JP2002331758A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＤＶＤ−ＲＯＭと同等以上の容量を有し、Ｄ
ＶＤ−ＲＯＭの再生線速の２〜５倍速である７〜１７ｍ
／ｓにおける記録に好適でも、かつ初期化が容易な光記
録媒体を提供すること。 【解決手段】 基板上に、少なくとも第１の誘電体層、
Ｇａを含む薄膜層、相変化記録層、第２の誘電体層及び
反射放熱層を有する光情報記録媒体において、該相変化
記録層材料の結晶化温度が１９０℃以下であり、かつＧ
ａを含む薄膜層と相変化記録層材料の平均組成がＧａα
ＧｅβＩｎγＳｂδＴｅεで表したとき、α、β、γ、
δ、εの原子比率が以下の範囲にあることを特徴とする
光情報記録媒体。 ０．０１≦α≦０．１ ０．０１≦β≦０．１ ０≦γ≦０．１ ０．６≦δ≦０．８５ ε＝１−α−β−γ−δ

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、さらに詳しくは、容量が大きく、高再生倍速にお
ける記録に好適で、かつ初期化が容易な光情報記録媒体
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザービーム照射により情報の
記録、再生及び消去が可能な光情報記録媒体には、熱を
利用して磁化の反転を行い、記録消去する光磁気記録方
式と、結晶と非晶質の可逆的相変化を利用し、記録消去
が可能な相変化記録方式とがある。後者は単一ビームオ
ーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系がより
単純であることを特徴とし、コンピューター関連や映像
音響に関する記録媒体として応用されている。

【０００３】記録材料としては、非晶質を形成しやす
く、また、繰り返し記録によっても組成偏析が起きにく
いことから、カルコゲンを中心とした各種化合物や共晶
近傍付近の組成を有するものが使用されている。実用化
されているものとしては、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混
合物及びＳｂ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬２元系共晶組成にＡｇや
Ｉｎを添加した系がある。特に後者は、高感度でアモル
ファス部分の輪郭が明確であり、高密度記録に適した材
料である。特開平１１−０７０７３８号公報は、オーバ
ーライト回数が高く、保存信頼性にも優れたＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ４元材料の最適組成比、最適層構成が開示されて
いる。また、Ｃｒ又はＺｒを添加することにより保存特
性をさらに向上させている。

【０００４】近年、相変化光情報記録媒体は、高密度画
像記録への用途が拡大すると共に、より一層の高速オー
バーライト実現（ＤＶＤ−ＲＯＭの再生線速の２〜５倍
速である７〜１７ｍ／ｓ）が要求されるようになってき
た。高速オーバーライトの実現には、マーク消去時にお
ける記録層材料の結晶化の高速化が必要である。

【０００５】これに対して、記録層を式ＸαＳｂβＴｅ
γとしたとき、ＸはＩｎ又はＧａ、あるいはＩｎとＧａ
の混合物であり、α、β、γは原子比率を示し、以下の
範囲とし、記録層の結晶化速度を速めた上で、誘電体層
（保護層）や反射放熱層の種類、それらの膜厚や作製方
法を最適化することにより、上記課題を解決できること
が知られている。 ０．０１≦α≦０．１ ０．６０≦β≦０．９０ γ＝１−α−β 本発明者らの知見によると、Ｇａはマーク消去時におけ
る記録層材料の結晶化速度を高める効果がきわめて大き
く、高速オーバーライトの実現に適した材料であること
が判明している。

【０００６】しかし、本発明者らの検討によると、記録
層としてＧａを有する記録材料を用いた相変化光情報記
録媒体は、上記組成範囲に基づき高速オーバーライト可
能な組成に設計された場合、以下のような問題を有して
いることが分った。すなわち、一般に相変化型光情報記
録媒体では、製膜時に非晶質状態にある相変化記録材料
をレーザビーム照射等の熱処理を施して記録層を結晶化
させる初期結晶化が必要であるが、上記組成範囲に基づ
き高速オーバーライト可能な組成に設計されたＧａを有
する記録材料を用いた相変化光情報記録媒体は、いった
ん初期結晶化を行った後には、高速にマーク消去を行う
ことができるものの、それまでは溶融再結晶化し難いた
め、上記初期結晶化がきわめて困難となる。これは、Ｇ
ａの添加によって記録層の結晶化温度が上昇することに
より、初期結晶化時の結晶化が困難となるためと考えら
れる。つまり、記録層の結晶化速度を速めるために必要
十分量のＧａを添加した場合、結晶化温度が大幅に上昇
してしまい、初期化が極端に困難となるという問題を生
じていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の問題を解消し、ＤＶＤ−ＲＯＭと同等以上の容量
を有し、ＤＶＤ−ＲＯＭの再生線速の２〜５倍速である
７〜１７ｍ／ｓにおける記録に好適で、かつ初期化が容
易な光情報記録媒体を提供することをその課題とするも
のである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために、記録層材料の結晶化温度及びＧａを
含む薄膜層と記録層材料の平均組成に着目して鋭意検討
を重ねた結果、本発明を完成するに到った。

【０００９】すなわち、本発明によれば、基板上に、少
なくとも第１の誘電体層、Ｇａを含む薄膜層、相変化記
録層、第２の誘電体層及び反射放熱層を有する光情報記
録媒体において、該相変化記録層材料の結晶化温度が１
９０℃以下であり、かつＧａを含む薄膜層と相変化記録
層材料の平均組成がＧａαＧｅβＩｎγＳｂδＴｅεで
表したとき、α、β、γ、δ、εの原子比率が以下の範
囲にあることを特徴とする光情報記録媒体が提供され
る。 ０．０１≦α≦０．１ ０．０１≦β≦０．１ ０≦γ≦０．１ ０．６≦δ≦０．８５ ε＝１−α−β−γ−δ

【００１０】そして、本発明には、下記（１）〜（９）
に記載の発明が含まれる。 （１）該Ｇａを含む薄膜層と該相変化記録層とが接して
いるものである光情報記録媒体。 （２）該Ｇａを含む薄膜層が、相変化記録層に対して初
期結晶化時におけるレーザー入射面側に存在するもので
ある光情報記録媒体。 （３）該Ｇａを含む薄膜層の膜厚が、該相変化記録層の
膜厚の１０％以下である光情報記録媒体。 （４）該Ｇａを含む薄膜層の膜厚が、２ｎｍ以下である
光情報記録媒体。 （５）該Ｇａを含む薄膜層の融点が、２００〜８５０℃
である光情報記録媒体。 （６）該Ｇａを含む薄膜層が、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩ
ｎから選ばれた少なくとも１つの元素との合金である光
情報記録媒体。 （７）該合金がＳｂ及び／又はＴｅとの合金である光情
報記録媒体。 （８）該合金が金属間化合物である光情報記録媒体。 （９）レーザービームによる溶融初期化方法により初期
結晶化されたものである光情報記録媒体。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の光情報記録媒体（以下、
単に記録媒体ということがある）の具体的な基本構成
は、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ
０．７４μｍの案内溝付きポリカーボネートディスク基
板上に、第１の誘電体層、Ｇａを含む薄膜層、相変化記
録層、第２の誘電体層及び反射放熱層を有し、さらに、
反射放熱層上に形成された有機保護膜を介して、直径１
２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを
接着したものである。そして、基板側からレーザー光を
照射して記録再生を行うものである。

【００１２】また、相変化記録層材料の結晶化温度が１
９０℃以下であり、かつＧａを含む薄膜層と相変化記録
材料層の平均組成がＧａαＧｅβＩｎγＳｂδＴｅεで
表したとき、α、β、γ、δ、εの原子比率が以下の範
囲にあることを特徴とする。 ０．０１≦α≦０．１ ０．０１≦β≦０．１ ０≦γ≦０．１ ０．６≦δ≦０．８５ ε＝１−α−β−γ−δ

【００１３】ここで、結晶化温度とは、スパッタ法等に
代表される気相製膜法により、基板上に堆積させた記録
材料薄膜が１０℃／ｍｉｎの昇温速度で加熱されたとき
に結晶化する温度をいう。具体的には、膜厚２００ｎｍ
程度の記録材料薄膜をガラス基板上にスパッタ法により
堆積させた後に、機械的に基板から粉末状にしてこそぎ
落とし、それを示差熱分析法によって測定されるもので
ある。

【００１４】この相変化記録媒体の初期結晶化は、記録
層材料の結晶化温度が１９０℃を越えると急激に困難と
なる。よって、初期化を容易に行う観点からは結晶化温
度は低いことが好ましい。一方、Ｇａは記録材料の結晶
化速度を向上させると共に、結晶化温度を大きく上昇さ
せる効果を有する。つまり、結晶化速度を向上させ、高
速オーバーライトを実現する観点からは、相変化記録媒
体が有する記録層材料に含有されるＧａ量は多い方が望
ましいが、初期結晶化を容易にする観点からは、Ｇａは
少ない方が望ましい。

【００１５】本発明においては、Ｇａを含む薄膜層と相
変化記録層とは、レーザー照射による初期結晶化時に溶
融して相互拡散により混合し、その結果、上記関係で表
される平均組成を有する混合記録層を形成する。すなわ
ち、本発明では、ＤＶＤ−ＲＯＭの再生線速の２〜５倍
速である７〜１７ｍ／ｓでの相変化記録に必要とされる
Ｇａの一部又は全てをＧａを含む薄膜に分割して含んで
いるので、初期結晶化段階での相変化記録層材料の結晶
化温度を低く抑えることができ、初期化操作が容易に行
えるのである。

【００１６】初期結晶化前の相変化記録層材料の結晶化
温度及び初期結晶化後の混合記録層の平均組成は、Ｇａ
を含む薄膜層、相変化記録層の組成及び膜厚を調整する
ことにより行う。Ｇａを含む薄膜層の組成に占めるＧａ
組成を増やすか又はＧａを含む薄膜層の膜厚を厚くする
ことにより、相変化記録層が含有するＧａ量を減量し結
晶化温度を下げることが可能である。

【００１７】混合記録層の構成元素のうち、Ｉｎ及びＧ
ａは、記録層の結晶化速度を向上させ、高速オーバーラ
イトを可能とする効果を有している。また、結晶化温度
を高め、保存安定性を向上させる効果をも有している。
さらに、Ｇｅは保存信頼性、繰り返し特性、再生光安定
性を向上させる効果を有している。なお、混合記録層の
平均組成においては、その１０％までＧｅ，Ｇａ，Ｓ
ｂ，Ｔｅ，Ｉｎ以外の他の元素を含んでいてもよい。例
えば、Ａｇ等が挙げられる。

【００１８】Ｇａを含む薄膜層は、相変化記録層と接し
ていることが好ましい。このようにすることにより、初
期結晶化時に相互拡散による２層の混合が容易となり、
繰り返し記録にともなう平均組成の変動がなく、初回記
録時から良好な記録特性が得られる。また、Ｇａを含む
薄膜層は、相変化記録層に対して初期化時におけるレー
ザー入射面側に存在することが好ましい。Ｇａを含む薄
膜層と相変化記録層との界面近傍における初期結晶化時
のレーザー照射光による温度上昇は、反射層による放熱
がない分、レーザー入射面の界面近傍の方が高い。その
ため、初期結晶化時に相互拡散による２層の混合が容易
になり、初回記録時から良好な記録特性が得られる。

【００１９】Ｇａを含む薄膜層の融点は、２００〜８５
０℃であることが好ましい。融点が２００℃未満である
と、製膜時に異常放電にあった場合に、ターゲットの一
部が溶融する等の不具合が生じる。また、８５０℃を越
えると、初期結晶化時にＧａを含む薄膜層と記録層の相
互拡散が十分行われず、繰り返し記録と共に混合組成が
変動し、初期段階での記録特性が不安定となり好ましく
ない。上記範囲にある場合に限って、ターゲットの扱い
が容易で、かつ良好な記録特性を得ることができる。

【００２０】Ｇａを含む薄膜層の融点は、Ｇｅ、Ｓｂ、
Ｔｅ及びＩｎから選ばれた少なくとも１つの元素との合
金からなる層とすることにより調整することが好まし
い。これらの材料は、従来から相変化材料の構成元素と
して使用されているものであるから、初期結晶化時の相
互拡散により混合記録層となったとしても記録特性への
影響が少ない。また、いずれの元素も融点が１０００℃
以下であるため、Ｇａを含む薄膜層の基となるスパッタ
リング製膜用ターゲットの作製が容易となる。

【００２１】Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩｎから選ばれた少
なくとも１つの元素との合金のうちでは、Ｓｂ及び／又
はＴｅとの合金であることが好ましい。ＳｂとＴｅは、
相変化材料の主成分であり、初期化時の相互拡散の前に
あらかじめ合金を形成しておくことにより、混合組成に
おいてＧａの添加効果が確実になされ、良好な記録特性
が得られる。

【００２２】また、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＩｎから選ば
れた少なくとも１つの元素との合金は、金属間化合物で
あることが好ましい。元素のスパッタ収率の差異に起因
して生じるＧａを含む薄膜層の基となるターゲット組成
と製膜された薄膜組成とのずれをも抑えることができ、
また、製膜を繰り返してターゲットエロージョンの進行
に連れた場合でも、経時的な組成変化が生じない。この
ため、製膜ごとの組成ばらつきによって特性がばらつく
ことがなく、安定した媒体供給が可能となる。金属間化
合物としては、Ｇａ３Ｔｅ２、ＧａＴｅ、Ｇａ２Ｔｅ
３、ＧａＴｅ３、ＧａＳｂ等が挙げられる。

【００２３】Ｇａを含む薄膜層の膜厚は、該記録層膜厚
の１０％以下、より好ましくは５％以下である。また、
Ｇａ薄膜層膜厚が２ｎｍ以下であることが好ましい。こ
れより厚いと、初期結晶化時にＧａを含む薄膜層と記録
層の相互拡散が十分行われず、繰り返し記録と共に混合
組成が変動し、初期の繰り返し記録時の記録特性が不安
定となり好ましくない。

【００２４】本発明において、第１及び第２の誘電体層
（保護層）としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂、Ｔａ₂
Ｏ₅等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、Ｂ
Ｎ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ４、等の硫化
物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等
の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層
として用いることができ、また、混合物として用いるこ
ともできる。例えば、混合物としては、ＺｎＳとＳｉＯ
ｘ、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯｘが挙げられる。これら材料物
性は、熱伝導率、比熱、熱膨張係数、屈折率及び基板材
料又は記録層材料との密着性等があり、融点が高く、熱
膨張係数が小さく、密着性がよいといったことが要求さ
れる。特に第２の誘電体層は、繰り返しオーバーライト
特性を左右するものである。

【００２５】第１の誘電体層の膜厚は、５０〜２５０ｎ
ｍの範囲として、７５〜２００ｎｍが好ましい。５０ｎ
ｍより薄くなると、耐環境性保護機能の低下、耐熱性低
下、畜熱効果の低下となり好ましくない。２５０ｎｍよ
り厚くなると、スパッタ法等による製膜過程において、
膜温度の上昇により膜剥離やクラックが生じたり、記録
時の感度の低下をもたらすので好ましくない。第２の誘
電体層の膜厚は１０〜１００ｎｍの範囲とし、１５〜５
０ｎｍが好ましい。第２の誘電体層の場合、１０ｎｍよ
り薄いと、基本的に耐熱性が低下し好ましくない。１０
０ｎｍを越えると、記録感度の低下、温度上昇による膜
剥離、変形、放熱性の低下により繰り返しオーバーライ
ト特性が悪くなる。

【００２６】反射放熱層としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｂ等
の金属を主とした材料の単体もしくは合金又はその混合
物を用いることができる。必要に応じて、異なる金属、
合金又は混合物を複数積層してもよい。この層は、熱を
効率的に放散させることが重要であり、膜厚は、３０〜
２５０ｎｍ、好ましくは、５０〜１５０ｎｍである。膜
厚が厚すぎると、放熱効率が大きすぎて感度が悪くな
り、薄すぎると、感度は良好であるが、繰り返しオーバ
ーライト特性が悪くなる。特性としては、熱伝導率が高
く、高融点で保護層材料との密着性がよいこと等が要求
される。

【００２７】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく
説明するが、これら実施例によって本発明はなんら限定
されるものではない。なお、記録再生の評価は、波長６
６０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用い、
記録密度０．２６７μｍ／ｂｉｔ、ＥＦＭ＋変調方式に
て行った。記録は、線速７、１２、１７ｍ／ｓ、記録パ
ワー１３〜１５ｍＷ、バイアスパワー０．２ｍＷ、消去
パワー６〜８ｍＷで、記録ストラテジは各ディスクや線
速に合わせて最適化して行なった。再生は、全て線速
３．５ｍ／ｓ、パワー０．７ｍＷで実施した。図１に、
記録ストラテジを模式的に示し、図２に、線速と反射率
の関係を示す。

【００２８】実施例１ 基板上に、第１誘電体層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ
₂）２０を６０ｎｍ、Ｇａを含む薄膜層としてＧａ５０
Ｔｅ５０（融点８３５℃）を１．５ｎｍ、記録層として
Ｇｅ３．２Ｇａ２．５Ｉｎ１．１Ｓｂ７９Ｔｅ１４．２
（結晶化温度１８５℃）を１９ｎｍ、第２誘電体層とし
て（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ₂）２０を１４ｎｍ、反射放
熱層としてＡｌＴｉ１４０ｎｍをこの順に設け、各々ス
パッタにより成膜してディスク化した。このディスクを
口径１μｍ×１００μｍのレーザーを用い、基板側から
レーザー光を入射し、出力６８０ｍＷ、送り３６μｍ、
線速３ｍ／ｓで初期結晶化を行った。初期化後の反射率
は２０％であり、周内での反射率分布も均一であって良
好な初期結晶化が行われていた。なお、初期結晶化後
に、Ｇａを含む薄膜層と記録層の平均組成をＩＣＰ分析
したところ、Ｇｅ３．０Ｇａ６．０Ｉｎ１．０Ｓｂ７
３．２Ｔｅ１６．８であった。記録特性を評価したとこ
ろ、各線速でジッターは７％台、モジュレーションも６
０％以上と良好な記録を行うことができた。また、オー
バーライト５０００回まではジッターの上昇は２％以内
であり、モジュレーションに変化はなかった。再生光安
定性は、０．８ｍＷ、１００，０００回で、ジッターの
上昇は１％であった。

【００２９】実施例２ 実施例１においてＧａを含む薄膜層と記録層との製膜順
を入れ替え、基板上に第１誘電体層、記録層、Ｇａを含
む薄膜層、第２誘電体層、反射放熱層の順に製膜した。
実施例１と同様に初期結晶化を行ったところ、初期化後
の反射率は２０％であり、周内での反射率分布も均一で
あって良好な初期結晶化が行われていた。しかし、記録
特性を評価したところ、実施例１の場合と比較すると、
初回から１０回くらいまで各線速でのジッターが２割程
度増大していた。これはおそらく、Ｇａを含む薄膜層を
相変化記録層に対して初期化時におけるレーザー入射面
側とは反対側に設けたことにより、初期結晶化時、記録
時における記録層とＧａを含む薄膜層との界面近傍にお
ける温度上昇が小さく、両者の相互拡散が十分に行われ
ず、初回から１０回記録時において、混合記録層の組成
変化があったためと思われる。

【００３０】実施例３ 実施例１においてＧａを含む薄膜層の膜厚を２．６ｎｍ
とし、記録層の組成をＧｅ３．２Ｇａ１．１Ｓｂ８３．
０Ｔｅ１２．７（結晶温度１６５℃）とした。このディ
スクに対して、実施例１と同様の条件で初期結晶化を行
った。初期化後の反射率は２０％であり、周内での反射
率分布も均一であって良好な初期結晶化が行われてい
た。しかし、記録特性を評価したところ、実施例１の場
合と比較すると、初回から１０回くらいまで各線速での
ジッターが１割程度増大していた。これはおそらく、Ｇ
ａを含む薄膜層の膜厚が記録層の膜厚の１割以上の厚さ
であるため、初期結晶化時に両者の相互拡散が十分に行
われず、初回から１０回記録時において、混合記録層の
組成変化があったためと思われる。

【００３１】実施例４ 実施例１において、Ｇａを含む薄膜層としてＧａ８０Ｇ
ｅ２０（融点６００℃）を１．５ｎｍ、記録層としてＧ
ｅ２．０Ｇａ２．５Ｉｎ１．０Ｓｂ７６Ｔｅ１８．５
（結晶化温度１７５℃）を１９ｎｍとした。製膜を繰り
返して１０００枚のディスクを作製し、１００枚製ごと
にディスクの初期化と評価を行った。また、１００枚作
製ごとにＧａを含む薄膜層の組成分析を行った。実施例
１と同様の条件で初期結晶化を行ったところ、いずれの
メディアも初期化後の反射率は２０％であり、周内での
反射率分布も均一であって良好な初期結晶化が行われて
いた。しかし、各線速での記録特性を評価したところ、
１００枚目ごとにディスクの特性がばらついてしまい、
ディスクによっては各線速でのジッターが１０％を越え
てしまった。１００枚作製ごとに行ったＧａを含む薄膜
層の組成分析の結果をみると、１００枚ごとに組成のば
らつきが見られていた。

【００３２】比較例１ 実施例１においてＧａを含む薄膜層を設けることなく、
記録層の組成を実施例１における初期結晶化後の平均組
成Ｇｅ３．０Ｇａ６．０Ｉｎ１．０Ｓｂ７３．２Ｔｅ１
６．８とした。このとき記録層の結晶化温度は２１０℃
であった。このディスクに対して、実施例１と同様の条
件で初期結晶化を行った。反射率の周内分布ばらつきが
大きく、部分的に結晶化が不完全で、反射率が低い箇所
が多数見られた。

【００３３】実施例１と同様にして記録特性を評価した
ところ、各線速でジッターは１０％台を越えており、良
好な記録特性は得られなかった。これは、記録層の結晶
化温度が２１０℃と高いため、初期結晶化が円滑に行わ
れなかったためと思われる。

【００３４】比較例２ 実施例１において、初期結晶化をランプアニールで行っ
た。実施例１と同様の条件で初期結晶化を行ったとこ
ろ、いずれのメディアも初期化後の反射率は２０％であ
り、周内での反射率分布も均一であって良好な初期結晶
化が行われていた。しかし、記録特性を評価したとこ
ろ、各線速でのジッターは１０％を大幅に越えてしまっ
た。これはおそらく、初期化時にＧａを含む薄膜層と相
変化記録層との相互拡散が行われず所望の平均組成に達
しなかったためと思われる。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば、ＤＶＤ−ＲＯＭと同等
以上の容量を有し、ＤＶＤ−ＲＯＭの再生線速の２〜５
倍速である７〜１７ｍ／ｓにおける記録に好適でも、か
つ初期化が容易な光記録媒体を提供され、光情報の記
録、再生及び消去を行う分野に寄与するところはきわめ
て大きいものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体を用いて記録、再生す
るときの記録ストラテジの模式図である。

【図２】本発明の光情報記録媒体を用いて記録、再生す
るときの線速と反射率の関係を示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA04 EA12 EA23 EA36 FA11 FA18 FA21 FA23 FB05 FB09 FB12 FB21 FB30 5D029 HA05 JA01 JB18 JC11 MA38 MA50 5D121 AA01 GG26

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、少なくとも第１の誘電体層、
   Ｇａを含む薄膜層、相変化記録層、第２の誘電体層及び
   反射放熱層を有する光情報記録媒体において、該相変化
   記録層材料の結晶化温度が１９０℃以下であり、かつＧ
   ａを含む薄膜層と相変化記録層材料の平均組成がＧａα
   ＧｅβＩｎγＳｂδＴｅεで表したとき、α、β、γ、
   δ、εの原子比率が以下の範囲にあることを特徴とする
   光情報記録媒体。 ０．０１≦α≦０．１ ０．０１≦β≦０．１ ０≦γ≦０．１ ０．６≦δ≦０．８５ ε＝１−α−β−γ−δ
2. 【請求項２】 該Ｇａを含む薄膜層と該相変化記録層と
   が接しているものである請求項１に記載の光情報記録媒
   体。
3. 【請求項３】 該Ｇａを含む薄膜層が、相変化記録層に
   対して初期結晶化時におけるレーザー入射面側に存在す
   るものである請求項１又は２に記載の光情報記録媒体。
4. 【請求項４】 該Ｇａを含む薄膜層の膜厚が、該相変化
   記録層の膜厚の１０％以下である請求項１〜３のいずれ
   かに記載の光情報記録媒体。
5. 【請求項５】 該Ｇａを含む薄膜層の膜厚が、２ｎｍ以
   下である請求項１〜４のいずれかに記載の光情報記録媒
   体。
6. 【請求項６】 該Ｇａを含む薄膜層の融点が、２００〜
   ８５０℃である請求項１〜５のいずれかに記載の光情報
   記録媒体。
7. 【請求項７】 該Ｇａを含む薄膜層が、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔ
   ｅ及びＩｎから選ばれた少なくとも１つの元素との合金
   である請求項１〜６のいずれかに記載の光情報記録媒
   体。
8. 【請求項８】 該合金がＳｂ及び／又はＴｅとの合金で
   ある請求項７に記載の光情報記録媒体。
9. 【請求項９】 該合金が金属間化合物である請求項７又
   は８に記載の光情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 レーザービームによる溶融初期化方法
    により初期結晶化されたものである請求項１〜９のいず
    れかに記載の光情報記録媒体。