geschwindigkeit Jitter viel stärker unterdrückt wird als außerhalb dieses Bereichs.
  • Ferner wird offensichtlich, dass bei den Beispielen gemäß der vorliegenden Erfindung, die eine Aufzeichnungsschicht aufweisen, die aus (SbxTe1-x)aGebInc besteht, wobei die Differenz der Anteile "b" an Ge und "c" an In bei –0,05 ≤ b – c ≤ 0,05 liegt, sich mit zumindest einem Element M (5) von Ag, Si, Al, Ti, Bi und Ga gute Überschreibeigenschaften zeigen. Jedoch muss der Anteil des Elements M 3 Atom-% oder weniger betragen, wobei ansonsten starker Jitter bewirkt werden könnte, der die Überschreibeigenschaften verschlechtert. Der Zusatz eines weiteren Elements wie beispielsweise Co (Vergleichsmuster 8) als Element M verschlechterte die Aufzeichnungseigenschaften. In 5 bedeutet das Zeichen "X" in der Spalte "M", dass kein Element M zugesetzt ist.
  • Darüber hinaus wird offensichtlich, dass eine brauchbare Rillentiefe in dem Substrat 1 im Bereich von 20 bis 30 nm für einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge von etwa 660 nm bei der Aufzeichnung liegt. 6 zeigt, dass, wenn die Rillentiefe "dg" (groove depth) geringer als 20 nm ist, sich eine niedrigere modulierte Amplitude ergibt (Strichlinie), wogegen, wenn diese tiefer als 30 nm ist, sich ein niedrigerer Reflexionsgrad für die Aufzeichnungsschicht ergibt (durchgezogene Linie).
  • Bei der Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung wird für die Reflexionsschicht das Material Ag-Pd-Cu oder Ag-Nd-Cu verwendet (wobei Ag in jedem Material den Massebestandteil darstellt), um eine hohe modulierte Amplitude zu bieten, wie in den Beispielen 1 und 12 gezeigt ist.
  • Im Gegensatz dazu ergab sich bei dem Vergleichsmuster 9, das in der gleichen Weise wie das Beispiel 1 gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt war, abgesehen davon, dass die Reflexionsschicht Al-Ti umfasste (wobei Al der Massebestandteil war), starker Jitter bei 4-facher und bei 6-facher Geschwindigkeit.
  • Der Unterschied bezüglich der modulierten Amplitude zwischen der Ausführungsform und dem Vergleichsmuster 9 beruht auf dem folgenden Grund:
    Das Element Ag, das in der reflektierenden Schicht enthalten ist, welches eine optische Konstante (komplexer Brechungsindex n-ik, wobei "n" und "k" den Brechungsindex bzw. den Extinktionskoeffizienten darstellen) mit einem kleinen Realteil aufweist, macht es möglich, dass ein hoher Wärmeanteil in die Aufzeichnungsschicht eindringt, sodass sich eine hohe modulierte Amplitude ergibt. Im Gegensatz dazu wird, wenn das Element Al in der reflektierenden Schicht enthalten ist, wobei dieses eine optische Konstante mit einem größeren Realteil als dem von Ag aufweist, ein geringer Wärmeanteil in die Aufzeichnungsschicht eindringen können, sodass sich eine niedrige modulierte Amplitude ergibt, sodass starker Jitter bewirkt wird.
  • Wie vorstehend diskutiert, weist das optische Speichermedium entsprechend der vorliegenden Erfindung, bei dem die erste Schutzschicht, die Aufzeichnungsschicht, die zweite Schutzschicht und die reflektierende Schicht in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet sind und bei dem Ag als Hauptbestandteil der reflektierenden Schicht genutzt wird, mehrere Vorteile hinsichtlich der Aufzeichnungsschicht auf, wie zuvor diskutiert, und weist ferner einen weiteren Vorteil insofern auf, als die reflektierende Schicht bei 1-facher bis 3-facher Geschwindigkeit und ebenfalls bei 4- und 6-facher Geschwindigkeit weniger Jitter bewirkt.
  • Die verschiedenen Beispiele gemäß der vorliegenden Erfindung sowie die Vergleichsmuster wurden mit der 2T-Aufzeichnungsstrategie bewertet, die in 2 gezeigt ist.
  • Ein dem Beispiel 2 gemäß der vorliegenden Erfindung äquivalentes Beispiel wurde ferner mit einer bekannten Aufzeichnungsstrategie bewertet, die in 7 gezeigt ist. Im Detail erfolgte die Aufzeichnung auf dem Beispiel 2 bei 4-facher Geschwindigkeit mit einer Aufzeichnungsleistung Pw = 20 mW, einer Löschleistung Pe = 9,0 mW, einem oberen Impuls Ttop = 0,40 [T], einem Mehrfachimpuls Tmp = 0,20 [T] und einem Kühlimpuls Tcl = 1,00 [T], wobei die anderen Strategien die gleichen wie für das Muster 1 waren.
  • Dieses Muster, das unter der bekannten Aufzeichnungsstrategie bewertet wurde, zeigte brauchbare Eigenschaften wie beispielsweise 8,2 % bei Jitter und 64 % bei der modulierten Amplitude. Es wird offensichtlich, dass die optische Scheibe entsprechend der vorliegenden Erfindung brauchbare Eigenschaften nicht nur unter der in 2 gezeigten 2T-Aufzeichnungsstrategie zeigt.
  • Wie im Einzelnen offenbart, wird mit der vorliegenden Erfindung eine optische Phasenänderungsscheibe angeboten, die brauchbare Aufzeichnungseigenschaften bei einer Aufzeichnung mit hoher Lineargeschwindigkeit wie beispielsweise der 4- bis 6-fachen DVD-Geschwindigkeit aufweist. Insbesondere weist die optische Phasenänderungsscheibe entsprechend der vorliegenden Erfindung brauchbare Aufzeichnungseigenschaften nach einer mehrfachen Anzahl von Überschreibvorgängen auf, sodass sie für eine lange Lagerung vorteilhaft ist.

Claims (4)

  1. Optische Scheibe zur Verwendung bei einer Aufzeichnung mit einer hohen Lineargeschwindigkeit, dem 4-fachen der DVD-Geschwindigkeit oder höher, umfassend: ein Substrat (1); eine erste Schutzschicht (2), die auf dem Substrat (1) ausgebildet ist; eine Aufzeichnungsschicht (3), die auf der ersten Schutzschicht (2) ausgebildet ist; eine zweite Schutzschicht (4), die auf der Aufzeichnungsschicht (3) ausgebildet ist; und eine reflektierende Schicht (5), die auf der zweiten Schutzschicht (4) ausgebildet ist, wobei die Aufzeichnungsschicht (3) eine Zusammensetzung aufweist, die als (SbxTe1-x)aGebInc ausgedrückt wird, in welcher die Atomanteile 0,77≤ x≤ 0,84; 0,85 ≤ a≤ 0,95; 0,01≤ b ≤ 0,10 und 0,01≤ c ≤ 0,10 betragen, wobei a + b + c = 1 gilt, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine spiralförmige Rille oder konzentrische Rillen mit einer Tiefe dg von 20 nm ≤ dg≤ 30 nm aufweist.
  2. Optische Scheibe nach Anspruch 1, bei welcher die Atomanteile "b" von Ge und "c" von In eine Differenz von –0,05 ≤ b – c ≤ 0,05 aufweisen.
  3. Optische Scheibe nach Anspruch 1, bei welcher die Aufzeichnungsschicht (3) zumindest ein ausgewähltes Element aus der Gruppe enthält, die aus Ag, Si, Al, Ti, Bi und Ga besteht, wobei das ausgewählte Element mit 3 Atom-% oder weniger in der Aufzeichnungsschicht (3) vorhanden ist.
  4. Optische Scheibe nach Anspruch 1, bei welcher die reflektierende Schicht (5) Ag als einen Hauptbestandteil der reflektierenden Schicht (5) enthält.
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