JP3493913B2

JP3493913B2 - 光学的情報記録用媒体

Info

Publication number: JP3493913B2
Application number: JP26435896A
Authority: JP
Inventors: 孝志大野; 通和堀江
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1996-10-04
Filing date: 1996-10-04
Publication date: 2004-02-03
Anticipated expiration: 2016-10-04
Also published as: JPH10112063A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光照射に
よる相変化によって生じる反射率差または反射光位相差
を利用した記録消去可能な光学的情報記録用媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは再生専用型、記録可能型
（書換可能型を含む）に分けられ、再生専用型はビデオ
ディスク、オーディオディスク、さらには大容量コンピ
ューター用ディスクメモリーとしてすでに実用化されて
いる。記録可能型の代表的なものには孔あけ・変形型、
有機色素型、光磁気型、相変化型がある。孔あけ・変形
型としてはＴｅ等の低融点金属または染料等の記録層が
用いられ、レーザー光照射により局所的に加熱され、孔
もしくは凹凸部が形成される。

【０００３】有機色素型としては色素または色素を含む
ポリマー等からなる記録層が用いられ、記録前後で反射
率（屈折率）が変化する。ＣＤフォーマット信号の記録
をおこなう光記録媒体として実用化されている。光磁気
型は記録層の磁化の向きにより記録や消去を行い、磁気
光学効果によって再生を行う。

【０００４】一方、相変化型は相変化前後で反射率また
は反射光の位相が変化することを利用するものであり、
外部磁界を必要とせず反射光量の違いを検出して再生を
行う。相変化型は光磁気型と比較すると、磁石を必要と
しない、光学系が単純である等の理由によりドライブ作
製が容易で、小型化、低コスト化にも有利である。さら
に、レーザー光のパワーを変調するだけで、記録・消去
が可能であり、消去と再記録を単一ビームで同時に行
う、１ビームオーバーライトも可能であるという利点を
有する。

【０００５】相変化記録方式に用いられる記録層材料と
しては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。例
えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系合金薄膜等の使用が試みられている。１ビームオー
バーライト可能な相変化記録方式では、結晶状態の記録
膜を非晶質化させることによって記録ビットを形成し、
結晶化させることによって消去を行う場合が一般的であ
る。

【０００６】この場合、ａｓ−ｄｅｐｏ状態はアモルフ
ァスである場合が一般的であるため、初期状態を結晶状
態とするために媒体全面を短時間で結晶化させる。この
工程を初期結晶化とよぶ。通常この初期結晶化は数十〜
百μｍ程度に絞ったレーザービームを回転する媒体に照
射することにより行なう。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来、共晶組成近傍の
合金材料は、非晶質形成能は高いものの結晶化の際に相
分離を伴うため、１００ナノ秒未満の短時間の加熱では
結晶化できず、オーバーライト可能な光記録媒体の記録
層としては不適当であると考えられてきた（文献Appl.
Phys. Lett., vol.49(1986), p502等）。

【０００８】特に、ＧｅＳｂＴｅ３元合金に注目した場
合、Ｔｅ₈₅Ｇｅ₁₅共晶組成近傍では実用的な結晶化速度
は得られていない。一方、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶組成近傍で
は、反射率変化のみをモニタした極めて初歩的な方法で
あるけれども、Ｓｂ_xＴｅ_1-x（０．５８＜ｘ＜０．７
５）２元合金が結晶−非晶質状態間で繰り返し記録消去
可能であることが米国特許第５０１５５４８号において
開示されている。

【０００９】Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀に第３元素、特にＧｅを加え
た組成範囲を含む先願としては特開平１−１１５６８
５、特開平１−２５１３４２、特開平１−３０３６４
３、特開平４−２８５８７各号公報等が挙げられる。し
かしながら、それ以後ＳｂＴｅ共晶組成近傍の相変化媒
体に関しては実用化にむけての進展はなかった。殊に、
成膜後の記録層を結晶化させる初期化操作が困難である
ために生産性が低く実用に供されないという深刻な問題
があった。

【００１０】このため、初期化の容易な金属間化合物組
成近傍の材料、あるいはその擬似２元合金のみが実用的
な特性を示すと考えられていた（特開平２−２４３３８
８、特開平２−２４３３８９、特開平２−２４３３９
０、特開平２−２５５３７８、特開昭６３−２２８４３
３、特開昭６１−８９８８９各号公報、文献 Jpn. J. A
ppl. Phys., vol.69(1991), p2849）。

【００１１】例えばＧｅＳｂＴｅ３元合金については、
近年、ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃擬似２元合金近傍組成のみ
が注目され実用化されてきた。こうした動向は、例えば
１９９１年より毎年開催されている「相変化光メモリシ
ンポジウム」の発表論文（予稿集に掲載されている）に
顕著にあらわれている。

【００１２】本発明者らは、単純化のためＳｂＴｅから
なる２元合金に注目し、従来の説にとらわれず共晶組成
組成近傍の結晶化／非晶質化特性につき、より高密度記
録に適した光ディスク評価機を用い、マーク長記録への
適性の観点から再検討を行った。その結果、Ｓｂ₇₀Ｔｅ
₃₀共晶組成近傍のＳｂＴｅ合金を主成分とする記録層
は、初期結晶化は困難であるものの一旦初期結晶化して
しまえば以後の非晶質−結晶相変化による記録消去は極
めて高速に行なうことができることを見出した。

【００１３】さらにこの共晶組成近傍でＧｅを添加した
材料につき評価したところ、ＳｂＴｅ共晶近傍のＧｅＳ
ｂＴｅ３元合金は、特定の記録パルスパターンを用いた
場合、繰り返しオーバーライトにおいて広く知られてい
るＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃疑似２元合金近傍の材料より劣
化が少ない、あるいは、マーク長記録したときのマーク
エッジのジッタが小さいという利点があることを見出し
た。また、結晶化温度がＳｂ₇₀Ｔｅ₃₀２元共晶合金より
高く、経時安定性に優れていることもわかった。しかし
ながら、ＳｂＴｅ共晶近傍のＧｅＳｂＴｅ３元合金は、
成膜後の記録層を結晶化させる初期化操作がＳｂＴｅ共
晶合金に比べても極めて困難なため、実際上、量産には
不向きであった。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基板上
に、少なくとも下部保護層、相変化型光記録層、上部保
護層、反射層からなる多層構成を有してなり、結晶状態
を未記録状態、非晶質状態を記録状態として光強度の２
値以上の変調によりオーバーライト記録を行う光学的情
報記録用媒体であって、該相変化型光記録層がＭ_zＧｅ_y
（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-z（ただし、ＭはＡｇもしくはＺ
ｎの少なくとも１種であり、０．６０≦ｘ≦０．８５、
０．０１≦ｙ≦０．２０、０．０１≦ｚ≦０．１５であ
る）なる組成を有し、該相変化型光記録層が、ＳｂＴｅ
共晶組成よりもＳｂを過剰にした組成を母体とすること
を特徴とする光学的情報記録用媒体に存する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。図１は本発明の光学的情報記録用媒体の記録層の
Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成範囲を示している。本発明にお
けるＭＧｅＳｂＴｅ（ＭはＡｇもしくはＺｎの少なくと
も１種）合金薄膜の組成範囲は、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶組成
近傍をベースに図１に示すようにＧｅを添加し、さらに
ＡｇもしくはＺｎを所定量添加したものである。

【００１６】本記録層材料を用いる最大の利点は、非晶
質マークの周辺部あるいは消去されたマーク内に、初期
化状態と反射率の異なる粗大グレインが生じにくいとい
うことである。これは結晶成長が相分離によって律速さ
れている共晶点近傍の合金に特有の現象である。しか
し、この記録層には、固相での結晶化速度を高めると非
晶質マーク形成時の再凝固時の再結晶速度まで極端に速
くなってしまい、溶融領域の外周部が再結晶化して非晶
質マークの形成が不十分になりやすいという特徴があ
る。

【００１７】すなわちこの記録層は共晶点近傍の組成で
あるため、結晶化速度は相分離のための原子の拡散速度
によって支配されており、拡散速度が最大となる融点直
下まで加熱しないと結晶化による高速消去ができない。
つまり、現在広く使用されているＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃
擬似２元合金組成近傍の記録層にくらべて、高結晶化速
度が得られる温度範囲が狭く、かつ高温に偏っているの
である。

【００１８】従って本記録層を光記録媒体に適用するた
めには、高結晶化速度と十分な大きさの非晶質マークの
形成とを両立させるため、再凝固時の融点近傍での冷却
速度をとりわけ大きくしてやる必要がある。そこで、本
発明の光学的情報記録用媒体においては、記録層材料が
Ｓｂ₇Ｔｅ₃比を一定とする線上では基本的にＳｂ相とＳ
ｂ₂Ｔｅ₃相とに相分離することを利用した。

【００１９】平衡状態で熱アニールした場合には、相分
離がＸ線回折で確認できる。しかし、光記録媒体におい
て非晶質マークを形成するような非平衡な過冷却状態で
は、過剰のＳｂが含まれると再凝固時にまず微小Ｓｂク
ラスタが析出する。このＳｂクラスタが結晶核となって
非晶質マーク中に残存するため、以後の非晶質膜の消去
（再結晶化）は相分離に時間をかけることなく短時間で
終了するものと考えられる（過剰Ｓｂの添加効果につい
ては、奥田等、Proc. Int. Symp. onOptical Memory, 1
991, p73 に詳しい）。

【００２０】本発明は、本記録層組成のこうした特徴に
関する考察に基づいてなされた。本発明記録媒体は前述
のようにＳｂ₇₀Ｔｅ₃₀２元共晶組成をベースにしてお
り、これにＧｅと、Ａｇ又はＺｎの少なくとも一方を所
定量添加する。本発明の記録用媒体の記録特性すなわち
非晶質および結晶化の可逆的プロセスは、ほとんどＳｂ
／Ｔｅ比、すなわち母体となるＳｂ₇₀Ｔｅ₃₀共晶組成に
含まれる過剰Ｓｂ量で決まる。

【００２１】Ｓｂが多くなれば急冷状態で析出するＳｂ
クラスタサイトが増え、結晶核生成が促進されると考え
られる。これは、各結晶核から同一結晶成長速度を仮定
しても、成長した結晶粒で埋め尽くされるに要する時間
が短縮され、結果として非晶質マークを結晶化するに要
する時間が短縮されることを意味する。従って、高線速
度で短時間のレーザー光照射で消去する場合に有利であ
る。

【００２２】一方、記録層の冷却速度は記録時の線速度
にも依存する。すなわち、同一層構成であっても低線速
度ほど冷却速度は低下する。従って、低線速度ほど非晶
質形成のための臨界冷却速度が小さい組成、すなわち過
剰Ｓｂ量の少ない組成が望ましい。まとめると、Ｓｂ₇₀
Ｔｅ₃₀共晶組成を基準として、過剰Ｓｂ量が多い組成ほ
ど高線速度に適している。

【００２３】Ｇｅを添加することは特に、非晶質状態の
熱的安定性を改善し、非晶質の記録ビットの経時安定性
を高める効果がある。Ｇｅ量に関しては、２０原子％を
越えるとＧｅ₁Ｓｂ₄Ｔｅ₇、Ｇｅ₁Ｓｂ₂Ｔｅ₄、Ｇｅ₂Ｓ
ｂ₂Ｔｅ₅あるいはＧｅＴｅといった金属間化合物組成が
相分離しやすくなり、繰り返しオーバーライトによる組
成変動の原因となるので好ましくない。より好ましくは
１５原子％以下とする。なお、１原子％未満では、添加
効果がほとんど得られない。

【００２４】また、後に詳しく述べるがＡｇもしくはＺ
ｎを添加することにより後述の初期化操作における結晶
化時間が短縮される。両者を併せ用いても良い。Ｇｅ、
Ａｇ、Ｚｎの添加により、母体となるＳｂＴｅが共晶と
なるのはＳｂ₆₀Ｔｅ₄₀からＳｂ₆₅Ｔｅ₃₅程度にずれるよ
うである。さて、本発明の（Ａｇ、Ｚｎ）ＧｅＳｂＴｅ
合金全体としての線速依存性は、上記のようにこの組成
をベースに過剰のＳｂをどれだけ含むかによって決ま
る。

【００２５】高線速に対応させるには、前述のように過
剰なＳｂ量を増やせばよいが、あまり増やすと非晶質ビ
ットの安定性が損なわれるので、Ｓｂ_xＴｅ_1-xの比から
いえば、０．６０≦ｘ≦０．８５である。好ましくは
０．６５≦ｘ≦０．８０である。

【００２６】本発明における光学的情報記録用媒体の層
構成は、基板上に少なくとも下部保護層、相変化型記録
層、上部保護層、反射層を設けてなる。保護層、記録
層、反射層はスパッタリング法などによって形成され
る。記録膜用ターゲット、保護膜用ターゲット、必要な
場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー
内に設置したインライン装置で膜形成を行うことが各層
間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面
からもすぐれている。

【００２７】本発明における記録媒体の基板としては、
ガラス、プラスチック、ガラス上に光硬化性樹脂を設け
たもの等のいずれであってもよいが、コストを含む生産
性の面ではプラスチックが好ましく、中でもポリカーボ
ネート樹脂が好ましい。記録層の膜厚は好ましくは１５
ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である。１５ｎｍ未満ではコン
トラストが取りにくく、また結晶化速度が遅く、消去が
困難となる。３０ｎｍを超えるとやはりコントラストが
得にくく、また記録感度が悪くなる。

【００２８】上下の保護層の材料は、屈折率、熱伝導
率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決
定される。一般的には透明性が高く高融点であるＭｇ、
Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ、Ｍｇ、
Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。これらの酸化
物、硫化物、窒化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組
成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制
御したり、混合して用いることも有効である。

【００２９】繰返し記録特性を考慮すると誘電体混合物
が好ましい。具体的にはＺｎＳや希土類硫化物と酸化
物、窒化物、炭化物等の耐熱化合物の混合物が挙げられ
る。下部保護層は特に、プラスチック基板の熱変形を抑
える機能も求められるので、少なくともその膜厚は５０
ｎｍ以上が好ましい。また、５００ｎｍを超えると内部
応力によりクラックが生じ易くなるので５００ｎｍ以下
であるのが好ましい。

【００３０】好ましい膜厚範囲は５０ｎｍ以上５００ｎ
ｍ以下と広いが、通常はこの範囲から、光干渉効果を考
慮して反射率や、記録前後の反射率差、位相差が適当な
値になるように選ばれる。特に好ましい構造としては、
該下部保護層の記録層に接する側の１ｎｍ以上１０ｎｍ
以下の部分がカルコゲン化合物と分解温度または融点が
１０００℃以上のカルコゲン化物ではない耐熱性化合物
との混合物からなり、残部が上記耐熱性化合物と異種又
は同種の耐熱性化合物からなるものが挙げられる。

【００３１】カルコゲン化合物としては、ＭｇＳ、Ｃａ
Ｓ、ＳｒＳ、ＢａＳなどのIIａ属元素の硫化物や、Ｍｇ
Ｓｅ、ＣａＳｅ、ＳｒＳｅ、ＢａＳｅなどのIIａ属元素
のセレン化物が挙げられる。上記硫化物又はセレン化物
はカルコゲン元素を含むため相変化型記録層に主として
含まれるカルコゲン及びその周辺元素との密着性も良
い。

【００３２】単なる酸化物よりなる誘電体層を用いた場
合に比べ大幅な改善が見られる。カルコゲン化物ではな
い耐熱性化合物としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｂａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｈｆ、Ｓｃ又はランタ
ノイドの酸化物、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｂの窒化
物、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎｄ、Ｔｂ、Ｌａの弗化物、Ｓｉ、Ｂ
の炭化物等が挙げられる。

【００３３】これらのうち、弗化物を用いる場合には、
酸化物も合わせて用いた方が脆性が改善される傾向にあ
るので好ましい。コスト、ターゲット製造の容易さ等の
観点から、二酸化珪素、酸化イットリウム、酸化バリウ
ム、酸化タンタル、ＬａＦ₃、ＮｄＦ₃、ＴｂＦ₃、ＳｉＣ、
Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮを用いるが好ましい。

【００３４】上記２種の物質の膜中の合計量は含有率に
して５０ｍｏｌ％以上が好ましく、さらに好ましくは８
０ｍｏｌ％以上である。この含有率が５０ｍｏｌ％を下
回ると、基板や記録膜の変形防止効果が不十分であり、
保護層としての役目をなさない傾向がある。またカルコ
ゲン化合物の含有率は保護層全体の１０ｍｏｌ％以上、
９５ｍｏｌ％以下が好ましい。１０ｍｏｌ％未満では望
みの特性が発揮されない。また９５ｍｏｌ％を超えると
光学吸収係数が大きくなり、好ましくなく、より好まし
くは１５ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下である。

【００３５】また上記耐熱性化合物の含有率は誘電体層
全体の５ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下が好ましく、
より好ましくは１０ｍｏｌ％以上である。これ以外の範
囲では望みの特性が得られないことがある。耐熱性化合
物は１０００℃以上の耐熱性と共に記録再生に用いるレ
ーザー光に対して光学的に十分透明であることが必要と
なる。

【００３６】すなわち、５０ｎｍ程度の厚さで約６００
ｎｍ以上の波長領域で複素屈折率の虚部が０．０５以下
であることが望ましい。この光学的透明性を得るため
に、スパッタ成膜時に、Ａｒと酸素及び／又は窒素との
混合ガスを用いると好ましい。特に、硫化物、及びセレ
ン化物中のＳやＳｅは蒸気圧が高いために、スパッタ中
に一部が分解、蒸発する傾向がある。

【００３７】このように、保護層中にＳやＳｅの欠損が
多いと、光吸収性の欠陥となり、また、化学的にも不安
定であるために好ましくない。上記のように、酸素や窒
素をスパッタガスに添加することは、この欠損を酸素や
窒素で置き換えることを目的としている。このとき上記
カルコゲン化合物の金属元素の酸化物や窒化物が膜中に
一部形成されるが、耐熱性化合物の一部として働くため
に、膜の特性は特に損なわれない。

【００３８】ところで、本誘電体層は、一般に高周波放
電スパッタで製造されるため、成膜速度が遅い傾向があ
り、生産性の面からは２００ｎｍ以上の厚膜を設けるこ
とは好ましくはない。従って、厚膜を形成する必要があ
る場合には、全膜厚のうち記録層に接する側の１ｎｍ以
上１０ｎｍ以下の部分がカルコゲン化合物と分解温度ま
たは融点が１０００℃以上のカルコゲン化物ではない耐
熱性化合物との混合物からなり、残部が上記耐熱性化合
物と異種又は同種の耐熱性化合物からなる保護膜とする
のがよい。

【００３９】少なくとも記録層界面側に本組成の誘電体
層を適用すれば、全膜厚を本発明で特徴とする組成の誘
電体層とした場合と同様の効果が得られる。ただし、記
録層界面側の複合誘電体層と、その上に設ける耐熱化合
物保護膜との密着性が良くなければ、剥離を生じやすい
ので、両者の組み合わせには注意を要する。最も問題の
少ない組み合わせは、記録層界面側の複合誘電体層に含
まれる耐熱性化合物と同種の材料を上に設ける耐熱性化
合物保護膜として用いることである。

【００４０】上部保護層にも上述のような材料が使用さ
れるが、その膜厚範囲は１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下が
好ましい。その最大の理由は、反射層への放熱を有効に
作用させるためである。放熱を促進し、記録層再凝固時
の冷却速度を高める層構成を採用することで、再結晶化
の問題を回避しつつ、高速結晶化による高消去比を実現
する。

【００４１】上部保護層の膜厚が３０ｎｍより厚くなる
と、記録層の熱が反射層に到達する時間が長くなり、反
射層による放熱効果が有効に作用しにくい。すなわち、
反射層は熱を汲みだすポンプであり、上部保護層はポン
プへ熱流を伝える配管であると見なせる。保護層が厚い
ということは配管が長いということであり、いくらポン
プの性能が高くても（反射層の熱伝導が大きくても）、
有効に作用しない。

【００４２】配管の流量は配管の太さ、つまり上部保護
層の熱伝導率にも作用されるが、一般に、１００ｎｍ未
満の薄膜の熱伝導率は同じ物質のバルクの熱伝導率より
２−３桁以上小さく、物質による差が小さくなるから、
厚さが重要な因子となる。一方、上部保護層が１０ｎｍ
より薄いと、記録層溶融時の変形等によって破壊されや
すく好ましくない。また、放熱効果が大きすぎて記録に
要するパワーが不必要に大きくなる点でも好ましくな
い。

【００４３】ここで提案した層構成は、相変化媒体では
「急冷構造」と呼ばれ、それ自体は公知である（特開平
２−５６７４６号公報、文献Jpn. J. Appl. Phys., Vo
l.28(1989), suppl.28-3, p123）。ただし、本発明記録
層にとっては、この層構成は従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔ
ｅ₃系にくらべ必然性が高く、急冷の範囲がより限定さ
れ、より急冷であることが必要である。

【００４４】反射層は反射率の大きい物質が好ましく、
本発明では特に熱伝導率が大きく上部誘電体層を介して
も、放熱効果が期待できるＡｕ、Ａｇ、Ａｌを８５原子
％以上含む金属が好ましく用いられる。反射層自体の熱
伝導度制御、耐腐蝕性改善のためＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ等を少量加えてもよい。特に
Ａｌ_xＴａ_1-x（０＜ｘ≦０．１５）なる合金は、耐腐蝕
性に優れており本光学的情報記録用媒体の信頼性を向上
させる上で効果がある。

【００４５】反射層の膜厚としては、透過光がなく完全
に入射光を反射させるために５０ｎｍ以上が望ましい。
膜厚５００ｎｍより大では、放熱効果に変化はなくいた
ずらに生産性を悪くし、また、クラックが発生しやすく
なるので５００ｎｍ以下とするのが望ましい。本発明で
は、この急冷構造にさらに、以下の記録方法を合わせ用
い、記録層の再凝固時の冷却速度を正確に制御すること
で、マーク長記録に適した本発明記録層材料の特徴をい
かんなく発揮させることが可能となる。

【００４６】図２は、光記録時のレーザーパワーの照射
パターンの一例を示す図である。長さｎＴ（Ｔは基準ク
ロック周期、ｎはマーク長変調記録において取りうるマ
ーク長であり、２以上の自然数をとる）にマーク長変調
された非晶質マークを形成する。図では例としてｎ＝７
の場合を示している。本発明記録媒体に対しては、長さ
ｎＴのマークに記録する際に、ｍ＝ｎ−ｋ（０≦ｋ≦２
なる整数、ただしｎの最小値をｎ_minとしてｎ_min−ｋ≧
１）個の記録パルスに分割し、個々の記録パルス幅をα
_iＴとし、個々の記録パルスにβ_iＴ（ただし、２≦ｉ≦
ｍ−１においてα_i≦β_i）なる時間のオフパルス区間が
付随する。オフパルス区間では０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅな
るバイアスパワーを照射する。

【００４７】ここで、マーク長を検出した際に、正確な
ｎＴマークが得られるよう、Σα_i＋Σβ_iはｎ−ｊ（ｊ
は０≦ｊ≦２なる実数）のように調整できるものとす
る。本発明媒体は、これまでＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃擬似
２元合金系で用いられてきたような記録パワーＰｗと消
去パワーＰｅの２値変調よりも、上記オフパルス区間を
設けバイアスパワーＰｂを照射する３値変調により記録
消去を行うことが望ましい。２値変調のオーバーライト
も可能ではあるが、３値変調方式を用いることで、パワ
ーマージン、記録時線速マージンを広げることができ
る。

【００４８】特に本発明記録層ではオフパルス時のバイ
アスパワーＰｂを０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅなるように十分
低くとることが必要である。ただし、β_mＴにおいては
０＜Ｐｂ≦Ｐｅとなってよい。なお、消去パワーＰｅは
非晶質マーク部を１００ナノ秒未満の照射で再結晶化さ
せうるパワー、記録パワーＰｗはα_iＴなる時間で記録
層を溶融させるに足るパワーであり、Ｐｗ＞Ｐｅであ
る。

【００４９】図３は、本発明の媒体に光記録を行ったと
きの記録層の温度変化の模式図である。記録パルス幅を
ｍ＝２として分割し、１番目の記録パルス（記録パワ
ー）、１番目のオフパルス（バイアスパワー）、２番目
の記録パルス、２番目のオフパルスを順に照射して非晶
質マークを形成する場合であって、（ａ）α_i＝β_i＝
０．５でＰｂ＝Ｐｅとした場合と、（ｂ）α_i＝β_i＝
０．５でＰｂ≒０（≠０）とした場合である。

【００５０】記録層の位置としては、１番目の記録パル
スの後端が照射される位置の記録層を想定している。
（ａ）ではオフパルス区間でもＰｅが照射されるため、
後続の記録パルスによる加熱の影響が前方に及び、１番
目の記録パルス照射後の冷却速度が遅く、かつオフパル
ス区間での温度降下で到達する最低温度Ｔ_Laが融点近傍
に留まっている。

【００５１】一方（ｂ）では、オフパルス区間のＰｂが
ほとんど０のため、最低温度Ｔ_Lbは融点より十分低い点
まで下がり、かつ途中の冷却速度も大きい。非晶質マー
クは１番目の記録パルス照射時に溶解し、その後のオフ
パルス時の急冷によって形成される。前述のように、本
発明媒体における記録層は融点近傍でのみ大きな結晶化
速度を示す。

【００５２】従って図３（ｂ）に示す温度プロファイル
をとることは、再結晶化を抑制し、良好な非晶質マーク
を得る上で重要なことである。逆に、冷却速度及び最低
温度Ｔ_Lを制御することで再結晶化をほぼ完全に抑制
し、溶融領域とほぼ一致するクリアな輪郭を有する非晶
質マークが得られるためマーク端において低ジッタが得
られる。

【００５３】一方、ＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃擬似２元系合
金では、図３（ａ）、（ｂ）いずれの温度プロファイル
でも非晶質マーク形成プロセスに大差がない。なぜな
ら、広い温度範囲で速度は若干遅いものの再結晶化を示
すからである。この場合、パルス分割方法によらずある
程度の再結晶化が生じ、これが非晶質マーク周辺の粗大
グレインとなってマーク端でのジッタを悪化させる傾向
がある。この記録層組成では、オフパルスを行うより、
むしろ従来の２値変調によるオーバーライトが単純で望
ましい。

【００５４】すなわち、本発明記録層にとってオフパル
スは好適であるが、従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃系記録
層あるいは本記録層を特開平１−３０３６４３号公報の
実施例に示されたようなマーク位置記録に適用した場合
にとっては必ずしも好ましいものではない。さて、本発
明媒体は記録層を結晶化温度以上で固相にて結晶化させ
る初期結晶化では結晶化が遅く生産性が良くないことは
既に述べた。これは、本記録層組成は成膜直後の非晶質
状態から、いったん相分離させ安定な結晶状態を形成す
る必要があるためと考えられ、この相分離には通常、固
相（融点以下）では１μ秒以上の加熱が必要である。

【００５５】例えば記録層としてＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅を用
いた場合にａｓ−ｄｅｐｏ状態の媒体を十分高速に結晶
化できる条件で、Ｇｅ₁₀Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₄等の記録層の媒体
の初期結晶化を試みると多くの部分が結晶化しないまま
アモルファス状態として残ってしまう。この操作を数十
回繰り返すことにより相分離が完了し、初期化できる場
合もあるがこれでは生産性が低く実用的でない。しかし
ながら、いったん初期化してしまえば、以後は高速で結
晶化（消去）できるようになる。

【００５６】ａｓ−ｄｅｐｏ状態の膜が結晶化しにくい
原因の一つは、ａｓ−ｄｅｐｏのアモルファスの状態が
記録マークのアモルファスの状態と異なり結晶化しにく
いためと考えられる。また、結晶核がａｓ−ｄｅｐｏ状
態の記録層にはほとんどないことが結晶化しにくい原因
となっていることも考えられる。実際、光学顕微鏡で初
期結晶化を試みた部分の観察をすると、結晶化のすすん
だ部分が高反射率の島状に観察される。これは結晶核の
できた部分でのみ結晶化がすすんでいるとすれば理解で
きる。

【００５７】このように初期結晶化が困難である場合、
生産性は著しく悪化する。本発明では、Ｇｅ_y（Ｓｂ_xＴ
ｅ_1-x）_1-y合金にさらに、ＡｇもしくはＺｎを適量添加
することにより上記初期化の困難さを解決した。添加す
るＡｇ、Ｚｎの量は、単独もしくはあわせて、１原子％
以上、１５原子％以下である。１原子％未満では添加効
果不十分で、１５原子％を超えると、Ｇｅ添加による非
晶質ビット安定化効果が失われてしまう。また、新たな
合金相が析出するためと考えられるが、記録マーク端の
ジッタが悪化するので好ましくはない。好ましくは１０
原子％以下である。

【００５８】発明者らはさらに、初期化に要する時間を
短縮し、確実に１回の光ビームの照射で初期化するため
の一つの方法として、本発明記録層には溶融初期化が有
効なことを見出した。上記層構成を有する限り、溶融し
たからといって記録媒体がただちに破壊されるものでは
ない。例えば、直径１００μｍ程度に集束した光ビーム
（ガスもしくは半導体レーザー光）を用いて局所的に加
熱し、ビーム中心部に限定して溶融させれば、記録媒体
は破壊されることはない。加えて、ビーム周辺部の加熱
により、溶融部が余熱されるため冷却速度が遅くなり、
良好な再結晶化が行われる。

【００５９】溶融初期化自体は公知の方法であるが、本
発明記録媒体にとっては非常に好適な手法であることを
見出した。この方法を用いれば、例えば、従来の固相結
晶化に対して１０分の１の初期化時間を短縮でき、生産
性が大幅に短縮できるとともに、オーバーライト後の消
去時における結晶性の変化を防止できる。従来、ＧｅＳ
ｂＴｅ３元合金が相変化媒体に適用された例があるが、
基本的にＳｂ₂Ｔｅ₃−ＧｅＴｅ擬似２元合金をベースと
したもの（特開昭６１−８９８８９、特開昭６２−５３
８８６、特開昭６２−１５２７８６各号公報等）であっ
て本発明の組成範囲とは大きく異なり、本発明組成範囲
は実用的な光記録媒体への応用検討からは実際上、見捨
てられていたのである。

【００６０】一部の特許で前述のように、ＳｂＴｅ共晶
近傍組成の合金が開示されている（米国特許４６７０３
４５号、特開平１−１１５６８５、特開平１−２５１３
４２、特開平１−３０３６４３、特開平４−２８５８７
各号公報）が、本発明で開示したマーク長記録に適した
記録方法を適用することについては述べられていない。

【００６１】従って、本発明媒体の組成・層構成はＳｂ
₇₀Ｔｅ₃₀共晶組成近傍の合金を実用的相変化媒体とする
ための欠くべからざる進歩改良である。また、従来、省
みられることの少ない組成でも、いったん初期化し、本
発明の記録方法と組み合わせて使用すればむしろ高密度
記録に適していることを見出したことは、一定の思想の
飛躍が必要であることは言うまでもない。さらに、短時
間で初期化するために本発明記録媒体に適した初期化方
法を組み合わせたことも産業上重要なことである。

【００６２】

【実施例】以下、実施例をもって本発明を詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に限定
されるものではない。以下で示す合金記録層の検討にあ
たっては、Ｇｅ₁Ｓｂ₂Ｔｅ₄もしくはＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅の
３元合金ターゲットとＳｂ、さらにはＡｇもしくはＺｎ
の少なくとも３種のターゲットでのコスパッタを利用し
た。各ターゲットの放電パワーを調整することで組成の
調整を行った。得られた合金薄膜の組成は、化学分析に
よって校正された蛍光Ｘ線強度で測定した。

【００６３】実施例１ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀
層を２３０ｎｍ、記録層としてＡｇ₆Ｇｅ₅Ｓｂ₇₀Ｔｅ₁₉
層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を２０ｎ
ｍ、Ａｌ_97.5Ｔａ_2.5合金層を２００ｎｍ、順次マグネ
トロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化
樹脂層を４μｍ設け光ディスクを作製した。

【００６４】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、線速度４．５ｍ／ｓ、ビーム送り速度５μｍ／
回転、レーザーパワー２５０ｍＷで溶融初期結晶化を試
みたところ、初期結晶化が可能であった。光ディスク評
価装置（レーザー波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用
いて、２．８ｍ／ｓの線速度でＥＦＭランダム信号（ク
ロック周波数は１１５ナノ秒）の記録を行なった。記録
時にはα₁＝１、α_i＝０．５（ｉ≧２）、β_i＝０．５
とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．
８ｍＷとした。実際の信号特性を示すジッタの値は最短
マーク長でクロック周期の１０％未満となり良好な値が
得られた。また、１０００回オーバーライト後もこの特
性は維持された。さらに、記録された信号は、温度８０
℃、湿度８０％ＲＨの環境下に１０００時間放置した後
にも劣化はみられなかった。

【００６５】実施例２ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀
層を２３０ｎｍ、記録層としてＡｇ₁₀Ｇｅ₇Ｓｂ₆₆Ｔｅ
₁₇層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を２０
ｎｍ、Ａｌ_97.5Ｔａ_2.5合金層を２００ｎｍ、順次マグ
ネトロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬
化樹脂層を４μｍ設け光ディスクを作製した。

【００６６】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、線速度４．５ｍ／ｓ、ビーム送り速度５μｍ／
回転、レーザーパワー２５０ｍＷで溶融初期結晶化を試
みたところ、初期結晶化が可能であった。

【００６７】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数は１１５ナノ
秒）の記録を行なった。記録時にはα₁＝１、α_i＝０．
５（ｉ≧２）、β_i＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐ
ｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号
特性を示すジッタの値は最短マーク長でクロック周期の
１０％未満となり良好な値が得られた。また、１０００
回オーバーライト後もこの特性は維持された。さらに、
記録された信号は、温度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境
下に１０００時間放置した後にも劣化はみられなかっ
た。

【００６８】実施例３ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀
層を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ₇Ｓｂ₆₀Ｔｅ₂₇Ｚｎ₆
層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を２０ｎ
ｍ、Ａｌ_97.5Ｔａ_2.5合金層を２００ｎｍ、順次マグネ
トロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化
樹脂層を４μｍ設け光ディスクを作製した。

【００６９】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、線速度４．５ｍ／ｓ、ビーム送り速度５μｍ／
回転、レーザーパワー２５０ｍＷで溶融初期結晶化を試
みたところ、初期結晶化が可能であった。

【００７０】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数は１１５ナノ
秒）の記録を行なった。記録時にはα₁＝１、α_i＝０．
５（ｉ≧２）、β_i＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐ
ｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号
特性を示すジッタの値は最短マーク長でクロック周期の
１０％未満となり良好な値が得られた。また、１０００
回オーバーライト後もこの特性は維持された。さらに、
記録された信号は、温度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境
下に１０００時間放置した後にも劣化はみられなかっ
た。

【００７１】実施例４ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀
層を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ₈Ｓｂ₆₁Ｔｅ₂₈Ｚｎ₃
層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を２０ｎ
ｍ、Ａｌ_97.5Ｔａ_2.5合金層を２００ｎｍ、順次マグネ
トロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化
樹脂層を４μｍ設け光ディスクを作製した。

【００７２】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、線速度４．５ｍ／ｓ、ビーム送り速度５μｍ／
回転、レーザーパワー３００ｍＷで第１段階の初期結晶
化を試み、反射率を最終的な結晶状態の８０％程度にま
であげ、さらに、下記のテスターにて１１ｍＷにて１回
照射したところ、溶融初期結晶化が可能であった。この
程度の２回照射で初期化完了するならば産業上なんら問
題無いと考えられる。

【００７３】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数は１１５ナノ
秒）の記録を行なった。記録時にはα₁＝１、α_i＝０．
５（ｉ≧２）、β_i＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐ
ｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信号
特性を示すジッタの値は最短マーク長でクロック周期の
１０％未満となり良好な値が得られた。また、１０００
回オーバーライト後もこの特性は維持された。さらに、
記録された信号は、温度８０℃、湿度８０％ＲＨの環境
下に１０００時間放置した後にも劣化はみられなかっ
た。

【００７４】実施例５ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀
層を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ₇Ｓｂ₆₂Ｔｅ₂₅Ｚｎ₆
層を２０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を２０ｎ
ｍ、Ａｌ_97.5Ｔａ_2.5合金層を２００ｎｍ、順次マグネ
トロンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化
樹脂層を４μｍ設け光ディスクを作製した。

【００７５】この光ディスクを、楕円形の照射ビームの
長軸の長さを５０μｍ程度とした光ディスク初期化装置
を用い、線速度４．５ｍ／ｓ、ビーム送り速度５μｍ／
回転、レーザーパワー２５０ｍＷで溶融初期結晶化を試
みたところ、初期結晶化が可能であった。

【００７６】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数は１１５ナノ
秒）の記録を行なった。記録時にはα₁＝１、α_i＝０．
４５（i≧２）、β_i＝０．５５とし、Ｐｗ＝１４ｍＷ、
Ｐｅ＝６．５ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実際の信
号特性を示すジッタの値は最短マーク長でクロック周期
の１０％未満となり良好な値が得られた。また、１００
０回オーバーライト後もこの特性は維持された。さら
に、記録された信号は、温度８０℃、湿度８０％ＲＨの
環境下に５００時間放置した後にも劣化はみられなかっ
た。

【００７７】比較例１ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀
層を２３０ｎｍ、記録層としてＧｅ₁₀Ｓｂ₆₇Ｔｅ₂₃層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を２０ｎｍ、
Ａｌ_97.5Ｔａ_2.5合金層を２００ｎｍ、順次マグネトロ
ンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂
層を４μｍ設け光ディスクを作製した。この光ディスク
を、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０μｍ程度と
した光ディスク初期化装置を用い、線速度４．５ｍ／
ｓ、ビーム送り速度５μｍ／回転、レーザーパワー２５
０ｍＷで数回照射し、溶融初期結晶化を試みたが初期結
晶化はできなかった。

【００７８】比較例２ポリカーボネート基板上に（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀
層を２３０ｎｍ、記録層としてＡｇ₅Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₉層を
２０ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を２０ｎｍ、
Ａｌ_97.5Ｔａ_2.5合金層を２００ｎｍ、順次マグネトロ
ンスパッタリング法にて積層し、さらに紫外線硬化樹脂
層を４μｍ設け光ディスクを作製した。この光ディスク
を、楕円形の照射ビームの長軸の長さを５０μｍ程度と
した光ディスク初期化装置を用い、線速度４．５ｍ／
ｓ、ビーム送り速度５μｍ／回転、レーザーパワー２５
０ｍＷで溶融初期結晶化を試みたところ、初期結晶化が
可能であった。

【００７９】光ディスク評価装置（レーザー波長７８０
ｎｍ、ＮＡ０．５５）を用いて、２．８ｍ／ｓの線速度
でＥＦＭランダム信号（クロック周波数は１１５ナノ
秒）の記録を行なった。記録時にはα₁＝１、α_i＝０．
５（i≧２）、β_i＝０．５とし、Ｐｗ＝１３ｍＷ、Ｐｅ
＝６．５ｍｗ、Ｐｂ＝０．８ｍＷ、とした。実際の信号
特性を示すジッタの値は最短マーク長でクロック周期の
１０％未満となり、初期特性は良好であった。また、１
０００回オーバーライト後もこの特性は維持された。

【００８０】しかし、記録された信号は、温度８０℃、
湿度８０％ＲＨの環境下に５００時間放置した後に劣化
し、ジッタがクロック周期の２０％に達した。一部で非
晶質ビットが再結晶化し、消えかけていることがわかっ
た。

【００８１】

【発明の効果】本発明によれば、従来の媒体に比べて劣
化が少なく、マーク長変調記録時にジッターの少ない、
高密度記録に適した光学的情報記録用媒体を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光学的情報記録用媒体の記録層のＧ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅ組成範囲の説明図

【図２】光記録時のレーザーパワーの照射パターンの一
例を示す説明図

【図３】本発明の光学的情報記録用媒体に光記録を行っ
たときの記録層の温度変化の模式図

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平８−180414（ＪＰ，Ａ) 特開平１−211249（ＪＰ，Ａ) 特開平８−216522（ＪＰ，Ａ) 特開平８−249721（ＪＰ，Ａ) 特開平８−7343（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/24 511

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、少なくとも下部保護層、相変
化型光記録層、上部保護層、反射層からなる多層構成を
有してなり、結晶状態を未記録状態、非晶質状態を記録
状態として光強度の２値以上の変調によりオーバーライ
ト記録を行う光学的情報記録用媒体であって、該相変化
型光記録層がＭ_zＧｅ_y（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-z（ただ
し、ＭはＡｇもしくはＺｎの少なくとも１種であり、
０．６０≦ｘ≦０．８５、０．０１≦ｙ≦０．２０、
０．０１≦ｚ≦０．１５である）なる組成を有し、該相
変化型光記録層が、ＳｂＴｅ共晶組成よりもＳｂを過剰
にした組成を母体とすることを特徴とする光学的情報記
録用媒体。
【請求項２】０．６５≦ｘ≦０．８５であることを特
徴とする請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項３】０．６５≦ｘ≦０．８０、０．０１≦ｙ
≦０．１５、０．０１≦ｚ≦０．１０であることを特徴
とする請求項１又は２に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項４】相変化型光記録層の膜厚が１５ｎｍ以上
３０ｎｍ以下、上部保護層の膜厚が１０ｎｍ以上３０ｎ
ｍ以下であり、反射層が膜厚５０ｎｍ以上５００ｎｍ以
下であって、Ａｕ、ＡｇまたはＡｌを８５原子％以上含
む金属からなることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項５】下部保護層の膜厚が５０ｎｍ以上５００
ｎｍ以下であり、記録層に接する側の１ｎｍ以上１０ｎ
ｍ以下の部分がカルコゲン化合物と分解温度または融点
が１０００℃以上のカルコゲン化物ではない耐熱性化合
物との混合物からなり、残部が該耐熱性化合物と異種又
は同種の耐熱性化合物からなることを特徴とする請求項
１乃至４のいずれかに記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項６】相変化型光記録層を成膜後、エネルギー
ビームを照射して結晶化せしめる初期化操作を行うにあ
たり、該記録層を局所的に溶融せしめ、再凝固の際に結
晶化させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項７】線速度１ｍ／ｓ以上７ｍ／ｓ以下におい
て、レーザーパワーをクロック周期Ｔに従って少なくと
も３値の間で変調することでマーク長変調記録及び消去
を行う光学的情報記録用媒体であって、マーク間部を形
成する際には非晶質マーク部を１００ナノ秒未満の照射
で再結晶化させうる消去パワーＰｅを照射し、長さｎＴ
(ｎは２以上の整数)のマーク部を形成する際には、記録
パワーＰｗを印加する期間をα₁Ｔ、α₂Ｔ、・・・、α
_mＴとし、かつバイアスパワーＰｂを印加する期間をβ₁
Ｔ、β₂Ｔ、・・・、β_mＴとして、レーザパワーのため
の印加期間を順次にα₁Ｔ、β₁Ｔ、α₂Ｔ、β₂Ｔ、・・
・・、α_mＴ、β_mＴとしてレーザーパワーをｍ個のパル
スに分割するとともに、２≦ｉ≦ｍ-１においてはα_i≦β_iとし、ｋを０から２までの整数からなるパラメータ、ｊを０か
ら２までの実数からなるパラメータとし、かつ前記ｎの
最小値をｎ_minとしてｎ_min-ｋ≧１、ｍ＝ｎ-ｋ、α₁＋
β₁＋・・・・・＋α_m＋β_m＝ｎ-ｊとしたとき、Ｐｗ＞Ｐｅ、０＜Ｐｂ≦０．５Ｐｅ（ただし、β_mＴに
おいては０＜Ｐｂ≦Ｐｅとなりうる）であることを特徴
とする請求項４記載の光学的情報記録用媒体。